Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
BOURNS | HGT1S10N120BNST BOURNS | Дата изготовления:22+ Тип упаковки: NA | 1000 China&HongKong-1 DAY |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
ON | HGT1S10N120BNST ON | IC MCU Дата изготовления:21+ | 5 $
| 2702 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
ON | HGT1S10N120BNST ON Артикул:HGT1S10N120BNST | In-stock, new and original, TO263 Дата изготовления:21+ Тип упаковки: TO263 Минимальный заказ:No | 3601 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
ON | HGT1S10N120BNST? ON | Дата изготовления:21+ Тип упаковки: TO-263 | 5998 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
ON | HGT1S10N120BNST ON Корпус:TO263 | Дата изготовления:21+ | 2500 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | HGT1S10N120BNST Infineon | Дата изготовления:22+ | 7500 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
ON | HGT1S10N120BNST ON | TO263 Дата изготовления:21+ | 1600 | |||
SAMSUNG | HGT1S10N120BNST##QQQQQQQQ SAMSUNG | SOT263 Дата изготовления:2018+ | 285 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
ON | HGT1S10N120BNST ON | new and original Дата изготовления:21+ | 3205 | |||
ON | HGT1S10N120BNST ON | new and original Дата изготовления:21+ | 77450 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
ON | HGT1S10N120BNST ON | China & HongKong - 5 days, Новый оригинал., 2145+ Тип упаковки: default, default, de | 6300 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
ON | HGT1S10N120BNST ON | HongKong - 1 day, ON, 22+ | 11000 | |||
FAIRCHILD | HGT1S10N120BNST FAIRCHILD | HongKong - 1 day, TO-263, 22+ | 2699 | |||
Ande-NA | HGT1S10N120BNST##QQQQQQQQ Ande-NA | HongKong - 1 day, SOT263, 22+ | 2285 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
ON | HGT1S10N120BNST ON | 21+ | 2800 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
ON | HGT1S10N120BNST ON | 15895 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Freescale | HGT1S10N120BNST Freescale | 5000 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD | HGT1S10N120BNST FAIRCHILD | TO263, 14+ | 115 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
ORIGINAL | HGT1S10N120BNST ORIGINAL | ORIGINAL NEW | 5420 | |||
FAIRCHILD | HGT1S10N120BNST FAIRCHILD | TO-263; ORIGINAL NEW | 1699 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
ON | HGT1S10N120BNST ON | 6510 | ||||
HGT1S10N120BNST | 2000 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
ON | HGT1S10N120BNST ON | 6510 | ||||
HGT1S10N120BNST | 2000 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
HGT1S10N120BNST | 7200 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
ON Semiconductor | HGT1S10N120BNST ON Semiconductor | Дата изготовления:21+ Тип упаковки: IGBT 1200V 35A 298W | 5000 China |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
ON | HGT1S10N120BNST ON Корпус:TO-263 | Дата изготовления:21+ | 20000 China & Shenzhen - 1 day |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
ON | HGT1S10N120BNST ON Корпус:SMD | Дата изготовления:20+ | 800 China & HongKong - 7 days |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
ON | HGT1S10N120BNST ON | Дата изготовления:21+ Тип упаковки: TO-263 | 3600 China & HongKong - 3 days |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
ON | HGT1S10N120BNST ON | Дата изготовления:21+ | 5000 China & HongKong - 5 days |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
ON | HGT1S10N120BNST ON | Дата изготовления:21+ | 86543 3woring days |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
ON | HGT1S10N120BNST ON | 6945 China & HongKong - 5 days |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
ON | HGT1S10N120BNST ON | Brand new original | 9000 China & ShenZhen 1- 3 days |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD | HGT1S10N120BNST FAIRCHILD | TO-263, 22+ | 2 $
| 1699, china & hongkong - 1 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
ON | HGT1S10N120BNST ON | IC OSC/MULT/BUFFER OCT 20-SSOP, 22+ | 0.89 $
| 11655, china & hongkong - | ||
ON | HGT1S10N120BNST##QQQQQQQQ ON | IC OSC/MULT/BUFFER OCT 20-SSOP, 22+ | 0.72 $
| 11655, china & hongkong - |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
ON | HGT1S10N120BNST ON | 200 $
|
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
ON | HGT1S10N120BNST ON | Дата изготовления:21+ Тип упаковки / в упаковке: IC MCU / 3.4 Минимальный заказ:3.9 | China & HongKong - 8days |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
ON Semiconductor | HGT1S10N120BNST ON Semiconductor Корпус:original packages wi | 22+, IGBT NPT 1200V 35A 298W Surface Mount TO-263AB For more information please go to the website: ic-yxs.com В упаковке: 1 Минимальный заказ:1 | 163366, russia-7-12days |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
