Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
FF200R12KT4HOSA1 | (62 mm) INF Транзисторы импортные | 6976.79 р.
| Ростов-н/Д: 6-9 раб.дней,Ставрополь: 8-12 раб.дней | |||
FF200R12KT4HOSA1 | Транзисторы импортные | 7769.49 р.
| Ростов-н/Д: 5-9 раб.дней,Ставрополь: 7-12 раб.дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | FF200R12KT4HOSA1 Infineon Артикул:238869 | FF200R12KT4HOSA1, 62 mm, Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 200А, 1100Вт, INF В упаковке: 4 шт. Минимальный заказ:4 шт. | 7013.17 р.
| 98купить |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INF | FF200R12KT4HOSA1 INF | Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 200А, 1100Вт Тип упаковки: Paper Box Минимальный заказ:1 | от 7406.28 р.
| 135 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | FF200R12KT4HOSA1, Транзисторы разные Infineon Technologies Артикул:126143 | Дата изготовления:2022 | 7421.4 р.
| 7 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | Транзистор:, FF200R12KT4HOSA1 Infineon Technologies Артикул:126143 | Дата изготовления:2022 | 7569.84 р.
| 7 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | FF200R12KT4HOSA1 Infineon Technologies Артикул:126143 | FF200R12KT4HOSA1, IGBT модуль Infineon Technologies, 1200 В, 320 А, 1100 Вт, корпус Screw Mount Module 62 mm Минимальный заказ:2 | от 7050.33 р.
| 7 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
FF200R12KT4HOSA1 Артикул:126143 | ТРАНЗИСТОРЫ, Транзисторы разные, Импорт Дата изготовления:2022 | 6939.02 р.
| 7 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
FF200R12KT4HOSA1 Артикул:0162263 | Минимальный заказ:1 | от 6785.32 р.
| 122купить |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
FF200R12KT4HOSA1 (FF200R12KT4) Артикул:40000131014 | Модуль силовой - FF200R12KT4HOSA1 (FF200R12KT4) Минимальный заказ:1 | 16142.52 р.
| 251купить |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INF | FF200R12KT4HOSA1 ( ) INF | Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 200А, 1100Вт | от 6279.53 р.
| 122купить |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | FF200R12KT4HOSA1 Infineon Technologies | Транзисторы разные | от 7421.4 р.
| 7 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INF | FF200R12KT4HOSA1 INF | Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 200А, 1100Вт | 7527.4 р.
| 122 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON | FF200R12KT4HOSA1 INFINEON | 9341.7 р.
| 97купить | |||
FF200R12KT4HOSA1 | 9538 р.
| 5купить |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
FF200R12KT4HOSA1 | Транзисторы разные | 6939.02 р.
| 7 | |||
INF | FF200R12KT4HOSA1 INF | Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 200А, 1100Вт | от 6533.34 р.
| 133 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | FF200R12KT4HOSA1 Infineon | Дата изготовления:22+ | 6002 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON | FF200R12KT4HOSA1 INFINEON | IGBT Дата изготовления:22+23+24+ | 12000 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
FF200R12KT4HOSA1 | Дата изготовления:22+ | 12000 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | FF200R12KT4HOSA1 Infineon Technologies | IGBT MOD 1200V 320A 1100W | 2178 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
FF200R12KT4HOSA1 | 7 | |||||
Infineon Technologies | FF200R12KT4HOSA1 (FF200R12KT4) Infineon Technologies | 251 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
FF200R12KT4HOSA1 | 9 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
FF200R12KT4HOSA1 | 9 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INF | FF200R12KT4HOSA1 INF Корпус:62 | Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 200А, 1100Вт В упаковке: 1 Минимальный заказ:1 | от 6722.88 р.
| дакупить |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INF | FF200R12KT4HOSA1 INF | Транзисторы Минимум 1шт. Минимальный заказ:1 | от 6545 р.
| дакупить |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Не указан | FF200R12KT4HOSA1 Не указан | ТРАНЗИСТОРЫ Транзисторы разные | 8689.54 р.
| на складе |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
FF200R12KT4HOSA1 | Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 200А, 1100Вт | 6909 р.
