Вход на сайт
Ошибка авторизации: неверный логин или пароль
запомнить меня
Регистрация | Вход
  Электронные компоненты Аналоги По документации    
Например: max232          Искать только в регионе США ( в другом регионе )
Ищем FF200R12KT4HOSA1 на 731 складах
Вид:
К запросу:
позиций
Отправленные запросы
Цены?
Медиан — медиана розничных цен.
Мин — минимальная цена оптовых цен.
Макс — максимальная цена розничных цен.

Для расчета взяты все цены из результатов поиска по запросу «FF200R12KT4HOSA1»
Вы недавно искали
вверх

Фильтры

Наличие FF200R12KT4HOSA1 на складах

Фильтр по партномеру:
Фильтр по регионам:
Экспорт результатов поиска:
Актуальность: 6 июля 2025 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
FF200R12KT4HOSA1 (62 mm) INF Транзисторы импортные
6976.79 р.
  • 15+6976.79 р.
Ростов-н/Д: 6-9 раб.дней,Ставрополь: 8-12 раб.дней
FF200R12KT4HOSA1 Транзисторы импортные
7769.49 р.
  • 2+7769.49 р.
Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней,Ставрополь: 7-12 раб.дней
Актуальность: 6 июля 2025 г.Ограничения: Заказ от 3000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
InfineonFF200R12KT4HOSA1
Infineon
Артикул:238869
FF200R12KT4HOSA1, 62 mm, Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 200А, 1100Вт, INF
В упаковке: 4 шт.
Минимальный заказ:4 шт.
7013.17 р.
  • 4+7013.17 р.
98купить
Актуальность: только чтоОграничения: Только ЮЛ, заказ от 3000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
INFFF200R12KT4HOSA1
INF
Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 200А, 1100Вт
Тип упаковки: Paper Box
Минимальный заказ:1
от 7406.28 р.
  • 1+7813.44 р.
  • 2+7569.5 р.
  • 4+7406.28 р.
135
Актуальность: 3 июля 2025 г.Ограничения: Заказ от 1000 руб. для физ.лиц,от 3000 руб. для юр. лиц.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Infineon TechnologiesFF200R12KT4HOSA1, Транзисторы разные
Infineon Technologies
Артикул:126143
Дата изготовления:2022
7421.4 р.
  • 1+7421.4 р.
7
Актуальность: 2 июля 2025 г.Ограничения: Безнал от 1500 руб., нал. - без ограничений.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Infineon TechnologiesТранзистор:, FF200R12KT4HOSA1
Infineon Technologies
Артикул:126143
Дата изготовления:2022
7569.84 р.
  • 1+7569.84 р.
7
Актуальность: только чтоОграничения: Только ЮЛ и ИП, заказ от 10000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Infineon TechnologiesFF200R12KT4HOSA1
Infineon Technologies
Артикул:126143
FF200R12KT4HOSA1, IGBT модуль Infineon Technologies, 1200 В, 320 А, 1100 Вт, корпус Screw Mount Module 62 mm
Минимальный заказ:2
от 7050.33 р.
  • 1+8905.68 р.
  • 8+7050.33 р.
7
Актуальность: 2 июля 2025 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
FF200R12KT4HOSA1
Артикул:126143
ТРАНЗИСТОРЫ, Транзисторы разные, Импорт
Дата изготовления:2022
6939.02 р.
  • 1+6939.02 р.
7
Актуальность: только чтоОграничения: Заказ от 3000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
FF200R12KT4HOSA1
Артикул:0162263
Минимальный заказ:1
от 6785.32 р.
  • 1+7398.73 р.
  • 2+7167.72 р.
  • 4+7013.16 р.
  • 7+6877.23 р.
  • 20+6785.32 р.
122купить
Актуальность: только чтоОграничения: Только ЮЛ, заказ от 2000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
FF200R12KT4HOSA1 (FF200R12KT4)
Артикул:40000131014
Модуль силовой - FF200R12KT4HOSA1 (FF200R12KT4)
Минимальный заказ:1
16142.52 р.
  • 1+16142.52 р.
251купить
Актуальность: только чтоОграничения: Заказ от 3000 руб., работаем только с производственными организациями
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
INFFF200R12KT4HOSA1 ( )
INF
Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 200А, 1100Вт
от 6279.53 р.
  • 1+6539.86 р.
  • 2+6335.64 р.
  • 4+6279.53 р.
122купить
Актуальность: только чтоОграничения: Заказ от 1000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Infineon TechnologiesFF200R12KT4HOSA1
Infineon Technologies
Транзисторы разные
от 7421.4 р.
  • 1+7792.47 р.
  • 2+7421.4 р.
7
Актуальность: только чтоОграничения: Только ЮЛ и ИП.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
INFFF200R12KT4HOSA1
INF
Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 200А, 1100Вт
7527.4 р.
  • 1+7527.4 р.
