Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
BSZ086P03NS3G,19+,INFINEON,3500,S3O8 ,stock |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | BSZ086P03NS3G Infineon Корпус:TSDSON-8(3.3x3.3) | new and origina Дата изготовления:21+/22+/23+ Тип упаковки: TSDSON-8(3.3x3.3) Минимальный заказ:1 | 21132 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON | BSZ086P03NS3G INFINEON | Дата изготовления:17+ Тип упаковки: TDSON8 | 84 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON | BSZ086P03NS3G INFINEON | Дата изготовления:24+ Тип упаковки: PG-TSDSON-8 | 120000 | |||
INFINEON | BSZ086P03NS3GATMA1 INFINEON | Дата изготовления:24+ Тип упаковки: SMD/DIP | 150000 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON | BSZ086P03NS3G INFINEON | New and Original Дата изготовления:2017+ Тип упаковки: SOP8 | 228 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | BSZ086P03NS3G Infineon | Дата изготовления:22+ | 364 | |||
Infineon | BSZ086P03NS3GATMA1 Infineon | Дата изготовления:22+ | 6002 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON | BSZ086P03NS3G INFINEON | S3O8 Дата изготовления:19+ | 3500 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
BSZ086P03NS3G | Дата изготовления:22+ | 3000 | ||||
BSZ086P03NS3GATMA1 | Дата изготовления:23+ | 18000 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | BSZ086P03NS3G Infineon Technologies | Оригинал 100%. | 402 | |||
Infineon Technologies | BSZ086P03NS3GATMA1 Infineon Technologies | Оригинал 100%. | 402 | |||
Infineon Technologies | BSZ086P03NS3GXT Infineon Technologies | Оригинал 100%. | 402 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | BSZ086P03NS3G Infineon Technologies | дакупить |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
BSZ086P03NS3 G | 193 7-10 дней | |||||
Infineon | BSZ086P03NS3GATMA1 Infineon | MOSFET P-Ch -30V 13.5A TSDSON-8 OptiMOS P3 | 108 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | BSZ086P03NS3EGATMA1 Infineon Technologies | В упаковке: 1 Минимальный заказ:1 | от 50.63 р.
| 11627 6-8 недель заказать | ||
Infineon Technologies | BSZ086P03NS3GATMA1 Infineon Technologies | В упаковке: 1 Минимальный заказ:1 | от 48.06 р.
| 7106 10-12 недель заказать | ||
Infineon Technologies | BSZ086P03NS3EGATMA1 Infineon Technologies | В упаковке: 1 Минимальный заказ:1 | от 64.84 р.
| 4966 10-12 недель заказать | ||
Infineon Technologies | BSZ086P03NS3 G Infineon Technologies | В упаковке: 1 | от 48.06 р.
| 6457 10-12 недель заказать |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | BSZ086P03NS3G Infineon | Минимальный заказ:1 | 40.72 р.
| 3163 Поставка дней: 35-45 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON | BSZ086P03NS3 G INFINEON | Минимальный заказ:1 шт. | 154.79 р.
| 6454 4-6 недель заказать | ||
INFINEON | BSZ086P03NS3GATMA1, 5 шт. INFINEON | Минимальный заказ:5 шт. | 165.17 р.
| 14929 4-6 недель заказать |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
BSZ086P03NS3GATMA1 | Americas,REEL В упаковке: 5000 | 59.88 р.
