Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
FF50R12RT4HOSA1 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | FF50R12RT4HOSA1 Infineon Technologies | IGBT MOD 1200V 50A 285W | 157 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
FF50R12RT4HOSA1 | 100% ڧԧڧߧѧ ֧ѧާ ܧѧ֧ӧ, ݧߧ ݧ֧اڧӧѧ֧ާ! | 240 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | FF50R12RT4HOSA1 Infineon Technologies | дакупить |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | FF50R12RT4HOSA1, 5 шт. Infineon Technologies | Минимальный заказ:5 шт. | 11925.71 р.
| 5245 4-6 недель заказать |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
FF50R12RT4HOSA1 Артикул:0331913 | Минимальный заказ:1 | 12529.85 р.
| 10 28 заказать |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | FF50R12RT4HOSA1 Infineon | Минимальный заказ:1 | 8359.6 р.
| 4 Поставка дней: 35-45 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | FF50R12RT4HOSA1 Infineon Technologies | 3128 р.
| 1000 от 10 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | FF50R12RT4HOSA1 Infineon Technologies | IGBT MOD 1200V 50A 285W | 45.9 $
| 367 от 6 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | FF50R12RT4HOSA1 Infineon Technologies Артикул:FF50R12RT4HOSA1 | IGBT MODULE 1200V 50A В упаковке: 1 шт. Минимальный заказ:1 шт. | 16122 1-2 недели |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | FF50R12RT4HOSA1 Infineon Корпус:AG-34MM-411 | integrated circuit, Stock Дата изготовления:22+/23+ | 5439 1-3 days |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON TECHNOLOGIES AG | FF50R12RT4HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AG | Дата изготовления:24+ | 3000 STOCK |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | FF50R12RT4HOSA1 Infineon | Дата изготовления:22+ | 2000 1-3 недели | |||
Infineon | FF50R12RT4HOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual [H Infineon | Дата изготовления:22+ | 2000 1-3 недели |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | FF50R12RT4HOSA1 Infineon | 9737 7-14 рабочих дней | ||||
Infineon | FF50R12RT4HOSA1##10 Infineon | 4065 7-14 рабочих дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | FF50R12RT4HOSA1 Infineon | 5725 AG-34MM-411 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON | FF50R12RT4HOSA1 INFINEON | TRANSISTOR, IGBT MODULES | 2614 от 7 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON | FF50R12RT4HOSA1 INFINEON | TRANSISTOR, IGBT MODULES | 21066 от 8 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON | FF50R12RT4HOSA1 INFINEON | TRANSISTOR, IGBT MODULES | 2311 От 8 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON | FF50R12RT4HOSA1 INFINEON | TRANSISTOR, IGBT MODULES | 2973 От 8 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON | FF50R12RT4HOSA1 INFINEON Артикул:2726144 | БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual [Half Bridge], 50 А, 1.85 В, 285 Вт, 150 °C, Module | 0 по запросу заказать | |||
Infineon Technologies | FF50R12RT4HOSA1 Infineon Technologies Артикул:FF50R12RT4HOSA1-ND | IGBT MOD 1200V 50A 285W | 40 1-2 недели заказать |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON | FF50R12RT4HOSA1 INFINEON Артикул:2726144 | БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual [Half Bridge], 50 А, 1.85 В, 285 Вт, 150 °C, Module | 0 по запросу заказать | |||
Infineon Technologies | FF50R12RT4HOSA1 Infineon Technologies Артикул:FF50R12RT4HOSA1-ND | IGBT MOD 1200V 50A 285W | 40 1-2 недели заказать |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | FF50R12RT4HOSA1 Infineon Артикул:FF50R12RT4HOSA1 | Минимальный заказ:1 штука | от 103.5 $
| 0 6-8 недель при наличии на складе |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | FF50R12RT4HOSA1 Infineon | Igbt, Module, n-Ch, 1.2kv, 50a. Возможна срочная поставка за 7 дней за доп. плату. | 61.411 $
| от 7 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | FF50R12RT4HOSA1 Infineon Technologies | IGBT MODULE 1200V 50A, Минимальный заказ 150$ на позицию. СРОЧНЫМ КАНАЛОМ | 82.13 $
| 28 шт. 1-2 нед. | ||
Infineon Technologies | FF50R12RT4HOSA1 Infineon Technologies | IGBT MODULE 1200V 50A, Минимальный заказ 100$ на позицию | 61.07 $
| 28 шт. 3-4 нед. |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | FF50R12RT4HOSA1 Infineon | FF50R12RT4HOSA1 Infineon, IGBT модули, | от 2864.76 р.
