Вход на сайт
Ошибка авторизации: неверный логин или пароль
запомнить меня
Регистрация | Вход
  Электронные компоненты Аналоги По документации    
Например: max232          Искать только в регионе США ( в другом регионе )
Ищем IPI086N10N3 G на 713 складах
Вид:
К запросу:
позиций
Отправленные запросы
Цены?
Медиан — медиана розничных цен.
Мин — минимальная цена оптовых цен.
Макс — максимальная цена розничных цен.

Для расчета взяты все цены из результатов поиска по запросу «IPI086N10N3 G»
Вы недавно искали
вверх

Фильтры

Наличие IPI086N10N3 G на складах

Фильтр по партномеру:
Фильтр по регионам:
Экспорт результатов поиска:
Миконг. Санкт-Петербургпоказать информацию
Актуальность: только чтоОграничения: Заказ от 5000 USD, Только конечные заказчики.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
IPI086N10N3 G MOSFET силовой транзистор - [TO-262-3]; Тип: N; Uси: 100 В; Iс(25°C): 80 А; Rси(вкл): 8.6 мОм; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 42 нКл под заказ
3-7 недель
Актуальность: 5 мая 2025 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
INFIPI086N10N3GXKSA1
INF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 80A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-262 туба
от 129.36 р.
  • 1+148.76 р.
  • 8+142.8 р.
  • 15+137.61 р.
  • 30+134.18 р.
  • 50+129.36 р.
126
Актуальность: 18 апреля 2025 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
INFINEONIPI086N10N3GXKSA1
INFINEON
Дата изготовления:24+
Тип упаковки: SMD/DIP
150000
Актуальность: 10 июня 2025 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
INFINEONIPI086N10N3G
INFINEON
Дата изготовления:13+
Тип упаковки: TO-262
192
Актуальность: 21 мая 2025 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
INFINEONIPI086N10N3GXKSA1
INFINEON
New and Original
Тип упаковки: NA
954
Актуальность: 1 апреля 2025 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
IPI086N10N3G
Дата изготовления:22+
6000
IPI086N10N3GXKSA1
Дата изготовления:23+
5000
Актуальность: 24 апреля 2025 г.Ограничения: Заказ от 30000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Infineon TechnologiesIPI086N10N3GXKSA1
Infineon Technologies
Оригинал 100%. 402
Актуальность: только чтоОграничения: Только безнал. Юр. лица — заказ от 3000 руб;., физ.лица — заказ от 1500 руб.;.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
INFIPI086N10N3GXKSA1
INF
Корпус:TO-262-3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 80A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-262 туба
В упаковке: 1
Минимальный заказ:3
от 136.92 р.
  • 3+159.6 р.
  • 8+150.36 р.
  • 15+144.36 р.
  • 30+136.92 р.
дакупить
Актуальность: только чтоОграничения: Только безнал, заказ от 1000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
INFIPI086N10N3GXKSA1
INF
Корпус:TO-262-3
TO-262-3 Транзисторы Минимум 3шт.
Минимальный заказ:3
от 129.44 р.
  • 3+202 р.
  • 6+161.19 р.
  • 9+158.83 р.
  • 16+155.85 р.
  • 31+151.96 р.
  • 51+146.54 р.
  • 87+142.88 р.
  • 521+129.44 р.
дакупить
Актуальность: только чтоОграничения: Только ЮЛ и ИП, заказ от 3000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
InfineonIPI086N10N3GXKSA1
Infineon
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 80A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-262 туба. ДОПОЛНИТЕЛЬНАЯ ИНФОРМАЦИЯ НА САЙТЕ HTTPS://MIRCOMPONENTS.RU
В упаковке: 50
Минимальный заказ:3
склад
Актуальность: только что
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Infineon TechnologiesIPI086N10N3G
Infineon Technologies
дакупить
Актуальность: только чтоОграничения: Только ЮЛ, только безнал, заказ от 1000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
INFINEONIPI086N10N3GXKSA1
INFINEON
189.66 р.
  • 1+189.66 р.
100купить
INFINEONIPI086N10N3G
INFINEON
0, условия поставки по запросузаказать
Актуальность: только чтоОграничения: .
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Infineon TechnologiesIPI086N10N3GXKSA1
Infineon Technologies
Manufacturer : Infineon Technologies Series : OptiMOS™ Packaging : Tube Part Status : Active FET Type : N-Channel Technology : MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C : 80A (Tc) Drive Voltage (Max
В упаковке: 1
Минимальный заказ:1
165.24 р.
