webspiders: Профиль Настройки Выход
  Электронные компоненты Аналоги По документации    
Разместите объявление о покупке «HGT1S10N120BNST»
Вид:
К запросу:
позиций
Отправленные запросы
Цены?
Медиан — медиана розничных цен.
Мин — минимальная цена оптовых цен.
Макс — максимальная цена розничных цен.

Для расчета взяты все цены из результатов поиска по запросу «HGT1S10N120BNST»
вверх

Фильтры

Наличие HGT1S10N120BNST на складах

Фильтр по партномеру:
Фильтр по регионам:
Экспорт результатов поиска:
Актуальность: 26 декабря 2022 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
BOURNSHGT1S10N120BNST
BOURNS
Дата изготовления:22+
Тип упаковки: NA
1000
China&HongKong-1 DAY
Актуальность: 9 января 2023 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
ONHGT1S10N120BNST
ON
IC MCU
Дата изготовления:21+
5 $
  • 1+5 $
2702
Актуальность: 10 января 2023 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
ONHGT1S10N120BNST
ON
Артикул:HGT1S10N120BNST
In-stock, new and original, TO263
Дата изготовления:21+
Тип упаковки: TO263
Минимальный заказ:No
3601
Актуальность: 10 декабря 2022 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
ONHGT1S10N120BNST?
ON
Дата изготовления:21+
Тип упаковки: TO-263
5998
Актуальность: 2 декабря 2022 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
ONHGT1S10N120BNST
ON
Корпус:TO263
Дата изготовления:21+
2500
Актуальность: 3 января 2023 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
InfineonHGT1S10N120BNST
Infineon
Дата изготовления:22+
7500
Актуальность: 31 октября 2022 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
ONHGT1S10N120BNST
ON
TO263
Дата изготовления:21+
1600
SAMSUNGHGT1S10N120BNST##QQQQQQQQ
SAMSUNG
SOT263
Дата изготовления:2018+
285
Актуальность: 17 ноября 2022 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
ONHGT1S10N120BNST
ON
new and original
Дата изготовления:21+
3205
ONHGT1S10N120BNST
ON
new and original
Дата изготовления:21+
77450
Актуальность: 10 января 2023 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
ONHGT1S10N120BNST
ON
China & HongKong - 5 days, Новый оригинал., 2145+
Тип упаковки: default, default, de
6300
Актуальность: 21 декабря 2022 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
ONHGT1S10N120BNST
ON
HongKong - 1 day, ON, 22+ 11000
FAIRCHILDHGT1S10N120BNST
FAIRCHILD
HongKong - 1 day, TO-263, 22+ 2699
Ande-NAHGT1S10N120BNST##QQQQQQQQ
Ande-NA
HongKong - 1 day, SOT263, 22+ 2285
Актуальность: 10 ноября 2022 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
ONHGT1S10N120BNST
ON
21+ 2800
Актуальность: 5 декабря 2022 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
ONHGT1S10N120BNST
ON
15895
Актуальность: 2 декабря 2022 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
FreescaleHGT1S10N120BNST
Freescale
5000
Актуальность: 23 ноября 2022 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
FAIRCHILDHGT1S10N120BNST
FAIRCHILD
TO263, 14+ 115
Актуальность: только чтоОграничения: Заказ от 50 USD.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
ORIGINALHGT1S10N120BNST
ORIGINAL
ORIGINAL NEW 5420
FAIRCHILDHGT1S10N120BNST
FAIRCHILD
TO-263; ORIGINAL NEW 1699
Актуальность: 27 октября 2022 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
ONHGT1S10N120BNST
ON
6510
HGT1S10N120BNST 2000
Актуальность: 27 октября 2022 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
ONHGT1S10N120BNST
ON
6510
HGT1S10N120BNST 2000
Актуальность: 16 августа 2022 г.Ограничения: Заказ от 100 USD.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
HGT1S10N120BNST 7200
Актуальность: 14 ноября 2022 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
ON SemiconductorHGT1S10N120BNST
ON Semiconductor
Дата изготовления:21+
Тип упаковки: IGBT 1200V 35A 298W
5000
China
Inkson LimitedКитай, г. Шеньженьпоказать информацию
Актуальность: 26 ноября 2022 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
ONHGT1S10N120BNST
ON
Корпус:TO-263
Дата изготовления:21+
20000
China & Shenzhen - 1 day
Актуальность: 3 января 2023 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
ONHGT1S10N120BNST
ON