122
Актуальность: только чтоОграничения: Только ЮЛ, только безнал, заказ от 1000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
INFINEONFF200R12KT4HOSA1
INFINEON
9341.7 р.
  • 1+9341.7 р.
97купить
FF200R12KT4HOSA1
9538 р.
  • 1+9538 р.
5купить
Актуальность: 5 мая 2025 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
FF200R12KT4HOSA1 Транзисторы разные
6939.02 р.
  • 1+6939.02 р.
7
INFFF200R12KT4HOSA1
INF
Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 200А, 1100Вт
от 6533.34 р.
  • 1+7338.15 р.
  • 2+6923.55 р.
  • 4+6653.33 р.
  • 7+6533.34 р.
  • 20+6533.34 р.
133
Актуальность: 7 апреля 2025 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
InfineonFF200R12KT4HOSA1
Infineon
Дата изготовления:22+
6002
Актуальность: 4 июня 2025 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
INFINEONFF200R12KT4HOSA1
INFINEON
IGBT
Дата изготовления:22+23+24+
12000
Актуальность: 1 апреля 2025 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
FF200R12KT4HOSA1
Дата изготовления:22+
12000
Актуальность: только что
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Infineon TechnologiesFF200R12KT4HOSA1
Infineon Technologies
IGBT MOD 1200V 320A 1100W 2178
Актуальность: только чтоОграничения: Заказ от 5000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
FF200R12KT4HOSA1 7
Infineon TechnologiesFF200R12KT4HOSA1 (FF200R12KT4)
Infineon Technologies
251
Актуальность: 1 июня 2025 г.Ограничения: Заказ от 5000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
FF200R12KT4HOSA1 9
Актуальность: 15 апреля 2025 г.Ограничения: Заказ от 1 000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
FF200R12KT4HOSA1 9
Актуальность: только чтоОграничения: Только безнал. Юр. лица — заказ от 3000 руб;., физ.лица — заказ от 1500 руб.;.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
INFFF200R12KT4HOSA1
INF
Корпус:62
Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 200А, 1100Вт
В упаковке: 1
Минимальный заказ:1
от 6722.88 р.
  • 1+7938.72 р.
  • 2+7302.18 р.
  • 4+6975.84 р.
  • 7+6722.88 р.
дакупить
Актуальность: только чтоОграничения: Только безнал, заказ от 1000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
INFFF200R12KT4HOSA1
INF
Транзисторы Минимум 1шт.
Минимальный заказ:1
от 6545 р.
  • 1+7939 р.
  • 3+7499 р.
  • 5+6961 р.
  • 8+6906 р.
  • 21+6545 р.
дакупить
Актуальность: только чтоОграничения: Заказ от 5000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Не указанFF200R12KT4HOSA1
Не указан
ТРАНЗИСТОРЫ Транзисторы разные
8689.54 р.
  • 1+8689.54 р.
на складе
Актуальность: только чтоОграничения: Заказ от 3000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
FF200R12KT4HOSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 200А, 1100Вт
6909 р.
  • 1+6909 р.
да
Актуальность: только чтоОграничения: Только ЮЛ и ИП, заказ от 3000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
InfineonFF200R12KT4HOSA1
Infineon
Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 200А, 1100Вт. ДОПОЛНИТЕЛЬНАЯ ИНФОРМАЦИЯ НА САЙТЕ HTTPS://MIRCOMPONENTS.RU
В упаковке: 10
Минимальный заказ:1
склад
Актуальность: только чтоОграничения: Только ЮЛ и ИП, заказ от 1000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
INFFF200R12KT4HOSA1
INF
Артикул:139802
Минимальный заказ:0
8363.78 р.
  • 1+8363.78 р.
122
Поставка дней: 3-5
FF200R12KT4HOSA1
Артикул:126143.000000000
Минимальный заказ:0
7421.4 р.
  • 1+7421.4 р.
7
Актуальность: 4 июля 2025 г.Ограничения: Заказ от 10000 руб. При заказе от 50000 руб. доставка бесплатная.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Infineon TechnologiesFF200R12KT4HOSA1
Infineon Technologies
7500 р.
  • 1+7500 р.
1
от 10 дней
Infineon TechnologiesFF200R12KT4HOSA1 (Refurbished)
Infineon Technologies
2000 р.
  • 1+2000 р.
25
Актуальность: только чтоОграничения: Заказ от 1000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
InfineonFF200R12KT4HOSA1
Infineon
6408.59 р.
  • 2+6408.59 р.
1-2 нед.
InfineonFF200R12KT4HOSA1
Infineon
7191.34 р.
  • 6+7191.34 р.
да
Актуальность: только чтоОграничения: .
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Infineon TechnologiesFF200R12KT4HOSA1
Infineon Technologies
Manufacturer : Infineon Technologies Series : C Part Status : Active IGBT Type : Trench Field Stop Configuration : Half Bridge Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) : 1200V Current - Collector (Ic) (Max) : 320A Power - Max : 1100W Vce(on) (Max) @ Vg
В упаковке: 1
Минимальный заказ:1
9433.98 р.