  • 1+165.24 р.
да
7-21 день
Infineon TechnologiesIPI086N10N3 G
Infineon Technologies
В упаковке: 1
Минимальный заказ:1
да
7-21 день
IPI086N10N3GXKSA1MOSFETтранзисторIPI086N10N3GSP00068 да
Санконг. Санкт-Петербургпоказать информацию
Актуальность: только чтоОграничения: Только ЮЛ, заказ от 10000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
InfineonIPI086N10N3GXKSA1
Infineon
Артикул:IPI086N10N3GXKSA1
Mosfet, N-Ch, 100V, 80A, To-262; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:80A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(On):0.0074Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.7V; Power Rohs Compliant: Yes |Infineon
Дата изготовления:2022
Тип упаковки / в упаковке: Tube / 1
Минимальный заказ:1, 57, 100 штук
от 136.209 р.
  • 1+325.18 р.
  • 10+158.154 р.
  • 22+151.146 р.
  • 32+148.144 р.
  • 100+136.209 р.
2850
5-6 недель
Актуальность: только что
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
INFIPI086N10N3GXKSA1
INF
Артикул:12484208
Корпус:TO-262-3
Минимальный заказ:3 шт.
от 128.04 р.
  • 3+166.45 р.
  • 15+148.54 р.
  • 50+128.04 р.
126
9 дней
заказать
Актуальность: только чтоОграничения: Только ЮЛ и ИП, заказ от 1000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
INFIPI086N10N3GXKSA1
INF
Артикул:439095
Минимальный заказ:0
169.81 р.
  • 1+169.81 р.
126
Поставка дней: 3-5
Авэлкомг. Санкт-Петербургпоказать информацию
Актуальность: только чтоОграничения: Только ЮЛ, заказ от 2000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
INFIPI086N10N3GXKSA1
INF
TO-262-3
В упаковке: 50
Минимальный заказ:3
от 135.36 р.
  • 3+158.05 р.
  • 15+151.56 р.
  • 50+135.36 р.
126
7 дней
Актуальность: только чтоОграничения: Заказ от 3000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
INFINEON TECHNOLOGIESIPI086N10N3GXKSA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул:IPI086N10N3GXKSA1
Корпус:PG-TO262-3
от 150.93 р.
  • 1+202.38 р.
  • 3+181.8 р.
  • 10+169.79 р.
  • 50+157.79 р.
  • 250+150.93 р.
1
10-45 дней
Актуальность: только чтоОграничения: Заказ от 1000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
INFIPI086N10N3GXKSA1
INF
Артикул:439095
Минимальный заказ:1
181.53 р.
  • 1+181.53 р.
126
Поставка дней: 3-5
InfineonIPI086N10N3GXKSA1
Infineon
Минимальный заказ:1
238.28 р.
  • 1+238.28 р.
111
Поставка дней: 35-45
Актуальность: только чтоОграничения: Заказ от 2000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Infineon TechnologiesIPI086N10N3GXKSA1
Infineon Technologies
В упаковке: 1
Минимальный заказ:1
от 91.68 р.
  • 1+210.55 р.
  • 50+102.21 р.
  • 100+91.68 р.
58
6-8 недель
заказать
Infineon TechnologiesIPI086N10N3 G
Infineon Technologies
В упаковке: 1
от 134.43 р.
  • 1+221.83 р.
  • 10+153.8 р.
  • 100+134.43 р.
2301
10-12 недель
заказать
Актуальность: 17 июля 2025 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
INFINEONIPI086N10N3GXKSA1
INFINEON
Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 80А, 125Вт, PG-TO262-3
Тип упаковки: Tube
от 133.86 р.
  • 3+153.65 р.
  • 8+150.75 р.
  • 15+146.96 р.
  • 30+141.33 р.
  • 50+133.86 р.
126
2-3 дня
заказать
Актуальность: 15 апреля 2024 г.Ограничения: Заказ от 15000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
INFINEONIPI086N10N3GXKSA1
INFINEON
40.471 р.
  • 1+40.471 р.
25
3-5 недель
Актуальность: 6 июля 2025 г.Ограничения: Заказ от 1000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
INFIPI086N10N3GXKSA1
INF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 80A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-262 туба (N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube) Вес: 0.26 г, Корпус: TO-262-3, Упаковка: Tube (туба)
170.924 р.
