Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
BSZ086P03NS3E G | MOSFET силовой транзистор - [S3O8]; Тип: P; Uси: 30 В; Iс(25°C): 40 А; Rси(вкл): 8.6 мОм; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 43.2 нКл | под заказ 3-7 недель |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON | BSZ086P03NS3EGATMA1 INFINEON | Дата изготовления:24+ Тип упаковки: SMD/DIP | 150000 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON | BSZ086P03NS3EG INFINEON | Дата изготовления:23+ Тип упаковки: TSDSON-8 | 10000 | |||
INFINEON | BSZ086P03NS3E G INFINEON | Дата изготовления:23+ Тип упаковки: TSDSON-8 | 10000 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON | BSZ086P03NS3EG INFINEON | S3O8 Дата изготовления:20+ | 6000 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | BSZ086P03NS3EG Infineon | Дата изготовления:22+ | 6002 | |||
Infineon | BSZ086P03NS3EGATMA1 Infineon | Дата изготовления:22+ | 6002 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON | BSZ086P03NS3E G INFINEON | TSDSON-8 Дата изготовления:22+23+24+ | 12000 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | BSZ086P03NS3EGATMA1 Infineon | MOSFET P-Ch -30V 13.5A TSDSON-8 OptiMOS P3 | 57 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
BSZ086P03NS3EG | Дата изготовления:22+ | 6000 | ||||
BSZ086P03NS3EGATMA1 | Дата изготовления:23+ | 30000 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | BSZ086P03NS3EG Infineon Technologies | Оригинал 100%. | 402 | |||
Infineon Technologies | BSZ086P03NS3EGATMA Infineon Technologies | Оригинал 100%. | 402 | |||
Infineon Technologies | BSZ086P03NS3EGATMA1 Infineon Technologies | Оригинал 100%. | 402 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | BSZ086P03NS3EGATMA1 Infineon Артикул:BSZ086P03NS3EGATMA1 | Infineon’s highly innovative OptiMOS™ families include p-channel power MOSFETs.These products consistently meet the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as on-state resistance and figure of merit chara Дата изготовления:2022 Тип упаковки / в упаковке: Tape & Reel / Cu / 1 Минимальный заказ:1, 5, 100, 299, 5000 | от 33.455 р.
| 278182 5-6 недель |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | BSZ086P03NS3EGATMA1 Infineon Technologies | В упаковке: 1 Минимальный заказ:1 | от 50.63 р.
| 11627 6-8 недель заказать | ||
Infineon Technologies | BSZ086P03NS3EGATMA1 Infineon Technologies | В упаковке: 1 Минимальный заказ:1 | от 64.84 р.
| 4966 10-12 недель заказать |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
BSZ086P03NS3EGATMA1 | EMEA,REEL В упаковке: 5000 | 54.67 р.
| 10000 6-8 недель |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON | BSZ086P03NS3EG INFINEON Артикул:DLW029251 Корпус:TDSON-8 | TDSON-8 newOriginal Аналоги:BSZ086P03NS3EG Дата изготовления:Within 2 years Тип упаковки / в упаковке: TDSON-8 / Contact us for SPQ Минимальный заказ:10 | 7900 1-3DAY |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON | BSZ086P03NS3EG INFINEON Артикул:YZ1029251 Корпус:TDSON-8 | TDSON-8 newOriginal Аналоги:BSZ086P03NS3EG Дата изготовления:Within 2 years Тип упаковки / в упаковке: TDSON-8 / Contact us for SPQ Минимальный заказ:10 | 7900 1-3DAY |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | BSZ086P03NS3E G Infineon Technologies Артикул:BSZ086P03NS3E G | Infineon Technologies В упаковке: 1 шт. Минимальный заказ:1 шт. | 35000 1-2 недели |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
TI/ST.... | BSZ086P03NS3EG TI/ST.... | Reach us : chips03@global-chip.net Дата изготовления:23+ Тип упаковки / в упаковке: Tube/Reel / 1 | 4550 1-3Days | |||
