| Производитель |
Наименование |
Информация |
Цены |
Склад |
|
NEX |
BAS70-04,215
|
Диод Шоттки х2 70V 0.07A 0.41V послед. соед. |
|
7526 |
|
STM |
STTH112U
|
Диод импульсный 1200В 1А |
|
75114 |
|
STM |
STTH1210D
|
Диод импульсный 1000V 12А 48нс |
|
35 |
|
STM |
STM32F105RBT6
|
ARM Cortex M3 MCU 72МГц, 128кб Flash, 32кб ОЗУ, 2x SPI, 2x I2C audio class, 3xUSART, USB OTG, 2xCAN 2.0B, 2xАЦП 16 каналов. |
|
525 |
|
TDK |
SLF12565T-4R2N5R5-PF
|
ЧИП-индуктивность силовая 4.2мкГн, 7.3A, по постоянному току 15мОм 12,5x12,5мм |
|
490 |
|
TDK |
CLF10040T-1R5N
|
ЧИП-индуктивность силовая 1.5мкГн, 10.6A, по постоянному току 7.1мОм 10x10x3.8мм |
|
179 |
|
STM |
LIS3DHTR
|
Акселерометр 3-х осевой MEMS цифровой 11мкА рабочий режим, 2мкА спящий режим |
|
11902 |
|
TDK |
VLCF4028T-471MR14-2
|
ЧИП-индуктивность силовая 470мкГн, 0.14A, по постоянному току 4580мОм 4x4x2.8мм |
|
48 |
|
TDK |
VLCF4028T-220MR72-2
|
ЧИП-индуктивность силовая 22мкГн, 0.72A, по постоянному току 240мОм 4x4x2.8мм |
|
1887 |
|
TDK |
VLCF4028T-100M1R0-2
|
ЧИП-индуктивность силовая 10мкГн, 1.06A, по постоянному току 140мОм 4x4x2.8мм |
|
390 |
|
TDK |
VLCF4028T-4R7N1R5-2
|
ЧИП-индуктивность силовая 4.7мкГн, 1.57A, по постоянному току 62мОм 4x4x2.8мм |
|
2077 |
|
TDK |
VLCF4028T-1R2N2R7-2
|
ЧИП-индуктивность силовая 1.2мкГн, 2.71A, по постоянному току 32мОм 4x4x2.8мм |
|
120 |
|
TDK |
VLCF4028T-101MR33-2
|
ЧИП-индуктивность силовая 100мкГн, 0.33A, по постоянному току 1000мОм 4x4x2.8мм |
|
1400 |
|
TDK |
SLF10145T-152MR22-PF
|
ЧИП-индуктивность силовая 1500мкГн, 0.22A, по постоянному току 3400мОм 10x10мм |
|
2380 |
|
TDK |
SLF10145T-102MR29-PF
|
ЧИП-индуктивность силовая 1000мкГн, 0.32A, по постоянному току 2800мОм 10x10мм |
|
193 |
|
TDK |
SLF10145T-471MR47-PF
|
ЧИП-индуктивность силовая 470мкГн, 0.47A, по постоянному току 1030мОм 10x10мм |
|
823 |
|
TDK |
SLF10145T-221MR65-PF
|
ЧИП-индуктивность силовая 220мкГн, 0.65A, по постоянному току 470мОм 10x10мм |
|
1032 |
|
TDK |
SLF10145T-101M1R0-PF
|
ЧИП-индуктивность силовая 100мкГн, 1A, по постоянному току 200мОм 10x10мм |
|
3082 |
|
TDK |
SLF10145T-470M1R4-PF
|
ЧИП-индуктивность силовая 47мкГн, 1.4A, по постоянному току 100мОм 10x10мм |
|
520 |
|
TDK |
SLF10145T-220M1R9-PF
|
ЧИП-индуктивность силовая 22мкГн, 2.1A, по постоянному току 59мОм 10x10мм |
|
251 |
|
TDK |
SLF10145T-100M2R5-PF
|
ЧИП-индуктивность силовая 10мкГн, 3A, по постоянному току 36мОм 10x10мм |
|
207 |
|
TDK |
SLF10145T-3R3N3R7-PF
|
ЧИП-индуктивность силовая 3.3мкГн, 4.9A, по постоянному току 16мОм 10x10мм |
|
648 |
|
TDK |
SLF6045T-220M1R1-3PF
|
ЧИП-индуктивность силовая 22мкГн, 1.1A, по постоянному току 82мОм 6x6мм |
|
3824 |
|
TDK |
SLF6045T-6R8N2R0-3PF
|
ЧИП-индуктивность силовая 6.8мкГн, 2A, по постоянному току 33мОм 6x6мм |
|
1923 |
|
TDK |
SLF6045T-3R3N2R8-3PF
|
ЧИП-индуктивность силовая 3,3мкГн, 2.8A, по постоянному току 2.2мОм 6x6мм |
