Вход на сайт
Ошибка авторизации: неверный логин или пароль
запомнить меня
Регистрация | Вход
  Электронные компоненты Аналоги По документации    
Например: max232          Искать только в регионе США ( в другом регионе )
Ищем DMN26D0UFB4-7 на 712 складах
Вид:
К запросу:
позиций
Отправленные запросы
Цены?
Медиан — медиана розничных цен.
Мин — минимальная цена оптовых цен.
Макс — максимальная цена розничных цен.

Для расчета взяты все цены из результатов поиска по запросу «DMN26D0UFB4-7»
вверх

Фильтры

Наличие DMN26D0UFB4-7 на складах

Фильтр по партномеру:
Фильтр по регионам:
Экспорт результатов поиска:
Актуальность: 6 марта 2025 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
DiodesDMN26D0UFB4-7
Diodes
DiodesDMN26D0UFB4-7B
Diodes
DIODESDMN26D0UFB4-7B
DIODES
Актуальность: 2 июня 2025 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
DiodesDMN26D0UFB4-7
Diodes
Корпус:X2-DFN1006-3
new and origina
Дата изготовления:21+/22+/23+
Тип упаковки: X2-DFN1006-3
Минимальный заказ:1
29476
DiodesDMN26D0UFB4-7
Diodes
Корпус:X2-DFN1006-3
new and origina
Дата изготовления:21+/22+/23+
Тип упаковки: X2-DFN1006-3
Минимальный заказ:1
17096
Актуальность: 18 апреля 2025 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
DIODESDMN26D0UFB4-7
DIODES
Дата изготовления:24+
Тип упаковки: X2-DFN1006-3
3000
Актуальность: 21 мая 2025 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
DIODESDMN26D0UFB4-7
DIODES
New and Original
Дата изготовления:2017+
Тип упаковки: DFN
480
Актуальность: 10 июня 2025 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
DIODESDMN26D0UFB4-7
DIODES
Дата изготовления:1648+
Тип упаковки: DFN
3730
Актуальность: 15 июля 2025 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
DIDOESDMN26D0UFB4-7
DIDOES
QFN
Дата изготовления:22+
90000
Актуальность: 7 апреля 2025 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
MicrochipDMN26D0UFB4-7
Microchip
Дата изготовления:22+
1009
Актуальность: только что
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Diodes IncorporatedDMN26D0UFB4-7
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 230MA 3DFN 3262
Diodes IncorporatedDMN26D0UFB4-7B
Diodes Incorporated
DIODE 2293
Актуальность: 16 июля 2025 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
DMN26D0UFB4-7 2000
DMN26D0UFB4-7B 1638
Актуальность: только чтоОграничения: Заказ от 1000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
DIODESDMN26D0UFB4-7
DIODES
Минимальный заказ:1
24.27 р.
  • 1+24.27 р.
4484
Поставка дней: 35-45
HXY MOSFETDMN26D0UFB4-7-HXY
HXY MOSFET
Минимальный заказ:1
1.11 р.
  • 1+1.11 р.
288000
Поставка дней: 35-45
Актуальность: 17 июля 2025 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
DIODES INC.DMN26D0UFB4-7, 171 шт.
DIODES INC.
Минимальный заказ:171 шт.
19.99 р.
  • 1+19.99 р.