TI/ST.... | BSZ086P03NS3EGATMA1 TI/ST.... | Reach us : chips03@global-chip.net Дата изготовления:21+ Тип упаковки / в упаковке: Tube/Reel / 1 | 1950 1-3Days |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | BSZ086P03NS3EGATMA1 Infineon | newOriginal Stock Дата изготовления:23+ Тип упаковки: PG-TSDSON-8 | 3000 3-7days |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | BSZ086P03NS3E G Infineon Technologies Артикул:Stock | 8PowerTDFN Дата изготовления:2148 | 3000 1-3 days |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON | BSZ086P03NS3EG INFINEON Корпус:TSDSON8 | Дата изготовления:23+ | 15000 1day |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON | BSZ086P03NS3EG INFINEON Корпус:TSDSON-8 | Original brand,fast delivery,welcome to send inquiry to me ! Whatsapp/WeChat: +86-15919457367,Email: anna-ic@szofd.com,Website: www.ofd-elec.com Дата изготовления:24+ | 65000 1-3 days |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON | BSZ086P03NS3EGATMA1 INFINEON | Дата изготовления:0 Тип упаковки: * | 50 STOCK | |||
INFINEON | BSZ086P03NS3EG INFINEON | Дата изготовления:19+ Тип упаковки: TSDSON8 | 500 STOCK |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON | BSZ086P03NS3EG INFINEON Корпус:PTDFN-5 | Дата изготовления:2019+ | 3600 1-3days | |||
INFINEON/英飞凌 | BSZ086P03NS3EG INFINEON/英飞凌 Корпус:TSDSON-8 | Дата изготовления:2020+ | 890 1-3days | |||
Infineon Technologies | BSZ086P03NS3E G Infineon Technologies Корпус:MOSFET P-KANAL | 2600 1-3days | ||||
infineon technologies | BSZ086P03NS3EG infineon technologies Корпус:Trans MOSFET P-CH 30 | 1003 1-3days | ||||
infineon technologies | BSZ086P03NS3EG infineon technologies Корпус:Trans MOSFET P-CH 30 | 720 1-3days |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | BSZ086P03NS3E G Infineon Technologies | 8PowerTDFN Дата изготовления:23+ | 9000 1-3 days | |||
Infineon | BSZ086P03NS3EGATMA1 Infineon | standard package Дата изготовления:23+ | 9000 1-3 days |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | BSZ086P03NS3EG Infineon | Дата изготовления:21+ | 100000 TSDSON8 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON | BSZ086P03NS3EG INFINEON | Дата изготовления:22+ | 8799 TDSON-8 | |||
INFINEON | BSZ086P03NS3EGATMA1 INFINEON | Дата изготовления:20+ | 880 TDSON-8 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
上海贝岭 | BSZ086P03NS3E G 上海贝岭 | Дата изготовления:10+ROHS | 3019 China & HongKong - 5 days |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | BSZ086P03NS3EGATMA1, P-Channel MOSFET, 40 A, 30 V, 8-Pin TSD Infineon | Дата изготовления:19+ | 1150 1-3 недели | |||
INFINEON/??? | BSZ086P03NS3EGATMA1 INFINEON/??? | 15000 1-3 недели | ||||
INFINEON/??? | BSZ086P03NS3EG INFINEON/??? | Дата изготовления:2138+ | 1240 1-3 недели |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | BSZ086P03NS3E G Infineon Technologies | МОП-транзистор P-KANAL | 679 от 10-12 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) | BSZ086P03NS3E G Infineon(英飞凌) | 5653 От двух недель. | ||||
INFINEON | BSZ086P03NS3EGATMA1 INFINEON | 1500 От двух недель. |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | BSZ086P03NS3E G Infineon Technologies | МОП-транзистор P-Ch -30V 13.5A TSDSON-8 OptiMOS P3 | 2535 От 7 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | BSZ086P03NS3E G Infineon Technologies | МОП-транзистор P-KANAL | 2677 От 8 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | BSZ086P03NS3E G Infineon Technologies | МОП-транзистор P-Ch -30V 13.5A TSDSON-8 OptiMOS P3 | 17159 от 8 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | BSZ086P03NS3E G Infineon Technologies | МОП-транзистор P-KANAL | 2255 от 7 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies AG | BSZ086P03NS3E G Infineon Technologies AG | 2223 3-4 | ||||
Infineon Technologies AG | BSZ086P03NS3EG Infineon Technologies AG | 1370 3-4 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON | BSZ086P03NS3EGATMA1 INFINEON | 319 1-2 недели |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | BSZ086P03NS3E GTR-ND Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8 | 6481 от 10-12 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | BSZ086P03NS3E G Infineon Артикул:BSZ086P03NS3E G | Минимальный заказ:1 штука | от 2.1 $
| 0 6-8 недель при наличии на складе |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | BSZ086P03NS3EGATMA1 Infineon | 235.08 р.
