| Производитель |
Наименование |
Информация |
Цены |
Склад |
|
CYPRESS |
FM24CL04B-GTR
|
Сегнетоэлектрическое ОЗУ 4кбит 1МГц 8SOIC |
|
326 |
|
CYPRESS |
FM24CL16B-GTR
|
Сегнетоэлектрическое ОЗУ 16Kбит 1МГц SRL 8SOIC |
|
10876 |
|
CYPRESS |
FM24V05-GTR
|
Сегнетоэлектрическое ОЗУ 512кбит 3.4МГц шина I2C 8SOIC |
|
1650 |
|
CYPRESS |
FM24V10-GTR
|
Сегнетоэлектрическое ОЗУ 1Mбит 3.4МГц шина I2C 8SOIC |
|
529 |
|
CYPRESS |
FM25040B-GTR
|
Сегнетоэлектрическое ОЗУ 4кбит 20МГц шина SPI 8SOIC |
|
1796 |
|
CYPRESS |
FM25C160B-GTR
|
Сегнетоэлектрическое ОЗУ 16кбит 20МГц шина SPI 8SOIC |
|
699 |
|
CYPRESS |
FM25CL64B-GTR
|
Сегнетоэлектрическое ОЗУ 64кбит 20МГц шина SPI 8SOIC |
|
7088 |
|
CYPRESS |
FM25L04B-GTR
|
Сегнетоэлектрическое ОЗУ 4кбит 20МГц шина SPI 8SOIC |
|
2375 |
|
CYPRESS |
FM25V05-GTR
|
Сегнетоэлектрическое ОЗУ 512Kбит 40МГц шина SPI 8SOIC |
|
367 |
|
CYPRESS |
FM25W256-GTR
|
Сегнетоэлектрическое ОЗУ 256кбит 20МГц шина SPI 8SOIC |
|
4605 |
|
CYPRESS |
FM28V020-SGTR
|
Сегнетоэлектрическое ОЗУ 256кбит 70нс 28SOIC |
|
394 |
|
CYPRESS |
FM28V100-TGTR
|
Сегнетоэлектрическое ОЗУ 1Mбит 60нсек 32TSOP |
|
278 |
|
DIODES |
FMMT495TA
|
Биполярный транзистор, NPN, 150 В, 1 А |
|
1288 |
|
DIODES |
FMMT560TA
|
Биполярный транзистор, PNP, 500 В, 0.15 А |
|
2267 |
|
DIODES |
FMMT591TA
|
Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 1 А |
|
4004 |
|
DIODES |
FMMT597TA
|
Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 0.2 А |
|
11913 |
|
DIODES |
FMMT617TA
|
Биполярный транзистор, NPN, 15 В, 3 А |
|
49 |
|
DIODES |
FMMT619TA
|
Биполярный транзистор, NPN, 50 В, 2 А, 0.625Вт |
|
2728 |
|
DIODES |
FMMT718TA
|
Биполярный транзистор, PNP, 20 В, 1.5 А 625 мВт |
|
5854 |
|
DIODES |
FMMTA92TA
|
Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 0.2 А |
|
8762 |
|
ONS |
FOD053L
|
Оптопара двухканальная транзисторный выход постоянного тока c выводом базы 8-Pin SOIC N рейка |
|
200 |
|
ONS |
FOD3120SD
|
Оптопара драйвер затвора 5кВ 8SMDIP |
|
284 |
|
ONS |
FOD814A300
|
Оптоизолятор 5кВ транзисторный выход 4DIP |
|
826 |
|
ONS |
FOD814ASD
|
Оптоизолятор 5кВ транзисторный выход 4SMD |
|
6481 |
|
ONS |
FOD817A300
|
Оптоизолятор 5кВ транзисторный выход 4DIP |
|
1000 |
|
ONS |
FOD817A300W
|
Оптоизолятор 5кВ транзисторный выход 4DIP |
|
797 |
|
ONS |
FOD817A3SD
|
Оптоизолятор 5кВ транзисторный выход 4SMD |
|
840 |
|
ONS |
FOD817B300
|
Оптоизолятор 5кВ транзисторный выход 4DIP |
|
700 |
|
ONS |
FOD817C300
|
Оптоизолятор 5кВ транзисторный выход 4DIP |
|
5700 |
|
ONS |
FOD817C300W
|
Оптоизолятор 5кВ транзисторный выход 4DIP |
|
1077 |
|
ONS |
FOD817C3SD
|
Оптоизолятор 5кВ транзисторный выход 4SMD |
|
1590 |
|
ONS |
FOD817D3SD
|
Оптоизолятор 5кВ транзисторный выход 4SMD |
|
471 |
|
ONS |
FOD817DSD
|
Оптоизолятор 5кВ транзисторный выход 4SMD |
|
2840 |
|
ONS |
FOD817SD
|
Оптоизолятор 5кВ транзисторный выход 4SMD |
|
495 |
|
ONS |
FODM121A
|
Оптоизолятор 3.75кВ транзисторный выход 4SMD |
|
750 |
|
ONS |
FODM121AR2V
|
Оптоизолятор 3.75кВ транзисторный выход 4SMD |
|
1452 |
|
ONS |
FODM124R2
|
Оптоизолятор 3.75кВ транзисторный выход 4SMD |
|
281 |
|
INF |
FP40R12KT3
|
Силовой модуль IGBT N-канальный 1200В 55А 210Вт 24-Pin ECONO2-5 лоток |
|
28 |
|
ONS |
FPF1320UCX
|
Силовой ключ расширенный 6WLCSP |
|
116 |
|
ONS |
FQA11N90C_F109
|
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 11A |
|
30 |
|
ONS |
FQA13N80_F109
|
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 12.6A |
|
33 |
|
ONS |
FQA70N10
|
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 70А 214Вт |
|
88 |
|
ONS |
FQA9N90C_F109
|
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 9А 280Вт |
|
66 |
|
ONS |
FQB12P20TM
|
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 11.5A |
|
100 |
|
ONS |
FQD19N10LTM
|
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 15.6A |
|
6 |
|
ONS |
FQD3P50TM
|
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 500В 2.1A |
|
103 |
|
ONS |
FQP12P20
|
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 11.5A |
|
123 |
|
ONS |
FQP22N30
|
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 300В 21А 170Вт |
|
36 |
|
ONS |
FQP32N20C
|
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 28A |
|
250 |
|
ONS |
FQP50N06L
|
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 52.4A |
|
35 |