| 95000 6-8 недель |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | BSZ086P03NS3G Infineon Артикул:DLW029252 Корпус:TSDSON-8 | TSDSON-8 newOriginal Аналоги:BSZ086P03NS3G Дата изготовления:Within 2 years Тип упаковки / в упаковке: TSDSON-8 / Contact us for SPQ Минимальный заказ:10 | 4100 1-3DAY | |||
INFINEON | BSZ086P03NS3GATMA1 INFINEON Артикул:DLW029253 Корпус:TSDSON | TSDSON newOriginal Аналоги:BSZ086P03NS3GATMA1 Дата изготовления:Within 2 years Тип упаковки / в упаковке: TSDSON / Contact us for SPQ Минимальный заказ:10 | 7200 1-3DAY |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | BSZ086P03NS3G Infineon Артикул:YZ1029252 Корпус:TSDSON-8 | TSDSON-8 newOriginal Аналоги:BSZ086P03NS3G Дата изготовления:Within 2 years Тип упаковки / в упаковке: TSDSON-8 / Contact us for SPQ Минимальный заказ:10 | 4100 1-3DAY | |||
INFINEON | BSZ086P03NS3GATMA1 INFINEON Артикул:YZ1029253 Корпус:TSDSON | TSDSON newOriginal Аналоги:BSZ086P03NS3GATMA1 Дата изготовления:Within 2 years Тип упаковки / в упаковке: TSDSON / Contact us for SPQ Минимальный заказ:10 | 7200 1-3DAY |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
TI/ST.... | BSZ086P03NS3G TI/ST.... | Reach us : chips03@global-chip.net Дата изготовления:24+ Тип упаковки / в упаковке: Tube/Reel / 1 | 13100 1-3Days | |||
TI/ST.... | BSZ086P03NS3GATMA1 TI/ST.... | Reach us : chips03@global-chip.net Дата изготовления:24+ Тип упаковки / в упаковке: Tube/Reel / 1 | 9950 1-3Days |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | BSZ086P03NS3 G Infineon Technologies Артикул:Stock | 8PowerTDFN Дата изготовления:2140 | 3749 1-3 days |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | BSZ086P03NS3G Infineon | newOriginal Stock Дата изготовления:23+ Тип упаковки: TSDSON-8 | 3000 3-7days | |||
Infineon | BSZ086P03NS3GATMA1 Infineon | newOriginal Stock Дата изготовления:23+ Тип упаковки: PG-TSDSON-8 | 3000 3-7days |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON | BSZ086P03NS3GATMA1 INFINEON | Дата изготовления:0 Тип упаковки: * | 80 STOCK |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON | BSZ086P03NS3G INFINEON Корпус:TSDSON8 | Original brand,fast delivery,welcome to send inquiry to me ! Whatsapp/WeChat: +86-15919457367,Email: anna-ic@szofd.com,Website: www.ofd-elec.com Дата изготовления:24+ | 65000 1-3 days | |||
Infineon | BSZ086P03NS3G Infineon Корпус:TSDSON-8 | Original brand, fast delivery, welcome to send inquiry to me ! Whatsapp/WeChat: +86-15919457367, Email: anna-ic@szofd.com Дата изготовления:24+ | 65000 1-3 days |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | BSZ086P03NS3G Infineon Корпус:TSDSON-8 | Дата изготовления:22+ | 5000 3days | |||
INFINEON | BSZ086P03NS3G INFINEON Корпус:TSDSON-8 | Дата изготовления:22+ | 20000 1day | |||
INFINEON | BSZ086P03NS3GATMA1 INFINEON Корпус:TDSON-8 | Дата изготовления:22+ | 6254 1day |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 | BSZ086P03NS3G INFINEON/英飞凌 Корпус:QFN | Дата изготовления:2037+ | 3600 1-3days | |||
infineon technologies | BSZ086P03NS3G infineon technologies Корпус:Trans MOSFET P-CH 30 | 763 1-3days |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | BSZ086P03NS3 G Infineon Technologies | 8PowerTDFN Дата изготовления:23+ | 9000 1-3 days | |||
Infineon | BSZ086P03NS3GATMA1 Infineon | standard package Дата изготовления:23+ | 9000 1-3 days |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | BSZ086P03NS3GATMA0 Infineon | Дата изготовления:21+ | 6698 TDSON-8 | |||
INFINEON | BSZ086P03NS3GATMA1 INFINEON | Дата изготовления:21+ | 8700 TDFN-8 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | BSZ086P03NS3GATMA1, P-Channel MOSFET, 40 A, 30 V, 8-Pin TSDS Infineon | Дата изготовления:19+ | 1107 1-3 недели | |||
INFINEON/??? | BSZ086P03NS3G INFINEON/??? | Дата изготовления:2022 | 4359 1-3 недели | |||