| 0 Поставка от 6 недель заказать |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON | BSZ086P03NS3E G INFINEON | MOSFET, P-CH, -30V, -40A, TSDSON-8 | от 57.9 р.
| под заказ 4-6 недель заказать | ||
Infineon Technologies | BSZ086P03NS3E G Infineon Technologies | МОП-транзистор P-Ch -30V 13.5A TSDSON-8 OptiMOS P3 | от 79.61 р.
| под заказ 4-6 недель заказать |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies AG | BSZ086P03NS3EGATMA1 Infineon Technologies AG | Trans MOSFET P-CH 30V 13.5A 8-Pin TSDSON EP T/R | 9.5 $
| 150, 1 неделя |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | BSZ086P03NS3EGATMA1 Infineon | 58.6 р.
| 9-10 нед. |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | BSZ086P03NS3E G Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8, Минимум/кратно 5,000 шт. СРОЧНЫМ КАНАЛОМ | 10,000 шт. 1-2 нед. | |||
Infineon Technologies | BSZ086P03NS3E G Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8, Минимум/кратно 5,000 шт | 10,000 шт. 3-4 нед. | |||
Infineon Technologies | BSZ086P03NS3E G Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8, Минимальный заказ 150$ на позицию. СРОЧНЫМ КАНАЛОМ | 1.79 $
| 13,398 шт. 1-2 нед. | ||
Infineon Technologies | BSZ086P03NS3E G Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8, Минимальный заказ 100$ на позицию | 1.33 $
| 13,398 шт. 3-4 нед. |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | BSZ086P03NS3EGATMA1 Infineon Technologies Артикул:New/Original Корпус:PG-TSDSON-8 | Can directly receive payment from Russia, including rubles/RUB/ Supporting services for acceptable bill of materials /info@jiejiecheng.com Аналоги:BSZ086P03NS3EGATMA1 Дата изготовления:25+ Тип упаковки / в упаковке: Tape/Tube/Tray / 100 Минимальный заказ:1 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON | BSZ086P03NS3EG INFINEON Артикул:BSZ086P03NS3EG Корпус:TSDSON-8 | 20years expertise,only new original Дата изготовления:22+/23+ Тип упаковки / в упаковке: Tray / 2500 Минимальный заказ:10 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
AVAGO | BSZ086P03NS3EGATMA1 AVAGO | Дата изготовления:23+/24+ Тип упаковки: SOP8 Минимальный заказ:1 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | BSZ086P03NS3EGATMA1 Infineon Technologies Артикул:BSZ086P03NS3EGATMA1T | MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON | 0 по запросу заказать | |||
INFINEON TECHNOLOGIES | BSZ086P03NS3EGATMA INFINEON TECHNOLOGIES Артикул:BSZ086P03NS3EGATMA | Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -40А; 69Вт; PG-TSDSON-8 | 0 по запросу заказать |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | BSZ086P03NS3EGATMA1 Infineon Technologies Артикул:BSZ086P03NS3EGATMA1T | MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON | 0 по запросу заказать | |||
INFINEON TECHNOLOGIES | BSZ086P03NS3EGATMA INFINEON TECHNOLOGIES Артикул:BSZ086P03NS3EGATMA | Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -40А; 69Вт; PG-TSDSON-8 | 0 по запросу заказать |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
STMicroelectronics | BSZ086P03NS3EGATMA1 STMicroelectronics | Дата изготовления:2022 | 4 недели |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON | BSZ086P03NS3E G INFINEON | Дата изготовления:2024 | ShenZhen & HongKong 1- 3days | |||
INFINEON | BSZ086P03NS3EGATMA1 INFINEON | Дата изготовления:2024 | ShenZhen & HongKong 1- 3days |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | BSZ086P03NS3EG Infineon Корпус:6002 | Минимальный заказ:22+ | ||||
Infineon | BSZ086P03NS3EGATMA1 Infineon Корпус:6002 | Минимальный заказ:22+ |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | BSZ086P03NS3EGATMA1 Infineon | MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8, TSDSON-8 Тип упаковки: Reel Минимальный заказ:Min: 5,000 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | BSZ086P03NS3EG Infineon | SMD Дата изготовления:22+ | China & HongKong - 24 Hours | |||
Infineon | BSZ086P03NS3E-G Infineon | TSDSON8 Дата изготовления:22+ | China & HongKong - 24 Hours | |||
Infineon | BSZ086P03NS3EGATMA1 Infineon | SON8 Дата изготовления:22+ | China & HongKong - 24 Hours |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON | BSZ086P03NS3E G INFINEON | 1 Year Warranty Дата изготовления:23+ В упаковке: 360000 | stock |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | BSZ086P03NS3E G Infineon Technologies | МОП-транзистор P-KANAL | 3-5 недель заказать | |||