1505
4-6 недель
заказать
Актуальность: только чтоОграничения: Заказ от 10000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Diodes IncorporatedDMN26D0UFB4-7
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 230MA DFN
0.0517 $
  • 1+0.0517 $
54000
от 6 дней
Скайтехг. Санкт-Петербургпоказать информацию
Актуальность: только чтоОграничения: Только ЮЛ, заказ от 3000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Zetex / Diodes IncDMN26D0UFB4-7
Zetex / Diodes Inc
от 0.0618 $
  • 3000+0.0918 $
  • 6000+0.0915 $
  • 15000+0.0768 $
  • 30000+0.0723 $
  • 75000+0.0669 $
  • 150000+0.0618 $
129000
от 7 дней
Zetex / Diodes IncDMN26D0UFB4-7
Zetex / Diodes Inc
0.0603 $
  • 3000+0.0603 $
489000
от 7 дней
Zetex / Diodes IncDMN26D0UFB4-7
Zetex / Diodes Inc
15600
от 7 дней
Diodes IncorporatedDMN26D0UFB4-7
Diodes Incorporated
от 0.0734 $
  • 1+0.626 $
  • 10+0.435 $
  • 100+0.183 $
  • 1000+0.124 $
  • 3000+0.0967 $
  • 9000+0.0823 $
  • 24000+0.0788 $
  • 45000+0.0734 $
42560
от 7 дней
Diodes IncorporatedDMN26D0UFB4-7
Diodes Incorporated
от 0.0703 $
  • 6000+0.0754 $
  • 75000+0.0703 $
75000
от 7 дней
Актуальность: 26 июня 2025 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
DIODESDMN26D0UFB4-7
DIODES
Артикул:YZ1038107
Корпус:X2-DFN1006-3
X2-DFN1006-3 newOriginal
Аналоги:DMN26D0UFB4-7
Дата изготовления:Within 2 years
Тип упаковки / в упаковке: X2-DFN1006-3 / Contact us for SPQ
Минимальный заказ:10
9300
1-3DAY
DIODESDMN26D0UFB4-7B
DIODES
Артикул:YZ1038108
Корпус:SOT-523-3
SOT-523-3 newOriginal
Аналоги:DMN26D0UFB4-7B
Дата изготовления:Within 2 years
Тип упаковки / в упаковке: SOT-523-3 / Contact us for SPQ
Минимальный заказ:10
7900
1-3DAY
Актуальность: 18 июня 2025 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
DIODESDMN26D0UFB4-7
DIODES
Артикул:DLW038107
Корпус:X2-DFN1006-3
X2-DFN1006-3 newOriginal
Аналоги:DMN26D0UFB4-7
Дата изготовления:Within 2 years
Тип упаковки / в упаковке: X2-DFN1006-3 / Contact us for SPQ
Минимальный заказ:10
9300
1-3DAY
DIODESDMN26D0UFB4-7B
DIODES
Артикул:DLW038108
Корпус:SOT-523-3
SOT-523-3 newOriginal
Аналоги:DMN26D0UFB4-7B
Дата изготовления:Within 2 years
Тип упаковки / в упаковке: SOT-523-3 / Contact us for SPQ
Минимальный заказ:10
7900
1-3DAY
Актуальность: только чтоОграничения: Заказ от 5000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Diodes IncorporatedDMN26D0UFB4-7
Diodes Incorporated
Артикул:DMN26D0UFB4-7
MOSFET N-CH 20V 230MA DFN
В упаковке: 1 шт.
Минимальный заказ:1 шт.
10799
1-2 недели
Diodes IncorporatedDMN26D0UFB4-7
Diodes Incorporated
Артикул:DMN26D0UFB4-7
Корпус:X2-DFN1006-3
MOSFET N Trench 20V 230mA 1.1V @ 250uA 3 ? @ 100mA,4.5V X2-DFN1006-3 RoHS
В упаковке: 1 шт.
Минимальный заказ:1 шт.
