Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
NE3515S02-T1C-A | 8799 Товары хранятся на складе в Шэньчжэне и на складе в Гонконге |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Renesas | NE3515S02-T1C-A Renesas | SUPER LOW NOISE PSEUDOMORPHIC HJ | 3657 | |||
Renesas Electronics America Inc | NE3515S02-T1C-A Renesas Electronics America Inc | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | 3833 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Renesas Electronics Corporation | NE3515S02-T1C-A Renesas Electronics Corporation | от 1.181 $
| 1036 от 7 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Rochester Electronics, LLC | NE3515S02-T1C-A Rochester Electronics, LLC | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | 0.871 $
| 1284 от 6 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
RENESARS | NE3515S02-T1C-A RENESARS Артикул:YZ1109100 Корпус:S02 | S02 newOriginal Аналоги:NE3515S02-T1C-A Дата изготовления:Within 2 years Тип упаковки / в упаковке: S02 / Contact us for SPQ Минимальный заказ:10 | 7400 1-3DAY |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
RENESARS | NE3515S02-T1C-A RENESARS Артикул:DLW109100 Корпус:S02 | S02 newOriginal Аналоги:NE3515S02-T1C-A Дата изготовления:Within 2 years Тип упаковки / в упаковке: S02 / Contact us for SPQ Минимальный заказ:10 | 7400 1-3DAY |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
CEL (California Eastern Laboratories) | NE3515S02-T1C-A CEL (California Eastern Laboratories) Артикул:NE3515S02-T1C-A | FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 5021 В упаковке: 1 шт. Минимальный заказ:1 шт. | 3741 1-2 недели | |||
NE3515S02-T1C-A Артикул:NE3515S02-T1C-A | IC / Микросхема Минимальный заказ:1 шт. | 5047 1-2 недели |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Renesas | NE3515S02-T1C-A Renesas | newOriginal Stock Дата изготовления:23+ Тип упаковки: 4-SMD | 3000 3-7days |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS | NE3515S02-T1C-A RENESAS Артикул:LL_0072738 | Дата изготовления:12+ | 2298 3-6 недель |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS | NE3515S02-T1C-A RENESAS Корпус:S02 | Дата изготовления:1751 | 360 1day |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS | NE3515S02-T1C-A RENESAS | Stock, New and Original Дата изготовления:22+/23+ | 1190 1-3 days |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Renesas Electronics | NE3515S02-T1C-A Renesas Electronics Артикул:433331 | Прочее | 5593 Срок поставки 2-3 недели |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
CEL [California Eastern Labs] | NE3515S02-T1C-A CEL [California Eastern Labs] | РЧ транзисторы с управляющим p-n переходом Super Low Noise Pseudomorphic | 4067 от 10-12 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
NE3515S02-T1C-A | in stock, new/Original Дата изготовления:Newest | 10000 1-3 days |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS | NE3515S02-T1C-A RENESAS | 42337 От двух недель. |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Renesas Electronics | NE3515S02-T1C-A Renesas Electronics | 5659 2-3 недели |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
CEL [California Eastern Labs] | NE3515S02-T1C-A CEL [California Eastern Labs] | РЧ транзисторы с управляющим p-n переходом Super Low Noise Pseudomorphic | 2425 от 7 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
CEL [California Eastern Labs] | NE3515S02-T1C-A CEL [California Eastern Labs] | РЧ транзисторы с управляющим p-n переходом Super Low Noise Pseudomorphic | 2964 От 8 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
CEL [California Eastern Labs] | NE3515S02-T1C-A CEL [California Eastern Labs] | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом Super Low Noise Pseudomorphic | 12427 от 8 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
CEL [California Eastern Labs] | NE3515S02-T1C-A CEL [California Eastern Labs] | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом Super Low Noise Pseudomorphic | 2708 От 9 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
CEL | NE3515S02-T1C-ATR-ND CEL | FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 | 1522 от 10-12 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
CEL | NE3515S02-T1C-A CEL | Trans JFET N-CH 4V 88mA 4-Pin Case S02 T/R. Возможна срочная поставка за 7 дней за доп. плату. | 3.108 $
| от 7 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
CEL | NE3515S02-T1C-A CEL | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом Super Low Noise Pseudomorphic | от 283.85 р.