Infineon Technologies | BSZ086P03NS3EGATMA1 Infineon Technologies | МОП-транзистор P-Ch -30V 13.5A TSDSON-8 OptiMOS P3 | 3-5 недель заказать | |||
INFINEON TECHNOLOGIES AG | BSZ086P03NS3EGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES AG | Trans MOSFET P-CH 30V 13.5A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R | 3-5 недель заказать |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | BSZ086P03NS3E G Infineon Technologies | МОП-транзистор P-KANAL | 20-30 дней | |||
INFINEON TECHNOLOGIES AG | BSZ086P03NS3EGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES AG | Trans MOSFET P-CH 30V 13.5A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R | 20-30 дней | |||
INFINEON Infineon Technologies AG | BSZ086P03NS3EG INFINEON Infineon Technologies AG | OptiMOS P3 Power-Transistor | от 2-3 недели |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | BSZ086P03NS3E G Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 57.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 40A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4785pF | 10-14 дней | |||
Infineon Technologies | BSZ086P03NS3E GCT-ND Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8 | 10-14 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | BSZ086P03NS3E G Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 30V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 57.5nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 40A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 4785pF | 10-14 дней | |||
Infineon Technologies | BSZ086P03NS3E GCT-ND Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8 | 10-14 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | BSZ086P03NS3E G Infineon | от 3-4 недель |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | BSZ086P03NS3EGATMA1 Infineon Technologies | Дата изготовления:20-23+ |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON | BSZ086P03NS3EG INFINEON | TDSON-8 Дата изготовления:22+ | ||||
ON | BSZ086P03NS3E G ON | SOT-23-3 Дата изготовления:22+ |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON | BSZ086P03NS3EG INFINEON | TDSON-8 Дата изготовления:22+ | ||||
ON | BSZ086P03NS3E G ON | SOT-23-3 Дата изготовления:22+ |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON TECHNOLOGIES AG | BSZ086P03NS3EG INFINEON TECHNOLOGIES AG | да Москва - 2-3 недели | ||||
INFINEON TECHNOLOGIES AG | BSZ086P03NS3E G INFINEON TECHNOLOGIES AG | да Москва - 2-3 недели | ||||
INFINEON TECHNOLOGIES AG | BSZ086P03NS3EGATMA INFINEON TECHNOLOGIES AG | да Москва - 2-3 недели | ||||
INFINEON TECHNOLOGIES AG | BSZ086P03NS3EGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES AG | да Москва - 2-3 недели | ||||
INFINEON TECHNOLOGIES AG | BSZ086P03NS3EGXT INFINEON TECHNOLOGIES AG | да Москва - 2-3 недели |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | BSZ086P03NS3EGATMA1 Infineon Technologies | 2-5 Дня |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
BSZ086P03NS3E G | Дата изготовления:24+ Тип упаковки: Electronic Component | |||||
BSZ086P03NS3EGATMA1 | Дата изготовления:24+ Тип упаковки: Electronic Component |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) | BSZ086P03NS3E G Infineon(英飞凌) | 50+ 2-4 недели | ||||
INFINEON | BSZ086P03NS3EGATMA1 INFINEON | 50+ 2-4 недели |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | BSZ086P03NS3EGATMA1 Infineon Technologies | доставка 3 недели заказать |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies AG | BSZ086P03NS3E G Infineon Technologies AG | 4-8 Недель |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Без бренда | BSZ086P03NS3EGATMA1 Без бренда | 0 3-4 недели |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | BSZ086P03NS3E G Infineon Technologies | 5-7 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | BSZ086P03NS3E G Infineon Technologies | 0, условия поставки по запросузаказать | ||||
