Вход на сайт
Ошибка авторизации: неверный логин или пароль
запомнить меня
Регистрация | Вход
  Электронные компоненты Аналоги По документации    
Например: max232          Искать только в регионе США ( в другом регионе )
Ищем BSC196N10NSGATMA1 на 712 складах
Вид:
К запросу:
позиций
Отправленные запросы
Цены?
Медиан — медиана розничных цен.
Мин — минимальная цена оптовых цен.
Макс — максимальная цена розничных цен.

Для расчета взяты все цены из результатов поиска по запросу «BSC196N10NSGATMA1»
вверх

Фильтры

Наличие BSC196N10NSGATMA1 на складах

Фильтр по партномеру:
Фильтр по регионам:
Экспорт результатов поиска:
Актуальность: только чтоОграничения: Для новых клиентов — от 100 USD за позицию.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Infineon TechnologiesBSC196N10NSGATMA1
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 45A TDSON-8, Минимум/кратно 5,000 шт 0 шт. срок поставки по запросу
Infineon TechnologiesBSC196N10NSGATMA1
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 45A TDSON-8, Минимальный заказ 150$ на позицию. СРОЧНЫМ КАНАЛОМ
2.44 $
  • 1+2.44 $
5 шт. 1-2 нед.
Infineon TechnologiesBSC196N10NSGATMA1
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 45A TDSON-8, Минимальный заказ 100$ на позицию
1.81 $
  • 1+1.81 $
5 шт. 3-4 нед.
Актуальность: 18 апреля 2025 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
INFINEONBSC196N10NSGATMA1
INFINEON
Дата изготовления:24+
Тип упаковки: TDSON-8
150000
Актуальность: 24 апреля 2025 г.Ограничения: Заказ от 30000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Infineon TechnologiesBSC196N10NSGATMA1
Infineon Technologies
Оригинал 100%. 402
Актуальность: только что
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Infineon TechnologiesBSC196N10NSGATMA1
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 8.5A/45A TDSON 31448
Санконг. Санкт-Петербургпоказать информацию
Актуальность: только чтоОграничения: Только ЮЛ, заказ от 10000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
InfineonBSC196N10NSGATMA1
Infineon
Артикул:BSC196N10NSGATMA1
MOSFET, N CH, 100V, 45A, PG-TDSON-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:45A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):16.7mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:78W; Opera
Дата изготовления:2022
Тип упаковки / в упаковке: Tape & Reel / Cu / 1
Минимальный заказ:1, 5, 100, 187, 5000
от 70.203 р.
  • 1+259.068 р.
  • 5+166.895 р.
  • 10+155.269 р.
  • 50+141.321 р.
  • 66+129.209 р.
  • 100+102.165 р.
  • 187+100.773 р.
  • 200+98.264 р.
  • 204+92.259 р.
  • 500+83.213 р.
  • 1000+70.68 р.
  • 2000+70.203 р.
81843
5-6 недель
Актуальность: только чтоОграничения: Заказ от 2000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Infineon TechnologiesBSC196N10NSGATMA1
Infineon Technologies
В упаковке: 1
Минимальный заказ:1
от 75.87 р.
  • 1+119.63 р.
  • 10+97.52 р.
  • 100+75.87 р.
47201
6-8 недель
заказать
Актуальность: 18 июля 2025 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
INFINEONBSC196N10NSGATMA1, 5 шт.
INFINEON
Минимальный заказ:5 шт.
304.48 р.
  • 1+304.48 р.
17364
4-6 недель
заказать
Актуальность: только чтоОграничения: Заказ от 1000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
InfineonBSC196N10NSGATMA1
Infineon
Минимальный заказ:1
74.19 р.
  • 1+74.19 р.
196
Поставка дней: 35-45
Актуальность: только чтоОграничения: Заказ от 5000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Infineon TechnologiesBSC196N10NSGATMA1
Infineon Technologies
Артикул:BSC196N10NSGATMA1
MOSFET N-CH 100V 45A TDSON-8
В упаковке: 1 шт.