onsemi | HGT1S10N120BNST onsemi | IGBT 1200V 35A 298W TO263AB Дата изготовления:2122+ | 5-7 days |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
ON | HGT1S10N120BNST ON | IC MCU, 21+ | 1days |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Fairchild | HGT1S10N120BNST Fairchild | Дата изготовления:300000 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
onsemi | HGT1S10N120BNST onsemi | D2PAK (TO-263), 21+ | 11659, china & hongkong - |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(ON) | HGT1S10N120BNST onsemi(ON) | TO-263AB-3, 2021 | 42083, russian | |||
ON | HGT1S10N120BNST##QQQQQQQQ ON | SOT263, 2021 | 5370, russian |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
onsemi | HGT1S10N120BNST onsemi | 22+ | 9642, china | |||
onsemi | HGT1S10N120BNST onsemi | D2PAK (TO-263), 22+ | 7445, china |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
onsemi | HGT1S10N120BNST onsemi | 21 | 4544, china & hongkong - 3 | |||
onsemi | HGT1S10N120BNST onsemi | D2PAK (TO-263), 21 | 12845, china & hongkong - |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
ON | HGT1S10N120BNST ON | IC OSC/MULT/BUFFER OCT 20-SSOP, 22+ | 10852, china & hongkong - |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineonnologies | HGT1S10N120BNST Infineonnologies | SOT-23-6, 21+ | 5000, china & hongkong - 5 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
ON | HGT1S10N120BNST ON | TO263, 22+, Инвентарь 100% новый и оригинальный, ценовое преимущество | 30000, китай | |||
ON | HGT1S10N120BNST##QQQQQQQQ ON | SOT263, 1648+, Инвентарь 100% новый и оригинальный, ценовое преимущество | 285, китай |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
onsemi | HGT1S10N120BNST onsemi | TO263AB3, 21+ | 4209, china & hongkong - 1 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
ON | HGT1S10N120BNST ON | 22+ | 10,000, 5-7 days |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
ON | HGT1S10N120BNST ON | #N/A, 2021 | 4000, china & hongkong - 3 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
ST | HGT1S10N120BNST ST | да |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
ON Semiconductor | HGT1S10N120BNST ON Semiconductor | дакупить |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
onsemi | HGT1S10N120BNST onsemi Артикул:8076660P | В упаковке: 2 Минимальный заказ:2 | от 5.16 $
| 800 5-6 недель |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
onsemi | HGT1S10N120BNST onsemi | Trans IGBT Chip N=-CH 1200V 35A 298000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Минимальный заказ:1 | от 284.33 р.
| 117001 (2-4 недели) |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
ON Semiconductor | HGT1S10N120BNST ON Semiconductor | 132 р.
| 1000 3-5 недель |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
AMI Semiconductor / ON Semiconductor | HGT1S10N120BNST AMI Semiconductor / ON Semiconductor Артикул:HGT1S10N120BNST | IGBT 1200V 35A 298W TO263AB Минимальный заказ:1 шт | 23915 1-2 недели |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/?? | HGT1S10N120BNST FAIRCHILD/?? | Минимальный заказ:1 | 2461 5-7дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/?? | HGT1S10N120BNST FAIRCHILD/?? | Минимальный заказ:1 | 2461 5-7дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
FAI | HGT1S10N120BNST FAI | Asia,REEL В упаковке: 800 | 3200 от 5 недель |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
ON | HGT1S10N120BNST ON | 3973 7-14 рабочих дней | ||||
Fairchild | HGT1S10N120BNST Fairchild | 7891 7-14 рабочих дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor] | HGT1S10N120BNST FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor] | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Channel IGBT NPT Series 1200V | 648 от 10-12 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
ON Semiconductor | HGT1S10N120BNST ON Semiconductor | 117 1-4 недели, склад №19 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Fairchild Semiconductor | HGT1S10N120BNST Fairchild Semiconductor | 1699 10-14 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Fairchild Semiconductor | HGT1S10N120BNST Fairchild Semiconductor | 1699 3-4 недели |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Fairchild Semiconductor | HGT1S10N120BNST Fairchild Semiconductor | 1765 склад |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
HGT1S10N120BNST | 10000 4-6 недель |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
ON SEMICONDUCTOR | HGT1S10N120BNST ON SEMICONDUCTOR | Минимальный заказ:1 | от 980.75 р.
