Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | IPD60R2K0C6BTMA1 Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 2.4A TO252-3 | 28 от 6 дней | |||
Rochester Electronics, LLC | IPD60R2K0C6BTMA1 Rochester Electronics, LLC | COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET | 0.338 $
| 3211 от 6 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | IPD60R2K0C6ATMA1 Infineon Technologies Артикул:IPD60R2K0C6ATMA1 Корпус:N-Channel | Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel В упаковке: 1 шт. Минимальный заказ:1 шт. | 8620 2-3 недели | |||
Infineon Technologies | IPD60R2K0C6ATMA1 Infineon Technologies Артикул:IPD60R2K0C6ATMA1 | Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 1.1 mOhms - 16 V, + 16 V 1.1 V 140 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement AEC-Q101 Тип упаковки / в упаковке: Reel, Cut Tape, Mous / 1 шт. Минимальный заказ:1 шт. | 16940 2-3 недели | |||
Infineon Technologies | IPD60R2K0C6BTMA1 Infineon Technologies Артикул:IPD60R2K0C6BTMA1 | MOSFET N-CH 600V 2.4A TO252-3 4158 В упаковке: 1 шт. Минимальный заказ:1 шт. | 41976 1-2 недели |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON TECHNOLOGIES | IPD60R2K0C6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES | Транзистор LOW POWER_LEGACY | по запросузаказать | |||
INFINEON TECHNOLOGIES | IPD60R2K0C6BTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES | Транзисторы с каналом N SMD Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 2,4А; 22,3Вт; PG-TO252-3 | по запросузаказать |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
IPD60R2K0C6 | МОП-транзистор N-Ch 650V 2.4A DPAK-2 CoolMOS C6 | под заказ 3-7 недель |
|
2002— «ЭтЛайт» Администрация: +7 (812) 309-50-30, client@efind.ru Расширение для браузера · Телеграм-бот · Аналитика · English version |
![]() |
KRDAl4kiQlHiJlBT 0712
|