Вход на сайт
Ошибка авторизации: неверный логин или пароль
запомнить меня
Регистрация | Вход
  Электронные компоненты Аналоги По документации    
Например: max232          Искать только в регионе США ( в другом регионе )
Ищем SPB08P06P G на 727 складах
Вид:
К запросу:
позиций
Отправленные запросы
Цены?
Медиан — медиана розничных цен.
Мин — минимальная цена оптовых цен.
Макс — максимальная цена розничных цен.

Для расчета взяты все цены из результатов поиска по запросу «SPB08P06P G»
Вы недавно искали
вверх

Фильтры

Наличие SPB08P06P G на складах

Фильтр по партномеру:
Фильтр по регионам:
Экспорт результатов поиска:
Актуальность: 1 апреля 2025 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
SPB08P06PG
Дата изготовления:22+
3000
Актуальность: 18 апреля 2025 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
INFINEONSPB08P06PGATMA1
INFINEON
Дата изготовления:24+
Тип упаковки: SMD/DIP
150000
Актуальность: 19 июня 2025 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
SPB08P06PGATMA1
Корпус:stock
Дата изготовления:19+
Минимальный заказ:20
324
Актуальность: 21 мая 2025 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
INFINEONSPB08P06PGXT
INFINEON
New and Original
Тип упаковки: NA
4800
Актуальность: 7 апреля 2025 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
InfineonSPB08P06PG
Infineon
Дата изготовления:22+
6002
Актуальность: 24 апреля 2025 г.Ограничения: Заказ от 30000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Infineon TechnologiesSPB08P06PG
Infineon Technologies
Оригинал 100%. 402
Infineon TechnologiesSPB08P06PGATMA1
Infineon Technologies
Оригинал 100%. 402
Актуальность: только чтоОграничения: Заказ от 3000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
INFINEONSPB08P06P G
INFINEON
Полярность Транзистора P Канал Непрерывный Ток Стока -8.8А Напряжение Истока-стока Vds -60В Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.221Ом Напряжение Измерения Rds(on) -10В Пороговое Напряжение Vgs -3В Рассеиваемая Мощность 42Вт Стиль
В упаковке: 1
Минимальный заказ:1
да
7-21 день
INFINEON TECHNOLOGIESSPB08P06PGXT
INFINEON TECHNOLOGIES
да
INFINEON TECHNOLOGIESSPB08P06P
INFINEON TECHNOLOGIES
В упаковке: 1
Минимальный заказ:1
да
5-18 дней
INFINEON TECHNOLOGIESSPB08P06P
INFINEON TECHNOLOGIES
да
INFINSPB08P06PGATMA1
INFIN
Сопротивление при включенном состоянии 0.221ohm Диапазон рабочих температур -55°C to +175°C Макс. рабочая температура 175°C Стандарт для использования в автомобильных устройствах и системах AEC-Q101 Тип корпуса транзистора TO-263 Особо опасные в
В упаковке: 1
Минимальный заказ:1
да
5-18 дней
Актуальность: только чтоОграничения: Заказ от 1000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
VBsemiSPB08P06PG-VB
VBsemi
Минимальный заказ:1
36.74 р.
  • 1+36.74 р.
8000
Поставка дней: 35-45
JSMSEMISPB08P06PG
JSMSEMI
Минимальный заказ:1
24.07 р.
  • 1+24.07 р.
