Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
IPI086N10N3 G | MOSFET силовой транзистор - [TO-262-3]; Тип: N; Uси: 100 В; Iс(25°C): 80 А; Rси(вкл): 8.6 мОм; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 42 нКл | под заказ 3-7 недель |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INF | IPI086N10N3GXKSA1 INF | Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 80A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-262 туба | от 129.36 р.
| 126 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON | IPI086N10N3GXKSA1 INFINEON | Дата изготовления:24+ Тип упаковки: SMD/DIP | 150000 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON | IPI086N10N3G INFINEON | Дата изготовления:13+ Тип упаковки: TO-262 | 192 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON | IPI086N10N3GXKSA1 INFINEON | New and Original Тип упаковки: NA | 954 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
IPI086N10N3G | Дата изготовления:22+ | 6000 | ||||
IPI086N10N3GXKSA1 | Дата изготовления:23+ | 5000 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | IPI086N10N3GXKSA1 Infineon Technologies | Оригинал 100%. | 402 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INF | IPI086N10N3GXKSA1 INF Корпус:TO-262-3 | Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 80A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-262 туба В упаковке: 1 Минимальный заказ:3 | от 136.92 р.
| дакупить |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INF | IPI086N10N3GXKSA1 INF Корпус:TO-262-3 | TO-262-3 Транзисторы Минимум 3шт. Минимальный заказ:3 | от 129.44 р.
| дакупить |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | IPI086N10N3GXKSA1 Infineon | Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 80A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-262 туба. ДОПОЛНИТЕЛЬНАЯ ИНФОРМАЦИЯ НА САЙТЕ HTTPS://MIRCOMPONENTS.RU В упаковке: 50 Минимальный заказ:3 | склад |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | IPI086N10N3G Infineon Technologies | дакупить |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON | IPI086N10N3GXKSA1 INFINEON | 189.66 р.
| 100купить | |||
INFINEON | IPI086N10N3G INFINEON | 0, условия поставки по запросузаказать |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | IPI086N10N3GXKSA1 Infineon Technologies | Manufacturer : Infineon Technologies Series : OptiMOS™ Packaging : Tube Part Status : Active FET Type : N-Channel Technology : MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C : 80A (Tc) Drive Voltage (Max В упаковке: 1 Минимальный заказ:1 | 165.24 р.
| да 7-21 день | ||
Infineon Technologies | IPI086N10N3 G Infineon Technologies | В упаковке: 1 Минимальный заказ:1 | да 7-21 день | |||
IPI086N10N3GXKSA1MOSFETтранзисторIPI086N10N3GSP00068 | да |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | IPI086N10N3GXKSA1 Infineon Артикул:IPI086N10N3GXKSA1 | Mosfet, N-Ch, 100V, 80A, To-262; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:80A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(On):0.0074Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.7V; Power Rohs Compliant: Yes |Infineon Дата изготовления:2022 Тип упаковки / в упаковке: Tube / 1 Минимальный заказ:1, 57, 100 штук | от 136.209 р.
| 2850 5-6 недель |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INF | IPI086N10N3GXKSA1 INF Артикул:12484208 Корпус:TO-262-3 | Минимальный заказ:3 шт. | от 128.04 р.
| 126 9 дней заказать |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INF | IPI086N10N3GXKSA1 INF Артикул:439095 | Минимальный заказ:0 | 169.81 р.
| 126 Поставка дней: 3-5 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INF | IPI086N10N3GXKSA1 INF | TO-262-3 В упаковке: 50 Минимальный заказ:3 | от 135.36 р.
| 126 7 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON TECHNOLOGIES | IPI086N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Артикул:IPI086N10N3GXKSA1 Корпус:PG-TO262-3 | от 150.93 р.
| 1 10-45 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INF | IPI086N10N3GXKSA1 INF Артикул:439095 | Минимальный заказ:1 | 181.53 р.
| 126 Поставка дней: 3-5 | ||
Infineon | IPI086N10N3GXKSA1 Infineon | Минимальный заказ:1 | 238.28 р.
| 111 Поставка дней: 35-45 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | IPI086N10N3GXKSA1 Infineon Technologies | В упаковке: 1 Минимальный заказ:1 | от 91.68 р.