INFINEON/??? | BSZ086P03NS3GATMA1 MOS(????) INFINEON/??? | Дата изготовления:2020 | 116 1-3 недели |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON | BSZ086P03NS3G MOS( INFINEON Корпус:QFN-8 | 10000 3-5days |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | BSZ086P03NS3G Infineon | Дата изготовления:21+ | 100000 TSDSON8 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON | BSZ086P03NS3G INFINEON | Stock, New and Original Дата изготовления:22+/23+ | 10000 1-3 days |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | BSZ086P03NS3 G Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8 | 8386 7-14 рабочих дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | BSZ086P03NS3 G Infineon Technologies | МОП-транзистор P-KANAL | 2771 от 10-12 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
TE | BSZ086P03NS3 G TE | 3017 China & HongKong - 5 days |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | BSZ086P03NS3 G Infineon Technologies | МОП-транзистор P-KANAL | 2938 от 7 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | BSZ086P03NS3 G Infineon Technologies | МОП-транзистор P-Ch -30V 13.5A TSDSON-8 OptiMOS P3 | 2205 От 9 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON | BSZ086P03NS3G INFINEON | 45032 От двух недель. |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | BSZ086P03NS3 G Infineon Technologies | МОП-транзистор P-KANAL | 2180 От 8 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies AG | BSZ086P03NS3G Infineon Technologies AG | 1500 3-4 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | BSZ086P03NS3 G Infineon Technologies | МОП-транзистор P-Ch -30V 13.5A TSDSON-8 OptiMOS P3 | 14795 от 8 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | BSZ086P03NS3 GTR-ND Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8 | 776 от 10-12 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | BSZ086P03NS3EGATMA1 Infineon | 231.84 р.
| 0 Поставка от 6 недель заказать |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON | BSZ086P03NS3 G INFINEON | MOSFET, P CH, -30V, -40A, TSDSON-8 | от 57.36 р.
| под заказ 4-6 недель заказать | ||
Infineon Technologies | BSZ086P03NS3 G Infineon Technologies | МОП-транзистор P-Ch -30V 13.5A TSDSON-8 OptiMOS P3 | от 79.61 р.
| под заказ 4-6 недель заказать |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | BSZ086P03NS3EGATMA1 Infineon | 57.66 р.
| 9-10 нед. | |||
Infineon | BSZ086P03NS3GATMA1 Infineon | 58.74 р.
| 9-10 нед. |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | BSZ086P03NS3GATMA1 Infineon Technologies | Manufacturer : Infineon Technologies Series : OptiMOS™ Packaging : Cut Tape (CT) Part Status : Active FET Type : P-Channel Technology : MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C : 13.5A (Ta), 40A (Tc) В упаковке: 1 Минимальный заказ:1 | 93.84 р.
| да 7-21 день | ||
INFINEON | BSZ086P03NS3 G INFINEON | Непрерывный Ток Стока -40А Напряжение Истока-стока Vds -30В Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1 - Безлимитный Количество Выводов 8вывод(-ов) Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.0065Ом Максимальная Рабочая Температура 15 В упаковке: 1 Минимальный заказ:1 | да 7-21 день | |||
INFINEON TECHNOLOGIES | BSZ086P03NS3GXT INFINEON TECHNOLOGIES | Технология SMD/SMT Вид монтажа TSDSON-8 Тип продукта Si МОП-транзистор P-Ch -30V 13.5A TSDSON-8 OptiMOS P3 В упаковке: 1 Минимальный заказ:1 | да 5-18 дней | |||
Infineon Technologies | BSZ086P03NS3GATMA1 Infineon Technologies | Manufacturer : Infineon Technologies Series : OptiMOS™ Packaging : Digi-Reel® Part Status : Active FET Type : P-Channel Technology : MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C : 13.5A (Ta), 40A (Tc) Dr В упаковке: 1 Минимальный заказ:1 | 93.84 р.