| да |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | FF200R12KT4HOSA1 Infineon | Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 200А, 1100Вт. ДОПОЛНИТЕЛЬНАЯ ИНФОРМАЦИЯ НА САЙТЕ HTTPS://MIRCOMPONENTS.RU В упаковке: 10 Минимальный заказ:1 | склад |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INF | FF200R12KT4HOSA1 INF Артикул:139802 | Минимальный заказ:0 | 8363.78 р.
| 122 Поставка дней: 3-5 | ||
FF200R12KT4HOSA1 Артикул:126143.000000000 | Минимальный заказ:0 | 7421.4 р.
| 7 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | FF200R12KT4HOSA1 Infineon Technologies | 7500 р.
| 1 от 10 дней | |||
Infineon Technologies | FF200R12KT4HOSA1 (Refurbished) Infineon Technologies | 2000 р.
| 25 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | FF200R12KT4HOSA1 Infineon | 6408.59 р.
| 1-2 нед. | |||
Infineon | FF200R12KT4HOSA1 Infineon | 7191.34 р.
| да |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | FF200R12KT4HOSA1 Infineon Technologies | Manufacturer : Infineon Technologies Series : C Part Status : Active IGBT Type : Trench Field Stop Configuration : Half Bridge Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) : 1200V Current - Collector (Ic) (Max) : 320A Power - Max : 1100W Vce(on) (Max) @ Vg В упаковке: 1 Минимальный заказ:1 | 9433.98 р.
| да 7-21 день | ||
INF | FF200R12KT4HOSA1 INF | Тип корпуса транзистора Module Особо опасные вещества No SVHC (27-Jun-2018) Напряжение коллектор-эмиттер 1.2kV Напряжение насыщения "коллектор-эмиттер" 1.75V Рассеиваемая мощность 1.1kW Постоянный ток коллектора 320A Макс. рабочая те | да |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
FF200R12KT4HOSA1 (FF200R12KT4) | доставка 1 неделя заказать | |||||
Infineon Technologies | FF200R12KT4HOSA1 Infineon Technologies | дакупить |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | IGBT транзисторы FF200R12KT4HOSA1 (FF200R12KT4) Infineon Tec Infineon Артикул:FA40000131014 | FF200R12KT4HOSA1 (FF200R12KT4) Минимальный заказ:1 | от 19371.02 р.
| 251 10 дней | ||
Infineon | FF200R12KT4HOSA1 Infineon Артикул:A027041 | Минимальный заказ:1 | от 7792.48 р.
| 7 1 неделя |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON | FF200R12KT4HOSA1 INFINEON | Минимальный заказ:1 | от 164.231 $
| 5 4-5 недель | ||
INFINEON TECHNOLOGIES | FF200R12KT4HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES | Дата изготовления::25+ :43 В упаковке: 10 Минимальный заказ:2 | от 161.348 $
| 43 4-5 недель |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INF | FF200R12KT4HOSA1 INF Артикул:139802 | Минимальный заказ:1 | 8942.8 р.
| 122 Поставка дней: 3-5 | ||
Infineon Technologies | FF200R12KT4HOSA1 Infineon Technologies Артикул:126143 | Минимальный заказ:1 | 8074.05 р.
| 7 Поставка дней: 4-5 | ||
Infineon | FF200R12KT4HOSA1 Infineon | Минимальный заказ:1 | 13482.07 р.
| 3 Поставка дней: 35-45 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | FF200R12KT4HOSA1 Infineon Technologies | Транзисторы разные, 2022 Минимальный заказ:1 | 7421.4 р.
| 7 1 неделя | ||
INF | FF200R12KT4HOSA1 INF | 62 mm В упаковке: 10 Минимальный заказ:1 | от 6726.32 р.
| 122 7 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | FF200R12KT4HOSA1 Infineon Technologies | Минимальный заказ:1 | 122.28 $
| 7 2-3 недели. | ||
Infineon Technologies | FF200R12KT4HOSA1 (FF200R12KT4) Infineon Technologies | Минимальный заказ:1 | 240.11 $
| 251 2-3 недели. | ||
Infineon | IGBT FF200R12KT4HOSA1 (FF200R12KT4) Infineon | Минимальный заказ:1 | 301.42 $
| 251 2-3 недели. |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON | FF200R12KT4HOSA1 INFINEON | БТИЗ силовой модуль Тип упаковки: Box | от 6749.03 р.