Корпус:SMD
Дата изготовления:20+
800
China & HongKong - 7 days
Актуальность: 20 декабря 2022 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
ONHGT1S10N120BNST
ON
Дата изготовления:21+
Тип упаковки: TO-263
3600
China & HongKong - 3 days
Актуальность: 2 ноября 2022 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
ONHGT1S10N120BNST
ON
Дата изготовления:21+
5000
China & HongKong - 5 days
Актуальность: 9 декабря 2022 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
ONHGT1S10N120BNST
ON
Дата изготовления:21+
86543
3woring days
Актуальность: 28 декабря 2022 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
ONHGT1S10N120BNST
ON
6945
China & HongKong - 5 days
Актуальность: 10 января 2023 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
ONHGT1S10N120BNST
ON
Brand new original 9000
China & ShenZhen 1- 3 days
Актуальность: 29 декабря 2022 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
FAIRCHILDHGT1S10N120BNST
FAIRCHILD
TO-263, 22+
2 $
  • 1+2 $
1699, china & hongkong - 1
Актуальность: 11 августа 2022 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
ONHGT1S10N120BNST
ON
IC OSC/MULT/BUFFER OCT 20-SSOP, 22+
0.89 $
  • 1+0.89 $
11655, china & hongkong -
ONHGT1S10N120BNST##QQQQQQQQ
ON
IC OSC/MULT/BUFFER OCT 20-SSOP, 22+
0.72 $
  • 1+0.72 $
11655, china & hongkong -
Актуальность: 2 декабря 2022 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
ONHGT1S10N120BNST
ON
200 $
  • 1+200 $
Актуальность: 26 декабря 2022 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
ONHGT1S10N120BNST
ON
Дата изготовления:21+
Тип упаковки / в упаковке: IC MCU / 3.4
Минимальный заказ:3.9
China & HongKong - 8days
Актуальность: 31 октября 2022 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
ON SemiconductorHGT1S10N120BNST
ON Semiconductor
Корпус:original packages wi
22+, IGBT NPT 1200V 35A 298W Surface Mount TO-263AB For more information please go to the website: ic-yxs.com
В упаковке: 1
Минимальный заказ:1
163366, russia-7-12days
Актуальность: 9 ноября 2022 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
onsemiHGT1S10N120BNST
onsemi
IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
Дата изготовления:2122+
5-7 days
Актуальность: 26 декабря 2022 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
ONHGT1S10N120BNST
ON
IC MCU, 21+
1days
Актуальность: 17 ноября 2022 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
FairchildHGT1S10N120BNST
Fairchild
Дата изготовления:300000
Актуальность: 19 июня 2022 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
onsemiHGT1S10N120BNST
onsemi
D2PAK (TO-263), 21+ 11659, china & hongkong -
Актуальность: 10 января 2023 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
onsemi(ON)HGT1S10N120BNST
onsemi(ON)
TO-263AB-3, 2021 42083, russian
ONHGT1S10N120BNST##QQQQQQQQ
ON
SOT263, 2021 5370, russian
Актуальность: 8 сентября 2022 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
onsemiHGT1S10N120BNST
onsemi
22+ 9642, china
onsemiHGT1S10N120BNST
onsemi
D2PAK (TO-263), 22+ 7445, china
Актуальность: 7 сентября 2022 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
onsemiHGT1S10N120BNST
onsemi
21 4544, china & hongkong - 3
onsemiHGT1S10N120BNST
onsemi
D2PAK (TO-263), 21 12845, china & hongkong -
Актуальность: 15 июня 2022 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
ONHGT1S10N120BNST
ON
IC OSC/MULT/BUFFER OCT 20-SSOP, 22+ 10852, china & hongkong -
Актуальность: 5 декабря 2022 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
InfineonnologiesHGT1S10N120BNST
Infineonnologies
SOT-23-6, 21+ 5000, china & hongkong - 5
Актуальность: 20 октября 2022 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
ONHGT1S10N120BNST
ON
TO263, 22+, Инвентарь 100% новый и оригинальный, ценовое преимущество 30000, китай
ONHGT1S10N120BNST##QQQQQQQQ
ON
SOT263, 1648+, Инвентарь 100% новый и оригинальный, ценовое преимущество 285, китай
Актуальность: 3 января 2023 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
onsemiHGT1S10N120BNST
onsemi
TO263AB3, 21+ 4209, china & hongkong - 1