| да 7-21 день | ||
Infineon Technologies | BSZ086P03NS3EGATMA1 Infineon Technologies | Manufacturer : Infineon Technologies Series : OptiMOS™ Packaging : Tape & Reel (TR) Part Status : Active FET Type : P-Channel Technology : MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C : 13.5A (Ta), 4 В упаковке: 1 Минимальный заказ:1 | 32.72 р.
| да 7-21 день |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | BSZ086P03NS3 G Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8, Минимум/кратно 5,000 шт. СРОЧНЫМ КАНАЛОМ | 10,000 шт. 1-2 нед. | |||
Infineon Technologies | BSZ086P03NS3 G Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8, Минимум/кратно 5,000 шт | 10,000 шт. 3-4 нед. | |||
Infineon Technologies | BSZ086P03NS3 G Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8, Минимальный заказ 150$ на позицию. СРОЧНЫМ КАНАЛОМ | 1.7 $
| 11,279 шт. 1-2 нед. | ||
Infineon Technologies | BSZ086P03NS3 G Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8, Минимальный заказ 100$ на позицию | 1.26 $
| 11,279 шт. 3-4 нед. |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | BSZ086P03NS3GATMA1 Infineon Technologies Артикул:New/Original Корпус:PG-TSDSON-8 | Can directly receive payment from Russia, including rubles/RUB/ Supporting services for acceptable bill of materials /info@jiejiecheng.com Аналоги:BSZ086P03NS3GATMA1 Дата изготовления:25+ Тип упаковки / в упаковке: Tape/Tube/Tray / 100 Минимальный заказ:1 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON | BSZ086P03NS3G INFINEON Артикул:BSZ086P03NS3G Корпус:TSDSON8 | 20years expertise,only new original Дата изготовления:22+/23+ Тип упаковки / в упаковке: Tray / 2500 Минимальный заказ:10 | ||||
INFINEON | BSZ086P03NS3 G INFINEON Артикул:BSZ086P03NS3 G | 20years expertise,only new original Дата изготовления:21+/22+ Тип упаковки / в упаковке: Tray / 2500 Минимальный заказ:10 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | BSZ086P03NS3G Infineon | New and original (Kind reminder: Can directly receive payment from Russia, including rubles/RUB/ Supporting services for acceptable bill of materials / sales@aoyuehk.com Дата изготовления:20+ Минимальный заказ:90 1250 | y 1250 1-3 days |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) | BSZ086P03NS3G Infineon(英飞凌) Корпус:TSDSON-8(3.3x3.3) | new original (Рублевая торговля, CDEK Transport, своевременное предложение: WhatsApp+ 86 13318099883) Тип упаковки: Tape&Reel | 10000 china&hongkong-5days |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | BSZ086P03NS3 G Infineon | Дата изготовления:22+ | 35000, l/t TBD |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON TECHNOLOGIES | BSZ086P03NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Артикул:BSZ086P03NS3GATMA1 | Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -40А; 52Вт; PG-TSDSON-8 | 0 по запросу заказать | |||
Infineon Technologies | BSZ086P03NS3GATMA1 Infineon Technologies Артикул:BSZ086P03NS3GATMA1TR | MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON | 0 по запросу заказать |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON TECHNOLOGIES | BSZ086P03NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Артикул:BSZ086P03NS3GATMA1 | Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -40А; 52Вт; PG-TSDSON-8 | 0 по запросу заказать | |||
Infineon Technologies | BSZ086P03NS3GATMA1 Infineon Technologies Артикул:BSZ086P03NS3GATMA1TR | MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON | 0 по запросу заказать |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON | BSZ086P03NS3 G INFINEON | Дата изготовления:2024 | ShenZhen & HongKong 1- 3days | |||
INFINEON | BSZ086P03NS3GATMA1 INFINEON | Дата изготовления:2024 | ShenZhen & HongKong 1- 3days |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | BSZ086P03NS3G Infineon Корпус:364 | Минимальный заказ:22+ | ||||