84910
1-2 недели
DIODESDMN26D0UFB4-7
DIODES
Артикул:DMN26D0UFB4-7
Корпус:X2-DFN
9000
1-2 недели
Актуальность: 15 апреля 2024 г.Ограничения: Заказ от 15000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
DIODESDMN26D0UFB4-7
DIODES
Артикул:LL_0030195
Дата изготовления:21+
186049
3-6 недель
DIODESDMN26D0UFB4-7B
DIODES
Артикул:LL_0030196
Дата изготовления:1314+
10000
3-6 недель
Актуальность: 3 апреля 2025 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
DIODESDMN26D0UFB4-7
DIODES
Корпус:X2-DFN1006-3
Original brand, fast delivery, welcome to send inquiry to me ! Whatsapp/WeChat: +86-15919457367, Email: anna-ic@szofd.com
Дата изготовления:24+
65000
1-3 days
Актуальность: 7 марта 2025 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
DiodesDMN26D0UFB4-7
Diodes
Корпус:X2-DFN1006-3
Дата изготовления:22+
5000
3days
DIODESDMN26D0UFB4-7
DIODES
Корпус:DFN1006
Дата изготовления:22+
30000
1day
Актуальность: 16 декабря 2024 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
DIODES/ГАМЁDMN26D0UFB4-7
DIODES/ГАМЁ
Артикул:Stock
MODULE
Дата изготовления:2044
1000
1-3 days
Актуальность: 11 июля 2025 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
DIODESDMN26D0UFB4-7
DIODES
Focus on Military/ Aerospace/ Industrial please contact us whatsapp:+86 18565874439 ,WeChat:13043497999,a928815762@126.com
Дата изготовления:22+
Тип упаковки: DFN1006
2463
1-3 days
Актуальность: 7 июля 2025 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
DiodesDMN26D0UFB4-7
Diodes
newOriginal Stock
Дата изготовления:23+
Тип упаковки: X2-DFN1006-3
3000
3-7days
Актуальность: 18 ноября 2024 г.Ограничения: Заказ от 3000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
DiodesDMN26D0UFB4-7, Транзистор N-MOSFET, полевой, 20В, 0,18А, 0,3
Diodes
Дата изготовления:22+
2000
1-3 недели
DIODES??DMN26D0UFB4-7
DIODES??
Дата изготовления:18+
1313
1-3 недели
Актуальность: 29 апреля 2024 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
DIODESDMN26D0UFB4-7
DIODES
Дата изготовления:23+
186049
1- 2 недели
DIODESDMN26D0UFB4-7B
DIODES
Дата изготовления:23+
10000
1- 2 недели
Opto Diode CorporationDMN26D0UFB4-7
Opto Diode Corporation
Дата изготовления:21+
100000
DFN1006-3
Актуальность: 12 декабря 2023 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
DIODESDMN26D0UFB4-7
DIODES
Stock, New and Original
Дата изготовления:22+/23+
1000
1-3 days
Актуальность: только чтоОграничения: Только ЮЛ.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
SEMITEC CorporationDMN26D0UFB4-7
SEMITEC Corporation
Артикул:341480
Прочее 9000
Срок поставки 2-3 недели
Chipled.ruг. Санкт-Петербургпоказать информацию
Актуальность: 18 июня 2025 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
DIODESDMN26D0UFB4-7
DIODES
50965
От двух недель.
DIODESDMN26D0UFB4-7B
DIODES
110500
От двух недель.
Актуальность: 19 марта 2025 г.Ограничения: Заказ от 5000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
SEMITEC CorporationDMN26D0UFB4-7
SEMITEC Corporation
9066
2-3 недели
Актуальность: только чтоОграничения: Только ЮЛ и ИП, заказ от 50000 руб., работаем только с производственными компаниями.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
DIODES [Diodes Incorporated]DMN26D0UFB4-7
DIODES [Diodes Incorporated]
МОП-транзистор ENHANCE MODE МОП-транзистор 20V N-Chan 2145
от 7 дней
Актуальность: только чтоОграничения: Заказ от 30000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
DIODES [Diodes Incorporated]DMN26D0UFB4-7
DIODES [Diodes Incorporated]
МОП-транзистор ENHANCE MODE МОП-транзистор 20V N-Chan 1893
От 9 дней
Актуальность: только чтоОграничения: Только ЮЛ и ИП, заказ от 30000 руб., работаем только с производственными организациями.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
DIODES [Diodes Incorporated]DMN26D0UFB4-7
DIODES [Diodes Incorporated]
МОП-транзистор ENHANCE MODE МОП-транзистор 20V N-Chan 2725
От 8 дней
Актуальность: только чтоОграничения: Только ЮЛ, заказ от 5000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
DIODES [Diodes Incorporated]DMN26D0UFB4-7
DIODES [Diodes Incorporated]
МОП-транзистор ENHANCE MODE МОП-транзистор 20V N-Chan 21749
от 8 дней
Актуальность: только чтоОграничения: Заказ от 30000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Diodes IncorporatedDMN26D0UFB4-7DITR-ND
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 230MA DFN 8359
от 10-12 дней
Актуальность: только чтоОграничения: Заказ от 30000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
DIODES [Diodes Incorporated]DMN26D0UFB4-7
DIODES [Diodes Incorporated]
МОП-транзистор ENHANCE MODE МОП-транзистор 20V N-Chan 4335
от 10-12 дней
Актуальность: только чтоОграничения: Только ЮЛ, заказ от 5000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
DIODES INC.DMN26D0UFB4-7
DIODES INC.
