- Прикрепленные файлы:
- abtronics_DMHC3025LSD13_0.pdf
- abtronics_DMHC3025LSD13_1.pdf
DMHC3025LSD-13
Производитель
Diodes Inc.
Категория
Описание
30V Enhancement MOSFET H-Bridge SOIC8
Доставка: 3 недели
60045925 шт.
В наличии
0 шт.
Технические характеристики
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
Power - Max | 1.5 W |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
FET Type | 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) |
FET Feature | Logic Level Gate |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A, 4.2A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 5A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 11.7nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 590pF @ 15V |
Mounting Type | Surface Mount |
Supplier Device Package | 8-SO |
Информация о складах
Склад | Доставка | Кол-во | Цена |
---|---|---|---|
склад №60
|
2-3 нед. | 751 шт. | По запросу |
А также наличие на других складах.