| 58 6-8 недель заказать | ||
Infineon Technologies | IPI086N10N3 G Infineon Technologies | В упаковке: 1 | от 134.43 р.
| 2301 10-12 недель заказать |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON | IPI086N10N3GXKSA1 INFINEON | Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 80А, 125Вт, PG-TO262-3 Тип упаковки: Tube | от 133.86 р.
| 126 2-3 дня заказать |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON | IPI086N10N3GXKSA1 INFINEON | 40.471 р.
| 25 3-5 недель |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INF | IPI086N10N3GXKSA1 INF | Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 80A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-262 туба (N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube) Вес: 0.26 г, Корпус: TO-262-3, Упаковка: Tube (туба) | 170.924 р.
| 126 По запросу |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | IPI086N10N3GXKSA1 Infineon | Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 80A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-262 туба Корп: TO-262-3 | от 154.44 р.
| 126 3-5 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
IPI086N10N3GXKSA1 Артикул:4644253 | Заказы доступны для юридических лиц и ИП | 142.16 р.
| 126 0-5 дней заказать |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
IPI086N10N3GXKSA1 TO-262-3 (INF) | от 143.35 р.
| 126 1-2 недели |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
TI/ST.... | IPI086N10N3GXKSA1 TI/ST.... | Reach us : chips03@global-chip.net Дата изготовления:23+ Тип упаковки / в упаковке: Tube/Reel / 1 | 4700 1-3Days |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON | IPI086N10N3GXKSA1 INFINEON | newOriginal Stock Дата изготовления:23+ Тип упаковки: TO262-3 | 14500 3-7days |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON | IPI086N10N3GXKSA1 INFINEON | Дата изготовления:0 Тип упаковки: * | 25 STOCK |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | IPI086N10N3GXKSA1 Infineon | standard package Дата изготовления:23+ | 9000 1-3 days |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON TECHNOLOGIES AG | IPI086N10N3 G INFINEON TECHNOLOGIES AG | Дата изготовления:24+ | 3000 STOCK | |||
INFINEON TECHNOLOGIES AG | IPI086N10N3G INFINEON TECHNOLOGIES AG | Дата изготовления:24+ | 3000 STOCK | |||
INFINEON TECHNOLOGIES AG | IPI086N10N3GXK INFINEON TECHNOLOGIES AG | Дата изготовления:24+ | 3000 STOCK | |||
INFINEON TECHNOLOGIES AG | IPI086N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AG | Дата изготовления:24+ | 3000 STOCK |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
IPI086N10N3 G Корпус:TO-262 | Дата изготовления:1451+ | 10000 3-5days |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | IPI086N10N3 G Infineon Technologies Корпус:MOSFET N-KANAL POWER | 42000 1-3days | ||||
infineon technologies | IPI086N10N3G infineon technologies Корпус:Trans MOSFET N-CH 10 | 8563 1-3days |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | IPI086N10N3 G Infineon | Stock, New and Original Дата изготовления:22+/23+ | 25000 1-3 days | |||
INFINEON | IPI086N10N3G INFINEON | Stock, New and Original Дата изготовления:22+/23+ | 6000 1-3 days |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON | IPI086N10N3 G INFINEON | Минимальный заказ:1 | 5000 on request |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/??? | IPI086N10N3GXKSA1 ??? INFINEON/??? | Дата изготовления:2021 | 61 1-3 недели | |||
INFINEON/??? | IPI086N10N3GXKSA1 MOS(????) INFINEON/??? | Дата изготовления:20+ | 123 1-3 недели | |||
Infineon | IPI086N10N3GXKSA1, N-Channel MOSFET, 80 A, 100 V, 3-Pin I2PA Infineon | Дата изготовления:19+ | 1320 1-3 недели | |||
Infineon | IPI086N10N3GXKSA1, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 100 В, 8 Infineon | Дата изготовления:19+ | 1005 1-3 недели | |||
INFINEON/??? | IPI086N10N3GXKSA1 INFINEON/??? | 350 1-3 недели |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | IPI086N10N3 G-ND Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3 | 3248 от 10-12 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON | IPI086N10N3GXKSA1 INFINEON | 15 China & HongKong - 5 days |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | IPI086N10N3 G Infineon Technologies | МОП-транзистор N-Ch 100V 80A I2PAK-3 OptiMOS 3 | 1895 От 7 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | IPI086N10N3 G Infineon Technologies | МОП-транзистор N-KANAL POWER MOS | 2948 От 8 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | IPI086N10N3 G Infineon Technologies | МОП-транзистор N-KANAL POWER MOS | 2223 от 7 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | IPI086N10N3 G Infineon Technologies | МОП-транзистор N-Ch 100V 80A I2PAK-3 OptiMOS 3 | 9407 от 8 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies AG | IPI086N10N3 G Infineon Technologies AG | 20 3-4 | ||||