  • 1+170.924 р.
126
По запросу
Актуальность: 17 июля 2025 г.Ограничения: Только ЮЛ.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
InfineonIPI086N10N3GXKSA1
Infineon
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 80A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-262 туба Корп: TO-262-3
от 154.44 р.
  • 1+158.58 р.
  • 8+156.72 р.
  • 15+154.44 р.
126
3-5 дней
Актуальность: только чтоОграничения: Только ЮЛ и ИП.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
IPI086N10N3GXKSA1
Артикул:4644253
Заказы доступны для юридических лиц и ИП
142.16 р.
  • 1+142.16 р.
126
0-5 дней
заказать
Актуальность: 17 июля 2025 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
IPI086N10N3GXKSA1 TO-262-3 (INF)
от 143.35 р.
  • 1+171.07 р.
  • 8+162.32 р.
  • 15+153.15 р.
  • 30+143.35 р.
126
1-2 недели
Актуальность: 23 декабря 2024 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
TI/ST....IPI086N10N3GXKSA1
TI/ST....
Reach us : chips03@global-chip.net
Дата изготовления:23+
Тип упаковки / в упаковке: Tube/Reel / 1
4700
1-3Days
Актуальность: 7 июля 2025 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
INFINEONIPI086N10N3GXKSA1
INFINEON
newOriginal Stock
Дата изготовления:23+
Тип упаковки: TO262-3
14500
3-7days
Актуальность: 23 мая 2025 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
INFINEONIPI086N10N3GXKSA1
INFINEON
Дата изготовления:0
Тип упаковки: *
25
STOCK
Актуальность: 20 марта 2024 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
InfineonIPI086N10N3GXKSA1
Infineon
standard package
Дата изготовления:23+
9000
1-3 days
Актуальность: 10 июля 2025 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
INFINEON TECHNOLOGIES AGIPI086N10N3 G
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Дата изготовления:24+
3000
STOCK
INFINEON TECHNOLOGIES AGIPI086N10N3G
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Дата изготовления:24+
3000
STOCK
INFINEON TECHNOLOGIES AGIPI086N10N3GXK
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Дата изготовления:24+
3000
STOCK
INFINEON TECHNOLOGIES AGIPI086N10N3GXKSA1
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Дата изготовления:24+
3000
STOCK
Актуальность: 15 августа 2024 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
IPI086N10N3 G
Корпус:TO-262
Дата изготовления:1451+
10000
3-5days
Актуальность: 25 июля 2024 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Infineon TechnologiesIPI086N10N3 G
Infineon Technologies
Корпус:MOSFET N-KANAL POWER
42000
1-3days
infineon technologiesIPI086N10N3G
infineon technologies
Корпус:Trans MOSFET N-CH 10
8563
1-3days
Актуальность: 12 декабря 2023 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
InfineonIPI086N10N3 G
Infineon
Stock, New and Original
Дата изготовления:22+/23+
25000
1-3 days
INFINEONIPI086N10N3G
INFINEON
Stock, New and Original
Дата изготовления:22+/23+
6000
1-3 days
Актуальность: 14 июля 2025 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
INFINEONIPI086N10N3 G
INFINEON
Минимальный заказ:1
5000
on request
Актуальность: 18 ноября 2024 г.Ограничения: Заказ от 3000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
INFINEON/???IPI086N10N3GXKSA1 ???
INFINEON/???
Дата изготовления:2021
61
1-3 недели
INFINEON/???IPI086N10N3GXKSA1 MOS(????)
INFINEON/???
Дата изготовления:20+
123
1-3 недели
InfineonIPI086N10N3GXKSA1, N-Channel MOSFET, 80 A, 100 V, 3-Pin I2PA
Infineon
Дата изготовления:19+
1320
1-3 недели
InfineonIPI086N10N3GXKSA1, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 100 В, 8
Infineon
Дата изготовления:19+
1005
1-3 недели
INFINEON/???IPI086N10N3GXKSA1
INFINEON/???