Минимальный заказ: € 500 308
От-8 Недель
Актуальность: 5 марта 2024 г.Ограничения: Заказ от 5000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
DMN26D0UFB4-7 1909
1-2 недели
Актуальность: 28 марта 2025 г.Ограничения: Заказ от 5000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
DMN26D0UFB4-7 1253
4-7 дней
Актуальность: только что
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Diodes IncorporatedDMN26D0UFB4-7
Diodes Incorporated
МОП-транзистор ENHANCE MODE МОП-транзистор 20V N-Chan
от 9.27 р.
  • 1+75.88 р.
  • 10+49.99 р.
  • 100+20.81 р.
  • 1000+14.02 р.
  • 3000+10.74 р.
  • 9000+9.27 р.
под заказ
4-6 недель
заказать
DIODES INCORPORATEDDMN26D0UFB4-7
DIODES INCORPORATED
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,18А; 0,35Вт; X1-DFN1006-3
от 3.68 р.
  • 5+16 р.
  • 25+4.97 р.
  • 100+4.39 р.
  • 500+3.94 р.
  • 3000+3.68 р.
под заказ
4-6 недель
заказать
Актуальность: только чтоОграничения: .
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Diodes IncorporatedDMN26D0UFB4-7
Diodes Incorporated
Manufacturer : Diodes Incorporated Series : - Packaging : Cut Tape (CT) Part Status : Active FET Type : N-Channel Technology : MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C : 230mA (Ta) Drive Voltage (Max
В упаковке: 1
Минимальный заказ:1
42.84 р.
  • 1+42.84 р.
да
7-21 день
Diodes IncorporatedDMN26D0UFB4-7
Diodes Incorporated
Manufacturer : Diodes Incorporated Series : - Packaging : Tape & Reel (TR) Part Status : Active FET Type : N-Channel Technology : MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C : 230mA (Ta) Drive Volta
В упаковке: 1
Минимальный заказ:1
6.97 р.
  • 1+6.97 р.
да
7-21 день
Diodes IncorporatedDMN26D0UFB4-7
Diodes Incorporated
Manufacturer : Diodes Incorporated Series : - Packaging : Digi-Reel® Part Status : Active FET Type : N-Channel Technology : MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C : 230mA (Ta) Drive Voltage (Max Rd
В упаковке: 1
Минимальный заказ:1
42.84 р.
  • 1+42.84 р.
да
7-21 день
DIODES INCORPORATEDDMN26D0UFB4-7
DIODES INCORPORATED
Монтаж SMD Вид канала обогащенный Рассеиваемая мощность 0,35Вт Производитель DIODES INCORPORATED Характеристики полупроводниковых элементов ESD protected gate Ток стока 0,18А Корпус X1-DFN1006-3 Напряжение сток-исток 20В Сопротивление в от
В упаковке: 1
Минимальный заказ:1
да
5-18 дней
Актуальность: только чтоОграничения: Для новых клиентов — от 100 USD за позицию.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Diodes IncorporatedDMN26D0UFB4-7
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 230MA DFN, Минимум/кратно 3,000 шт. СРОЧНЫМ КАНАЛОМ 321,000 шт. 1-2 нед.
Diodes IncorporatedDMN26D0UFB4-7
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 230MA DFN, Минимум/кратно 3,000 шт 321,000 шт. 3-4 нед.
Diodes IncorporatedDMN26D0UFB4-7
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 230MA DFN, Минимальный заказ 150$ на позицию. СРОЧНЫМ КАНАЛОМ
0.82 $
  • 1+0.82 $
322,212 шт. 1-2 нед.