| 122 2-3 дня заказать |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INF | FF200R12KT4HOSA1 INF | 62 mm;Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 200А, 1100Вт Тип упаковки: Paper Box | от 6396.91 р.
| 122 2-4 дня |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | FF200R12KT4HOSA1 Infineon Technologies | В упаковке: 1 | от 7234.04 р.
| 19 6-8 недель заказать |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
FF200R12KT4HOSA1 Артикул:12564845 | Минимальный заказ:1 шт. | от 7421.4 р.
| 7 11 дней заказать |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INF | FF200R12KT4HOSA1 INF | Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 200А, 1100Вт (IGBT Module N-CH 1200V 320A 1100 W 7-Pin Tray) Вес: 364.0 г, Корпус: 62 mm, Упаковка: Paper Box | 8508.54 р.
| 122 4-8 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | FF200R12KT4HOSA1 Infineon Technologies | 7421.4 р.
| 7 1 неделя | |||
Infineon | FF200R12KT4HOSA1 Infineon | Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 200А, 1100Вт Корп: 62 mm | от 7479.34 р.
| 124 3-5 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | FF200R12KT4HOSA1 Infineon Technologies | IGBT MOD 1200V 320A 1100W | 100.81 $
| 362 от 6 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INF | FF200R12KT4HOSA1 INF | Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 200А, 1100Вт | от 7360 р.
| 122 3-5 раб. дней | ||
FF200R12KT4HOSA1 | от 7217 р.
| 7 3-5 раб. дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
FF200R12KT4HOSA1 2022 | 6875.94 р.
| 7 5-7 рабочих дней до склада г. Саратов | ||||
INF | FF200R12KT4HOSA1 62 mm INF | 6195.29 р.
| 122 5-7 рабочих дней до склада г. Саратов |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
ff200r12kt4hosa1 | 12480 р.
| 1 от 5 дней авиа | ||||
FF200R12KT4HOSA1 | 11700 р.
| 1 от 5 дней авиа |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
FF200R12KT4HOSA1 (Infineon Technologies) | от 6939.01 р.
| 7 1-2 недели | ||||
FF200R12KT4HOSA1 62 mm (INF) | от 7042.46 р.
| 122 1-2 недели |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INF | FF200R12KT4HOSA1 INF | 9412.55 р.
| 122 | |||
FF200R12KT4HOSA1 | 7254.43 р.
| 7 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | FF200R12KT4HOSA1 Infineon Technologies Артикул:FF200R12KT4HOSA1 | IGBT MODULE 1200V 200A В упаковке: 1 шт. Минимальный заказ:1 шт. | 63018 1-2 недели |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
TI/ST.... | FF200R12KT4HOSA1 TI/ST.... | Reach us : chips03@global-chip.net Дата изготовления:24+ Тип упаковки / в упаковке: Tube/Reel / 1 | 8250 1-3Days |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | FF200R12KT4HOSA1 Infineon | standard package Дата изготовления:23+ | 9000 1-3 days |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON TECHNOLOGIES AG | FF200R12KT4HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AG | Дата изготовления:24+ | 3000 STOCK |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | FF200R12KT4HOSA1 Infineon | 3502 7-14 рабочих дней | ||||
Infineon | FF200R12KT4HOSA1##10 Infineon | 6672 7-14 рабочих дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/??? | FF200R12KT4HOSA1 INFINEON/??? | 654 1-3 недели |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | FF200R12KT4HOSA1 Infineon Technologies | Транзистор | 7 склад 2-3 дня | |||