Актуальность: 13 августа 2022 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
ONHGT1S10N120BNST
ON
22+ 10,000, 5-7 days
Актуальность: 4 января 2023 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
ONHGT1S10N120BNST
ON
#N/A, 2021 4000, china & hongkong - 3
Актуальность: 22 декабря 2022 г.Ограничения: Только ЮЛ, только безнал, заказ от 5000 руб., работаем только с производственными компаниями.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
STHGT1S10N120BNST
ST
да
Актуальность: только чтоОграничения: Только ЮЛ и ИП, Самозанятые и Подотчетники.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
ON SemiconductorHGT1S10N120BNST
ON Semiconductor
дакупить
Актуальность: только чтоОграничения: Заказ от 20000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
onsemiHGT1S10N120BNST
onsemi
Артикул:8076660P
В упаковке: 2
Минимальный заказ:2
от 5.16 $
  • 8+7.72 $
  • 40+6.85 $
  • 200+5.93 $
  • 400+5.16 $
800
5-6 недель
Санконг. Санкт-Петербургпоказать информацию
Актуальность: только чтоОграничения: Только ЮЛ, заказ от 3000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
onsemiHGT1S10N120BNST
onsemi
Trans IGBT Chip N=-CH 1200V 35A 298000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Минимальный заказ:1
от 284.33 р.
  • 1+497.14 р.
  • 10+446.55 р.
  • 100+366.32 р.
  • 1000+284.33 р.
117001
(2-4 недели)
Актуальность: 29 декабря 2022 г.Ограничения: Заказ от 10000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
ON SemiconductorHGT1S10N120BNST
ON Semiconductor
132 р.
  • 1+132 р.
1000
3-5 недель
Актуальность: только чтоОграничения: Заказ от 5000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
AMI Semiconductor / ON SemiconductorHGT1S10N120BNST
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Артикул:HGT1S10N120BNST
IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
Минимальный заказ:1 шт
23915
1-2 недели
Актуальность: 13 декабря 2022 г.Ограничения: Только ЮЛ, заказ от 3000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
FAIRCHILD/??HGT1S10N120BNST
FAIRCHILD/??
Минимальный заказ:1
2461
5-7дней
Актуальность: 10 августа 2022 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
FAIRCHILD/??HGT1S10N120BNST
FAIRCHILD/??
Минимальный заказ:1
2461
5-7дней
АВЭЛКОМг. Санкт-Петербургпоказать информацию
Актуальность: только чтоОграничения: Только ЮЛ, заказ от 2000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
FAIHGT1S10N120BNST
FAI
Asia,REEL
В упаковке: 800
3200
от 5 недель
Чипхаусг. Санкт-Петербургпоказать информацию
Актуальность: только чтоОграничения: Заказ от 10000 руб., не сотрудничаем с поставщиками ЭК.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
ONHGT1S10N120BNST
ON
3973
7-14 рабочих дней
FairchildHGT1S10N120BNST
Fairchild
7891
7-14 рабочих дней
Актуальность: только чтоОграничения: Заказ от 30000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor]HGT1S10N120BNST
FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor]
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Channel IGBT NPT Series 1200V 648
от 10-12 дней
Актуальность: 18 октября 2022 г.Ограничения: Заказ от 10000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
ON SemiconductorHGT1S10N120BNST
ON Semiconductor
117
1-4 недели, склад №19
Актуальность: 16 июня 2021 г.Ограничения: Только ЮЛ, заказ от 5000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Fairchild SemiconductorHGT1S10N120BNST
Fairchild Semiconductor
1699
10-14 дней
Актуальность: 6 октября 2022 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Fairchild SemiconductorHGT1S10N120BNST
Fairchild Semiconductor
1699
3-4 недели
Актуальность: 20 сентября 2022 г.Ограничения: Заказ от 5000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Fairchild SemiconductorHGT1S10N120BNST
Fairchild Semiconductor
1765
склад
Актуальность: 9 января 2023 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
HGT1S10N120BNST 10000
4-6 недель
Актуальность: только чтоОграничения: Заказ от 300 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
ON SEMICONDUCTORHGT1S10N120BNST
ON SEMICONDUCTOR
Минимальный заказ:1
от 980.75 р.