Минимальный заказ:1 шт.
58311
1-2 недели
Актуальность: 3 апреля 2025 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
InfineonBSC196N10NSGATMA1
Infineon
Корпус:TDSON-8
Original brand, fast delivery, welcome to send inquiry to me ! Whatsapp/WeChat: +86-15919457367, Email: anna-ic@szofd.com 65000
1-3 days
Актуальность: 20 марта 2024 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
InfineonBSC196N10NSGATMA1
Infineon
standard package
Дата изготовления:23+
9000
1-3 days
Актуальность: 18 ноября 2024 г.Ограничения: Заказ от 3000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
InfineonBSC196N10NSGATMA1, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 100 В, 4
Infineon
Дата изготовления:19+
1107
1-3 недели
InfineonBSC196N10NSGATMA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 100В
Infineon
Дата изготовления:19+
1570
1-3 недели
Актуальность: 10 июля 2025 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
INFINEON TECHNOLOGIES AGBSC196N10NSGATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Дата изготовления:24+
3000
STOCK
Чипхаусг. Санкт-Петербургпоказать информацию
Актуальность: только чтоОграничения: Заказ от 20000 руб., не сотрудничаем с поставщиками ЭК.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
InfineonBSC196N10NSGATMA1
Infineon
7297
7-14 рабочих дней
InfineonBSC196N10NSGATMA1##5000
Infineon
9793
7-14 рабочих дней
Актуальность: только чтоОграничения: Только ЮЛ и ИП, заказ от 30000 руб., работаем только с производственными организациями.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Infineon TechnologiesBSC196N10NSGATMA1
Infineon Technologies
2827
От 8 дней
Актуальность: только чтоОграничения: Только ЮЛ, заказ от 5000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
INFINEONBSC196N10NSGATMA1
INFINEON
MOSFET, N CHANNEL, 100V, 45A, PG-TDSON-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:45A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):16.7mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; T 15222
от 8 дней
Актуальность: только чтоОграничения: Заказ от 30000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
INFINEONBSC196N10NSGATMA1
INFINEON
MOSFET, N CHANNEL, 100V, 45A, PG-TDSON-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:45A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):16.7mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; T 2171
От 9 дней
Актуальность: только чтоОграничения: Только ЮЛ и ИП, заказ от 50000 руб., работаем только с производственными компаниями.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Infineon TechnologiesBSC196N10NSGATMA1
Infineon Technologies
2503
от 7 дней
Армаг. Санкт-Петербургпоказать информацию
Актуальность: только чтоОграничения: Заказ от 5000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
INFINEONBSC196N10NSGATMA1
INFINEON
346
1-2 недели
Бастион ЭКг. Санкт-Петербургпоказать информацию
Актуальность: только что
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
INFINEONBSC196N10NSGATMA1
INFINEON
Артикул:1775474
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 100 В, 45 А, 0.0167 Ом, PG-TDSON, Surface Mount 0
по запросу
заказать
Infineon TechnologiesBSC196N10NSGATMA1
Infineon Technologies
Артикул:BSC196N10NSGATMA1TR-
MOSFET N-CH 100V 8.5A/45A TDSON 13602
1-2 недели
заказать
Актуальность: только чтоОграничения: Заказ от 1000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
INFINEONBSC196N10NSGATMA1
INFINEON
Артикул:1775474
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 100 В, 45 А, 0.0167 Ом, PG-TDSON, Surface Mount 0
по запросу
заказать
Infineon TechnologiesBSC196N10NSGATMA1
Infineon Technologies
Артикул:BSC196N10NSGATMA1TR-
MOSFET N-CH 100V 8.5A/45A TDSON 13602
1-2 недели
заказать
Актуальность: только чтоОграничения: .