Diodes IncorporatedDMN26D0UFB4-7
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 230MA DFN, Минимальный заказ 100$ на позицию
0.61 $
  • 1+0.61 $
322,212 шт. 3-4 нед.
Актуальность: 24 мая 2025 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
DIODESDMN26D0UFB4-7
DIODES
Артикул:New/Original
Корпус:DFN1006
Can directly receive payment from Russia, including rubles/RUB/ Supporting services for acceptable bill of materials /info@jiejiecheng.com
Аналоги:DMN26D0UFB4-7
Дата изготовления:25+
Тип упаковки / в упаковке: Tape/Tube/Tray / 100
Минимальный заказ:1
Актуальность: 27 октября 2023 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
DIODESDMN26D0UFB4-7
DIODES
Артикул:DMN26D0UFB4-7
Корпус:X2-DFN1006-3
20years expertise,only new original
Дата изготовления:22+/23+
Тип упаковки / в упаковке: Tray / 2500
Минимальный заказ:10
Санконг. Санкт-Петербургпоказать информацию
Актуальность: только чтоОграничения: Только ЮЛ, заказ от 10000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Diodes Inc.DMN26D0UFB4-7
Diodes Inc.
Артикул:DMN26D0UFB4-7
MOSFET, N-CH, 20V, 0.24A, X2-DFN1006; Available until stocks are exhausted
Тип упаковки / в упаковке: N/A / 1
Минимальный заказ:N/A
по запросу
Бастион ЭКг. Санкт-Петербургпоказать информацию
Актуальность: только что
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Diodes IncorporatedDMN26D0UFB4-7
Diodes Incorporated
Артикул:DMN26D0UFB4-7DITR-ND
MOSFET N-CH 20V 230MA 3DFN 0
по запросу
заказать
DIODES INCORPORATEDDMN26D0UFB4-7
DIODES INCORPORATED
Артикул:DMN26D0UFB4-7
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,18А; 0,35Вт; X1-DFN1006-3 0
по запросу
заказать
Актуальность: только чтоОграничения: Заказ от 1000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Diodes IncorporatedDMN26D0UFB4-7
Diodes Incorporated
Артикул:DMN26D0UFB4-7DITR-ND
MOSFET N-CH 20V 230MA 3DFN 0
по запросу
заказать
DIODES INCORPORATEDDMN26D0UFB4-7
DIODES INCORPORATED
Артикул:DMN26D0UFB4-7
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,18А; 0,35Вт; X1-DFN1006-3 0
по запросу
заказать
Актуальность: 9 июля 2025 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Diodes(美台)DMN26D0UFB4-7
Diodes(美台)
Корпус:X2-DFN1006-3
new original (Рублевая торговля, CDEK Transport, своевременное предложение: WhatsApp+ 86 13318099883)
Тип упаковки: Tape&Reel
10000 china&hongkong-5days
Актуальность: 4 апреля 2025 г.Ограничения: Только ЮЛ, заказ от 3000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
DIODESDMN26D0UFB4-7
DIODES
Дата изготовления:22+
В упаковке: 2500
Актуальность: 10 июля 2025 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
DIODESDMN26D0UFB4-7
DIODES
Корпус:DFN1006-3
DIODESDMN26D0UFB4-7B
DIODES
Корпус:QFN
Дата изготовления:1314+
Актуальность: только чтоОграничения: Только ЮЛ, заказ от 3000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Diodes IncDMN26D0UFB4-7
Diodes Inc
MOSFET N-CH 20V 230MA DFN Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 100mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 230mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 14.1pF @ 15V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Leve
10-14 дней
DIODES [Diodes Incorporated]DMN26D0UFB4-7B
DIODES [Diodes Incorporated]
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
10-14 дней
Актуальность: только чтоОграничения: Заказ от 3000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Diodes IncDMN26D0UFB4-7
Diodes Inc
MOSFET N-CH 20V 230MA DFN Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 100mA, 4.5V · Drain to Source Voltage (Vdss): 20V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 230mA · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 14.1pF @ 15V · FET Polarity: N-Channel · FET Feature: Logic Leve
10-14 дней
DIODES [Diodes Incorporated]DMN26D0UFB4-7B
DIODES [Diodes Incorporated]
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
10-14 дней
Актуальность: только чтоОграничения: Заказ от 10 000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Diodes Inc.DMN26D0UFB4-7B
Diodes Inc.
