Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
vacuumize | IPI50CN10NGHKSA1 vacuumize | stock Дата изготовления:22+ | 103 1--3days |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON | IPI50CN10NG INFINEON | New and Original Дата изготовления:0929+ Тип упаковки: TO-262 | 954 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
IPI50CN10NGHKSA1 Корпус:stock | Дата изготовления:19+ Минимальный заказ:20 | 103 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | IPI50CN10NGHKSA1 Infineon Technologies | TO2623 Long Leads I2Pak TO262AA Дата изготовления:23+ | 9000 1-3 days |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON | IPI50CN10N G INFINEON Корпус:TO-262 | 10000 1-3days | ||||
INFINEON | IPI50CN10NG INFINEON Корпус:TO-262 | 10000 1-3days |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | IPI50CN10N G Infineon Technologies Корпус:MOSFET N-CH 100V 20A | 8100 1-3days |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies AG | IPI50CN10N G Infineon Technologies AG Артикул:371478 | Прочее | 1750 Срок поставки 2-3 недели |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
IPI50CN10N G | В упаковке: 1 Минимальный заказ:1 | да 7-21 день | ||||
INFINEON | IPI50CN10N G INFINEON | Полярность Транзистора N Канал Непрерывный Ток Стока 20А Напряжение Истока-стока Vds 100В Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.038Ом Напряжение Измерения Rds(on) 10В Пороговое Напряжение Vgs 3В Рассеиваемая Мощность 44Вт Стиль Кор В упаковке: 1 Минимальный заказ:1 | да 7-21 день | |||
Infineon Technologies | IPI50CN10NGHKSA1 Infineon Technologies | Manufacturer : Infineon Technologies Series : OptiMOS™ Packaging : Tube Part Status : Obsolete FET Type : N-Channel Technology : MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C : 20A (Tc) Drive Voltage (Ma В упаковке: 1 Минимальный заказ:1 | да 7-21 день | |||
IPI50CN10N G | В упаковке: 1 Минимальный заказ:1 | да 5-18 дней | ||||
IPI50CN10NGHKSA1 | да |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | IPI50CN10N G-ND Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 20A TO262-3 | 4159 от 10-12 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies AG | IPI50CN10N G Infineon Technologies AG | 1750 3-4 | ||||
Infineon Technologies AG | IPI50CN10NG Infineon Technologies AG | 49 3-4 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | IPI50CN10N G Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 20A TO262-3 | 2226 От 8 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | IPI50CN10N G Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 20A TO262-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1090pF @ | 9765 от 8 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | IPI50CN10N G Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 20A TO262-3 | 2373 от 7 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | IPI50CN10N G-ND Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 20A TO262-3 | 8318 от 10-12 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | IPI50CN10N G Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 20A TO262-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1090pF @ | 2055 От 8 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON | IPI50CN10N G INFINEON | MOSFET, N CH, 20A, 100V, PG-TO262-3 | от 78.89 р.
| под заказ 4-6 недель заказать |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Unknown | IPI50CN10N G Unknown Артикул:IPI50CN10N G | Тип упаковки / в упаковке: N/A / 1 Минимальный заказ:N/A | по запросу |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | IPI50CN10N G Infineon Корпус:TO262 | Mosfet n-Ch 100v 20a To262-3. | От 5 недель |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON | IPI50CN10N G INFINEON Артикул:1775609 | Силовой МОП-транзистор, N Канал, 100 В, 20 А, 0.038 Ом, TO-262, Through Hole | 0 по запросу заказать |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON | IPI50CN10N G INFINEON Артикул:1775609 | Силовой МОП-транзистор, N Канал, 100 В, 20 А, 0.038 Ом, TO-262, Through Hole | 0 по запросу заказать |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON | IPI50CN10NG INFINEON | 0929+ Дата изготовления:TO-262 | 1-2 недели |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON | IPI50CN10N G INFINEON Корпус:I2PAK (TO-262) | 5 дней | ||||
INFINEON | IPI50CN10NG INFINEON Корпус:I2PAK (TO-262) | 5 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | IPI50CN10N G Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 20A TO262-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1090pF @ | 10-14 дней | |||
Infineon Technologies | IPI50CN10N G-ND Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 20A TO262-3 | 10-14 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | IPI50CN10N G Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 20A TO262-3 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 20A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1090pF @ | 10-14 дней | |||
Infineon Technologies | IPI50CN10N G-ND Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 20A TO262-3 | 10-14 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | IPI50CN10N G Infineon Technologies | МОП-транзистор N-CH 100V 20A | 3-5 недель заказать | |||
Infineon Technologies AG | IPI50CN10NG Infineon Technologies AG | OptiMOS2 Power-Transistor | 3-5 недель заказать | |||
Infineon Technologies | IPI50CN10NGHKSA1 Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 20A TO262-3 | 3-5 недель заказать |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | IPI50CN10NGHKSA1 Infineon Technologies | 2-5 Дня |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | IPI50CN10N G Infineon | от 3-4 недель |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | IPI50CN10N G Infineon Technologies | 0, условия поставки по запросузаказать |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | IPI50CN10NGHKSA1 Infineon Technologies |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | IPI50CN10N G Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 20A TO262-3 | in shenzhen and in hongkong |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
IPI50CN10NG | 5-7 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
IPI50CN10N G | Силовой МОП-транзистор , N Канал, 100 В, 20 А, 0.038 Ом, TO-262, Through Hole | под заказ 3-7 недель |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | IPI50CN10N G Infineon Technologies | 6-10 календарных дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
IPI50CN10N G | Минимальный заказ от 1 штуки. New and Original | есть |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
IPI50CN10N G | ||||||
IPI50CN10NG |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
IPI50CN10N G | от 7 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
IPI50CN10N G | от 7 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | IPI50CN10N G Infineon | 5-10 дн | ||||
Infineon Technologies | IPI50CN10N G Infineon Technologies | 5-10 дн |
|
2002— «ЭтЛайт» Администрация: +7 (812) 309-50-30, client@efind.ru Расширение для браузера · Телеграм-бот · Аналитика · English version |
![]() |
KRDAl4kiQlHiJlBT 0717
|