  • 1+9433.98 р.
да
7-21 день
INFFF200R12KT4HOSA1
INF
Тип корпуса транзистора Module Особо опасные вещества No SVHC (27-Jun-2018) Напряжение коллектор-эмиттер 1.2kV Напряжение насыщения "коллектор-эмиттер" 1.75V Рассеиваемая мощность 1.1kW Постоянный ток коллектора 320A Макс. рабочая те да
Актуальность: только что
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
FF200R12KT4HOSA1 (FF200R12KT4)
доставка 1 неделя
заказать
Infineon TechnologiesFF200R12KT4HOSA1
Infineon Technologies
дакупить
Актуальность: только чтоОграничения: Заказ от 1000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
InfineonIGBT транзисторы FF200R12KT4HOSA1 (FF200R12KT4) Infineon Tec
Infineon
Артикул:FA40000131014
FF200R12KT4HOSA1 (FF200R12KT4)
Минимальный заказ:1
от 19371.02 р.
  • 1+20178.16 р.
  • 3+19693.87 р.
  • 7+19371.02 р.
251
10 дней
InfineonFF200R12KT4HOSA1
Infineon
Артикул:A027041
Минимальный заказ:1
от 7792.48 р.
  • 1+8163.54 р.
  • 8+8015.11 р.
  • 15+7792.48 р.
7
1 неделя
Актуальность: только чтоОграничения: Заказ от 10000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
INFINEONFF200R12KT4HOSA1
INFINEON
Минимальный заказ:1
от 164.231 $
  • 1+170.314 $
  • 5+167.273 $
  • 10+164.231 $
  • 50+164.231 $
5
4-5 недель
INFINEON TECHNOLOGIESFF200R12KT4HOSA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Дата изготовления::25+ :43
В упаковке: 10
Минимальный заказ:2
от 161.348 $
  • 1+171.434 $
  • 16+171.434 $
  • 32+170.767 $
  • 100+161.348 $
43
4-5 недель
Актуальность: только чтоОграничения: Заказ от 1000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
INFFF200R12KT4HOSA1
INF
Артикул:139802
Минимальный заказ:1
8942.8 р.
  • 1+8942.8 р.
122
Поставка дней: 3-5
Infineon TechnologiesFF200R12KT4HOSA1
Infineon Technologies
Артикул:126143
Минимальный заказ:1
8074.05 р.
  • 1+8074.05 р.
7
Поставка дней: 4-5
InfineonFF200R12KT4HOSA1
Infineon
Минимальный заказ:1
13482.07 р.
  • 1+13482.07 р.
3
Поставка дней: 35-45
Авэлкомг. Санкт-Петербургпоказать информацию
Актуальность: только чтоОграничения: Только ЮЛ, заказ от 2000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Infineon TechnologiesFF200R12KT4HOSA1
Infineon Technologies
Транзисторы разные, 2022
Минимальный заказ:1
7421.4 р.
  • 1+7421.4 р.
7
1 неделя
INFFF200R12KT4HOSA1
INF
62 mm
В упаковке: 10
Минимальный заказ:1
от 6726.32 р.
  • 1+7784.75 р.
  • 4+7318.08 р.
  • 20+6726.32 р.
122
7 дней
Актуальность: 3 июля 2025 г.Ограничения: Только ЮЛ, заказ от 5000 руб., не работаем с ВП.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Infineon TechnologiesFF200R12KT4HOSA1
Infineon Technologies
Минимальный заказ:1
122.28 $
  • 1+122.28 $
7
2-3 недели.
Infineon TechnologiesFF200R12KT4HOSA1 (FF200R12KT4)
Infineon Technologies
Минимальный заказ:1
240.11 $
  • 1+240.11 $
251
2-3 недели.
InfineonIGBT FF200R12KT4HOSA1 (FF200R12KT4)
Infineon
Минимальный заказ:1
301.42 $
  • 1+301.42 $
251
2-3 недели.
Актуальность: 6 июля 2025 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
INFINEONFF200R12KT4HOSA1
INFINEON
БТИЗ силовой модуль
Тип упаковки: Box
от 6749.03 р.
  • 1+7566.05 р.
  • 2+7313.68 р.
  • 4+7124.6 р.
  • 7+6949.81 р.
  • 20+6749.03 р.
122
2-3 дня
заказать
Актуальность: только что
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
INFFF200R12KT4HOSA1
INF
62 mm;Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 200А, 1100Вт
Тип упаковки: Paper Box
от 6396.91 р.
  • 1+6872.5 р.
  • 2+6657.86 р.
  • 4+6514.37 р.
  • 7+6396.91 р.
  • 20+6396.91 р.
122
2-4 дня
Актуальность: только чтоОграничения: Заказ от 2000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Infineon TechnologiesFF200R12KT4HOSA1
Infineon Technologies
В упаковке: 1
от 7234.04 р.
