| Производитель |
Наименование |
Информация |
Цены |
Склад |
|
Texas |
SN75LVDS84ADGG
|
Передатчик Flatlink, 3 7-битных сериалайзера LVDS, исп-ся для упр-я SVGA, XGA, SXGA TFT дисплеев |
|
8 |
|
ONS |
FQD1N80TM
|
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 1А 20 Ом, 45Вт |
|
219 |
|
STM |
STCL1100YBFCWY5
|
Генератор кварцевый 10МГц, 4.5 - 5.5В, микропотребляющий, -20 - +85, точность 1.5% |
|
1667 |
|
STM |
STCL1120YBFCWY5
|
Генератор кварцевый 12МГц, 4.5 - 5.5В, микропотребляющий, -20 - +85, точность 1.5% |
|
2285 |
|
STM |
STP100NF04
|
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 120A |
|
63 |
|
STM |
DALC208SC6
|
диодная защита для 4-х линий данных |
|
915 |
|
STM |
STP140NF75
|
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 120A |
|
17 |
|
STM |
ETP01-1621RL
|
Тиристор защитный 16В 8A 8-Pin SO N лента на катушке |
|
1620 |
|
STM |
ETP01-2821RL
|
Тиристор защитный 28В 8A 8-Pin SO N лента на катушке |
|
289 |
|
STM |
STP55NF06
|
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 55А 150Вт |
|
2350 |
|
WeEn |
BT151-650R,127
|
Тиристор 650В 12А 15мА |
|
596 |
|
STM |
STP55NF06FP
|
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50A |
|
321 |
|
STM |
STP11NK40ZFP
|
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 9А 30Вт |
|
126 |
|
STM |
STP17NK40ZFP
|
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 15А 35Вт |
|
38 |
|
STM |
STB6NK60ZT4
|
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6А 110Вт |
|
833 |
|
STM |
STD5NK50ZT4
|
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 4.4А 70Вт |
|
1186 |
|
STM |
STP10NK60Z
|
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 10А 115Вт |
|
3333 |
|
STM |
STP14NK50ZFP
|
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 14А 35Вт |
|
129 |
|
STM |
STP15NK50ZFP
|
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 14А 40Вт |
|
80 |
|
STM |
STP9NK50Z
|
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 7.2А, 110Вт |
|
227 |
|
STM |
STW20NK50Z
|
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 17А 190Вт |
|
1262 |
|
STM |
STP10NK80Z
|
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 9А 160Вт |
|
265 |
|
STM |
STP4NK80ZFP
|
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 3А 25Вт |
|
179 |
|
STM |
STP9NK90Z
|
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 8А 160Вт |
|
68 |
|
STM |
STW4N150
|
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1500В 4А 160Вт |
|
1173 |
|
STM |
STD17NF03LT4
|
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 0.055 Ом, 17А 30Вт |
|
4519 |
|
STM |
STD30NF06LT4
|
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 35А 0.022 Ом, 70Вт |
|
500 |
|
STM |
STD20NF06T4
|
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 24A |
|
74 |
|
MW |
LPV-20-12
|
AC-DC, 20Вт, IP67, вход 90…264В AC, выход 12В/1.67A, изоляция 3000В AC, в кожухе 118х35х26мм, -30…+70°С |
|
5 |
|
MW |
LPV-35-12
|
AC-DC, 36Вт, IP67, вход 90…264В AC, выход 12В/3А,изоляция 3000В AC, в кожухе 148х40х30мм, -30…+75°С |
|
6 |
|
YAGEO |
CLH1005T-18NK-N
|
Многослойная керамическая индуктивность SMD 0402 18nH ±10%, 300mA |
|
231 |
|
YAGEO |
CLH1005T-1N8S-N
|
Многослойная керамическая индуктивность SMD 0402 1.8nH ±0.3nH, 400mA |
|
60694 |
|
YAGEO |
CLH1005T-22NK-N
|
Многослойная керамическая индуктивность SMD 0402 22nH ±10%, 300mA |
|
35883 |
|
YAGEO |
CLH1005T-2N4S-N
|
Многослойная керамическая индуктивность SMD 0402 2.4nH ±0.3nH, 400mA |
|
2647 |
|
YAGEO |
CLH1005T-39NJ-N
|
Многослойная керамическая индуктивность SMD 0402 39nH ±5%, 150mA |
|
8162 |
|
YAGEO |
CLH1005T-5N1S-N
|
Многослойная керамическая индуктивность SMD 0402 5.1nH ±0.3nH, 400mA |
|
16636 |
|
YAGEO |
CLH1005T-7N5J-N
|
Многослойная керамическая индуктивность SMD 0402 7.5nH ±5%, 400mA |
|
21445 |
|
YAGEO |
CLH1005T-15NJ-N
|
Многослойная керамическая индуктивность SMD 0402 15nH ±5%, 300mA |
|
2925 |
|
YAGEO |
CLH1005T-1N2S-N
|
Многослойная керамическая индуктивность SMD 0402 1.2nH ±0.3nH, 400mA |
|
7233 |
|
YAGEO |
CLH1005T-22NJ-N
|
Многослойная керамическая индуктивность SMD 0402 22nH ±5%, 300mA |
|
15109 |
|
YAGEO |
CLH1005T-3N9K-N
|
Многослойная керамическая индуктивность SMD 0402 3.9nH ±10%, 400mA |
|
30165 |
|
Taizhou |
5000kHz 30ppm 20pF
|
Резонатор кварцевый 5000кГц 30ppm, 20пФ, корпус HC-49/S, -20...+60°C |
|
1539 |
|
STM |
SPZB260-PRO
|
Трансивер SPI-ZigBee |
|
79 |
|
AIMTEC |
AM2G-2403SZ
|
DC/DC, 1.65Вт, вход 18…36В, выход 3.3В/0.5А, изоляция 1000В DC, КПД 70%, максимальная емкостная нагрузка не более 3300мкФ, вход On/Off, SIP8, 21.85x9.2x11.1мм, -40…85°C, пластик |
|
48 |
|
AIMTEC |
AM2G-2405SZ
|
DC/DC, 2Вт, вход 18…36В, выход 5В/0.4А, изоляция 1000В DC, КПД 77%, максимальная емкостная нагрузка не более 3300мкФ, вход On/Off, SIP8, 21.85x9.2x11.1мм, -40…85°C, пластик |
|
253 |
|
AIMTEC |
AM2G-4805SZ
|
DC/DC, 2Вт, вход 36…72В, выход 5В/0.4А, изоляция 1000В DC, КПД 74%, максимальная емкостная нагрузка не более 3300мкФ, вход On/Off, SIP8, 21.85x9.2x11.1мм, -40…85°C, пластик |
|
76 |
|
Shinhom |
RM5 BBN 1S 2+2
|
Каркас горизонтальный для сердечника RM5, 4 вывода |
|
6926 |
|
STM |
STP10NK80ZFP
|
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 9А 40Вт |
|
460 |
|
Pro'sKit |
SD-2310
|
Удобный набор бит из 100 элементов: 96 насадок, магнитного держателя, удлинителя, переходника, ограничителя. |
|
3 |
|
YAGEO |
CC1206JRNPOBBN331
|
Керамический ЧИП-конденсатор 1206 NP0 330пФ ±5% 500В |
|
10679 |