| 4 дня заказать | ||
ON SEMICONDUCTOR | HGT1S10N120BNST ON SEMICONDUCTOR | Минимальный заказ:500 | 360.19 р.
| 55 дней заказать |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
ON SEMICONDUCTOR | HGT1S10N120BNST ON SEMICONDUCTOR | Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 17А; 298Вт; D2PAK | от 275.65 р.
| от 1 недели |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Fairchild/ON Semiconductor | HGT1S10N120BNST Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 1200V 35A 298W TO263AB Минимальный заказ:Мин/кратно 800 шт | 4.61 $
| 0 шт. срок поставки по запросу |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR | HGT1S10N120BNST FAIRCHILD SEMICONDUCTOR | IGBT, SINGLE, 1.2KV, 35A, TO-263AB-3 | от 252.96 р.
| под заказ 4-6 недель заказать | ||
Fairchild Semiconductor | HGT1S10N120BNST Fairchild Semiconductor | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Channel IGBT NPT Series 1200V | от 274.6 р.
| под заказ 4-6 недель заказать |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
2714828 | HGT1S10N120BNST 2714828 | Транзистор IGBT, 1,2кВ, 17А, 298Вт, DPAK | от 213.42 р.
| 0 По запросу заказать |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) | HGT1S10N120BNST onsemi(安森美) | 23.136 $
| 0 4-5 недель |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
HGT1S10N120BNST|2 (упаковка из 2), IGBT, 80 A 1200 V, 3-Pin Артикул:3976012 | 532.65 р.
| 0заказать |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
ONS | HGT1S10N120BNST ONS | DISCRETEIGBT1200V35A | от 3.08 $
| 0 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
ONS | HGT1S10N120BNST ONS | 169.81 р.
| по запросу |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
onsemi | HGT1S10N120BNST onsemi | onsemi. Цены и условия см. на сайте; официальный дистрибьютор: Сингапур | 4.765 SGD
| 980 шт., 5-7 недели |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
ON Semiconductor | HGT1S10N120BNST ON Semiconductor Артикул:HGT1S10N120BNST | Минимальный заказ:1 штука | по запросу по запросу |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHI | HGT1S10N120BNST FAIRCHI | TO-263 Минимальный заказ:от одной штуки | под заказ 5-7 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Fairchild Semiconductor | HGT1S10N120BNST Fairchild Semiconductor Корпус:TO-263 | HGT1S10N120BN Series 1200 V 35 A 298 W SMT NPT N-Channel IGBT - TO-263AB. Возможна срочная поставка за 7 дней за доп. плату. | От 5 недель |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
onsemi | HGT1S10N120BNST onsemi Артикул:HGT1S10N120BNSTTR-ND | IGBT 1200V 35A 298W TO263AB | 0 по запросу заказать | |||
ONSEMI | HGT1S10N120BNST ONSEMI Артикул:2454176RL | БТИЗ транзистор, 35 А, 2.45 В, 298 Вт, 1.2 кВ, TO-263AB, 3 вывод(-ов) | 0 по запросу заказать |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
onsemi | HGT1S10N120BNST onsemi Артикул:HGT1S10N120BNSTTR-ND | IGBT 1200V 35A 298W TO263AB | 0 по запросу заказать | |||
ONSEMI | HGT1S10N120BNST ONSEMI Артикул:2454176RL | БТИЗ транзистор, 35 А, 2.45 В, 298 Вт, 1.2 кВ, TO-263AB, 3 вывод(-ов) | 0 по запросу заказать |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
ON SEMICONDUCTOR | HGT1S10N120BNST ON SEMICONDUCTOR Артикул:F2454176 | БТИЗ транзистор, 35 А, 2.45 В, 298 Вт, 1.2 кВ, TO-263AB, 3 вывод(-ов) Тип упаковки: Штука (Поставляется | 0заказать |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Fairchild Semiconductor | HGT1S10N120BNST Fairchild Semiconductor | IGBT NPT N-CHAN 1200V TO-263AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A · Ток коллектора (макс): 35A · Мощность макcимальная: 298W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: D | 10-14 дней | |||
Fairchild Semiconductor | HGT1S10N120BNSTCT-ND Fairchild Semiconductor | IGBT 1200V 35A 298W TO263AB | 10-14 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Fairchild Semiconductor | HGT1S10N120BNST Fairchild Semiconductor | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Channel IGBT NPT Series 1200V | 1-2 недели заказать |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Fairchild Semiconductor | HGT1S10N120BNST Fairchild Semiconductor | IGBT NPT N-CHAN 1200V TO-263AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A · Ток коллектора (макс): 35A · Мощность макcимальная: 298W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: D | 10-14 дней | |||