  • 1+8881.29 р.
  • 10+7234.04 р.
19
6-8 недель
заказать
Актуальность: только что
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
FF200R12KT4HOSA1
Артикул:12564845
Минимальный заказ:1 шт.
от 7421.4 р.
  • 1+9276.75 р.
  • 2+7792.47 р.
  • 5+7421.4 р.
7
11 дней
заказать
Актуальность: 6 июля 2025 г.Ограничения: Заказ от 1000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
INFFF200R12KT4HOSA1
INF
Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 200А, 1100Вт (IGBT Module N-CH 1200V 320A 1100 W 7-Pin Tray) Вес: 364.0 г, Корпус: 62 mm, Упаковка: Paper Box
8508.54 р.
  • 1+8508.54 р.
122
4-8 дней
Актуальность: 6 июля 2025 г.Ограничения: Только ЮЛ.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Infineon TechnologiesFF200R12KT4HOSA1
Infineon Technologies
7421.4 р.
  • 1+7421.4 р.
7
1 неделя
InfineonFF200R12KT4HOSA1
Infineon
Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 200А, 1100Вт Корп: 62 mm
от 7479.34 р.
  • 1+8030.68 р.
  • 2+7720.4 р.
  • 4+7479.34 р.
124
3-5 дней
Актуальность: только чтоОграничения: Заказ от 10000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Infineon TechnologiesFF200R12KT4HOSA1
Infineon Technologies
IGBT MOD 1200V 320A 1100W
100.81 $
  • 1+100.81 $
362
от 6 дней
Актуальность: только чтоОграничения: Заказ от 500 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
INFFF200R12KT4HOSA1
INF
Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 200А, 1100Вт
от 7360 р.
  • 1+8363 р.
  • 10+7862 р.
  • 100+7360 р.
122
3-5 раб. дней
FF200R12KT4HOSA1
от 7217 р.
  • 1+8200.65 р.
  • 10+7709 р.
  • 100+7217 р.
7
3-5 раб. дней
Актуальность: 27 июня 2025 г.Ограничения: Заказ от 3000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
FF200R12KT4HOSA1 2022
6875.94 р.
  • 1+6875.94 р.
7
5-7 рабочих дней до склада г. Саратов
INFFF200R12KT4HOSA1 62 mm
INF
6195.29 р.
  • 20+6195.29 р.
122
5-7 рабочих дней до склада г. Саратов
Актуальность: 4 июля 2025 г.Ограничения: Заказ от 10000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
ff200r12kt4hosa1
12480 р.
  • 1+12480 р.
1
от 5 дней авиа
FF200R12KT4HOSA1
11700 р.
  • 1+11700 р.
1
от 5 дней авиа
Актуальность: 6 июля 2025 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
FF200R12KT4HOSA1 (Infineon Technologies)
от 6939.01 р.
  • 1+7569.83 р.
  • 5+7254.42 р.
  • 10+6939.01 р.
7
1-2 недели
FF200R12KT4HOSA1 62 mm (INF)
от 7042.46 р.
  • 1+8424.89 р.
  • 2+7859.59 р.
  • 4+7394.33 р.
  • 7+7042.46 р.
122
1-2 недели
Актуальность: только чтоОграничения: Только безнал, заказ от 100 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
INFFF200R12KT4HOSA1
INF
9412.55 р.
  • 1+9412.55 р.
122
FF200R12KT4HOSA1
7254.43 р.
  • 1+7254.43 р.
7
Актуальность: только чтоОграничения: Заказ от 5000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Infineon TechnologiesFF200R12KT4HOSA1
Infineon Technologies
Артикул:FF200R12KT4HOSA1
IGBT MODULE 1200V 200A
В упаковке: 1 шт.
Минимальный заказ:1 шт.
63018
1-2 недели
Актуальность: 23 декабря 2024 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
TI/ST....FF200R12KT4HOSA1
TI/ST....
Reach us : chips03@global-chip.net
Дата изготовления:24+
Тип упаковки / в упаковке: Tube/Reel / 1
8250
1-3Days
Актуальность: 20 марта 2024 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
InfineonFF200R12KT4HOSA1
Infineon
standard package
Дата изготовления:23+
9000
1-3 days
Актуальность: 4 июля 2025 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
INFINEON TECHNOLOGIES AGFF200R12KT4HOSA1
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Дата изготовления:24+
3000
STOCK
Чипхаусг. Санкт-Петербургпоказать информацию
Актуальность: только чтоОграничения: Заказ от 20000 руб., не сотрудничаем с поставщиками ЭК.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
InfineonFF200R12KT4HOSA1
Infineon
3502
7-14 рабочих дней
InfineonFF200R12KT4HOSA1##10
Infineon
6672
7-14 рабочих дней
Актуальность: 18 ноября 2024 г.Ограничения: Заказ от 3000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
INFINEON/???FF200R12KT4HOSA1
INFINEON/???