350
1-3 недели
Актуальность: только чтоОграничения: Заказ от 30000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Infineon TechnologiesIPI086N10N3 G-ND
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3 3248
от 10-12 дней
Актуальность: 20 июня 2024 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
INFINEONIPI086N10N3GXKSA1
INFINEON
15
China & HongKong - 5 days
Актуальность: только чтоОграничения: Заказ от 30000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Infineon TechnologiesIPI086N10N3 G
Infineon Technologies
МОП-транзистор N-Ch 100V 80A I2PAK-3 OptiMOS 3 1895
От 7 дней
Актуальность: только чтоОграничения: Только ЮЛ и ИП, заказ от 30000 руб., работаем только с производственными организациями.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Infineon TechnologiesIPI086N10N3 G
Infineon Technologies
МОП-транзистор N-KANAL POWER MOS 2948
От 8 дней
Актуальность: только чтоОграничения: Только ЮЛ и ИП, заказ от 50000 руб., работаем только с производственными компаниями.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Infineon TechnologiesIPI086N10N3 G
Infineon Technologies
МОП-транзистор N-KANAL POWER MOS 2223
от 7 дней
Актуальность: только чтоОграничения: Только ЮЛ, заказ от 5000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Infineon TechnologiesIPI086N10N3 G
Infineon Technologies
МОП-транзистор N-Ch 100V 80A I2PAK-3 OptiMOS 3 9407
от 8 дней
Актуальность: 15 апреля 2024 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Infineon Technologies AGIPI086N10N3 G
Infineon Technologies AG
20
3-4
Infineon Technologies AGIPI086N10N3G
Infineon Technologies AG
3000
3-4
Актуальность: только чтоОграничения: Заказ от 30000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Infineon TechnologiesIPI086N10N3 G-ND
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3 6495
от 10-12 дней
Армаг. Санкт-Петербургпоказать информацию
Актуальность: только чтоОграничения: Заказ от 5000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
INFINEONIPI086N10N3GXKSA1
INFINEON
498
1-2 недели
Бастион ЭКг. Санкт-Петербургпоказать информацию
Актуальность: только что
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
INFINEON TECHNOLOGIESIPI086N10N3GXKSA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул:IPI086N10N3GXKSA1
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 80А; 125Вт; PG-TO262-3 0
по запросу
заказать
Infineon TechnologiesIPI086N10N3GXKSA1
Infineon Technologies
Артикул:IPI086N10N3GXKSA1-ND
MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3 17
1-2 недели
заказать
Актуальность: только чтоОграничения: Заказ от 1000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
INFINEON TECHNOLOGIESIPI086N10N3GXKSA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул:IPI086N10N3GXKSA1
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 80А; 125Вт; PG-TO262-3 0
по запросу
заказать
Infineon TechnologiesIPI086N10N3GXKSA1
Infineon Technologies
Артикул:IPI086N10N3GXKSA1-ND
MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3 17
1-2 недели
заказать
Актуальность: только что
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Infineon TechnologiesIPI086N10N3 G
Infineon Technologies
МОП-транзистор N-Ch 100V 80A I2PAK-3 OptiMOS 3
от 210.34 р.
  • 1+462.53 р.
  • 10+357.36 р.
  • 100+321.17 р.
  • 250+289.51 р.
  • 500+249.93 р.
  • 1000+210.34 р.
под заказ
4-6 недель
заказать
INFINEON TECHNOLOGIESIPI086N10N3GXKSA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 80А; 125Вт; PG-TO262-3
от 69.5 р.
  • 1+124.23 р.
  • 3+107 р.
  • 10+85.96 р.
  • 100+74.65 р.
  • 1000+69.5 р.
под заказ
4-6 недель
заказать
Актуальность: только чтоОграничения: Заказ от 1000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
InfineonIPI086N10N3GXKSA1
Infineon
IPI086N10N3GXKSA1, TO-262-3
Минимальный заказ:1000 руб
от 131.67 р.
  • 1+133.65 р.
  • 8+131.67 р.
3-4 раб.дня
Актуальность: 24 мая 2025 г.Ограничения: Только ЮЛ, заказ от 5000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
INFIPI086N10N3GXKSA1
INF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 80A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-262 туба
1.85 $
  • 1+1.85 $
Актуальность: 16 июля 2025 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
IPI086N10N3GXKSA1 INF Транзисторы импортные
146.97 р.
  • 50+146.97 р.
Ростов-н/Д: 6-9 раб.дней,Ставрополь: 8-12 раб.дней
Актуальность: только чтоОграничения: Заказ от 1000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
InfineonIPI086N10N3GXKSA1
Infineon
113.47 р.
  • 10000+113.47 р.
по запросу
InfineonIPI086N10N3GXKSA1
Infineon
133.06 р.