| 0заказать |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | FF50R12RT4HOSA1 Infineon | 8357.16 р.
| по запросу |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON TECHNOLOGIES | FF50R12RT4HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES | Ток коллектора в импульсе 100А Топология полумост IGBT Рассеиваемая мощность 285Вт Производитель INFINEON TECHNOLOGIES Применение фотоэлектрика Корпус AG-34MM-1 Ток коллектора 50А Механический монтаж винтами Обратное напряжение макс. 1,2к В упаковке: 1 Минимальный заказ:1 | да 5-18 дней | |||
Infineon Technologies | FF50R12RT4HOSA1 Infineon Technologies | Manufacturer : Infineon Technologies Series : - Part Status : Active IGBT Type : Trench Field Stop Configuration : Half Bridge Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) : 1200V Current - Collector (Ic) (Max) : 50A Power - Max : 285W Vce(on) (Max) @ Vge, В упаковке: 1 Минимальный заказ:1 | 4296.24 р.
| да 7-21 день |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON TECHNOLOGIES | FF50R12RT4HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES | Полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ; Ic: 50А; AG-34MM-1; винтами; винтами | под заказ 4-6 недель заказать | |||
INFINEON TECHNOLOGIES | FF50R12RT4HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES | Полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ; Ic: 50А; AG-34MM-1; винтами; винтами | от 4169.88 р.
| под заказ 4-6 недель заказать |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | FF50R12RT4HOSA1 Infineon Артикул:FF50R12RT4HOSA1 | 18years experience/only new original/contact us for more discounts Дата изготовления:2022+ В упаковке: standard Минимальный заказ:10 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON TECHNOLOGIES AG | FF50R12RT4HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AG | Дата изготовления:24+ | STOCK |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON TECHNOLOGIES AG | FF50R12RT4HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AG | от 3 недель заказать |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON TECHNOLOGIES AG | FF50R12RT4HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AG | да Москва - 2-3 недели |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | FF50R12RT4HOSA1 Infineon Technologies | 2-5 Дня |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | FF50R12RT4HOSA1 Infineon Technologies | 3-5 недель |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | FF50R12RT4HOSA1 Infineon | от 3-4 недель |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | FF50R12RT4HOSA1 Infineon | Полумост IGBT; Urmax:1,2кВ; Ic:50А; P:285Вт; Ifsm:100А; AG-34MM-1 | от 1 недели |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON | FF50R12RT4HOSA1 INFINEON | 0, условия поставки по запросузаказать |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON TECHNOLOGIES | FF50R12RT4HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES | Транзистор MEDIUM POWER 34MM | по запросузаказать |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | FF50R12RT4HOSA1 Infineon | 2-3 недели | ||||
Infineon | FF50R12RT4HOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual [H Infineon | 2-3 недели |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | FF50R12RT4HOSA1 Infineon Technologies | 5-7 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
FF50R12RT4HOSA1 | 0 По запросу |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
FF50R12RT4HOSA1 | Минимальный заказ от 1 штуки. New and Original | есть |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON | FF50R12RT4HOSA1 INFINEON Артикул:F2726144 | БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 50 А, 1.85 В, 285 Вт, 1.2 кВ, Module Тип упаковки: Штука | 0заказать |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | FF50R12RT4HOSA1 Infineon | 5-10 дн |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
FF50R12RT4HOSA1 | Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 50А | 5230.64 р.
| 4 шт. более 21 дня |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies AG | FF50R12RT4HOSA1 Infineon Technologies AG | от 73.462 $
| 17 от 7 дней | |||
Infineon Technologies AG | FF50R12RT4HOSA1 Infineon Technologies AG | от 73.0857 $
| 17 от 7 дней | |||
Infineon Technologies AG | FF50R12RT4HOSA1 Infineon Technologies AG | от 287.975 $
| 22 от 7 дней | |||
Infineon Technologies AG | FF50R12RT4HOSA1 Infineon Technologies AG | от 77.561 $
| 30 от 7 дней | |||
Infineon Technologies AG | FF50R12RT4HOSA1 Infineon Technologies AG | от 94.584 $
| 22 от 7 дней |
|
2002— «ЭтЛайт» Администрация: +7 (812) 309-50-30, client@efind.ru Расширение для браузера · Телеграм-бот · Аналитика · English version |
![]() |
KRDAl4kiQlHiJlBT 0704
|