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Infineon TechnologiesBSC196N10NSGATMA1
Infineon Technologies
Manufacturer : Infineon Technologies Series : OptiMOS™ Packaging : Digi-Reel® Part Status : Active FET Type : N-Channel Technology : MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C : 8.5A (Ta), 45A (Tc) Dr
В упаковке: 1
Минимальный заказ:1
127.5 р.
  • 1+127.5 р.
да
7-21 день
Infineon TechnologiesBSC196N10NSGATMA1
Infineon Technologies
Manufacturer : Infineon Technologies Series : OptiMOS™ Packaging : Cut Tape (CT) Part Status : Active FET Type : N-Channel Technology : MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C : 8.5A (Ta), 45A (Tc)
В упаковке: 1
Минимальный заказ:1
127.5 р.
  • 1+127.5 р.
да
7-21 день
Infineon TechnologiesBSC196N10NSGATMA1
Infineon Technologies
Manufacturer : Infineon Technologies Series : OptiMOS™ Packaging : Tape & Reel (TR) Part Status : Active FET Type : N-Channel Technology : MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C : 8.5A (Ta), 4
В упаковке: 1
Минимальный заказ:1
47.17 р.
  • 1+47.17 р.
да
7-21 день
Актуальность: только чтоОграничения: Заказ от 10 000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
InfineonBSC196N10NSGATMA1
Infineon
N-Channel 100 V 19.6 mOhm OptiMOS™2 Power-Transistor - PG-TDSON-8. Возможна срочная поставка за 7 дней за доп. плату.
0.967 $
  • 2000+0.967 $
от 7 дней
Актуальность: только что
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
INFINEON TECHNOLOGIESBSC196N10NSGATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 45А; 78Вт; PG-TDSON-8
от 49.38 р.
  • 1+88.34 р.
  • 5+76.08 р.
  • 25+61.05 р.
  • 250+53.04 р.
  • 1000+49.38 р.
под заказ
4-6 недель
заказать
Актуальность: только чтоОграничения: Заказ от 1000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
InfineonBSC196N10NSGATMA1
Infineon
82.36 р.
  • 10000+82.36 р.
по запросу
Актуальность: 24 мая 2025 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Infineon TechnologiesBSC196N10NSGATMA1
Infineon Technologies
Артикул:New/Original
Корпус:PG-TDSON-8-1
Can directly receive payment from Russia, including rubles/RUB/ Supporting services for acceptable bill of materials /info@jiejiecheng.com
Аналоги:BSC196N10NSGATMA1
Дата изготовления:25+
Тип упаковки / в упаковке: Tape/Tube/Tray / 100
Минимальный заказ:1
Актуальность: 16 июля 2025 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Infineon TechnologiesBSC196N10NSGATMA1
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 8.5A/45A TDSON
Дата изготовления:25+
Тип упаковки: PG-TDSON-8-1
Минимальный заказ:1
Актуальность: 18 июля 2025 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
InfineonBSC196N10NSGATMA1
Infineon
TDSON
Дата изготовления:22+
China & HongKong - 24 Hours
Альтаир г. Санкт-Петербургпоказать информацию
Актуальность: 30 июня 2025 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
InfineonBSC196N10NSGATMA1
Infineon
N-Channel 100 V 19.6 mOhm OptiMOS™2 Power-Transistor - PG-TDSON-8, PG-TDSON-8
Тип упаковки: Reel
Минимальный заказ:Min: 5,000
Актуальность: 22 апреля 2025 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
INFINEONBSC196N10NSGATMA1
INFINEON
1 Year Warranty
Дата изготовления:23+
В упаковке: 360000
stock
Актуальность: 17 июля 2025 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
INFINEONBSC196N10NSGATMA1
INFINEON
Дата изготовления:2024
ShenZhen & HongKong 1- 3days
Актуальность: 15 июля 2025 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
INFINEON TECHNOLOGIES AGBSC196N10NSGATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Дата изготовления:24+
STOCK
Актуальность: только чтоОграничения: Заказ от 3000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Infineon TechnologiesBSC196N10NSGATMA1
Infineon Technologies
10-14 дней
Актуальность: только чтоОграничения: Только ЮЛ, заказ от 3000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Infineon TechnologiesBSC196N10NSGATMA1
Infineon Technologies
10-14 дней
Актуальность: только чтоОграничения: Только ЮЛ, заказ от 3000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
INFINEON TECHNOLOGIES AGBSC196N10NSGATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Trans MOSFET N-CH 100V 8.5A 8-Pin TDSON EP T/R
3-5 недель
заказать
Infineon TechnologiesBSC196N10NSGATMA1
Infineon Technologies
3-5 недель
заказать
Актуальность: 18 июля 2025 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Infineon TechnologiesBSC196N10NSGATMA1
