| Производитель |
Наименование |
Информация |
Цены |
Склад |
|
MURATA |
LQM21NN1R0K10D
|
Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 10МГц 1мкГн ±10% 50мА 0,4Ом по постоянному току |
|
8140 |
|
MURATA |
LQM21NN3R3K10L
|
Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 10МГц 3,3мкГн ±10% 30мА 0,8Ом по постоянному току |
|
1171 |
|
MURATA |
LQM21NNR10K10D
|
Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 25МГц 100нГн ±10% 250мА 0,26Ом по постоянному току |
|
16583 |
|
MURATA |
LQM21NNR15K10D
|
Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 25МГц 150нГн ±10% 250мА 0,32Ом по постоянному току |
|
3044 |
|
MURATA |
LQM21NNR22K10D
|
Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 25МГц 220нГн ±10% 250мА 0,38Ом по постоянному току |
|
349 |
|
MURATA |
LQM21NNR47K10D
|
Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 25МГц 470нГн ±10% 200мА 0,57Ом по постоянному току |
|
9173 |
|
MURATA |
LQM2HPN2R2MG0L
|
Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 2,2мкГн ±20% 1300мА 0,1Ом по постоянному току |
|
22249 |
|
MURATA |
LQM31PN1R0M00L
|
Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 1мкГн ±20% 1200мА 0,15Ом по постоянному току |
|
2636 |
|
MURATA |
LQW15AN10NJ00D
|
Проволочная SMD индуктивность 10нГн ±5% 500мА 0.17Ом по постоянному току |
|
20584 |
|
MURATA |
LQW15AN12NJ00D
|
Проволочная SMD индуктивность 12нГн ±5% 500мА 140мОм по постоянному току |
|
19500 |
|
MURATA |
LQW15AN18NJ00D
|
Проволочная SMD индуктивность 18нГн ±5% 370мА 270мОм по постоянному току |
|
9560 |
|
MURATA |
LQW15AN3N3D10D
|
Проволочная SMD индуктивность 3,3нГн ±0,5нГн 900мА 40мОм по постоянному току |
|
9331 |
|
MURATA |
LQW15AN5N6C10D
|
Проволочная SMD индуктивность 5,6нГн ±0,2нГн 800мА 51мОм по постоянному току |
|
19207 |
|
MURATA |
LQW18AN10NG00D
|
Проволочная SMD индуктивность 10нГн ±2% 650мА 110мОм по постоянному току |
|
13133 |
|
MURATA |
LQW18AN10NJ00D
|
Проволочная SMD индуктивность 10нГн ±5% 650мА 110мОм по постоянному току |
|
8297 |
|
MURATA |
LQW18AN15NG00D
|
Проволочная SMD индуктивность 15нГн ±2% 600мА 130мОм по постоянному току |
|
6746 |
|
MURATA |
LQW18AN15NJ00D
|
Проволочная SMD индуктивность 15нГн ±5% 600мА 130мОм по постоянному току |
|
5932 |
|
MURATA |
LQW18AN22NG00D
|
Проволочная SMD индуктивность 22нГн ±2% 500мА 170мОм по постоянному току |
|
2715 |
|
MURATA |
LQW18AN33NG00D
|
Проволочная SMD индуктивность 33нГн ±2% 420мА 230мОм по постоянному току |
|
16 |
|
MURATA |
LQW18AN33NJ00D
|
Проволочная SMD индуктивность 33нГн ±5% 420мА 230мОм по постоянному току |
|
2806 |
|
MURATA |
LQW18AN39NG00D
|
Проволочная SMD индуктивность 39нГн ±2% 400мА 260мОм по постоянному току |
|
3765 |
|
MURATA |
LQW18AN47NG00D
|
Проволочная SMD индуктивность 47нГн ±2% 380мА 290мОм по постоянному току |
|
185 |
|
MURATA |