Infineon | BSZ086P03NS3GATMA1 Infineon Корпус:6002 | Минимальный заказ:22+ |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | BSZ086P03NS3GATMA1 Infineon | Single P-Channel 30 V 8.6 mOhm 43.2 nC OptiMOS™ Power Mosfet - TSDSON-8, TSDSON-8 Тип упаковки: Reel Минимальный заказ:Min: 5,000 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON | BSZ086P03NS3 G INFINEON Артикул:050719 | микросхема Дата изготовления:19+ | 12333 2-3 недели |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON | BSZ086P03NS3 G INFINEON | 1 Year Warranty Дата изготовления:23+ В упаковке: 360000 | stock |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | BSZ086P03NS3 G Infineon | TSDSON-8 Дата изготовления:22+ | China & HongKong - 24 Hours | |||
Infineon | BSZ086P03NS3GATMA1 Infineon | TSDSON8 Дата изготовления:22+ | China & HongKong - 24 Hours |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | BSZ086P03NS3 G Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 57.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 40A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4785pF | 10-14 дней | |||
Infineon | BSZ086P03NS3 G TR Infineon | TSDSON-8/P-KANAL | 10-14 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | BSZ086P03NS3 G Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 57.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 40A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4785pF | 10-14 дней | |||
Infineon | BSZ086P03NS3 G TR Infineon | TSDSON-8/P-KANAL | 10-14 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | BSZ086P03NS3GATMA1 Infineon Technologies | МОП-транзистор P-Ch -30V 13.5A TSDSON-8 OptiMOS P3 | 3-5 недель заказать | |||
Infineon Technologies | BSZ086P03NS3GXT Infineon Technologies | МОП-транзистор P-Ch -30V 13.5A TSDSON-8 OptiMOS P3 | 3-5 недель заказать | |||
INFINEON TECHNOLOGIES AG | BSZ086P03NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES AG | Trans MOSFET P-CH 30V 13.5A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R | 3-5 недель заказать | |||
INFINEON Infineon Technologies AG | BSZ086P03NS3G INFINEON Infineon Technologies AG | OptiMOS P3 Power-Transistor | от 3 недель заказать |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | BSZ086P03NS3 G Infineon | Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, BRT, P Channel, -40 A, -30 V, 0.0065 ohm, -10 V, -2.5 V. Возможна срочная поставка за 7 дней за доп. плату. | От 5 недель |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON | BSZ086P03NS3G INFINEON | TSDSON-8 Дата изготовления:20+ |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON | BSZ086P03NS3G INFINEON | TSDSON-8 Дата изготовления:20+ |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | BSZ086P03NS3GATMA1 Infineon Technologies | Дата изготовления:20-23+ |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON | BSZ086P03NS3G INFINEON | 50+ 2-4 недели |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | BSZ086P03NS3 G Infineon | от 3-4 недель | ||||
Infineon | BSZ086P03NS3 G_ Infineon | от 3-4 недель |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON | BSZ086P03NS3G INFINEON | Дата изготовления:22+ |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON TECHNOLOGIES AG | BSZ086P03NS3G INFINEON TECHNOLOGIES AG | да Москва - 2-3 недели | ||||
INFINEON TECHNOLOGIES AG | BSZ086P03NS3 G INFINEON TECHNOLOGIES AG | да Москва - 2-3 недели | ||||
INFINEON TECHNOLOGIES AG | BSZ086P03NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES AG | да Москва - 2-3 недели | ||||