Infineon Technologies | FF200R12KT4HOSA1 (FF200R12KT4) Infineon Technologies | IGBT транзисторы | 251 склад 2-3 дня |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON | FF200R12KT4HOSA1 INFINEON | IGBT MODULE, DUAL NPN, 1.75V, 320A; Transistor Polarity:Dual NPN; DC Collector Current:320A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.75V; Power Dissipation Pd:1.1kW; Collector Emitter Voltage V | 15891 от 8 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON | FF200R12KT4HOSA1 INFINEON | IGBT MODULE, DUAL NPN, 1.75V, 320A; Transistor Polarity:Dual NPN; DC Collector Current:320A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.75V; Power Dissipation Pd:1.1kW; Collector Emitter Voltage V | 2378 От 7 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON | FF200R12KT4HOSA1 INFINEON | IGBT MODULE, DUAL NPN, 1.75V, 320A; Transistor Polarity:Dual NPN; DC Collector Current:320A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.75V; Power Dissipation Pd:1.1kW; Collector Emitter Voltage V | 2884 От 8 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON | FF200R12KT4HOSA1 INFINEON | IGBT MODULE, DUAL NPN, 1.75V, 320A; Transistor Polarity:Dual NPN; DC Collector Current:320A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.75V; Power Dissipation Pd:1.1kW; Collector Emitter Voltage V | 2937 от 7 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON | FF200R12KT4HOSA1 INFINEON | 20 1-2 недели |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
FF200R12KT4HOSA1 | 4785 5-7 дней | |||||
FF200R12KT4HOSA1 INFIN | 1650 5-8 дней | |||||
FF200R12KT4HOSA1 INFIN, | 2356 5-8 дней | |||||
FF200R12KT4HOSA1 | 1402 5-7 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
FF200R12KT4HOSA1 | 900 5-9 Дней | |||||
FF200R12KT4HOSA1 | 4785 9-13 дней | |||||
FF200R12KT4HOSA1 INFIN | 1650 5-7 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
FF200R12KT4HOSA1 | 6.3 р.
| 0 3-5 дней | ||||
FF200R12KT4HOSA1 FF200R12KT4HOSA1 | 8228.57 р.
| 10 3-5 дней | ||||
FF200R12KT4HOSA1. IGBT модуль. 1200 В. 320 А. 1100 Вт. корп | 8522.75 р.
| 10 3-5 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | FF200R12KT4HOSA1 Infineon Technologies | IGBT транзисторы В упаковке: 1 Минимальный заказ:1 | 19371.02 р.
| 251 шт Срок доставки 7-10 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
FF200R12KT4HOSA1 Артикул:139802 | Минимальный заказ:1 | от 6338.22 р.
| да 1 неделя заказать | |||
Infineon Technologies | FF200R12KT4HOSA1 Infineon Technologies Артикул:126143 | Минимальный заказ:1 | 7254.42 р.
| да 1 неделя заказать | ||
Infineon Technologies | FF200R12KT4HOSA1 (FF200R12KT4) Infineon Technologies Артикул:40000131014 | Минимальный заказ:1 | 19048.17 р.
| да 2 недели заказать |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
FF200R12KT4HOSA1 транзистор Артикул:-2101126 | Минимальный заказ:1 | 11350 р.
| 7шт. 7 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | FF200R12KT4HOSA1 Infineon | Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 320A 7-Pin Tray. Возможна срочная поставка за 7 дней за доп. плату. | 142.851 $
| от 7 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFIN | FF200R12KT4HOSA1 INFIN | AG-62MM-1 | 45861.76 р.
| 5 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | FF200R12KT4HOSA1 Infineon | Полумост IGBT; Urmax:1,2кВ; Ic:200А; P:1,1кВт; Ifsm:400А; винтами | от 27681.12 р.
| от 1 недели |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | FF200R12KT4HOSA1 Infineon | FF200R12KT4HOSA1, 62 mm Минимальный заказ:1000 руб | от 6455.59 р.
| 3-4 раб.дня | ||
Infineon Technologies | FF200R12KT4HOSA1 Infineon Technologies | FF200R12KT4HOSA1, FF200R12KT4HOSA1,IGBT модуль Infineon Technologies, 1200 В, 320 А, 1100 Вт, корпус Минимальный заказ:1000 руб | от 8730 р.
| 1 неделя |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INF | FF200R12KT4HOSA1 INF | Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 200А, 1100Вт | 89.206 $
|
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
- | FF200R12KT4HOSA1 - | FF200R12KT4HOSA1. Товар в наличии. Доставка по РФ 7-10 дней. Оплата по счету или Сбербанк Онлайн. | 7422 р.