240000
Поставка дней: 35-45
Актуальность: 3 июня 2025 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
VBSPB08P06PG
VB
Корпус:PG-TO263
Дата изготовления:23+
Тип упаковки: Standard
16614
1-3 days
Актуальность: 15 апреля 2024 г.Ограничения: Заказ от 15000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
IRSPB08P06PG MOS()
IR
Артикул:LL_0094912
Дата изготовления:14+16
7389
3-6 недель
Актуальность: 15 августа 2024 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
VBSEMISPB08P06PG
VBSEMI
Корпус:PG-TO263-3
Дата изготовления:20+
10000
3-5days
SPB08P06P G
Корпус:TO-263
Дата изготовления:1545+
10000
3-5days
Актуальность: 22 мая 2025 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
INFINEONSPB08P06PGXT
INFINEON
Please contact us, thank you very much.Ultra long shelf life 180 days
Дата изготовления:2024+
33000
IN SOTCK
Актуальность: 30 июня 2025 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
INFINEON TECHNOLOGIES AGSPB08P06P G
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Дата изготовления:24+
3000
STOCK
INFINEON TECHNOLOGIES AGSPB08P06PGATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Дата изготовления:24+
3000
STOCK
INFINEON TECHNOLOGIES AGSPB08P06PGXT
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Дата изготовления:24+
3000
STOCK
Актуальность: 20 марта 2024 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Infineon TechnologiesSPB08P06PGATMA1
Infineon Technologies
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) TO263AB
Дата изготовления:23+
9000
1-3 days
Актуальность: 25 июля 2024 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
infineon technologiesSPB08P06PG
infineon technologies
Корпус:Trans MOSFET P-CH 60
720
1-3days
Актуальность: 12 декабря 2023 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
INFINEONSPB08P06PG
INFINEON
Stock, New and Original
Дата изготовления:22+/23+
25000
1-3 days
Актуальность: 25 марта 2025 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
vacuumizeSPB08P06PGATMA1
vacuumize
stock
Дата изготовления:22+
324
1--3days
Актуальность: только чтоОграничения: Только ЮЛ.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Infineon Technologies AGSPB08P06P G
Infineon Technologies AG
Артикул:477803
Прочее 3150
Срок поставки 2-3 недели
Актуальность: только чтоОграничения: Заказ от 30000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Infineon TechnologiesSPB08P06P G
Infineon Technologies
МОП-транзистор P-CH 60V 8.8A 486
от 10-12 дней
Актуальность: только чтоОграничения: Заказ от 30000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Infineon TechnologiesSPB08P06P G
Infineon Technologies
МОП-транзистор P-CH 60V 8.8A 971
от 10-12 дней
Актуальность: только чтоОграничения: Только ЮЛ, заказ от 5000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Infineon TechnologiesSPB08P06P G
Infineon Technologies
МОП-транзистор P-Ch -60V 8.8A D2PAK-2 18352
от 8 дней
Актуальность: только чтоОграничения: Только ЮЛ и ИП, заказ от 30000 руб., работаем только с производственными организациями.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Infineon TechnologiesSPB08P06P G
Infineon Technologies
МОП-транзистор P-CH 60V 8.8A 2793
От 8 дней
Актуальность: только чтоОграничения: Заказ от 30000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Infineon TechnologiesSPB08P06P G
Infineon Technologies
МОП-транзистор P-Ch -60V 8.8A D2PAK-2 1837
От 7 дней
Актуальность: только чтоОграничения: Только ЮЛ и ИП, заказ от 50000 руб., работаем только с производственными компаниями.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Infineon TechnologiesSPB08P06P G
Infineon Technologies
МОП-транзистор P-CH 60V 8.8A 2421
от 7 дней
Актуальность: 19 марта 2025 г.Ограничения: Заказ от 5000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
VBsemiSPB08P06PG
VBsemi
7955
2-3 недели
Актуальность: 15 апреля 2024 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Infineon Technologies AGSPB08P06P G
Infineon Technologies AG
3150
3-4
Актуальность: только чтоОграничения: Только ЮЛ и ИП.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
InfineonSPB08P06P G
Infineon
Артикул:SPB08P06P G
Минимальный заказ:1 штука
от 2.2 $
  • 1+2.6 $
  • 10+2.5 $
  • 100+2.4 $
  • 1000+2.2 $
0
6-8 недель при наличии на складе
Актуальность: только что
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
INFINEONSPB08P06P G
INFINEON
MOSFET, P-CH, 60V, 8.8A, TO-263
от 50.66 р.
  • 1+76.9 р.
  • 25+70.75 р.
  • 100+64.96 р.
  • 250+59.89 р.
  • 500+55.01 р.
  • 1000+50.66 р.
под заказ
4-6 недель
заказать
Infineon TechnologiesSPB08P06P G
Infineon Technologies
МОП-транзистор P-Ch -60V 8.8A D2PAK-2
от 82.78 р.
  • 1+222.78 р.
  • 10+177.55 р.
  • 100+130.05 р.
  • 500+124.4 р.
  • 1000+97.48 р.
  • 2000+82.78 р.
под заказ
4-6 недель
заказать
INFINEON TECHNOLOGIESSPB08P06PGATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -8,8А; 42Вт; PG-TO263-3
от 40.1 р.