  • 70+133.06 р.
5 дней
Актуальность: только чтоОграничения: Только ЮЛ, только безнал, заказ от 1000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
IPI086N10N3GXKSA1
169.81 р.
  • 1+169.81 р.
от 4 дней
Актуальность: 24 мая 2025 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Infineon TechnologiesIPI086N10N3GXKSA1
Infineon Technologies
Артикул:New/Original
Корпус:PG-TO262-3
Can directly receive payment from Russia, including rubles/RUB/ Supporting services for acceptable bill of materials /info@jiejiecheng.com
Аналоги:IPI086N10N3GXKSA1
Дата изготовления:25+
Тип упаковки / в упаковке: Tape/Tube/Tray / 100
Минимальный заказ:1
Актуальность: 27 октября 2023 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
INFINEONIPI086N10N3GXKSA1
INFINEON
Артикул:IPI086N10N3GXKSA1
20years expertise,only new original
Дата изготовления:21+/22+
Тип упаковки / в упаковке: Tray / 2500
Минимальный заказ:10
Актуальность: 15 июля 2025 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
INFINEON TECHNOLOGIES AGIPI086N10N3 G
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Дата изготовления:24+
STOCK
INFINEON TECHNOLOGIES AGIPI086N10N3G
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Дата изготовления:24+
STOCK
INFINEON TECHNOLOGIES AGIPI086N10N3GXK
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Дата изготовления:24+
STOCK
INFINEON TECHNOLOGIES AGIPI086N10N3GXKSA1
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Дата изготовления:24+
STOCK
Актуальность: 17 июля 2025 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
INFINEONIPI086N10N3 G
INFINEON
Дата изготовления:2024
ShenZhen & HongKong 1- 3days
INFINEONIPI086N10N3GXKSA1
INFINEON
Дата изготовления:2024
ShenZhen & HongKong 1- 3days
Альтаир г. Санкт-Петербургпоказать информацию
Актуальность: 30 июня 2025 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
InfineonIPI086N10N3GXKSA1
Infineon
Single N-Channel 100 V 8.6 mOhm 42 nC OptiMOS™ Power Mosfet - I2PAK, I2PAK
Тип упаковки: Tube
Минимальный заказ:Min: 500
Актуальность: только чтоОграничения: Заказ от 3000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Infineon TechnologiesIPI086N10N3 G
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6 mOhm @ 73A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 55nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3980pF
10-14 дней
Infineon TechnologiesIPI086N10N3 G-ND
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3
10-14 дней
Актуальность: только чтоОграничения: Только ЮЛ, заказ от 3000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Infineon TechnologiesIPI086N10N3 G
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6 mOhm @ 73A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 55nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3980pF
10-14 дней
Infineon TechnologiesIPI086N10N3 G-ND
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3
10-14 дней
Актуальность: 8 июля 2025 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Infineon TechnologiesIPI086N10N3GXKSA1
Infineon Technologies
Дата изготовления:20-23+
Актуальность: только чтоОграничения: Заказ от 300 USD.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
InfineonIPI086N10N3 G
Infineon
от 3-4 недель
Актуальность: 29 апреля 2025 г.Ограничения: Заказ от 5000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
InfineonIPI086N10N3 G
Infineon
1 неделя
Актуальность: 30 марта 2025 г.Ограничения: Заказ от 10000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Infineon TechnologiesIPI086N10N3GXKSA1
Infineon Technologies
2-5 Дня
Актуальность: 3 июля 2025 г.Ограничения: Заказ от 10000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
INFINEONIPI086N10N3G
INFINEON
12-15 дней
INFINEON/英飞凌IPI086N10N3G 其他被动元件
INFINEON/英飞凌
12-15 дней
Актуальность: 8 октября 2024 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
INFINEON TECHNOLOGIES AGIPI086N10N3 G
INFINEON TECHNOLOGIES AG
да
Москва - 2-3 недели
INFINEON TECHNOLOGIES AGIPI086N10N3G
INFINEON TECHNOLOGIES AG
да
Москва - 2-3 недели
INFINEON TECHNOLOGIES AGIPI086N10N3GXK
INFINEON TECHNOLOGIES AG
да
Москва - 2-3 недели
INFINEON TECHNOLOGIES AGIPI086N10N3GXKSA1
INFINEON TECHNOLOGIES AG
да
Москва - 2-3 недели