654
1-3 недели
Актуальность: 4 июля 2025 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Infineon TechnologiesFF200R12KT4HOSA1
Infineon Technologies
Транзистор 7
склад 2-3 дня
Infineon TechnologiesFF200R12KT4HOSA1 (FF200R12KT4)
Infineon Technologies
IGBT транзисторы 251
склад 2-3 дня
Актуальность: только чтоОграничения: Только ЮЛ, заказ от 5000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
INFINEONFF200R12KT4HOSA1
INFINEON
IGBT MODULE, DUAL NPN, 1.75V, 320A; Transistor Polarity:Dual NPN; DC Collector Current:320A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.75V; Power Dissipation Pd:1.1kW; Collector Emitter Voltage V 15891
от 8 дней
Актуальность: только чтоОграничения: Заказ от 30000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
INFINEONFF200R12KT4HOSA1
INFINEON
IGBT MODULE, DUAL NPN, 1.75V, 320A; Transistor Polarity:Dual NPN; DC Collector Current:320A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.75V; Power Dissipation Pd:1.1kW; Collector Emitter Voltage V 2378
От 7 дней
Актуальность: только чтоОграничения: Только ЮЛ и ИП, заказ от 30000 руб., работаем только с производственными организациями.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
INFINEONFF200R12KT4HOSA1
INFINEON
IGBT MODULE, DUAL NPN, 1.75V, 320A; Transistor Polarity:Dual NPN; DC Collector Current:320A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.75V; Power Dissipation Pd:1.1kW; Collector Emitter Voltage V 2884
От 8 дней
Актуальность: только чтоОграничения: Только ЮЛ и ИП, заказ от 50000 руб., работаем только с производственными компаниями.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
INFINEONFF200R12KT4HOSA1
INFINEON
IGBT MODULE, DUAL NPN, 1.75V, 320A; Transistor Polarity:Dual NPN; DC Collector Current:320A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.75V; Power Dissipation Pd:1.1kW; Collector Emitter Voltage V 2937
от 7 дней
Армаг. Санкт-Петербургпоказать информацию
Актуальность: только чтоОграничения: Заказ от 5000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
INFINEONFF200R12KT4HOSA1
INFINEON
20
1-2 недели
Актуальность: 5 марта 2024 г.Ограничения: Заказ от 5000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
FF200R12KT4HOSA1 4785
5-7 дней
FF200R12KT4HOSA1 INFIN 1650
5-8 дней
FF200R12KT4HOSA1 INFIN, 2356
5-8 дней
FF200R12KT4HOSA1 1402
5-7 дней
Актуальность: 17 сентября 2024 г.Ограничения: Заказ от 5000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
FF200R12KT4HOSA1 900
5-9 Дней
FF200R12KT4HOSA1 4785
9-13 дней
FF200R12KT4HOSA1 INFIN 1650
5-7 дней
Актуальность: только чтоОграничения: Только ЮЛ и ИП.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
FF200R12KT4HOSA1
6.3 р.
  • 1+6.3 р.
0
3-5 дней
FF200R12KT4HOSA1 FF200R12KT4HOSA1
8228.57 р.
  • 1+8228.57 р.
10
3-5 дней
FF200R12KT4HOSA1. IGBT модуль. 1200 В. 320 А. 1100 Вт. корп
8522.75 р.
  • 1+8522.75 р.
10
3-5 дней
Актуальность: только чтоОграничения: Заказ от 3000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Infineon TechnologiesFF200R12KT4HOSA1
Infineon Technologies
IGBT транзисторы
В упаковке: 1
Минимальный заказ:1
19371.02 р.
  • 1+19371.02 р.
251 шт
Срок доставки 7-10 дней
Элвекг. Нижний Новгородпоказать информацию
Актуальность: только чтоОграничения: Только ЮЛ, только безнал, заказ от 500 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
FF200R12KT4HOSA1
Артикул:139802
Минимальный заказ:1
от 6338.22 р.
  • 1+8511.8 р.
  • 2+7024.34 р.
  • 4+6693.66 р.
  • 7+6455.59 р.
  • 20+6338.22 р.
да
1 неделя
заказать
Infineon TechnologiesFF200R12KT4HOSA1
Infineon Technologies
Артикул:126143
Минимальный заказ:1
7254.42 р.
  • 1+7254.42 р.
да
1 неделя
заказать
Infineon TechnologiesFF200R12KT4HOSA1 (FF200R12KT4)
Infineon Technologies
Артикул:40000131014
Минимальный заказ:1
19048.17 р.
  • 1+19048.17 р.
да
2 недели
заказать
Актуальность: 2 июля 2025 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
FF200R12KT4HOSA1 транзистор
Артикул:-2101126
Минимальный заказ:1
11350 р.
  • 1+11350 р.
7шт.