Infineon Technologies AG | IPI086N10N3G Infineon Technologies AG | 3000 3-4 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | IPI086N10N3 G-ND Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3 | 6495 от 10-12 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON | IPI086N10N3GXKSA1 INFINEON | 498 1-2 недели |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON TECHNOLOGIES | IPI086N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Артикул:IPI086N10N3GXKSA1 | Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 80А; 125Вт; PG-TO262-3 | 0 по запросу заказать | |||
Infineon Technologies | IPI086N10N3GXKSA1 Infineon Technologies Артикул:IPI086N10N3GXKSA1-ND | MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3 | 17 1-2 недели заказать |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON TECHNOLOGIES | IPI086N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Артикул:IPI086N10N3GXKSA1 | Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 80А; 125Вт; PG-TO262-3 | 0 по запросу заказать | |||
Infineon Technologies | IPI086N10N3GXKSA1 Infineon Technologies Артикул:IPI086N10N3GXKSA1-ND | MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3 | 17 1-2 недели заказать |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | IPI086N10N3 G Infineon Technologies | МОП-транзистор N-Ch 100V 80A I2PAK-3 OptiMOS 3 | от 210.34 р.
| под заказ 4-6 недель заказать | ||
INFINEON TECHNOLOGIES | IPI086N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES | Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 80А; 125Вт; PG-TO262-3 | от 69.5 р.
| под заказ 4-6 недель заказать |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | IPI086N10N3GXKSA1 Infineon | IPI086N10N3GXKSA1, TO-262-3 Минимальный заказ:1000 руб | от 131.67 р.
| 3-4 раб.дня |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INF | IPI086N10N3GXKSA1 INF | Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 80A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-262 туба | 1.85 $
|
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
IPI086N10N3GXKSA1 INF | Транзисторы импортные | 146.97 р.
| Ростов-н/Д: 6-9 раб.дней,Ставрополь: 8-12 раб.дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | IPI086N10N3GXKSA1 Infineon | 113.47 р.
| по запросу | |||
Infineon | IPI086N10N3GXKSA1 Infineon | 133.06 р.
| 5 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
IPI086N10N3GXKSA1 | 169.81 р.
| от 4 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | IPI086N10N3GXKSA1 Infineon Technologies Артикул:New/Original Корпус:PG-TO262-3 | Can directly receive payment from Russia, including rubles/RUB/ Supporting services for acceptable bill of materials /info@jiejiecheng.com Аналоги:IPI086N10N3GXKSA1 Дата изготовления:25+ Тип упаковки / в упаковке: Tape/Tube/Tray / 100 Минимальный заказ:1 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON | IPI086N10N3GXKSA1 INFINEON Артикул:IPI086N10N3GXKSA1 | 20years expertise,only new original Дата изготовления:21+/22+ Тип упаковки / в упаковке: Tray / 2500 Минимальный заказ:10 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON TECHNOLOGIES AG | IPI086N10N3 G INFINEON TECHNOLOGIES AG | Дата изготовления:24+ | STOCK | |||
INFINEON TECHNOLOGIES AG | IPI086N10N3G INFINEON TECHNOLOGIES AG | Дата изготовления:24+ | STOCK | |||
INFINEON TECHNOLOGIES AG | IPI086N10N3GXK INFINEON TECHNOLOGIES AG | Дата изготовления:24+ | STOCK | |||
INFINEON TECHNOLOGIES AG | IPI086N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AG | Дата изготовления:24+ | STOCK |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON | IPI086N10N3 G INFINEON | Дата изготовления:2024 | ShenZhen & HongKong 1- 3days | |||
INFINEON | IPI086N10N3GXKSA1 INFINEON | Дата изготовления:2024 | ShenZhen & HongKong 1- 3days |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | IPI086N10N3GXKSA1 Infineon | Single N-Channel 100 V 8.6 mOhm 42 nC OptiMOS™ Power Mosfet - I2PAK, I2PAK Тип упаковки: Tube Минимальный заказ:Min: 500 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | IPI086N10N3 G Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6 mOhm @ 73A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 55nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3980pF | 10-14 дней | |||