Fairchild Semiconductor | HGT1S10N120BNSTCT-ND Fairchild Semiconductor | IGBT 1200V 35A 298W TO263AB | 10-14 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
ON Semiconductor | HGT1S10N120BNST ON Semiconductor | 4-5 недель |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR | HGT1S10N120BNST FAIRCHILD SEMICONDUCTOR | да Москва - 2-3 недели |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD | HGT1S10N120BNST FAIRCHILD | от 3 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor] | HGT1S10N120BNST FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor] | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Channel IGBT NPT Series 1200V | по запросу | |||
Fairchild Semiconductor | HGT1S10N120BNSTCT Fairchild Semiconductor | по запросу | ||||
Fairchild Semiconductor | HGT1S10N120BNSTDKR Fairchild Semiconductor | по запросу | ||||
Fairchild Semiconductor | HGT1S10N120BNSTTR Fairchild Semiconductor | по запросу |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD) | HGT1S10N120BNST ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD) | нет 2 недели |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
HGT1S10N120BNST | Fairchild Semiconductor HGT1S10N120BNST IGBT. | от 3-4 недель заказать | ||||
Fairchild Semiconductor | HGT1S10N120BNST Fairchild Semiconductor | Trans IGBT Chip N=-CH 1200V 35A 298000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | от 3-4 недель заказать |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD | HGT1S10N120BNST FAIRCHILD | 5-7 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD | HGT1S10N120BNST FAIRCHILD | по запросу |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
ONS | HGT1S10N120BNST ONS | Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 35 А, 298 Вт | от 2-х недель |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
ONS | HGT1S10N120BNST ONS | заказ |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
On Semiconductor | HGT1S10N120BNST On Semiconductor | Транзисторы IGBT SMD Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 17А; 298Вт; D2PAK | по запросузаказать |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD | HGT1S10N120BNST FAIRCHILD | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Channel IGBT NPT Series 1200V |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Fairchild Semiconductor | HGT1S10N120BNST Fairchild Semiconductor | 5-12 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
HGT1S10N120BNST | 0 По запросу |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
ON SEMICONDUCTOR CORPORATION | HGT1S10N120BNST ON SEMICONDUCTOR CORPORATION | по запросу от 14 дней | ||||
ON SEMICONDUCTOR CORPORATION | HGT1S10N120BNST ON SEMICONDUCTOR CORPORATION | HGT1S10N120BNST, БТИЗ транзистор, 35 А, 2.45 В, 298 Вт, 1.2 кВ, TO-263AB, 3 вывод(-ов) | по запросу от 14 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
HGT1S10N120BNST | 80 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD | HGT1S10N120BNST FAIRCHILD | по запросу |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
HGT1S10N120BNST | The HGT1S10N120BNST is a N-channel Non-punch Through (NPT) IGBT ideal for many high voltage switching applications operating at moderate frequencies where low conduction losses are essential, such as UPS and solar inverter. It is new member of the MOS gat | под заказ 2-3 недели |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Fairchild Semiconductor Corporation | HGT1S10N120BNST Fairchild Semiconductor Corporation | 0 | ||||
onsemi | HGT1S10N120BNST onsemi | 0 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Fairchild Semiconductor | HGT1S10N120BNST Fairchild Semiconductor | 6-10 календарных дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
ON Semiconductor | HGT1S10N120BNST ON Semiconductor | 5-10 дн | ||||
Fairchild Semiconductor | HGT1S10N120BNST Fairchild Semiconductor | 5-10 дн |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
HGT1S10N120BNST | от 7 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
HGT1S10N120BNST | от 7 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
HGT1S10N120BNST | по запросу |
2002— «ЭтЛайт» Администрация: +7 (812) 309-50-30, client@efind.ru Расширение для браузера · Телеграм-бот · Аналитика · English version |
![]() |
![]() |
KRDAl4kiQlHiJlBT 0201
|