Infineon Technologies
Дата изготовления:20-23+
Актуальность: 3 июля 2025 г.Ограничения: Заказ от 10000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
INFINEONBSC196N10NSGATMA1 MOS
INFINEON
12-15 дней
Актуальность: 8 октября 2024 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
INFINEON TECHNOLOGIES AGBSC196N10NSGATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES AG
да
Москва - 2-3 недели
Актуальность: 30 марта 2025 г.Ограничения: Заказ от 10000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Infineon TechnologiesBSC196N10NSGATMA1
Infineon Technologies
2-5 Дня
Актуальность: только чтоОграничения: Заказ от 300 USD.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
InfineonBSC196N10NSGATMA1
Infineon
от 3-4 недель
Актуальность: только что
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
InfineonBSC196N10NSGATMA1
Infineon
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 45А; 78Вт; PG-TDSON-8
от 1 недели
Актуальность: только что
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
INFINEON TECHNOLOGIESBSC196N10NSGATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Транзистор TRANSITIONAL MOSFETS по запросузаказать
Элгетг. Нижний Новгородпоказать информацию
Актуальность: только чтоОграничения: Заказ от 10000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Infineon TechnologiesBSC196N10NSGATMA1
Infineon Technologies
5-7 дней
Актуальность: только чтоОграничения: Только ЮЛ, только безнал, заказ от 1000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
INFINEONBSC196N10NSGATMA1
INFINEON
0, условия поставки по запросузаказать
Актуальность: 6 марта 2025 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
InfineonBSC196N10NSGATMA1
Infineon
Актуальность: 18 июля 2025 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
INFINEONBSC196N10NSGATMA1
INFINEON
Актуальность: 14 ноября 2024 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
InfineonBSC196N10NSGATMA1, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 100 В, 4
Infineon
2-3 недели
InfineonBSC196N10NSGATMA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 100В
Infineon
2-3 недели
Миконг. Санкт-Петербургпоказать информацию
Актуальность: только чтоОграничения: Заказ от 5000 USD, Только конечные заказчики.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
BSC196N10NSGATMA1 The BSC196N10NS G is an OptiMOS™ N-channel Power MOSFET offers superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both RDS (ON) and FOM. \t\t \t\t \t\t < под заказ
3-7 недель
Актуальность: только чтоОграничения: Заказ от 5000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
InfineonBSC196N10NSGATMA1
Infineon
по запросу
Симметронг. Санкт-Петербургпоказать информацию
Актуальность: только чтоОграничения: Только ЮЛ.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
InfineonBSC196N10NSGATMA1
Infineon
BSC196N10NSGATMA1 Infineon, Полевые (MOSFET) транзисторы силовые, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 100 В; Rds(on): 19.6 мОм; Qg: 25 нКл; Корпус: Super-SO8 0заказать
Актуальность: только чтоОграничения: Только ЮЛ, заказ от 50000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
BSC196N10NSGATMA1 Минимальный заказ от 1 штуки. New and Original есть
Аспектг. Санкт-Петербургпоказать информацию
Актуальность: только чтоОграничения: Только ЮЛ, работаем только с производственными организациями
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
BSC196N10NSGATMA1 от 7 дней
Актуальность: 17 июля 2025 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
BSC196N10NSGATMA1,TDSON-8,INFINEON,24+,5000,Inquire by E-mai
Актуальность: 9 июля 2025 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
BSC196N10NSGATMA1
Актуальность: только чтоОграничения: Только ЮЛ, заказ от 2000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
BSC196N10NSGATMA1 от 7 дней
Актуальность: только чтоОграничения: Заказ от 10000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Infineon TechnologiesBSC196N10NSGATMA1
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 45A TDSON-8
0.53 $
  • 1+0.53 $
4114
от 6 дней
Chipcontactг. Санкт-Петербургпоказать информацию
Актуальность: только чтоОграничения: Только ЮЛ, заказ от 3000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
INFINEON TECHNOLOGIESBSC196N10NSGATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
MOSFET N-CH 100V 45A TDSON-8 32710
от 2 нед.