  • 1+79.16 р.
  • 3+57.57 р.
  • 10+46.26 р.
  • 100+40.1 р.
под заказ
4-6 недель
заказать
Актуальность: только чтоОграничения: Заказ от 1000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
VBSEMISPB08P06PG-VB
VBSEMI
34.7 р.
  • 1000+34.7 р.
4 нед.
Актуальность: только чтоОграничения: Заказ от 1000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Infineon TechnologiesSPB08P06PGATMA1
Infineon Technologies
Артикул:2156-SPB08P06PGATMA1
12V-250V P-CHANNEL POWER MOSFET 0
по запросу
заказать
Infineon TechnologiesSPB08P06P
Infineon Technologies
Артикул:SPB08P06P-ND
MOSFET P-CH 60V 8.8A TO263-3 0
по запросу
заказать
Бастион ЭКг. Санкт-Петербургпоказать информацию
Актуальность: только что
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Infineon TechnologiesSPB08P06PGATMA1
Infineon Technologies
Артикул:2156-SPB08P06PGATMA1
12V-250V P-CHANNEL POWER MOSFET 0
по запросу
заказать
Infineon TechnologiesSPB08P06P
Infineon Technologies
Артикул:SPB08P06P-ND
MOSFET P-CH 60V 8.8A TO263-3 0
по запросу
заказать
Актуальность: 22 мая 2024 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
InfineonSPB08P06PG
Infineon
Корпус:6002
Минимальный заказ:22+
Актуальность: 30 июня 2025 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
INFINEON TECHNOLOGIES AGSPB08P06P G
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Дата изготовления:24+
STOCK
INFINEON TECHNOLOGIES AGSPB08P06PGATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Дата изготовления:24+
STOCK
INFINEON TECHNOLOGIES AGSPB08P06PGXT
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Дата изготовления:24+
STOCK
Актуальность: 26 июня 2025 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
INFINEONSPB08P06PG
INFINEON
Корпус:TO-263
Дата изготовления:09+
IRSPB08P06PG MOS()
IR
Корпус:TO263
Дата изготовления:14+16
Актуальность: только чтоОграничения: Заказ от 3000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Infineon TechnologiesSPB08P06P G
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-263 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 6.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 420pF @
10-14 дней
Актуальность: только чтоОграничения: Только ЮЛ, заказ от 3000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Infineon TechnologiesSPB08P06P G
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-263 Серия: SIPMOS® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 6.2A, 10V · Drain to Source Voltage (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V · Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 8.8A · Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 420pF @
10-14 дней
Актуальность: только чтоОграничения: Заказ от 10 000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
InfineonSPB08P06P G
Infineon
Trans MOSFET P-CH 60V 8.8A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R.
От 5 недель
Актуальность: только чтоОграничения: Только ЮЛ, заказ от 10000 руб., не торговые организации.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Infineon TechnologiesSPB08P06P G
Infineon Technologies
МОП-транзистор P-CH 60V 8.8A
20-30 дней
Infineon Technologies AGSPB08P06PG
Infineon Technologies AG
SIPMOS Power-Transistor
от 3 недель
Infineon TechnologiesSPB08P06PGATMA1
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-263
20-30 дней
Актуальность: только чтоОграничения: Только ЮЛ, заказ от 3000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
INFINEON TECHNOLOGIES AGSPB08P06PGATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Trans MOSFET P-CH 60V 8.8A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
3-5 недель
заказать
Infineon Technologies AGSPB08P06PG
Infineon Technologies AG
SIPMOS Power-Transistor
от 3 недель
заказать
Infineon TechnologiesSPB08P06PGATMA1
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-263
3-5 недель
заказать
Актуальность: 8 октября 2024 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
INFINEON TECHNOLOGIES AGSPB08P06P G
INFINEON TECHNOLOGIES AG
да
Москва - 2-3 недели
INFINEON TECHNOLOGIES AGSPB08P06PGATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES AG
да
Москва - 2-3 недели
INFINEON TECHNOLOGIES AGSPB08P06PGXT
INFINEON TECHNOLOGIES AG
да
Москва - 2-3 недели