7 дней
Актуальность: только чтоОграничения: Заказ от 10 000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
InfineonFF200R12KT4HOSA1
Infineon
Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 320A 7-Pin Tray. Возможна срочная поставка за 7 дней за доп. плату.
142.851 $
  • 100+142.851 $
от 7 дней
Актуальность: 4 июля 2025 г.Ограничения: Заказ от 10000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
INFINFF200R12KT4HOSA1
INFIN
AG-62MM-1
45861.76 р.
  • 1+45861.76 р.
5 дней
Актуальность: только что
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
InfineonFF200R12KT4HOSA1
Infineon
Полумост IGBT; Urmax:1,2кВ; Ic:200А; P:1,1кВт; Ifsm:400А; винтами
от 27681.12 р.
  • 1+32888.81 р.
  • 3+29541.01 р.
  • 10+27681.12 р.
от 1 недели
Актуальность: только чтоОграничения: Заказ от 1000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
InfineonFF200R12KT4HOSA1
Infineon
FF200R12KT4HOSA1, 62 mm
Минимальный заказ:1000 руб
от 6455.59 р.
  • 1+6692.23 р.
  • 2+6455.59 р.
3-4 раб.дня
Infineon TechnologiesFF200R12KT4HOSA1
Infineon Technologies
FF200R12KT4HOSA1, FF200R12KT4HOSA1,IGBT модуль Infineon Technologies, 1200 В, 320 А, 1100 Вт, корпус
Минимальный заказ:1000 руб
от 8730 р.
  • 1+9000 р.
  • 2+8730 р.
1 неделя
Актуальность: 24 мая 2025 г.Ограничения: Только ЮЛ, заказ от 5000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
INFFF200R12KT4HOSA1
INF
Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 200А, 1100Вт
89.206 $
  • 1+89.206 $
Актуальность: только что
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
-FF200R12KT4HOSA1
-
FF200R12KT4HOSA1. Товар в наличии. Доставка по РФ 7-10 дней. Оплата по счету или Сбербанк Онлайн.
7422 р.
  • 1+7422 р.
7-10 дней
Актуальность: только чтоОграничения: Для новых клиентов — от 100 USD за позицию.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Infineon Technologies Industrial Power and Controls AmericasFF200R12KT4HOSA1
Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas
IGBT MODULE 1200V 200A, Минимальный заказ 150$ на позицию. СРОЧНЫМ КАНАЛОМ
183.65 $
  • 1+183.65 $
10 шт. 1-2 нед.
Infineon Technologies Industrial Power and Controls AmericasFF200R12KT4HOSA1
Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas
IGBT MODULE 1200V 200A, Минимальный заказ 100$ на позицию
136.56 $
  • 1+136.56 $
10 шт. 3-4 нед.
Infineon TechnologiesFF200R12KT4HOSA1
Infineon Technologies
IGBT MODULE 1200V 200A, Минимальный заказ 150$ на позицию. СРОЧНЫМ КАНАЛОМ
180.36 $
  • 1+180.36 $
12 шт. 1-2 нед.
Infineon TechnologiesFF200R12KT4HOSA1
Infineon Technologies
IGBT MODULE 1200V 200A, Минимальный заказ 100$ на позицию
134.11 $
  • 1+134.11 $
12 шт. 3-4 нед.
Актуальность: только чтоОграничения: Только ЮЛ, только безнал, заказ от 1000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
FF200R12KT4HOSA1
7421.4 р.
  • 1+7421.4 р.
от 4 дней
Актуальность: только что
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
INFINEON TECHNOLOGIESFF200R12KT4HOSA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ; Ic: 200А; AG-62MM-1; винтами; винтами под заказ
4-6 недель
заказать
INFINEON TECHNOLOGIESFF200R12KT4HOSA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ; Ic: 200А; AG-62MM-1; винтами; винтами
от 11339.7 р.
  • 1+16379.34 р.
  • 3+13859.52 р.
  • 10+11339.7 р.