Элимг. Санкт-Петербургпоказать информацию
Актуальность: только чтоОграничения: Только ЮЛ.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
INFINEONBSC196N10NSGATMA1
INFINEON
Артикул:F1775474
МОП-транзистор, N Канал, 45 А, 100 В, 0.0167 Ом, 10 В, 3 В
Тип упаковки: Штука
0заказать
Интэлкомг. Санкт-Петербургпоказать информацию
Актуальность: только чтоОграничения: Только ЮЛ, только безнал.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
InfineonBSC196N10NSGATMA1
Infineon
5-10 дн
Актуальность: только чтоОграничения: Заказ от 3000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
BSC196N10NSGATMA1 (Возможны ограничения по поставке, уточнит
132.39 р.
  • 1+132.39 р.
15000 шт. от 7 до 21 дня
Скайтехг. Санкт-Петербургпоказать информацию
Актуальность: только чтоОграничения: Только ЮЛ, заказ от 3000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Infineon Technologies AGBSC196N10NSGATMA1
Infineon Technologies AG
от 1.307 $
  • 1+2.918 $
  • 10+2.488 $
  • 100+1.915 $
  • 500+1.688 $
  • 1000+1.332 $
  • 5000+1.307 $
4965
от 7 дней
Infineon Technologies AGBSC196N10NSGATMA1
Infineon Technologies AG
от 0.811 $
  • 5000+0.869 $
  • 10000+0.811 $
10000
от 7 дней
Infineon Technologies AGBSC196N10NSGATMA1
Infineon Technologies AG
от 0.813 $
  • 1+1.728 $
  • 10+1.588 $
  • 25+1.575 $
  • 100+1.257 $
  • 250+1.196 $
  • 500+1.0275 $
  • 1000+0.831 $
  • 3000+0.813 $
5000
от 7 дней
Infineon Technologies AGBSC196N10NSGATMA1
Infineon Technologies AG
0.852 $
  • 5000+0.852 $
5000
от 7 дней
Infineon Technologies AGBSC196N10NSGATMA1
Infineon Technologies AG
от 3.652 $
  • 1+9.899 $
  • 10+7.983 $
  • 100+5.692 $
  • 250+5.37 $
  • 500+5.0299 $
  • 1000+3.974 $
  • 5000+3.652 $
4855
от 7 дней
Поискать BSC196N10NSGATMA1 в eInfo.ru · ChipFind.ru · FindChips · Google · BrokerForum · HKin.com
Документация на «BSC196N10NSGATMA1»
Аналоги для «BSC196N10NSGATMA1»
2002— «ЭтЛайт»
Администрация: +7 (812) 309-50-30, client@efind.ru
Расширение для браузера · Телеграм-бот · Аналитика · English version
KRDAl4kiQlHiJlBT 0718
18-07-2025 07:37:27