INFINEON | BSZ086P03NS3EGATMA1 INFINEON | 0, условия поставки по запросузаказать |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON | BSZ086P03NS3EGATMA1 INFINEON |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | BSZ086P03NS3EGATMA1, P-Channel MOSFET, 40 A, 30 V, 8-Pin TSD Infineon | 2-3 недели |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | BSZ086P03NS3E G Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8 | in shenzhen and in hongkong |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | BSZ086P03NS3EGATMA1 Infineon | 1 неделя |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon technologies | BSZ086P03NS3EG Infineon technologies |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON | BSZ086P03NS3EGATMA1 INFINEON |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | BSZ086P03NS3EG Infineon | |||||
Infineon | BSZ086P03NS3EGATMA1 Infineon |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | BSZ086P03NS3E G Infineon Technologies | 6-10 календарных дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
BSZ086P03NS3E G | Минимальный заказ от 1 штуки. New and Original | есть |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
BSZ086P03NS3E G | от 7 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
BSZ086P03NS3E G | от 7 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
BSZ086P03NS3EG |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
BSZ086P03NS3EG | ||||||
BSZ086P03NS3EGATMA1 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
BSZ086P03NS3EGATMA1 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
BSZ086P03NS3E G | ||||||
BSZ086P03NS3EG | ||||||
BSZ086P03NS3EGATMA1 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
BSZ086P03NS3E G |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
BSZ086P03NS3E G | IC MCU, 21+ |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
BSZ086P03NS3EG | ||||||
BSZ086P03NS3EGATMA1 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
BSZ086P03NS3EG |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
BSZ086P03NS3EG,,Infineon,22+,2154,0,,,, |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
BSZ086P03NS3EG,20+,INFINEON,6000,S3O8 ,stock |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | BSZ086P03NS3EGATMA1 Infineon Technologies | Manufacturer : Infineon Technologies Series : OptiMOS™ Packaging : Tape & Reel (TR) Part Status : Active FET Type : P-Channel Technology : MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C : 13.5A (Ta), 4 В упаковке: 1 Минимальный заказ:1 | 32.72 р.
| да 7-21 день | ||
Infineon Technologies | BSZ086P03NS3EGATMA1 Infineon Technologies | Manufacturer : Infineon Technologies Series : OptiMOS™ Packaging : Digi-Reel® Part Status : Active FET Type : P-Channel Technology : MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C : 13.5A (Ta), 40A (Tc) Dr В упаковке: 1 Минимальный заказ:1 | 99.96 р.
| да 7-21 день | ||
INFINEON | BSZ086P03NS3E G INFINEON | Полярность Транзистора P Канал Непрерывный Ток Стока -40А Напряжение Истока-стока Vds -30В Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.0065Ом Напряжение Измерения Rds(on) -10В Пороговое Напряжение Vgs -2.5В Рассеиваемая Мощность 2.1Вт Ст В упаковке: 1 Минимальный заказ:1 | да 7-21 день | |||
Infineon Technologies | BSZ086P03NS3EGATMA1 Infineon Technologies | Manufacturer : Infineon Technologies Series : OptiMOS™ Packaging : Cut Tape (CT) Part Status : Active FET Type : P-Channel Technology : MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C : 13.5A (Ta), 40A (Tc) В упаковке: 1 Минимальный заказ:1 | 99.96 р.
| да 7-21 день | ||
INFINEON TECHNOLOGIES | BSZ086P03NS3EGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES | Сопротивление при включенном состоянии 0.0065ohm Макс. рабочая температура 150°C Тип корпуса транзистора TSDSON Особо опасные вещества No SVHC (27-Jun-2018) Рассеиваемая мощность 2.1W Напряжение источника стока -30V MSL MSL 1 - Unlimited Исп В упаковке: 1 Минимальный заказ:1 | да 5-18 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON TECHNOLOGIES | BSZ086P03NS3EG INFINEON TECHNOLOGIES | 3400 от 2 нед. |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | BSZ086P03NS3E G Infineon | 5-10 дн | ||||
Infineon Technologies | BSZ086P03NS3E G Infineon Technologies | склад |
|
2002— «ЭтЛайт» Администрация: +7 (812) 309-50-30, client@efind.ru Расширение для браузера · Телеграм-бот · Аналитика · English version |
![]() |
KRDAl4kiQlHiJlBT 0708
|