под заказ
4-6 недель
заказать
Актуальность: 22 августа 2024 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
ST/ONFF200R12KT4HOSA1
ST/ON
Артикул:FF200R12KT4HOSA1
Корпус:SMD/DIP/QFP
Contact us for more quantities.Reach us For PCBA & BOM List Cost-down : 2881007211@qq.com, SMD/DIP/QFP, www.wnydz.cn
Аналоги:FF200R12KT4HOSA1
Дата изготовления:23+
Тип упаковки / в упаковке: Tube/Ribbon / 25
Минимальный заказ:1
Актуальность: 18 июня 2025 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
originalFF200R12KT4HOSA1
original
Артикул:New/brand new origin
Корпус:bulk/REEL
Дата изготовления:20+
Тип упаковки: Packed in boxes
Минимальный заказ:1
2-5day
Актуальность: 24 мая 2025 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Infineon TechnologiesFF200R12KT4HOSA1
Infineon Technologies
Артикул:New/Original
Can directly receive payment from Russia, including rubles/RUB/ Supporting services for acceptable bill of materials /info@jiejiecheng.com
Аналоги:FF200R12KT4HOSA1
Дата изготовления:25+
Тип упаковки / в упаковке: Tape/Tube/Tray / 100
Минимальный заказ:1
Актуальность: 24 мая 2024 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
InfineonFF200R12KT4HOSA1
Infineon
Артикул:FF200R12KT4HOSA1
18years experience/only new original/contact us for more discounts
Дата изготовления:2023+/2024+
В упаковке: standard
Минимальный заказ:10
Актуальность: только чтоОграничения: Только ЮЛ и ИП.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
InfineonFF200R12KT4HOSA1
Infineon
Артикул:FF200R12KT4HOSA1
Минимальный заказ:1 штука
0
6-8 недель при наличии на складе
Бастион ЭКг. Санкт-Петербургпоказать информацию
Актуальность: только что
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
INFINEONFF200R12KT4HOSA1
INFINEON
Артикул:2377249
БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual [Half Bridge], 320 А, 1.75 В, 1.1 кВт, 150 °C, Module 0
по запросу
заказать
Infineon TechnologiesFF200R12KT4HOSA1
Infineon Technologies
Артикул:FF200R12KT4HOSA1-ND
IGBT MOD 1200V 320A 1100W 0
по запросу
заказать
Актуальность: только чтоОграничения: Заказ от 1000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
INFINEONFF200R12KT4HOSA1
INFINEON
Артикул:2377249
БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual [Half Bridge], 320 А, 1.75 В, 1.1 кВт, 150 °C, Module 0
по запросу
заказать
Infineon TechnologiesFF200R12KT4HOSA1
Infineon Technologies
Артикул:FF200R12KT4HOSA1-ND
IGBT MOD 1200V 320A 1100W 0
по запросу
заказать
Актуальность: 22 мая 2024 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
InfineonFF200R12KT4HOSA1
Infineon
Корпус:6002
Минимальный заказ:22+
Актуальность: 1 ноября 2024 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
FF200R12KT4HOSA1
Дата изготовления:22+/23+
Тип упаковки: IC MCU
Минимальный заказ:1 3807
Актуальность: 4 июля 2025 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
INFINEON TECHNOLOGIES AGFF200R12KT4HOSA1
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Дата изготовления:24+
STOCK
Актуальность: 20 мая 2025 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
NXPFF200R12KT4HOSA1
NXP
Дата изготовления:24+
Тип упаковки: QFN
Актуальность: 6 ноября 2023 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
TEFF200R12KT4HOSA1
TE
Дата изготовления:22+/23+
Тип упаковки: SOP8
Альтаир г. Санкт-Петербургпоказать информацию
Актуальность: 30 июня 2025 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
InfineonFF200R12KT4HOSA1
Infineon
FF200R12KT4 Series 1200 V 320 A 1100 W Chassis Mount IGBT Module, Module
Тип упаковки: Bulk
Минимальный заказ:Min: 1
InfineonFF200R12KT4HOSA1
Infineon
FF200R12KT4 Series 1200 V 320 A 1100 W Chassis Mount IGBT Module, Module
Тип упаковки: Tray
Минимальный заказ:Min: 10
Актуальность: только чтоОграничения: Только ЮЛ, заказ от 3000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
INFINEON TECHNOLOGIES AGFF200R12KT4HOSA1
INFINEON TECHNOLOGIES AG
3-5 недель
заказать
Актуальность: 31 января 2025 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Infineon TechnologiesFF200R12KT4HOSA1
Infineon Technologies
3-5 недель
Актуальность: 3 февраля 2025 г.Ограничения: Заказ от 20000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Infineon TechnologiesFF200R12KT4HOSA1 (FF200R12KT4)
Infineon Technologies
IGBT транзисторы
2-3 недели
Актуальность: 12 марта 2025 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
FF200R12KT4HOSA1
Дата изготовления:24+
Тип упаковки: Electronic Component
Актуальность: 30 марта 2025 г.Ограничения: Заказ от 10000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Infineon TechnologiesFF200R12KT4HOSA1
Infineon Technologies
2-5 Дня
Актуальность: 8 октября 2024 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
INFINEON TECHNOLOGIES AGFF200R12KT4HOSA1
INFINEON TECHNOLOGIES AG
да
Москва - 2-3 недели
