Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON TECHNOLOGIES AG | FF6MR12W2M1PB11BPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AG | Дата изготовления:24+ | 3000 STOCK |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | FF6MR12W2M1PB11BPSA1 Infineon Technologies | MOSFET MODULE LOW POWER EASY | 2286 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
FF6MR12W2M1PB11BPSA1 | 100% ڧԧڧߧѧ ֧ѧާ ܧѧ֧ӧ, ݧߧ ݧ֧اڧӧѧ֧ާ! | 174 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
MH CONNECTORS | FF6MR12W2M1PB11BPSA1, 5 шт. MH CONNECTORS | Минимальный заказ:5 шт. | 53921.7 р.
| 3 4-6 недель заказать |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | FF6MR12W2M1PB11BPSA1 Infineon Technologies | IGBT MODULE LOW POWER EASY | 282.62 $
| 73 от 6 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | FF6MR12W2M1PB11BPSA1 Infineon Корпус:Module | integrated circuit, Stock Дата изготовления:22+/23+ | 13 1-3 days |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | FF6MR12W2M1PB11BPSA1 Infineon | standard package Дата изготовления:23+ | 9000 1-3 days |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | FF6MR12W2M1PB11BPSA1 Infineon | 7143 7-14 рабочих дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON | FF6MR12W2M1PB11BPSA1 INFINEON Артикул:3577293 | Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Двойной N Канал, 200 А, 1.2 кВ, 0.00563 Ом, Module | 0 по запросу заказать | |||
Infineon Technologies | FF6MR12W2M1PB11BPSA1 Infineon Technologies Артикул:448-FF6MR12W2M1PB11B | IGBT MODULE LOW POWER EASY | 36 1-2 недели заказать |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON | FF6MR12W2M1PB11BPSA1 INFINEON Артикул:3577293 | Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Двойной N Канал, 200 А, 1.2 кВ, 0.00563 Ом, Module | 0 по запросу заказать | |||
Infineon Technologies | FF6MR12W2M1PB11BPSA1 Infineon Technologies Артикул:448-FF6MR12W2M1PB11B | IGBT MODULE LOW POWER EASY | 36 1-2 недели заказать |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
MH CONNECTORS | FF6MR12W2M1PB11BPSA1 MH CONNECTORS | SVHC (Особо Опасные Вещества) No SVHC (08-Jul-2021) Максимальная Рабочая Температура 150°C Стиль Корпуса Транзистора Module Напряжение Истока-стока Vds 1.2кВ Напряжение Измерения Rds(on) 15В Пороговое Напряжение Vgs 4.5В Непрерывный Ток Стока В упаковке: 1 Минимальный заказ:1 | 56700 р.
| да 7-21 день |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | FF6MR12W2M1PB11BPSA1 Infineon Technologies | FF6MR12W2M1PB11BPSA1. Возможна срочная поставка за 7 дней за доп. плату. В упаковке: 1 | 462.762 $
| от 7 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | FF6MR12W2M1PB11BPSA1 Infineon Артикул:FF6MR12W2M1PB11BPSA1 | 18years experience/only new original/contact us for more discounts Дата изготовления:2022+ В упаковке: standard Минимальный заказ:10 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON TECHNOLOGIES AG | FF6MR12W2M1PB11BPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AG | Дата изготовления:24+ | STOCK |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON TECHNOLOGIES AG | FF6MR12W2M1PB11BPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AG | да Москва - 2-3 недели |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | FF6MR12W2M1PB11BPSA1 Infineon | 1 неделя |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON | FF6MR12W2M1PB11BPSA1 INFINEON | 18 3-5 недель |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | FF6MR12W2M1PB11BPSA1 Infineon | 1 неделя |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
FF6MR12W2M1PB11BPSA1 | \t\t | под заказ 3-7 недель |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
FF6MR12W2M1PB11BPSA1 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | FF6MR12W2M1PB11BPSA1 Infineon | FF6MR12W2M1PB11BPSA1 Infineon, SiC модули (карбид-кремниевые), V dsm: 1200 В; Rds(on): 5.63 мОм | 0заказать |
|
2002— «ЭтЛайт» Администрация: +7 (812) 309-50-30, client@efind.ru Расширение для браузера · Телеграм-бот · Аналитика · English version |
![]() |
KRDAl4kiQlHiJlBT 0714
|