Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
PTIF | 2N5551RL1G PTIF Артикул:2N5551RL1G | 20years expertise,only new original Дата изготовления:21+/22+ Тип упаковки / в упаковке: Tray / 2500 Минимальный заказ:10 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
onsemi | 2N5551RL1G onsemi | 4924 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
onsemi | 2N5551RL1G onsemi | TRANS NPN 160V 0.6A TO92 | 2995 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
onsemi | 2N5551RL1G onsemi Артикул:2N5551RL1G | Tape & Reel (TR) Through Hole NPN Single Bipolar (BJT) Transistor 80 @ 10mA 5V 50nA ICBO 625mW 300MHz Дата изготовления:2022 Тип упаковки / в упаковке: N/A / 1 Минимальный заказ:315, 3912 штук | от 9.271 р.
| 200774 5-6 недель |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Rochester Electronics, LLC | 2N5551RL1G Rochester Electronics, LLC | TRANS NPN 160V 600MA TO92-3 | 0.1 $
| 159950 от 6 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
ON Semiconductor | 2N5551RL1G ON Semiconductor | от 0.107 $
| 2 от 7 дней | |||
ON Semiconductor | 2N5551RL1G ON Semiconductor | 2000 от 7 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
AMI Semiconductor / ON Semiconductor | 2N5551RL1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Артикул:2N5551RL1G | TRANS NPN 160V 0,6A TO-92 4528 Минимальный заказ:1 шт | 53941 1-2 недели |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
ON | 2N5551RL1G ON Корпус:TO-92 | Stock, New and Original Дата изготовления:22+/23+ | 9000 1-3 days |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
onsemi | 2N5551RL1G onsemi | TRANS NPN 160V 0.6A TO92 Минимальный заказ:1 | 5000 on request |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
ON Semi | 2N5551RL1G ON Semi | Дата изготовления:2020+ | 9400 China & HongKong 1-2 days | |||
ON SEMI | 2N5551RL1G ON SEMI | Дата изготовления:2020+ | 200 China & HongKong 1-2 days |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
ON | 2N5551RL1G ON | 10732 7-14 рабочих дней | ||||
ON SEMICONDUCTOR | 2N5551RL1G ON SEMICONDUCTOR | 10635 7-14 рабочих дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
ONSEMI [ON Semiconductor] | 2N5551RL1G ONSEMI [ON Semiconductor] | Биполярные транзисторы - BJT 600mA 180V NPN | 210 от 10-12 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
ON Semiconductor | 2N5551RL1G, Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R ON Semiconductor | 1940 1-3 недели |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
ONSEMI [ON Semiconductor] | 2N5551RL1G ONSEMI [ON Semiconductor] | Биполярные транзисторы - BJT 600mA 180V NPN | 2056 От 8 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
ONSEMI [ON Semiconductor] | 2N5551RL1G ONSEMI [ON Semiconductor] | Amplifier Transistors NPN Silico | 2085 От 8 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
ONSEMI [ON Semiconductor] | 2N5551RL1G ONSEMI [ON Semiconductor] | Биполярные транзисторы - BJT 600mA 180V NPN | 2884 от 7 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
ONSEMI [ON Semiconductor] | 2N5551RL1G ONSEMI [ON Semiconductor] | Amplifier Transistors NPN Silico | 19195 от 8 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
onsemi | 2N5551RL1G onsemi | 97973 По запросу. 2-3 недели. |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
onsemi | 2N5551RL1G onsemi | Минимальный заказ: € 500 | 2000 От-8 Недель |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
ON Semiconductor | 2N5551RL1G ON Semiconductor Корпус:TO-92 | Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R. Возможна срочная поставка за 7 дней за доп. плату. | 0.285 $
| от 7 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
ON Semiconductor | 2N5551RL1G ON Semiconductor | Биполярные транзисторы - BJT 600mA 180V NPN | от 9.61 р.
