Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | BSC196N10NSGATMA1 Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 45A TDSON-8, Минимум/кратно 5,000 шт | 0 шт. срок поставки по запросу | |||
Infineon Technologies | BSC196N10NSGATMA1 Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 45A TDSON-8, Минимальный заказ 150$ на позицию. СРОЧНЫМ КАНАЛОМ | 2.44 $
| 5 шт. 1-2 нед. | ||
Infineon Technologies | BSC196N10NSGATMA1 Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 45A TDSON-8, Минимальный заказ 100$ на позицию | 1.81 $
| 5 шт. 3-4 нед. |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON | BSC196N10NSGATMA1 INFINEON | Дата изготовления:24+ Тип упаковки: TDSON-8 | 150000 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | BSC196N10NSGATMA1 Infineon Technologies | Оригинал 100%. | 402 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | BSC196N10NSGATMA1 Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 8.5A/45A TDSON | 31448 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | BSC196N10NSGATMA1 Infineon Артикул:BSC196N10NSGATMA1 | MOSFET, N CH, 100V, 45A, PG-TDSON-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:45A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):16.7mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:78W; Opera Дата изготовления:2022 Тип упаковки / в упаковке: Tape & Reel / Cu / 1 Минимальный заказ:1, 5, 100, 187, 5000 | от 70.203 р.
| 81843 5-6 недель |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | BSC196N10NSGATMA1 Infineon Technologies | В упаковке: 1 Минимальный заказ:1 | от 75.87 р.
| 47201 6-8 недель заказать |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON | BSC196N10NSGATMA1, 5 шт. INFINEON | Минимальный заказ:5 шт. | 304.48 р.
| 17364 4-6 недель заказать |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | BSC196N10NSGATMA1 Infineon | Минимальный заказ:1 | 74.19 р.
| 196 Поставка дней: 35-45 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | BSC196N10NSGATMA1 Infineon Technologies Артикул:BSC196N10NSGATMA1 | MOSFET N-CH 100V 45A TDSON-8 В упаковке: 1 шт. Минимальный заказ:1 шт. | 58311 1-2 недели |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | BSC196N10NSGATMA1 Infineon Корпус:TDSON-8 | Original brand, fast delivery, welcome to send inquiry to me ! Whatsapp/WeChat: +86-15919457367, Email: anna-ic@szofd.com | 65000 1-3 days |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | BSC196N10NSGATMA1 Infineon | standard package Дата изготовления:23+ | 9000 1-3 days |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | BSC196N10NSGATMA1, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 100 В, 4 Infineon | Дата изготовления:19+ | 1107 1-3 недели | |||
Infineon | BSC196N10NSGATMA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 100В Infineon | Дата изготовления:19+ | 1570 1-3 недели |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON TECHNOLOGIES AG | BSC196N10NSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES AG | Дата изготовления:24+ | 3000 STOCK |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | BSC196N10NSGATMA1 Infineon | 7297 7-14 рабочих дней | ||||
Infineon | BSC196N10NSGATMA1##5000 Infineon | 9793 7-14 рабочих дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | BSC196N10NSGATMA1 Infineon Technologies | 2827 От 8 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON | BSC196N10NSGATMA1 INFINEON | MOSFET, N CHANNEL, 100V, 45A, PG-TDSON-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:45A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):16.7mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; T | 15222 от 8 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON | BSC196N10NSGATMA1 INFINEON | MOSFET, N CHANNEL, 100V, 45A, PG-TDSON-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:45A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):16.7mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; T | 2171 От 9 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | BSC196N10NSGATMA1 Infineon Technologies | 2503 от 7 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON | BSC196N10NSGATMA1 INFINEON | 346 1-2 недели |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON | BSC196N10NSGATMA1 INFINEON Артикул:1775474 | Силовой МОП-транзистор, N Канал, 100 В, 45 А, 0.0167 Ом, PG-TDSON, Surface Mount | 0 по запросу заказать | |||
Infineon Technologies | BSC196N10NSGATMA1 Infineon Technologies Артикул:BSC196N10NSGATMA1TR- | MOSFET N-CH 100V 8.5A/45A TDSON | 13602 1-2 недели заказать |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON | BSC196N10NSGATMA1 INFINEON Артикул:1775474 | Силовой МОП-транзистор, N Канал, 100 В, 45 А, 0.0167 Ом, PG-TDSON, Surface Mount | 0 по запросу заказать | |||
Infineon Technologies | BSC196N10NSGATMA1 Infineon Technologies Артикул:BSC196N10NSGATMA1TR- | MOSFET N-CH 100V 8.5A/45A TDSON | 13602 1-2 недели заказать |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | BSC196N10NSGATMA1 Infineon Technologies | Manufacturer : Infineon Technologies Series : OptiMOS™ Packaging : Digi-Reel® Part Status : Active FET Type : N-Channel Technology : MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C : 8.5A (Ta), 45A (Tc) Dr В упаковке: 1 Минимальный заказ:1 | 127.5 р.