  • 1+1045.32 р.
  • 2+980.75 р.
4 дня
заказать
ON SEMICONDUCTORHGT1S10N120BNST
ON SEMICONDUCTOR
Минимальный заказ:500
360.19 р.
  • 500+360.19 р.
55 дней
заказать
Вест-Элг. Санкт-Петербургпоказать информацию
Актуальность: только что
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
ON SEMICONDUCTORHGT1S10N120BNST
ON SEMICONDUCTOR
Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 17А; 298Вт; D2PAK
от 275.65 р.
  • 1+401.54 р.
  • 5+355.96 р.
  • 25+319.06 р.
  • 100+297.36 р.
  • 800+275.65 р.
от 1 недели
Актуальность: только чтоОграничения: Для новых клиентов — от 100 USD за позицию.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Fairchild/ON SemiconductorHGT1S10N120BNST
Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
Минимальный заказ:Мин/кратно 800 шт
4.61 $
  • 1+4.61 $
0 шт. срок поставки по запросу
Актуальность: только что
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
FAIRCHILD SEMICONDUCTORHGT1S10N120BNST
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
IGBT, SINGLE, 1.2KV, 35A, TO-263AB-3
от 252.96 р.
  • 1+504.45 р.
  • 10+451.19 р.
  • 25+451.19 р.
  • 100+369.83 р.
  • 200+334.33 р.
  • 800+252.96 р.
под заказ
4-6 недель
заказать
Fairchild SemiconductorHGT1S10N120BNST
Fairchild Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Channel IGBT NPT Series 1200V
от 274.6 р.
  • 1+580.63 р.
  • 10+466.91 р.
  • 100+380.92 р.
  • 500+343.94 р.
  • 800+290.32 р.
  • 2400+274.6 р.
под заказ
4-6 недель
заказать
Актуальность: только что
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
2714828HGT1S10N120BNST
2714828
Транзистор IGBT, 1,2кВ, 17А, 298Вт, DPAK
от 213.42 р.
  • 1+340 р.
  • 5+293.36 р.
  • 25+264.11 р.
  • 100+244.32 р.
  • 800+213.42 р.
0
По запросу
заказать
Актуальность: только чтоОграничения: Только ЮЛ.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
onsemi(安森美)HGT1S10N120BNST
onsemi(安森美)
23.136 $
  • 1+23.136 $
0
4-5 недель
Актуальность: только что
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
HGT1S10N120BNST|2 (упаковка из 2), IGBT, 80 A 1200 V, 3-Pin
Артикул:3976012
532.65 р.
  • 1+532.65 р.
0заказать
Актуальность: только чтоОграничения: Только ЮЛ, только безнал.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
ONSHGT1S10N120BNST
ONS
DISCRETEIGBT1200V35A
от 3.08 $
  • 1+3.73 $
  • 3+3.41 $
  • 13+3.31 $
  • 43+3.24 $
  • 129+3.15 $
  • 240+3.08 $
0
Актуальность: только чтоОграничения: Заказ от 1000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
ONSHGT1S10N120BNST
ONS
169.81 р.
  • 10000+169.81 р.
по запросу
Актуальность: только чтоОграничения: Только ЮЛ и ИП, заказ от 5000 USD.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
onsemiHGT1S10N120BNST
onsemi
onsemi. Цены и условия см. на сайте; официальный дистрибьютор: Сингапур
4.765 SGD
  • 1000+4.765 SGD
980 шт., 5-7 недели
Актуальность: только чтоОграничения: Только ЮЛ, заказ от 3000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
ON SemiconductorHGT1S10N120BNST
ON Semiconductor
Артикул:HGT1S10N120BNST
Минимальный заказ:1 штука
по запросу
по запросу
ЭС ПИ АЙ Группг. Москвапоказать информацию
Актуальность: только чтоОграничения: Только ЮЛ, заказ от 10000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
FAIRCHIHGT1S10N120BNST
FAIRCHI
TO-263
Минимальный заказ:от одной штуки
под заказ
5-7 дней
Актуальность: только чтоОграничения: Заказ от 10 000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Fairchild SemiconductorHGT1S10N120BNST
Fairchild Semiconductor
Корпус:TO-263
HGT1S10N120BN Series 1200 V 35 A 298 W SMT NPT N-Channel IGBT - TO-263AB. Возможна срочная поставка за 7 дней за доп. плату.