INFINEON TECHNOLOGIES AG | BSZ086P03NS3GXT INFINEON TECHNOLOGIES AG | да Москва - 2-3 недели |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | BSZ086P03NS3GATMA1 Infineon Technologies | 2-5 Дня |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON | BSZ086P03NS3G INFINEON | 12-15 дней | ||||
INFINEON | BSZ086P03NS3G MOS INFINEON | 12-15 дней | ||||
INFINEON/英飞凌 | BSZ086P03NS3G MOS(场效应管) INFINEON/英飞凌 | 12-15 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
IFA | BSZ086P03NS3 G IFA | 5 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | BSZ086P03NS3 G Infineon Technologies | МОП-транзистор P-Ch -30V 13.5A TSDSON-8 OptiMOS P3 | 7-14 дней | |||
Infineon Technologies | BSZ086P03NS3E G Infineon Technologies | МОП-транзистор P-Ch -30V 13.5A TSDSON-8 OptiMOS P3 | 7-14 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | BSZ086P03NS3GATMA1 Infineon |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON | BSZ086P03NS3G INFINEON | 0, условия поставки по запросузаказать | ||||
INFINEON | BSZ086P03NS3GATMA1 INFINEON | 0, условия поставки по запросузаказать |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON | BSZ086P03NS3 G INFINEON | 1000 3-5 недель |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | BSZ086P03NS3 G Infineon Technologies | 5-7 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | BSZ086P03NS3GATMA1, P-Channel MOSFET, 40 A, 30 V, 8-Pin TSDS Infineon | 2-3 недели |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | BSZ086P03NS3GATMA1 Infineon | 1 неделя |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | BSZ086P03NS3 G Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8 | in shenzhen and in hongkong |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | BSZ086P03NS3G Infineon | |||||
Infineon | BSZ086P03NS3GATMA1 Infineon |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON | BSZ086P03NS3GATMA1 INFINEON |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
BSZ086P03NS3 G | MOSFET силовой транзистор - [S3O8]; Тип: P; Uси: 30 В; Iс(25°C): 40 А; Rси(вкл): 8.6 мОм; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 43.2 нКл | под заказ 3-7 недель | ||||
BSZ086P03NS3E G | MOSFET силовой транзистор - [S3O8]; Тип: P; Uси: 30 В; Iс(25°C): 40 А; Rси(вкл): 8.6 мОм; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 43.2 нКл | под заказ 3-7 недель |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | BSZ086P03NS3 G Infineon Technologies | 6-10 календарных дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
BSZ086P03NS3 G | Минимальный заказ от 1 штуки. New and Original | есть |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
BSZ086P03NS3G |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
BSZ086P03NS3G | ||||||
BSZ086P03NS3GATMA1 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
BSZ086P03NS3 G | ||||||
BSZ086P03NS3G | ||||||
BSZ086P03NS3GATMA1 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
BSZ086P03NS3G |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
BSZ086P03NS3G | ||||||
BSZ086P03NS3GATMA1 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
BSZ086P03NS3G,,Infineon,,2606,0,,,, |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
BSZ086P03NS3 G | от 7 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
BSZ086P03NS3 G | от 7 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON TECHNOLOGIES | BSZ086P03NS3EG INFINEON TECHNOLOGIES | 3400 от 2 нед. | ||||
INFINEON TECHNOLOGIES | BSZ086P03NS3G INFINEON TECHNOLOGIES | MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8 | 20718 от 2 нед. |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | BSZ086P03NS3 G Infineon | склад | ||||
Infineon Technologies | BSZ086P03NS3 G Infineon Technologies | 5-10 дн |
|
2002— «ЭтЛайт» Администрация: +7 (812) 309-50-30, client@efind.ru Расширение для браузера · Телеграм-бот · Аналитика · English version |
![]() |
KRDAl4kiQlHiJlBT 0713
|