| да 7-21 день | ||
Infineon Technologies | BSC196N10NSGATMA1 Infineon Technologies | Manufacturer : Infineon Technologies Series : OptiMOS™ Packaging : Cut Tape (CT) Part Status : Active FET Type : N-Channel Technology : MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C : 8.5A (Ta), 45A (Tc) В упаковке: 1 Минимальный заказ:1 | 127.5 р.
| да 7-21 день | ||
Infineon Technologies | BSC196N10NSGATMA1 Infineon Technologies | Manufacturer : Infineon Technologies Series : OptiMOS™ Packaging : Tape & Reel (TR) Part Status : Active FET Type : N-Channel Technology : MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C : 8.5A (Ta), 4 В упаковке: 1 Минимальный заказ:1 | 47.17 р.
| да 7-21 день |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | BSC196N10NSGATMA1 Infineon | N-Channel 100 V 19.6 mOhm OptiMOS2 Power-Transistor - PG-TDSON-8. Возможна срочная поставка за 7 дней за доп. плату. | 0.967 $
| от 7 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON TECHNOLOGIES | BSC196N10NSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES | Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 45А; 78Вт; PG-TDSON-8 | от 49.38 р.
| под заказ 4-6 недель заказать |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | BSC196N10NSGATMA1 Infineon | 82.36 р.
| по запросу |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | BSC196N10NSGATMA1 Infineon Technologies Артикул:New/Original Корпус:PG-TDSON-8-1 | Can directly receive payment from Russia, including rubles/RUB/ Supporting services for acceptable bill of materials /info@jiejiecheng.com Аналоги:BSC196N10NSGATMA1 Дата изготовления:25+ Тип упаковки / в упаковке: Tape/Tube/Tray / 100 Минимальный заказ:1 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | BSC196N10NSGATMA1 Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 8.5A/45A TDSON Дата изготовления:25+ Тип упаковки: PG-TDSON-8-1 Минимальный заказ:1 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | BSC196N10NSGATMA1 Infineon | TDSON Дата изготовления:22+ | China & HongKong - 24 Hours |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | BSC196N10NSGATMA1 Infineon | N-Channel 100 V 19.6 mOhm OptiMOS™2 Power-Transistor - PG-TDSON-8, PG-TDSON-8 Тип упаковки: Reel Минимальный заказ:Min: 5,000 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON | BSC196N10NSGATMA1 INFINEON | 1 Year Warranty Дата изготовления:23+ В упаковке: 360000 | stock |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON | BSC196N10NSGATMA1 INFINEON | Дата изготовления:2024 | ShenZhen & HongKong 1- 3days |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON TECHNOLOGIES AG | BSC196N10NSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES AG | Дата изготовления:24+ | STOCK |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | BSC196N10NSGATMA1 Infineon Technologies | 10-14 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | BSC196N10NSGATMA1 Infineon Technologies | 10-14 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON TECHNOLOGIES AG | BSC196N10NSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES AG | Trans MOSFET N-CH 100V 8.5A 8-Pin TDSON EP T/R | 3-5 недель заказать | |||
Infineon Technologies | BSC196N10NSGATMA1 Infineon Technologies | 3-5 недель заказать |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | BSC196N10NSGATMA1 Infineon Technologies | Дата изготовления:20-23+ |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON | BSC196N10NSGATMA1 MOS INFINEON | 12-15 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON TECHNOLOGIES AG | BSC196N10NSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES AG | да Москва - 2-3 недели |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | BSC196N10NSGATMA1 Infineon Technologies | 2-5 Дня |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | BSC196N10NSGATMA1 Infineon | от 3-4 недель |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | BSC196N10NSGATMA1 Infineon | Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 45А; 78Вт; PG-TDSON-8 | от 1 недели |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON TECHNOLOGIES | BSC196N10NSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES | Транзистор TRANSITIONAL MOSFETS | по запросузаказать |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | BSC196N10NSGATMA1 Infineon Technologies | 5-7 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON | BSC196N10NSGATMA1 INFINEON | 0, условия поставки по запросузаказать |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | BSC196N10NSGATMA1 Infineon |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON | BSC196N10NSGATMA1 INFINEON |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | BSC196N10NSGATMA1, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 100 В, 4 Infineon | 2-3 недели | ||||
Infineon | BSC196N10NSGATMA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 100В Infineon | 2-3 недели |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
BSC196N10NSGATMA1 | The BSC196N10NS G is an OptiMOS™ N-channel Power MOSFET offers superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both RDS (ON) and FOM. \t\t \t\t \t\t < | под заказ 3-7 недель |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | BSC196N10NSGATMA1 Infineon | по запросу |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | BSC196N10NSGATMA1 Infineon | BSC196N10NSGATMA1 Infineon, Полевые (MOSFET) транзисторы силовые, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 100 В; Rds(on): 19.6 мОм; Qg: 25 нКл; Корпус: Super-SO8 | 0заказать |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
BSC196N10NSGATMA1 | Минимальный заказ от 1 штуки. New and Original | есть |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
BSC196N10NSGATMA1 | от 7 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
BSC196N10NSGATMA1,TDSON-8,INFINEON,24+,5000,Inquire by E-mai |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
BSC196N10NSGATMA1 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
BSC196N10NSGATMA1 | от 7 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | BSC196N10NSGATMA1 Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 45A TDSON-8 | 0.53 $
| 4114 от 6 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON TECHNOLOGIES | BSC196N10NSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES | MOSFET N-CH 100V 45A TDSON-8 | 32710 от 2 нед. |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON | BSC196N10NSGATMA1 INFINEON Артикул:F1775474 | МОП-транзистор, N Канал, 45 А, 100 В, 0.0167 Ом, 10 В, 3 В Тип упаковки: Штука | 0заказать |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | BSC196N10NSGATMA1 Infineon | 5-10 дн |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
BSC196N10NSGATMA1 (Возможны ограничения по поставке, уточнит | 132.39 р.
| 15000 шт. от 7 до 21 дня |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies AG | BSC196N10NSGATMA1 Infineon Technologies AG | от 1.307 $
| 4965 от 7 дней | |||
Infineon Technologies AG | BSC196N10NSGATMA1 Infineon Technologies AG | от 0.811 $
| 10000 от 7 дней | |||
Infineon Technologies AG | BSC196N10NSGATMA1 Infineon Technologies AG | от 0.813 $
| 5000 от 7 дней | |||
Infineon Technologies AG | BSC196N10NSGATMA1 Infineon Technologies AG | 0.852 $
| 5000 от 7 дней | |||
Infineon Technologies AG | BSC196N10NSGATMA1 Infineon Technologies AG | от 3.652 $
| 4855 от 7 дней |
|
2002— «ЭтЛайт» Администрация: +7 (812) 309-50-30, client@efind.ru Расширение для браузера · Телеграм-бот · Аналитика · English version |
![]() |
KRDAl4kiQlHiJlBT 0718
|