|
1500 |
|
TDK |
SLF6045T-1R5N4R0-3PF
|
ЧИП-индуктивность силовая 1.5мкГн, 4A, по постоянному току 16мОм 6x6мм |
|
1898 |
|
TDK |
NLCV32T-4R7M-PF
|
ЧИП-индуктивность развязки 1210 4.7мкГн, 620мА, по постоянному току 200мОм |
|
1440 |
|
TDK |
NLCV32T-100K-PF
|
ЧИП-индуктивность развязки 1210 10мкГн, 450мА, по постоянному току 360мОм |
|
3542 |
|
TDK |
NLCV32T-150K-PF
|
ЧИП-индуктивность развязки 1210 15мкГн, 370мА, по постоянному току 560мОм |
|
4415 |
|
TDK |
NLCV32T-330K-PF
|
ЧИП-индуктивность развязки 1210 33мкГн, 240мА, по постоянному току 1100мОм |
|
3250 |
|
TDK |
NLCV32T-680K-PF
|
ЧИП-индуктивность развязки 1210 68мкГн, 140мА, по постоянному току 2800мОм |
|
2000 |
|
TDK |
NLCV32T-101K-PF
|
ЧИП-индуктивность развязки 1210 100мкГн, 120мА, по постоянному току 3700мОм |
|
336 |
|
TDK |
NLCV32T-331K-PF
|
ЧИП-индуктивность развязки 1210 330мкГн, 70мА, по постоянному току 12300мОм |
|
5025 |
|
TDK |
MLP2520S1R0ST
|
ЧИП-индуктивность силовая 1008 1мкГн, 1500мА, по постоянному току 80мОм |
|
1835 |
|
STM |
STTH1602CG-TR
|
Диод х2 200V 2*10A 21ns UltraFast |
|
1000 |
|
ONS |
1SS400T1G
|
Диод выпрямительный общего применения 100В 0.2А |
|
13068 |
|
TDK |
MLZ2012N1R0LT
|
Индуктивность SMD силовая экранированная многослойная 1мкГн ±20% 2МГц феррит 1.15A 78мОм по постоянному току 0805 лента на катушке |
|
1741 |
|
TDK |
MLZ2012N2R2LT
|
Индуктивность SMD силовая экранированная многослойная 2.2мкГн ±20% 2МГц феррит 800мА 156мОм по постоянному току 0805 лента на катушке |
|
1393 |
|
TDK |
MLZ2012N4R7LT
|
ЧИП-индуктивность многослойная экранированная 4.7мкГн ±20% 2МГц феррит 600мА 234мОм по постоянному току 0805 лента на катушке |
|
1964 |
|
TDK |
MLZ2012N100LT
|
ЧИП-индуктивность многослойная экранированная 10мкГн ±20% 2МГц феррит 0.5A 0.39Ом по постоянному току 0805 лента на катушке |
|
14045 |
|
TDK |
MLZ2012N220LT
|
ЧИП-индуктивность многослойная экранированная 22мкГн ±20% 2МГц феррит 300мА 871мОм по постоянному току 0805 лента на катушке |
|
4464 |
|
TDK |
MLZ2012M470WT
|
ЧИП-индуктивность многослойная экранированная 47мкГн ±20% 2МГц феррит 0.17A 4.81Ом по постоянному току 0805 лента на катушке |
|
5780 |
|
TDK |
MLZ2012N101LT
|
ЧИП-индуктивность многослойная экранированная 100мкГн ±20% 2МГц феррит 0.14A 4.55Ом по постоянному току 0805 лента на катушке |
|
8230 |
|
STM |
STTH1R06A
|
Диод импульсный 600В 1А |
|
344 |
|
EPCOS |
B82477P4223M
|
ЧИП-индуктивность экранированная 22мкГн ±20%, 4.15A, 35мОм |
|
188 |
|
STM |
STTH1R06U
|
Диод импульсный 600В 1А |
|
2387 |
|
Galaxy ME |
1N4745A (16V)
|
Стабилитрон 1.0Вт 16В |
|
773 |
|
NEX |
PDTC144ET,215
|
Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 230 МГц, 47 кОм+47 кОм |
|
10939 |
|
Eaglerise |
EPS060-24
|
Преобразователь AC/DC на DIN-рейку, 60Вт |
|
2 |
|
EPCOS |
B88069X2140S102
|
8x8mm 800V +-15% 10kA/10A 2-х элек. A71H08X |
|
615 |