Актуальность: 22 ноября 2024 г.Ограничения: Только ЮЛ, заказ от 5000 руб., работаем по курсу ММВБ.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Infineon Technologies AGIPI086N10N3GXKSA1
Infineon Technologies AG
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Дата изготовления:NA+
3-5 недель
Актуальность: 28 ноября 2024 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
INFINEONIPI086N10N3GXKSA1
INFINEON
1-2days
Актуальность: только чтоОграничения: Только ЮЛ, заказ от 3000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Infineon TechnologiesIPI086N10N3 G
Infineon Technologies
МОП-транзистор N-KANAL POWER MOS
3-5 недель
заказать
Infineon Technologies AGIPI086N10N3G
Infineon Technologies AG
OptiMOS™3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
3-4 недели
заказать
IPI086N10N3GHKSA1
3-4 недели
заказать
Элгетг. Нижний Новгородпоказать информацию
Актуальность: только чтоОграничения: Заказ от 10000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Infineon TechnologiesIPI086N10N3 G
Infineon Technologies
5-7 дней
Актуальность: 15 марта 2023 г.Ограничения: Только ЮЛ, только безнал, заказ от 10000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
InfineonIPI086N10N3 G
Infineon
1 неделя
Актуальность: 14 ноября 2024 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
InfineonIPI086N10N3GXKSA1, N-Channel MOSFET, 80 A, 100 V, 3-Pin I2PA
Infineon
2-3 недели
InfineonIPI086N10N3GXKSA1, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 100 В, 8
Infineon
2-3 недели
Актуальность: 9 августа 2023 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Infineon TechnologiesIPI086N10N3 G
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3 in shenzhen and in hongkong
Актуальность: 6 марта 2025 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
InfineonIPI086N10N3G
Infineon
Актуальность: только чтоОграничения: Заказ от 5000 USD.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Infineon TechnologiesIPI086N10N3 G
Infineon Technologies
6-10 календарных дней
Актуальность: только чтоОграничения: Только ЮЛ, заказ от 50000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
IPI086N10N3 G Минимальный заказ от 1 штуки. New and Original есть
Актуальность: только чтоОграничения: Только ЮЛ, заказ от 2000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
IPI086N10N3 G от 7 дней
Аспектг. Санкт-Петербургпоказать информацию
Актуальность: только чтоОграничения: Только ЮЛ, работаем только с производственными организациями
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
IPI086N10N3 G от 7 дней
Актуальность: 17 июля 2025 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
IPI086N10N3 G,TO-262-3,INFINEON,22+,1500,Inquire by E-mail,-
Актуальность: 17 июля 2025 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
IPI086N10N3G
Актуальность: 17 июля 2025 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
IPI086N10N3G
IPI086N10N3GXKSA1
Актуальность: 9 июля 2025 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
IPI086N10N3G
IPI086N10N3 G
IPI086N10N3GXKSA1
Chipcontactг. Санкт-Петербургпоказать информацию
Актуальность: только чтоОграничения: Только ЮЛ, заказ от 3000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
INFINEON TECHNOLOGIESIPI086N10N3GXKSA1
INFINEON TECHNOLOGIES
MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3 936
от 2 нед.
Элвекг. Нижний Новгородпоказать информацию
Актуальность: только чтоОграничения: Только ЮЛ, только безнал, заказ от 500 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
IPI086N10N3GXKSA1
Артикул:439095
Минимальный заказ:3
от 125.71 р.
  • 1+172.85 р.
  • 8+145.11 р.
  • 15+138.63 р.
  • 30+132.73 р.
  • 50+125.71 р.
да
1 неделя
заказать
Интэлкомг. Санкт-Петербургпоказать информацию
Актуальность: только чтоОграничения: Только ЮЛ, только безнал.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
InfineonIPI086N10N3 G
Infineon
5-10 дн
Infineon TechnologiesIPI086N10N3 G
Infineon Technologies
5-10 дн
Поискать IPI086N10N3 G в eInfo.ru · ChipFind.ru · FindChips · Google · BrokerForum · HKin.com
Документация на «IPI086N10N3 G»
Аналоги для «IPI086N10N3 G»
2002— «ЭтЛайт»
Администрация: +7 (812) 309-50-30, client@efind.ru
Расширение для браузера · Телеграм-бот · Аналитика · English version
KRDAl4kiQlHiJlBT 0717
17-07-2025 16:00:10