. Возможна срочная поставка за 7 дней за доп. плату.
От 5 недель
Актуальность: только чтоОграничения: Только ЮЛ, заказ от 3000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Diodes IncorporatedDMN26D0UFB4-7
Diodes Incorporated
МОП-транзистор ENHANCE MODE МОП-транзистор 20V N-Chan
3-5 недель
заказать
DIODES INCDMN26D0UFB4-7
DIODES INC
Trans MOSFET N-CH 20V 0.24A Automotive 3-Pin X2-DFN T/R
3-5 недель
заказать
Diodes IncorporatedDMN26D0UFB4-7B
Diodes Incorporated
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
3-5 недель
заказать
Актуальность: 14 июля 2025 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
DIODESDMN26D0UFB4-7
DIODES
DFN1006-3
Дата изготовления:2211
Актуальность: 14 июля 2025 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
DIODESDMN26D0UFB4-7
DIODES
DFN1006-3
Дата изготовления:22+
Актуальность: 10 марта 2025 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
DIODESDMN26D0UFB4-7
DIODES
Дата изготовления:22+
Актуальность: 30 марта 2025 г.Ограничения: Заказ от 10000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Diodes IncorporatedDMN26D0UFB4-7
Diodes Incorporated
2-5 Дня
Актуальность: 3 июля 2025 г.Ограничения: Заказ от 10000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
DIODESDMN26D0UFB4-7
DIODES
12-15 дней
Актуальность: 6 марта 2025 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
DiodesDMN26D0UFB4-7
Diodes
X2-DFN1006-3
Тип упаковки: original or Purnes&#
Адараг. Санкт-Петербургпоказать информацию
Актуальность: 2 июня 2025 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
DIODESDMN26D0UFB4-7
DIODES
50+
2-4 недели
DIODESDMN26D0UFB4-7B
DIODES
50+
2-4 недели
Актуальность: только что
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
HXY MOSFET/HuaXuanYang ElectronicsDMN26D0UFB4-7
HXY MOSFET/HuaXuanYang Electronics
доставка 3 недели
заказать
DiodesDMN26D0UFB4-7B
Diodes
доставка 3 недели
заказать
DiodesDMN26D0UFB4-7B
Diodes
доставка 4 недели
заказать
HXY MOSFET/HuaXuanYang ElectronicsDMN26D0UFB4-7-HXY
HXY MOSFET/HuaXuanYang Electronics
доставка 5 недель
заказать
Актуальность: только что
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Diodes/ZetexDMN26D0UFB4-7
Diodes/Zetex
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,18А; 0,35Вт; X1-DFN1006-3
от 1 недели
Актуальность: только чтоОграничения: Заказ от 50000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
DIODESDMN26D0UFB4-7B
DIODES
5000 3-5 недель
Актуальность: только чтоОграничения: Только ЮЛ, только безнал, заказ от 1000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
DIODES INC.DMN26D0UFB4-7
DIODES INC.
MOSFET N-CH 20V 230MA DFN 182 (3-4 недели)заказать
Е-ТИМг. Санкт-Петербургпоказать информацию
Актуальность: 4 марта 2025 г.Ограничения: Только ЮЛ, заказ от 10000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
DIODESDMN26D0UFB4-7
DIODES
Актуальность: 8 июля 2025 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Diodes IncorporatedDMN26D0UFB4-7
Diodes Incorporated
Diodes IncorporatedDMN26D0UFB4-7B
Diodes Incorporated
Актуальность: 9 августа 2023 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Diodes IncDMN26D0UFB4-7
Diodes Inc
MOSFET N-CH 20V 230MA DFN in shenzhen and in hongkong
Актуальность: 14 ноября 2024 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
DiodesDMN26D0UFB4-7
Diodes
2-3 недели
DiodesDMN26D0UFB4-7, Транзистор N-MOSFET, полевой, 20В, 0,18А, 0,3
Diodes
2-3 недели
Актуальность: 14 июля 2025 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
DIODESDMN26D0UFB4-7
DIODES
Актуальность: только чтоОграничения: Заказ от 300 USD.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
DMN26D0UFB4-7_
от 3-4 недель
DMN26D0UFB4-7
от 3-4 недель
Элгетг. Нижний Новгородпоказать информацию
Актуальность: только чтоОграничения: Заказ от 10000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Diodes IncorporatedDMN26D0UFB4-7
Diodes Incorporated
5-7 дней
Миконг. Санкт-Петербургпоказать информацию
Актуальность: только чтоОграничения: Заказ от 5000 USD, Только конечные заказчики.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
DMN26D0UFB4-7 МОП-транзистор ENHANCE MODE МОП-транзистор 20V N-Chan под заказ
3-7 недель
Актуальность: только чтоОграничения: Заказ от 5000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Diodes Inc.DMN26D0UFB4-7
Diodes Inc.