Актуальность: только чтоОграничения: Заказ от 300 USD.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
InfineonFF200R12KT4HOSA1
Infineon
от 3-4 недель
Актуальность: 22 ноября 2024 г.Ограничения: Только ЮЛ, заказ от 5000 руб., работаем по курсу ММВБ.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Infineon Technologies AGFF200R12KT4HOSA1
Infineon Technologies AG
Trans IGBT Module N-CH 1200V 320A 1100W 7-Pin 62MM-1 Tray
Дата изготовления:NA+
3-5 недель
Актуальность: 29 мая 2023 г.Ограничения: Заказ от 15000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
FF200R12KT4HOSA1
1-2 недели
INFINFF200R12KT4HOSA1
INFIN
1-2 недели
Актуальность: только что
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
INFINEON TECHNOLOGIESFF200R12KT4HOSA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Транзистор MEDIUM POWER 62MM по запросузаказать
Актуальность: 14 ноября 2024 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
InfineonFF200R12KT4HOSA1
Infineon
2-3 недели
InfineonFF200R12KT4HOSA1
Infineon
InfineonМОДУЛЬ FF200R12KT4HOSA1
Infineon
HK GST LimitedКитай, г. Шеньженьпоказать информацию
Актуальность: 11 марта 2025 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
FF200R12KT4HOSA1 IC MCU
China & HongKong - 1 week
Актуальность: 22 июня 2025 г.Ограничения: Только ЮЛ, только безнал, заказ от 5000 руб., работаем только с производственными компаниями.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
TE ConnectivityFF200R12KT4HOSA1
TE Connectivity
5-7 дней
Актуальность: 6 марта 2025 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
InfineonFF200R12KT4HOSA1
Infineon
Актуальность: 3 апреля 2025 г.Ограничения: Заказ от 100 USD.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
FF200R12KT4HOSA1, IGBT модуль Infineon Technologies, 1200 В
3-4 недели
Миконг. Санкт-Петербургпоказать информацию
Актуальность: только чтоОграничения: Заказ от 5000 USD, Только конечные заказчики.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
FF200R12KT4HOSA1 \t\t под заказ
3-7 недель
Симметронг. Санкт-Петербургпоказать информацию
Актуальность: только чтоОграничения: Только ЮЛ.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
InfineonFF200R12KT4HOSA1
Infineon
FF200R12KT4HOSA1 Infineon, IGBT модули, Серия: IGBT4; Ic (nom): 200 А; Vce (max): 1200 В; Конфигурация: Dual; Корпус: 62 мм 0заказать
Элгетг. Нижний Новгородпоказать информацию
Актуальность: только чтоОграничения: Заказ от 10000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Infineon TechnologiesFF200R12KT4HOSA1
Infineon Technologies
5-7 дней
FF200R12KT4HOSA1 5-7 дней
Актуальность: только чтоОграничения: Только ЮЛ, заказ от 50000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
FF200R12KT4HOSA1 Минимальный заказ от 1 штуки. New and Original есть
Актуальность: 30 июня 2025 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
FF200R12KT4HOSA1
Актуальность: 4 июля 2025 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
FF200R12KT4HOSA1
Актуальность: 22 ноября 2024 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
FF200R12KT4HOSA1 IC MCU
Элимг. Санкт-Петербургпоказать информацию
Актуальность: только чтоОграничения: Только ЮЛ.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
INFINEONFF200R12KT4HOSA1
INFINEON
Артикул:F2377249
БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной NPN, 320 А, 1.75 В, 1.1 кВт, 1.2 кВ, Module
Тип упаковки: Штука
0заказать
Chipcontactг. Санкт-Петербургпоказать информацию
Актуальность: только чтоОграничения: Только ЮЛ, заказ от 3000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
INFINEON TECHNOLOGIES INDUSTRIAL POWER AND CONTROLFF200R12KT4HOSA1
INFINEON TECHNOLOGIES INDUSTRIAL POWER AND CONTROL
IGBT MODULE 1200V 200A 10
от 2 нед.
Интэлкомг. Санкт-Петербургпоказать информацию
Актуальность: только чтоОграничения: Только ЮЛ, только безнал.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
InfineonFF200R12KT4HOSA1
Infineon
склад
Актуальность: только чтоОграничения: Заказ от 3000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
FF200R12KT4HOSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200В,  200А, 1100Вт
от 6455.59 р.
  • 1+6650.42 р.
  • 3+6507.01 р.
  • 5+6455.59 р.
122 шт. от 1 до 7 дней
FF200R12KT4HOSA1 (Возможны ограничения по поставке, уточните Биполярный транзистор IGBT, 1200В,  200А, 1100Вт
11037.19 р.
  • 1+11037.19 р.
400 шт. от 7 до 21 дня
FF200R12KT4HOSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200В,  200А, 1100Вт
от 9180.43 р.
  • 1+11211.18 р.
  • 2+9180.43 р.
39 шт. более 21 дня
Поискать FF200R12KT4HOSA1 в eInfo.ru · ChipFind.ru · FindChips · Google · BrokerForum · HKin.com
Документация на «FF200R12KT4HOSA1»
Аналоги для «FF200R12KT4HOSA1»
2002— «ЭтЛайт»
Администрация: +7 (812) 309-50-30, client@efind.ru
Расширение для браузера · Телеграм-бот · Аналитика · English version
KRDAl4kiQlHiJlBT 0706
06-07-2025 20:02:04