| 7-10 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas | FF200R12KT4HOSA1 Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas | IGBT MODULE 1200V 200A, Минимальный заказ 150$ на позицию. СРОЧНЫМ КАНАЛОМ | 183.65 $
| 10 шт. 1-2 нед. | ||
Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas | FF200R12KT4HOSA1 Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas | IGBT MODULE 1200V 200A, Минимальный заказ 100$ на позицию | 136.56 $
| 10 шт. 3-4 нед. | ||
Infineon Technologies | FF200R12KT4HOSA1 Infineon Technologies | IGBT MODULE 1200V 200A, Минимальный заказ 150$ на позицию. СРОЧНЫМ КАНАЛОМ | 180.36 $
| 12 шт. 1-2 нед. | ||
Infineon Technologies | FF200R12KT4HOSA1 Infineon Technologies | IGBT MODULE 1200V 200A, Минимальный заказ 100$ на позицию | 134.11 $
| 12 шт. 3-4 нед. |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
FF200R12KT4HOSA1 | 7421.4 р.
| от 4 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON TECHNOLOGIES | FF200R12KT4HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES | Полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ; Ic: 200А; AG-62MM-1; винтами; винтами | под заказ 4-6 недель заказать | |||
INFINEON TECHNOLOGIES | FF200R12KT4HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES | Полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ; Ic: 200А; AG-62MM-1; винтами; винтами | от 11339.7 р.
| под заказ 4-6 недель заказать |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
ST/ON | FF200R12KT4HOSA1 ST/ON Артикул:FF200R12KT4HOSA1 Корпус:SMD/DIP/QFP | Contact us for more quantities.Reach us For PCBA & BOM List Cost-down : 2881007211@qq.com, SMD/DIP/QFP, www.wnydz.cn Аналоги:FF200R12KT4HOSA1 Дата изготовления:23+ Тип упаковки / в упаковке: Tube/Ribbon / 25 Минимальный заказ:1 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
original | FF200R12KT4HOSA1 original Артикул:New/brand new origin Корпус:bulk/REEL | Дата изготовления:20+ Тип упаковки: Packed in boxes Минимальный заказ:1 | 2-5day |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | FF200R12KT4HOSA1 Infineon Technologies Артикул:New/Original | Can directly receive payment from Russia, including rubles/RUB/ Supporting services for acceptable bill of materials /info@jiejiecheng.com Аналоги:FF200R12KT4HOSA1 Дата изготовления:25+ Тип упаковки / в упаковке: Tape/Tube/Tray / 100 Минимальный заказ:1 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | FF200R12KT4HOSA1 Infineon Артикул:FF200R12KT4HOSA1 | 18years experience/only new original/contact us for more discounts Дата изготовления:2023+/2024+ В упаковке: standard Минимальный заказ:10 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | FF200R12KT4HOSA1 Infineon Артикул:FF200R12KT4HOSA1 | Минимальный заказ:1 штука | 0 6-8 недель при наличии на складе |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON | FF200R12KT4HOSA1 INFINEON Артикул:2377249 | БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual [Half Bridge], 320 А, 1.75 В, 1.1 кВт, 150 °C, Module | 0 по запросу заказать | |||
Infineon Technologies | FF200R12KT4HOSA1 Infineon Technologies Артикул:FF200R12KT4HOSA1-ND | IGBT MOD 1200V 320A 1100W | 0 по запросу заказать |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON | FF200R12KT4HOSA1 INFINEON Артикул:2377249 | БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual [Half Bridge], 320 А, 1.75 В, 1.1 кВт, 150 °C, Module | 0 по запросу заказать | |||
Infineon Technologies | FF200R12KT4HOSA1 Infineon Technologies Артикул:FF200R12KT4HOSA1-ND | IGBT MOD 1200V 320A 1100W | 0 по запросу заказать |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | FF200R12KT4HOSA1 Infineon Корпус:6002 | Минимальный заказ:22+ |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
FF200R12KT4HOSA1 | Дата изготовления:22+/23+ Тип упаковки: IC MCU Минимальный заказ:1 3807 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON TECHNOLOGIES AG | FF200R12KT4HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AG | Дата изготовления:24+ | STOCK |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
NXP | FF200R12KT4HOSA1 NXP | Дата изготовления:24+ Тип упаковки: QFN |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
TE | FF200R12KT4HOSA1 TE | Дата изготовления:22+/23+ Тип упаковки: SOP8 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | FF200R12KT4HOSA1 Infineon | FF200R12KT4 Series 1200 V 320 A 1100 W Chassis Mount IGBT Module, Module Тип упаковки: Bulk Минимальный заказ:Min: 1 | ||||