по запросу
Актуальность: только чтоОграничения: Заказ от 5000 USD.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Diodes IncDMN26D0UFB4-7
Diodes Inc
6-10 календарных дней
Актуальность: только чтоОграничения: Только ЮЛ, заказ от 50000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
DMN26D0UFB4-7 Минимальный заказ от одной штуки. Минимальная сумма заказа 50 000 рублей. есть
Актуальность: 10 марта 2025 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
DMN26D0UFB4-7
DMN26D0UFB4-7B
ZHC Technology LtdКитай, г. Шеньженьпоказать информацию
Актуальность: 17 июня 2025 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
DMN26D0UFB4-7,22+,DIDOES,90000,QFN,stock
Актуальность: 3 июля 2025 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
DMN26D0UFB4-7B,,Diodes,,2143,0,,,,
DMN26D0UFB4-7,,Diodes,,2491,0,,,,
Актуальность: 8 июля 2025 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
DMN26D0UFB4-7
Актуальность: 3 июля 2025 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
DMN26D0UFB4-7
Актуальность: 8 июля 2025 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
DMN26D0UFB4-7
Актуальность: 16 июля 2025 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
DMN26D0UFB4-7
Актуальность: только чтоОграничения: Только ЮЛ, заказ от 2000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
DMN26D0UFB4-7 от 7 дней
DMN26D0UFB4-7/BKN от 7 дней
Аспектг. Санкт-Петербургпоказать информацию
Актуальность: только чтоОграничения: Только ЮЛ, работаем только с производственными организациями
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
DMN26D0UFB4-7 от 7 дней
DMN26D0UFB4-7/BKN от 7 дней
Актуальность: только чтоОграничения: Заказ от 3000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
DMN26D0UFB4-7 по запросу
DMN26D0UFB4-7B по запросу
Chipcontactг. Санкт-Петербургпоказать информацию
Актуальность: только чтоОграничения: Только ЮЛ, заказ от 3000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
DIODES INCORPORATEDDMN26D0UFB47
DIODES INCORPORATED
MOSFET N-CH 20V 230MA DFN 1248064
от 2 нед.
Интэлкомг. Санкт-Петербургпоказать информацию
Актуальность: только чтоОграничения: Только ЮЛ, только безнал.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
DiodesDMN26D0UFB4-7
Diodes
5-10 дн
Diodes IncDMN26D0UFB4-7
Diodes Inc
склад
Актуальность: только чтоОграничения: Заказ от 3000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
DMN26D0UFB4-7 Полевой транзистор N-канальный 20В 0.24A автомобильного применения 3-Pin X2-DFN лента на катушке
от 23.36 р.
  • 1+24.62 р.
  • 3001+23.36 р.
6884 шт. более 21 дня
Поискать DMN26D0UFB4-7 в eInfo.ru · ChipFind.ru · FindChips · Google · BrokerForum · HKin.com
Документация на «DMN26D0UFB4-7»
Аналоги для «DMN26D0UFB4-7»
2002— «ЭтЛайт»
Администрация: +7 (812) 309-50-30, client@efind.ru
Расширение для браузера · Телеграм-бот · Аналитика · English version
KRDAl4kiQlHiJlBT 0717
17-07-2025 03:39:05