Актуальность: 30 марта 2025 г.Ограничения: Заказ от 10000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Infineon TechnologiesSPB08P06PGATMA1
Infineon Technologies
2-5 Дня
Ди Туг. Санкт-Петербургпоказать информацию
Актуальность: 26 июня 2025 г.Ограничения: Заказ от 500 USD.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
INFSPB08P06PGXT
INF
4 недели
Актуальность: только чтоОграничения: Заказ от 300 USD.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
InfineonSPB08P06P G
Infineon
от 3-4 недель
Актуальность: только чтоОграничения: Заказ от 5000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Infineon TechnologiesSPB08P06P G
Infineon Technologies
МОП-транзистор P-Ch -60V 8.8A D2PAK-2 7-14 дней
Актуальность: только чтоОграничения: Только ЮЛ, только безнал, заказ от 1000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
INFINEONSPB08P06PG
INFINEON
11 (3-4 недели)заказать
INFINEONSPB08P06P G
INFINEON
7.3A 600 0, условия поставки по запросузаказать
Актуальность: только чтоОграничения: Заказ от 5000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Не указанSPB08P06P G
Не указан
2-3 недели
Актуальность: 5 марта 2024 г.Ограничения: Заказ от 5000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
SPB08P06PGATMA1
5-7 дней
Актуальность: 26 марта 2025 г.Ограничения: Только ЮЛ, заказ от 5000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Infineon technologiesSPB08P06PGXT
Infineon technologies
Актуальность: 10 августа 2023 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Infineon TechnologiesSPB08P06P G
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-263 in shenzhen and in hongkong
Актуальность: 27 июня 2025 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Infineon TechnologiesSPB08P06PGATMA1
Infineon Technologies
Актуальность: 3 апреля 2025 г.Ограничения: Заказ от 100 USD.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
SPB08P06P G
3-4 недели
Миконг. Санкт-Петербургпоказать информацию
Актуальность: только чтоОграничения: Заказ от 5000 USD, Только конечные заказчики.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
SPB08P06PGATMA1 The SPB08P06P G is an OptiMOS™ P-channel Power MOSFET consistently meets the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as ON-state resistance and figure of merit characteristics. \t\t \t\t \t\t <ul под заказ
3-7 недель
SPB08P06P G MOSFET силовой транзистор - [TO-263-3]; Тип: P; Uси: 60 В; Iс(25°C): 80 А; Rси(вкл): 0.23 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 10 нКл под заказ
3-7 недель
Элгетг. Нижний Новгородпоказать информацию
Актуальность: только чтоОграничения: Заказ от 10000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
Infineon TechnologiesSPB08P06P G
Infineon Technologies
5-7 дней
SPB08P06P G 5-7 дней
INFINEONSPB08P06P G
INFINEON
5-7 дней
Актуальность: только чтоОграничения: Только ЮЛ, заказ от 50000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
SPB08P06P G Минимальный заказ от 1 штуки. New and Original есть
Актуальность: 30 июня 2025 г.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
SPB08P06PG,Focus on Military/ Aerospace/ industrial please c
Аспектг. Санкт-Петербургпоказать информацию
Актуальность: только чтоОграничения: Только ЮЛ, работаем только с производственными организациями
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
SPB08P06P G от 7 дней
Актуальность: только чтоОграничения: Только ЮЛ, заказ от 2000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
SPB08P06P G от 7 дней
Chipcontactг. Санкт-Петербургпоказать информацию
Актуальность: только чтоОграничения: Только ЮЛ, заказ от 3000 руб.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
INFINEON TECHNOLOGIESSPB08P06PGXT
INFINEON TECHNOLOGIES
500
от 2 нед.
Интэлкомг. Санкт-Петербургпоказать информацию
Актуальность: только чтоОграничения: Только ЮЛ, только безнал.
ПроизводительНаименованиеИнформацияЦеныСклад 
InfineonSPB08P06P G
Infineon
5-10 дн
Поискать SPB08P06P G в eInfo.ru · ChipFind.ru · FindChips · Google · BrokerForum · HKin.com
Документация на «SPB08P06P G»
Аналоги для «SPB08P06P G»
2002— «ЭтЛайт»
Администрация: +7 (812) 309-50-30, client@efind.ru
Расширение для браузера · Телеграм-бот · Аналитика · English version
KRDAl4kiQlHiJlBT 0701
01-07-2025 18:31:57