От 5 недель
Бастион ЭКг. Санкт-Петербургпоказать информацию
Актуальность: только что
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
onsemiHGT1S10N120BNST
onsemi
Артикул:HGT1S10N120BNSTTR-ND
IGBT 1200V 35A 298W TO263AB 0
по запросу
заказать
ONSEMIHGT1S10N120BNST
ONSEMI
Артикул:2454176RL
БТИЗ транзистор, 35 А, 2.45 В, 298 Вт, 1.2 кВ, TO-263AB, 3 вывод(-ов) 0
по запросу
заказать
Актуальность: только чтоОграничения: Заказ от 1000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
onsemiHGT1S10N120BNST
onsemi
Артикул:HGT1S10N120BNSTTR-ND
IGBT 1200V 35A 298W TO263AB 0
по запросу
заказать
ONSEMIHGT1S10N120BNST
ONSEMI
Артикул:2454176RL
БТИЗ транзистор, 35 А, 2.45 В, 298 Вт, 1.2 кВ, TO-263AB, 3 вывод(-ов) 0
по запросу
заказать
ЭЛИМг. Санкт-Петербургпоказать информацию
Актуальность: только чтоОграничения: Только ЮЛ.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
ON SEMICONDUCTORHGT1S10N120BNST
ON SEMICONDUCTOR
Артикул:F2454176
БТИЗ транзистор, 35 А, 2.45 В, 298 Вт, 1.2 кВ, TO-263AB, 3 вывод(-ов)
Тип упаковки: Штука (Поставляется
0заказать
Актуальность: только чтоОграничения: Только ЮЛ, заказ от 3000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Fairchild SemiconductorHGT1S10N120BNST
Fairchild Semiconductor
IGBT NPT N-CHAN 1200V TO-263AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A · Ток коллектора (макс): 35A · Мощность макcимальная: 298W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: D
10-14 дней
Fairchild SemiconductorHGT1S10N120BNSTCT-ND
Fairchild Semiconductor
IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
10-14 дней
Актуальность: только чтоОграничения: Заказ от 3000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Fairchild SemiconductorHGT1S10N120BNST
Fairchild Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Channel IGBT NPT Series 1200V
1-2 недели
заказать
Актуальность: только чтоОграничения: Заказ от 3000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Fairchild SemiconductorHGT1S10N120BNST
Fairchild Semiconductor
IGBT NPT N-CHAN 1200V TO-263AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A · Ток коллектора (макс): 35A · Мощность макcимальная: 298W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: D
10-14 дней
Fairchild SemiconductorHGT1S10N120BNSTCT-ND
Fairchild Semiconductor
IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
10-14 дней
Актуальность: 20 декабря 2022 г.Ограничения: Заказ от 5000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
ON SemiconductorHGT1S10N120BNST
ON Semiconductor
4-5 недель
Актуальность: 26 декабря 2022 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
FAIRCHILD SEMICONDUCTORHGT1S10N120BNST
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
да
Москва - 2-3 недели
Микро Юнитг. Нижний Новгородпоказать информацию
Актуальность: 5 июня 2022 г.Ограничения: Только ЮЛ.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
FAIRCHILDHGT1S10N120BNST
FAIRCHILD
от 3 дней
Актуальность: только чтоОграничения: Только ЮЛ и ИП, заказ от 7000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor]HGT1S10N120BNST
FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor]
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Channel IGBT NPT Series 1200V
по запросу
Fairchild SemiconductorHGT1S10N120BNSTCT
Fairchild Semiconductor
по запросу
Fairchild SemiconductorHGT1S10N120BNSTDKR
Fairchild Semiconductor
по запросу
Fairchild SemiconductorHGT1S10N120BNSTTR
Fairchild Semiconductor
по запросу
Актуальность: только чтоОграничения: Заказ от 2000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD)HGT1S10N120BNST
ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD)
нет
2 недели
Актуальность: только чтоОграничения: Заказ от 300 USD.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
HGT1S10N120BNST Fairchild Semiconductor HGT1S10N120BNST IGBT.