| под заказ 4-6 недель заказать |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Onsemi | 2N5551RL1G Onsemi Артикул:2N5551RL1G | Минимальный заказ:1 штука | 0 6-8 недель при наличии на складе |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
onsemi | 2N5551RL1G onsemi Артикул:2156-2N5551RL1G-ND | TRANS NPN 160V 600MA TO92-3 | 0 по запросу заказать |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
onsemi | 2N5551RL1G onsemi Артикул:2156-2N5551RL1G-ND | TRANS NPN 160V 600MA TO92-3 | 0 по запросу заказать |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
ON Semiconductor | 2N5551RL1G ON Semiconductor | TRANS NPN SS GP 0.6A 160V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 160V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 600mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V · Мощность макcимал | 10-14 дней | |||
ON Semiconductor | 2N5551RL1GOSCT-ND ON Semiconductor | TRANS NPN SS GP 0.6A 160V TO-92 | 10-14 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
ON Semiconductor | 2N5551RL1G ON Semiconductor | TRANS NPN SS GP 0.6A 160V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 160V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 600mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V · Мощность макcимал | 10-14 дней | |||
ON Semiconductor | 2N5551RL1GOSCT-ND ON Semiconductor | TRANS NPN SS GP 0.6A 160V TO-92 | 10-14 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
ON Semiconductor | 2N5551RL1G ON Semiconductor | Биполярные транзисторы - BJT 600mA 180V NPN | 3-5 недель заказать | |||
ON Semiconductor | 2N5551RL1G-BOX ON Semiconductor | Биполярные транзисторы - BJT 600mA 180V NPN | 3-5 недель заказать |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
PTIF | 2N5551RL1G PTIF | 12-15 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
ON Semiconductor | 2N5551RL1G ON Semiconductor | от 3-4 недель |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
ON SEMICONDUCTOR | 2N5551RL1G-BOX ON SEMICONDUCTOR | 3 недели | ||||
Не указан | 2N5551RL1G Не указан | 2-3 недели |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
ON SEMICONDUCTOR | 2N5551RL1G ON SEMICONDUCTOR | 1763 3-5 недель |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
ON Semiconductor | 2N5551RL1G ON Semiconductor |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
ON Semiconductor | 2N5551RL1G, Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R ON Semiconductor | 2-3 недели |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
ON SEMICONDUCTOR | 2N5551RL1G ON SEMICONDUCTOR | Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C) | 1000 (3-4 недели)заказать |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
ON Semiconductor | 2N5551RL1G ON Semiconductor | 5-7 дней | ||||
ON SEMICONDUCTOR | 2N5551RL1G ON SEMICONDUCTOR | 5-7 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
ON Semiconductor | 2N5551RL1G ON Semiconductor | по запросу |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
2N5551RL1G | Биполярный транзистор - [TO-92FL-3]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 160 В; IК(макс): 600 мА; Pрасс: 625 мВт; Fгран: 100 МГц; h21: 80...250 | под заказ 3-7 недель |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
ON Semiconductor | 2N5551RL1G ON Semiconductor | 6-10 календарных дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
2N5551RL1G | Минимальный заказ от 1 штуки. New and Original | есть |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
2N5551RL1G |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
2N5551RL1G | от 7 дней | |||||
2N5551RL1G-BOX | от 7 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
2N5551RL1G | от 7 дней | |||||
2N5551RL1G-BOX | от 7 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
2N5551RL1G | по запросу |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
ON S | 2N5551RL1G ON S | Дата изготовления:1428 | 2000 от 2 нед. | |||
ON SEMICONDUCTOR | 2N5551RL1G ON SEMICONDUCTOR | 3450 от 2 нед. | ||||
ONSE | 2N5551RL1G ONSE | 68000 от 2 нед. | ||||
ONS | 2N5551RL1G ONS | Дата изготовления:O903 | 2000 от 2 нед. |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
ON SEMICONDUCTOR | 2N5551RL1G ON SEMICONDUCTOR | Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа Through Hole Конфигурация Single Максимальный постоянный ток коллектора 0.6 A Упаковка / блок TO-92-3 (TO-226) Производитель ON Semiconductor Максимальное рассеяние мощности 625 mW Произве В упаковке: 1 Минимальный заказ:1 | да 5-18 дней | |||
onsemi | 2N5551RL1G onsemi | Транзистор: TRANS NPN 160V 0.6A TO92 Package Cut Tape (CT) Тип транзистора NPN Максимальный Ток Коллектора (Ic) 600 mA Напряжение пробоя коллектор-эмиттер 160 V Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic 200mV @ 5mA, 50mA Обратный ток коллектора (Max) В упаковке: 1 Минимальный заказ:1 | да 7-21 день |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
ON Semiconductor | 2N5551RL1G ON Semiconductor | 5-10 дн | ||||
ON Semiconductor | 2N5551RL1G ON Semiconductor | склад |
|
2002— «ЭтЛайт» Администрация: +7 (812) 309-50-30, client@efind.ru Расширение для браузера · Телеграм-бот · Аналитика · English version |
![]() |
KRDAl4kiQlHiJlBT 0715
|