LQW18AN56NG00D
|
Проволочная SMD индуктивность 56нГн ±2% 360мА 350мОм по постоянному току |
|
7000 |
|
MURATA |
LQW18AN56NJ00D
|
Проволочная SMD индуктивность 56нГн ±5% 360мА 350мОм по постоянному току |
|
4198 |
|
MURATA |
LQW18AN5N6C00D
|
Проволочная SMD индуктивность 5,6нГн ±0,2нГн 750мА 82мОм по постоянному току |
|
9110 |
|
MURATA |
LQW18AN68NG00D
|
Проволочная SMD индуктивность 68нГн ±2% 340мА 380мОм по постоянному току |
|
10507 |
|
MURATA |
LQW18AN82NG00D
|
Проволочная SMD индуктивность 82нГн ±2% 250мА 600мОм по постоянному току |
|
8877 |
|
MURATA |
LQW18AN8N2D00D
|
Проволочная SMD индуктивность 8,2нГн ±0,5нГн 650мА 110мОм по постоянному току |
|
11171 |
|
MURATA |
LQW18ANR10G00D
|
Проволочная SMD индуктивность 100нГн ±2% 220мА 680мОм по постоянному току |
|
2400 |
|
MURATA |
LQW18ANR10J00D
|
Проволочная SMD индуктивность 100нГн ±5% 220мА 680мОм по постоянному току |
|
5039 |
|
MURATA |
LQW18ANR12G00D
|
Проволочная SMD индуктивность 120нГн ±2% 180мА 1,3Ом по постоянному току |
|
3928 |
|
MURATA |
LQW18ANR22G00D
|
Проволочная SMD индуктивность 220нГн ±2% 120мА 2,5Ом по постоянному току |
|
7368 |
|
MURATA |
LQW18ANR22J00D
|
Проволочная SMD индуктивность 220нГн ±5% 120мА 2,5Ом по постоянному току |
|
2053 |
|
MURATA |
LQW2BHN22NJ03L
|
Проволочная SMD индуктивность 22нГн ±5% 720мА 90мОм по постоянному току |
|
3685 |
|
VISHAY |
LS4148-GS08
|
Диод выпрямительный общего применения 75В 0.15А |
|
71678 |
|
VISHAY |
LTO030F10R00JTE3
|
Мощный толстопленочный резистор 10 Ом 30Вт 5% TO220 |
|
32 |
|
VISHAY |
LTO100F1R000JTE3
|
Мощный толстопленочный резистор 1 Ом 100Вт 5% TO247 |
|
15 |
|
VISHAY |
LVB2560-M3/45
|
Диодный мост 25А 600В |
|
48 |
|
Littelfuse |
LVR025K
|
Самовосстанавливающийся предохранитель PTC 0.25A(hold) 0.56A(trip) 240VDC/240VAC 1.5W 18.5s 1.3Ohm, 9.6 X 3.8 X 18.8mm, радиальные формованные выводы |
|
520 |
|
Littelfuse |
LVR040S
|
Самовосстанавливающийся предохранитель PTC 0.4A(hold) 0.9A(trip) 240V 5.5A 2W 24s 0.6Ohm 11.5 X 3.8 X 19.5 прямые выводы россыпь |
|
293 |
|
STM |
M24256-BWMN6TP
|
Энергонезависимое ППЗУ 256К-бит 1МГц 8SO |
|
275 |
|
STM |
M24512-RMN6TP
|
Энергонезависимое ППЗУ 512К-бит 1МГц 8SO |
|
11138 |
|
STM |
M24512-WMN6TP
|
Энергонезависимое ППЗУ 512К-бит 1МГц 8SO |
|
3447 |
|
STM |
M24C02-RMN6TP
|
Энергонезависимое ППЗУ 2К-бит 400КГц 8SO |
|
5000 |
|
STM |
M24C02-WDW6TP
|
Энергонезависимое ППЗУ 2К-бит 400КГц 8TSSOP |
|
1365 |
|
STM |
M24C02-WMN6TP
|
Энергонезависимое ППЗУ 2К-бит 400КГц 8SO |
|
8020 |
|
STM |
M24C04-WMN6TP
|
Энергонезависимое ППЗУ 4К-бит 400КГц 8SO |
|
2041 |
|
STM |
M24C08-WMN6TP
|
Энергонезависимое ППЗУ 8К-бит 400КГц 8SO |
|
2603 |
|
STM |
M24C32-WMN6TP
|
Энергонезависимое ППЗУ 32К-бит 400КГц 8SO |
|
1351 |
|
STM |
M24C64-RMN6TP
|
Энергонезависимое ППЗУ 64К-бит 400КГц 8SO |
|
2473 |