Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
SPB08P06PG | Дата изготовления:22+ | 3000 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON | SPB08P06PGATMA1 INFINEON | Дата изготовления:24+ Тип упаковки: SMD/DIP | 150000 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
SPB08P06PGATMA1 Корпус:stock | Дата изготовления:19+ Минимальный заказ:20 | 324 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON | SPB08P06PGXT INFINEON | New and Original Тип упаковки: NA | 4800 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | SPB08P06PG Infineon | Дата изготовления:22+ | 6002 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | SPB08P06PG Infineon Technologies | Оригинал 100%. | 402 | |||
Infineon Technologies | SPB08P06PGATMA1 Infineon Technologies | Оригинал 100%. | 402 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON | SPB08P06P G INFINEON | Полярность Транзистора P Канал Непрерывный Ток Стока -8.8А Напряжение Истока-стока Vds -60В Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.221Ом Напряжение Измерения Rds(on) -10В Пороговое Напряжение Vgs -3В Рассеиваемая Мощность 42Вт Стиль В упаковке: 1 Минимальный заказ:1 | да 7-21 день | |||
INFINEON TECHNOLOGIES | SPB08P06PGXT INFINEON TECHNOLOGIES | да | ||||
INFINEON TECHNOLOGIES | SPB08P06P INFINEON TECHNOLOGIES | В упаковке: 1 Минимальный заказ:1 | да 5-18 дней | |||
INFINEON TECHNOLOGIES | SPB08P06P INFINEON TECHNOLOGIES | да | ||||
INFIN | SPB08P06PGATMA1 INFIN | Сопротивление при включенном состоянии 0.221ohm Диапазон рабочих температур -55°C to +175°C Макс. рабочая температура 175°C Стандарт для использования в автомобильных устройствах и системах AEC-Q101 Тип корпуса транзистора TO-263 Особо опасные в В упаковке: 1 Минимальный заказ:1 | да 5-18 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
VBsemi | SPB08P06PG-VB VBsemi | Минимальный заказ:1 | 36.74 р.
| 8000 Поставка дней: 35-45 | ||
JSMSEMI | SPB08P06PG JSMSEMI | Минимальный заказ:1 | 24.07 р.
| 240000 Поставка дней: 35-45 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
VB | SPB08P06PG VB Корпус:PG-TO263 | Дата изготовления:23+ Тип упаковки: Standard | 16614 1-3 days |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
IR | SPB08P06PG MOS() IR Артикул:LL_0094912 | Дата изготовления:14+16 | 7389 3-6 недель |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
VBSEMI | SPB08P06PG VBSEMI Корпус:PG-TO263-3 | Дата изготовления:20+ | 10000 3-5days | |||
SPB08P06P G Корпус:TO-263 | Дата изготовления:1545+ | 10000 3-5days |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON | SPB08P06PGXT INFINEON | Please contact us, thank you very much.Ultra long shelf life 180 days Дата изготовления:2024+ | 33000 IN SOTCK |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON TECHNOLOGIES AG | SPB08P06P G INFINEON TECHNOLOGIES AG | Дата изготовления:24+ | 3000 STOCK | |||
INFINEON TECHNOLOGIES AG | SPB08P06PGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES AG | Дата изготовления:24+ | 3000 STOCK | |||
INFINEON TECHNOLOGIES AG | SPB08P06PGXT INFINEON TECHNOLOGIES AG | Дата изготовления:24+ | 3000 STOCK |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | SPB08P06PGATMA1 Infineon Technologies | TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) TO263AB Дата изготовления:23+ | 9000 1-3 days |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
infineon technologies | SPB08P06PG infineon technologies Корпус:Trans MOSFET P-CH 60 | 720 1-3days |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON | SPB08P06PG INFINEON | Stock, New and Original Дата изготовления:22+/23+ | 25000 1-3 days |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
vacuumize | SPB08P06PGATMA1 vacuumize | stock Дата изготовления:22+ | 324 1--3days |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies AG | SPB08P06P G Infineon Technologies AG Артикул:477803 | Прочее | 3150 Срок поставки 2-3 недели |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | SPB08P06P G Infineon Technologies | МОП-транзистор P-CH 60V 8.8A | 486 от 10-12 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | SPB08P06P G Infineon Technologies | МОП-транзистор P-CH 60V 8.8A | 971 от 10-12 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | SPB08P06P G Infineon Technologies | МОП-транзистор P-Ch -60V 8.8A D2PAK-2 | 18352 от 8 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | SPB08P06P G Infineon Technologies | МОП-транзистор P-CH 60V 8.8A | 2793 От 8 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | SPB08P06P G Infineon Technologies | МОП-транзистор P-Ch -60V 8.8A D2PAK-2 | 1837 От 7 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | SPB08P06P G Infineon Technologies | МОП-транзистор P-CH 60V 8.8A | 2421 от 7 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
VBsemi | SPB08P06PG VBsemi | 7955 2-3 недели |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies AG | SPB08P06P G Infineon Technologies AG | 3150 3-4 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | SPB08P06P G Infineon Артикул:SPB08P06P G | Минимальный заказ:1 штука | от 2.2 $
| 0 6-8 недель при наличии на складе |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON | SPB08P06P G INFINEON | MOSFET, P-CH, 60V, 8.8A, TO-263 | от 50.66 р.
| под заказ 4-6 недель заказать | ||
Infineon Technologies | SPB08P06P G Infineon Technologies | МОП-транзистор P-Ch -60V 8.8A D2PAK-2 | от 82.78 р.