Infineon | FF200R12KT4HOSA1 Infineon | FF200R12KT4 Series 1200 V 320 A 1100 W Chassis Mount IGBT Module, Module Тип упаковки: Tray Минимальный заказ:Min: 10 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON TECHNOLOGIES AG | FF200R12KT4HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AG | 3-5 недель заказать |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | FF200R12KT4HOSA1 Infineon Technologies | 3-5 недель |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | FF200R12KT4HOSA1 (FF200R12KT4) Infineon Technologies | IGBT транзисторы | 2-3 недели |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
FF200R12KT4HOSA1 | Дата изготовления:24+ Тип упаковки: Electronic Component |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | FF200R12KT4HOSA1 Infineon Technologies | 2-5 Дня |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON TECHNOLOGIES AG | FF200R12KT4HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AG | да Москва - 2-3 недели |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | FF200R12KT4HOSA1 Infineon | от 3-4 недель |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies AG | FF200R12KT4HOSA1 Infineon Technologies AG | Trans IGBT Module N-CH 1200V 320A 1100W 7-Pin 62MM-1 Tray Дата изготовления:NA+ | 3-5 недель |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
FF200R12KT4HOSA1 | 1-2 недели | |||||
INFIN | FF200R12KT4HOSA1 INFIN | 1-2 недели |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON TECHNOLOGIES | FF200R12KT4HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES | Транзистор MEDIUM POWER 62MM | по запросузаказать |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | FF200R12KT4HOSA1 Infineon | 2-3 недели | ||||
Infineon | FF200R12KT4HOSA1 Infineon | |||||
Infineon | МОДУЛЬ FF200R12KT4HOSA1 Infineon |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
FF200R12KT4HOSA1 | IC MCU | China & HongKong - 1 week |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
TE Connectivity | FF200R12KT4HOSA1 TE Connectivity | 5-7 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | FF200R12KT4HOSA1 Infineon |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
FF200R12KT4HOSA1, IGBT модуль Infineon Technologies, 1200 В | 3-4 недели |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
FF200R12KT4HOSA1 | \t\t | под заказ 3-7 недель |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | FF200R12KT4HOSA1 Infineon | FF200R12KT4HOSA1 Infineon, IGBT модули, Серия: IGBT4; Ic (nom): 200 А; Vce (max): 1200 В; Конфигурация: Dual; Корпус: 62 мм | 0заказать |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | FF200R12KT4HOSA1 Infineon Technologies | 5-7 дней | ||||
FF200R12KT4HOSA1 | 5-7 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
FF200R12KT4HOSA1 | Минимальный заказ от 1 штуки. New and Original | есть |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
FF200R12KT4HOSA1 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
FF200R12KT4HOSA1 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
FF200R12KT4HOSA1 | IC MCU |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON | FF200R12KT4HOSA1 INFINEON Артикул:F2377249 | БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной NPN, 320 А, 1.75 В, 1.1 кВт, 1.2 кВ, Module Тип упаковки: Штука | 0заказать |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON TECHNOLOGIES INDUSTRIAL POWER AND CONTROL | FF200R12KT4HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES INDUSTRIAL POWER AND CONTROL | IGBT MODULE 1200V 200A | 10 от 2 нед. |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | FF200R12KT4HOSA1 Infineon | склад |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
FF200R12KT4HOSA1 | Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 200А, 1100Вт | от 6455.59 р.
| 122 шт. от 1 до 7 дней | |||
FF200R12KT4HOSA1 (Возможны ограничения по поставке, уточните | Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 200А, 1100Вт | 11037.19 р.
| 400 шт. от 7 до 21 дня | |||
FF200R12KT4HOSA1 | Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 200А, 1100Вт | от 9180.43 р.
| 39 шт. более 21 дня |
|
2002— «ЭтЛайт» Администрация: +7 (812) 309-50-30, client@efind.ru Расширение для браузера · Телеграм-бот · Аналитика · English version |
![]() |
KRDAl4kiQlHiJlBT 0706
|