от 3-4 недель
заказать
Fairchild SemiconductorHGT1S10N120BNST
Fairchild Semiconductor
Trans IGBT Chip N=-CH 1200V 35A 298000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
от 3-4 недель
заказать
Элгетг. Нижний Новгородпоказать информацию
Актуальность: только чтоОграничения: Заказ от 10000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
FAIRCHILDHGT1S10N120BNST
FAIRCHILD
5-7 дней
Актуальность: только чтоОграничения: Заказ от 5000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
FAIRCHILDHGT1S10N120BNST
FAIRCHILD
по запросу
Актуальность: 16 декабря 2022 г.Ограничения: Только ЮЛ, заказ от 5000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
ONSHGT1S10N120BNST
ONS
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 35 А, 298 Вт от 2-х недель
Актуальность: только чтоОграничения: Только ЮЛ, только безнал, заказ от 500 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
ONSHGT1S10N120BNST
ONS
заказ
Актуальность: только что
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
On SemiconductorHGT1S10N120BNST
On Semiconductor
Транзисторы IGBT SMD Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 17А; 298Вт; D2PAK по запросузаказать
Актуальность: только чтоОграничения: Только ЮЛ, заказ от 3000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
FAIRCHILDHGT1S10N120BNST
FAIRCHILD
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Channel IGBT NPT Series 1200V
Актуальность: только чтоОграничения: Только ЮЛ, заказ от 5000 USD.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Fairchild SemiconductorHGT1S10N120BNST
Fairchild Semiconductor
5-12 дней
Актуальность: только чтоОграничения: Только ЮЛ и ИП.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
HGT1S10N120BNST 0
По запросу
Актуальность: 29 ноября 2022 г.Ограничения: Заказ от 10000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
ON SEMICONDUCTOR CORPORATIONHGT1S10N120BNST
ON SEMICONDUCTOR CORPORATION
по запросу от 14 дней
ON SEMICONDUCTOR CORPORATIONHGT1S10N120BNST
ON SEMICONDUCTOR CORPORATION
HGT1S10N120BNST, БТИЗ транзистор, 35 А, 2.45 В, 298 Вт, 1.2 кВ, TO-263AB, 3 вывод(-ов) по запросу от 14 дней
Актуальность: 28 ноября 2022 г.Ограничения: Только ЮЛ, заказ от 10000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
HGT1S10N120BNST
80
Актуальность: только чтоОграничения: Заказ от 5000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
FAIRCHILDHGT1S10N120BNST
FAIRCHILD
по запросу
Миконг. Санкт-Петербургпоказать информацию
Актуальность: только чтоОграничения: Заказ от 500 USD.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
HGT1S10N120BNST The HGT1S10N120BNST is a N-channel Non-punch Through (NPT) IGBT ideal for many high voltage switching applications operating at moderate frequencies where low conduction losses are essential, such as UPS and solar inverter. It is new member of the MOS gat под заказ
2-3 недели
Актуальность: только чтоОграничения: Только ЮЛ, заказ от 5000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Fairchild Semiconductor CorporationHGT1S10N120BNST
Fairchild Semiconductor Corporation
0
onsemiHGT1S10N120BNST
onsemi
0
Актуальность: только чтоОграничения: Заказ от 5000 USD.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Fairchild SemiconductorHGT1S10N120BNST
Fairchild Semiconductor
6-10 календарных дней
Интэлкомг. Санкт-Петербургпоказать информацию
Актуальность: только чтоОграничения: Только ЮЛ, только безнал.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
ON SemiconductorHGT1S10N120BNST
ON Semiconductor
5-10 дн
Fairchild SemiconductorHGT1S10N120BNST
Fairchild Semiconductor
5-10 дн
Аспектг. Санкт-Петербургпоказать информацию
Актуальность: только чтоОграничения: Только ЮЛ, работаем только с производственными организациями
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
HGT1S10N120BNST от 7 дней
Актуальность: только чтоОграничения: Только ЮЛ, заказ от 2000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
HGT1S10N120BNST от 7 дней
Актуальность: только чтоОграничения: Заказ от 3000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
HGT1S10N120BNST по запросу
2002— «ЭтЛайт»
Администрация: +7 (812) 309-50-30, client@efind.ru
Расширение для браузера · Телеграм-бот · Аналитика · English version
ExpoElectronica
KRDAl4kiQlHiJlBT 0201