| под заказ 4-6 недель заказать | ||
INFINEON TECHNOLOGIES | SPB08P06PGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES | Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -8,8А; 42Вт; PG-TO263-3 | от 40.1 р.
| под заказ 4-6 недель заказать |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
VBSEMI | SPB08P06PG-VB VBSEMI | 34.7 р.
| 4 нед. |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | SPB08P06PGATMA1 Infineon Technologies Артикул:2156-SPB08P06PGATMA1 | 12V-250V P-CHANNEL POWER MOSFET | 0 по запросу заказать | |||
Infineon Technologies | SPB08P06P Infineon Technologies Артикул:SPB08P06P-ND | MOSFET P-CH 60V 8.8A TO263-3 | 0 по запросу заказать |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | SPB08P06PGATMA1 Infineon Technologies Артикул:2156-SPB08P06PGATMA1 | 12V-250V P-CHANNEL POWER MOSFET | 0 по запросу заказать | |||
Infineon Technologies | SPB08P06P Infineon Technologies Артикул:SPB08P06P-ND | MOSFET P-CH 60V 8.8A TO263-3 | 0 по запросу заказать |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | SPB08P06PG Infineon Корпус:6002 | Минимальный заказ:22+ |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON TECHNOLOGIES AG | SPB08P06P G INFINEON TECHNOLOGIES AG | Дата изготовления:24+ | STOCK | |||
INFINEON TECHNOLOGIES AG | SPB08P06PGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES AG | Дата изготовления:24+ | STOCK | |||
INFINEON TECHNOLOGIES AG | SPB08P06PGXT INFINEON TECHNOLOGIES AG | Дата изготовления:24+ | STOCK |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON | SPB08P06PG INFINEON Корпус:TO-263 | Дата изготовления:09+ | ||||
IR | SPB08P06PG MOS() IR Корпус:TO263 | Дата изготовления:14+16 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | SPB08P06P G Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-263 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 6.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 420pF @ | 10-14 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | SPB08P06P G Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-263 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 6.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 420pF @ | 10-14 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | SPB08P06P G Infineon | Trans MOSFET P-CH 60V 8.8A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R. | От 5 недель |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | SPB08P06P G Infineon Technologies | МОП-транзистор P-CH 60V 8.8A | 20-30 дней | |||
Infineon Technologies AG | SPB08P06PG Infineon Technologies AG | SIPMOS Power-Transistor | от 3 недель | |||
Infineon Technologies | SPB08P06PGATMA1 Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-263 | 20-30 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON TECHNOLOGIES AG | SPB08P06PGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES AG | Trans MOSFET P-CH 60V 8.8A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | 3-5 недель заказать | |||
Infineon Technologies AG | SPB08P06PG Infineon Technologies AG | SIPMOS Power-Transistor | от 3 недель заказать | |||
Infineon Technologies | SPB08P06PGATMA1 Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-263 | 3-5 недель заказать |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON TECHNOLOGIES AG | SPB08P06P G INFINEON TECHNOLOGIES AG | да Москва - 2-3 недели | ||||
INFINEON TECHNOLOGIES AG | SPB08P06PGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES AG | да Москва - 2-3 недели | ||||
INFINEON TECHNOLOGIES AG | SPB08P06PGXT INFINEON TECHNOLOGIES AG | да Москва - 2-3 недели |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | SPB08P06PGATMA1 Infineon Technologies | 2-5 Дня |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INF | SPB08P06PGXT INF | 4 недели |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | SPB08P06P G Infineon | от 3-4 недель |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | SPB08P06P G Infineon Technologies | МОП-транзистор P-Ch -60V 8.8A D2PAK-2 | 7-14 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON | SPB08P06PG INFINEON | 11 (3-4 недели)заказать | ||||
INFINEON | SPB08P06P G INFINEON | 7.3A 600 | 0, условия поставки по запросузаказать |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Не указан | SPB08P06P G Не указан | 2-3 недели |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
SPB08P06PGATMA1 | 5-7 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon technologies | SPB08P06PGXT Infineon technologies |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | SPB08P06P G Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-263 | in shenzhen and in hongkong |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | SPB08P06PGATMA1 Infineon Technologies |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
SPB08P06P G | 3-4 недели |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
SPB08P06PGATMA1 | The SPB08P06P G is an OptiMOS™ P-channel Power MOSFET consistently meets the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as ON-state resistance and figure of merit characteristics. \t\t \t\t \t\t <ul | под заказ 3-7 недель | ||||
SPB08P06P G | MOSFET силовой транзистор - [TO-263-3]; Тип: P; Uси: 60 В; Iс(25°C): 80 А; Rси(вкл): 0.23 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 10 нКл | под заказ 3-7 недель |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | SPB08P06P G Infineon Technologies | 5-7 дней | ||||
SPB08P06P G | 5-7 дней | |||||
INFINEON | SPB08P06P G INFINEON | 5-7 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
SPB08P06P G | Минимальный заказ от 1 штуки. New and Original | есть |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
SPB08P06PG,Focus on Military/ Aerospace/ industrial please c |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
SPB08P06P G | от 7 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
SPB08P06P G | от 7 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON TECHNOLOGIES | SPB08P06PGXT INFINEON TECHNOLOGIES | 500 от 2 нед. |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | SPB08P06P G Infineon | 5-10 дн |
|
2002— «ЭтЛайт» Администрация: +7 (812) 309-50-30, client@efind.ru Расширение для браузера · Телеграм-бот · Аналитика · English version |
![]() |
KRDAl4kiQlHiJlBT 0701
|