Infineon Technologies | IPI086N10N3 G-ND Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3 | 10-14 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | IPI086N10N3 G Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6 mOhm @ 73A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 55nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 80A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3980pF | 10-14 дней | |||
Infineon Technologies | IPI086N10N3 G-ND Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3 | 10-14 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | IPI086N10N3GXKSA1 Infineon Technologies | Дата изготовления:20-23+ |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | IPI086N10N3 G Infineon | от 3-4 недель |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | IPI086N10N3 G Infineon | 1 неделя |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | IPI086N10N3GXKSA1 Infineon Technologies | 2-5 Дня |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON | IPI086N10N3G INFINEON | 12-15 дней | ||||
INFINEON/英飞凌 | IPI086N10N3G 其他被动元件 INFINEON/英飞凌 | 12-15 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON TECHNOLOGIES AG | IPI086N10N3 G INFINEON TECHNOLOGIES AG | да Москва - 2-3 недели | ||||
INFINEON TECHNOLOGIES AG | IPI086N10N3G INFINEON TECHNOLOGIES AG | да Москва - 2-3 недели | ||||
INFINEON TECHNOLOGIES AG | IPI086N10N3GXK INFINEON TECHNOLOGIES AG | да Москва - 2-3 недели | ||||
INFINEON TECHNOLOGIES AG | IPI086N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AG | да Москва - 2-3 недели |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies AG | IPI086N10N3GXKSA1 Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube Дата изготовления:NA+ | 3-5 недель |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON | IPI086N10N3GXKSA1 INFINEON | 1-2days |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | IPI086N10N3 G Infineon Technologies | МОП-транзистор N-KANAL POWER MOS | 3-5 недель заказать | |||
Infineon Technologies AG | IPI086N10N3G Infineon Technologies AG | OptiMOS™3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) | 3-4 недели заказать | |||
IPI086N10N3GHKSA1 | 3-4 недели заказать |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | IPI086N10N3 G Infineon Technologies | 5-7 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | IPI086N10N3 G Infineon | 1 неделя |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | IPI086N10N3GXKSA1, N-Channel MOSFET, 80 A, 100 V, 3-Pin I2PA Infineon | 2-3 недели | ||||
Infineon | IPI086N10N3GXKSA1, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 100 В, 8 Infineon | 2-3 недели |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | IPI086N10N3 G Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3 | in shenzhen and in hongkong |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | IPI086N10N3G Infineon |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | IPI086N10N3 G Infineon Technologies | 6-10 календарных дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
IPI086N10N3 G | Минимальный заказ от 1 штуки. New and Original | есть |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
IPI086N10N3 G | от 7 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
IPI086N10N3 G | от 7 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
IPI086N10N3 G,TO-262-3,INFINEON,22+,1500,Inquire by E-mail,- |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
IPI086N10N3G |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
IPI086N10N3G | ||||||
IPI086N10N3GXKSA1 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
IPI086N10N3G | ||||||
IPI086N10N3 G | ||||||
IPI086N10N3GXKSA1 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON TECHNOLOGIES | IPI086N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES | MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3 | 936 от 2 нед. |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
IPI086N10N3GXKSA1 Артикул:439095 | Минимальный заказ:3 | от 125.71 р.
| да 1 неделя заказать |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | IPI086N10N3 G Infineon | 5-10 дн | ||||
Infineon Technologies | IPI086N10N3 G Infineon Technologies | 5-10 дн |
|
2002— «ЭтЛайт» Администрация: +7 (812) 309-50-30, client@efind.ru Расширение для браузера · Телеграм-бот · Аналитика · English version |
![]() |
KRDAl4kiQlHiJlBT 0717
|