| под заказ 4-6 недель заказать |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS ELECTRONICS | NE3515S02-T1C-A RENESAS ELECTRONICS | Максимальная рабочая температура + 125 C Вид монтажа SMD/SMT Vds - напряжение пробоя затвор-исток - 3 V Упаковка / блок S0-2 Частота 12 GHz Производитель CEL Торговая марка CEL Id - непрерывный ток утечки 88 mA Vds - напряжение пробоя сток В упаковке: 1 Минимальный заказ:1 | да 5-18 дней | |||
NE3515S02-T1C-A | Транзисторы В упаковке: 1 Минимальный заказ:1 | да 5-18 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
CEL | NE3515S02-T1C-A CEL Артикул:NE3515S02-T1C-ATR-ND | FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 | 0 по запросу заказать | |||
Renesas Electronics America Inc | NE3515S02-T1C-A Renesas Electronics America Inc Артикул:2156-NE3515S02-T1C-A | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | 0 по запросу заказать |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
CEL | NE3515S02-T1C-A CEL Артикул:NE3515S02-T1C-ATR-ND | FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 | 0 по запросу заказать | |||
Renesas Electronics America Inc | NE3515S02-T1C-A Renesas Electronics America Inc Артикул:2156-NE3515S02-T1C-A | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | 0 по запросу заказать |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
MICROCHIP | NE3515S02-T1C-A MICROCHIP | Дата изготовления:24+/23+ Тип упаковки: TQFP-64 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
NXP | NE3515S02-T1C-A NXP | Дата изготовления:24+ Тип упаковки: QFN |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
TE | NE3515S02-T1C-A TE | Дата изготовления:22+/23+ Тип упаковки: SOP8 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
CEL | NE3515S02-T1C-A CEL | Дата изготовления:1332+ В упаковке: 114 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Renesas | NE3515S02-T1C-A Renesas | 1299 В упаковке: 160 | 1 неделя |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS | NE3515S02-T1C-A RENESAS Корпус:SMT84 | Дата изготовления:12+ |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
CEL | NE3515S02-T1C-A CEL | РЧ транзисторы на арсениде галлия Super Low Noise Pseudomorphic | 10-14 дней | |||
CEL | NE3515S02-T1C-ACT-ND CEL | FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 | 10-14 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
CEL | NE3515S02-T1C-A CEL | РЧ транзисторы на арсениде галлия Super Low Noise Pseudomorphic | 10-14 дней | |||
CEL | NE3515S02-T1C-ACT-ND CEL | FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 | 10-14 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS | NE3515S02-T1C-A RENESAS | Дата изготовления:16+ | 800 3-5 недель |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
CEL | NE3515S02-T1C-A CEL | РЧ транзисторы на арсениде галлия Super Low Noise Pseudomorphic | 3-5 недель заказать | |||
Renesas | NE3515S02-T1C-A Renesas | 3-4 недели заказать | ||||
CALIFORNIA EASTERN LABORATORIES | NE3515S02-T1C-A CALIFORNIA EASTERN LABORATORIES | Trans JFET N-CH 4V 88mA 4-Pin Case S02 T/R | 3-5 недель заказать |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
CEL | NE3515S02-T1C-A CEL | РЧ транзисторы на арсениде галлия Super Low Noise Pseudomorphic | 20-30 дней | |||
Renesas | NE3515S02-T1C-A Renesas | от 2-3 недели | ||||
CALIFORNIA EASTERN LABORATORIES | NE3515S02-T1C-A CALIFORNIA EASTERN LABORATORIES | Trans JFET N-CH 4V 88mA 4-Pin Case S02 T/R | 20-30 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Renesas | NE3515S02-T1C-A Renesas | от 3-4 недель | ||||
CEL | NE3515S02-T1C-A CEL | от 3-4 недель |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS | NE3515S02-T1C-A RENESAS | 50+ 2-4 недели |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
CEL | NE3515S02-T1C-A CEL | 2-5 Дня |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
NE3515S02-T1C-A | Дата изготовления:24+ Тип упаковки: Electronic Component |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Renesas | NE3515S02-T1C-A Renesas | 0 5 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS | NE3515S02-T1C-A RENESAS | 10 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS TECHNOLOGY | NE3515S02-T1C-A RENESAS TECHNOLOGY | Транзистор полевой, n-канал, СВЧ, малошумящий, 12ГГц, Кш=0,3дБ(12ГГц), Ga=12.5дБ(12ГГц), Uси=2В, Iстока нас.=10мА, -40…+85 | по запросузаказать |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS | NE3515S02-T1C-A RENESAS | 0, условия поставки по запросузаказать |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
RELPOL | NE3515S02-T1C-A RELPOL |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Renesas | NE3515S02-T1C-A Renesas |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
NXP Semiconductors | NE3515S02-T1C-A NXP Semiconductors | по запросу |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
CEL | NE3515S02-T1C-A CEL | 5-7 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Renesas | NE3515S02-T1C-A Renesas |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Renesas Electronics | NE3515S02-T1C-A Renesas Electronics | Транзистор полевой, n-канал, СВЧ, малошумящий, 12ГГц, Кш=0,3дБ(12ГГц), Ga=12.5дБ(12ГГц), Uси=2В, Iстока нас.=10мА, -40…+85 | 1-2 недели |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
NE3515S02-T1C-A | Минимальный заказ: $200 | По запросу |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
NE3515S02-T1C-A | Минимальный заказ от 1 штуки. New and Original | есть |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
NE3515S02-T1C-A,Focus on Military/ Aerospace/ industrial ple |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
NE3515S02-T1C-A |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
NE3515S02-T1C-A |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
NE3515S02-T1C-A | от 7 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
NE3515S02-T1C-A | от 7 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
NE3515S02-T1C-A | по запросу |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
CEL | NE3515S02T1CA CEL | Дата изготовления:1332 | 5 от 2 нед. | |||
RENE | NE3515S02T1CA RENE | 8010 от 2 нед. | ||||
NE3515S02T1CA | 78 от 2 нед. |
|
2002— «ЭтЛайт» Администрация: +7 (812) 309-50-30, client@efind.ru Расширение для браузера · Телеграм-бот · Аналитика · English version |
![]() |
KRDAl4kiQlHiJlBT 0702
|