| Производитель |
Наименование |
Информация |
Цены |
Склад |
|
NEX |
74LVC1G157GW,125
|
мультиплексор 2 в 1 КМОП кристалл, 6TSSOP |
|
3524 |
|
INF |
IRS2153DSTRPBF
|
Драйвер полумостовой с осциллятором 8SOIC |
|
1296 |
|
MAX |
MAX3471EUA+T
|
Приемопередатчик дифференциальный RS485/RS422 |
|
3196 |
|
ONS |
NCV2904DR2G
|
Операционный усилитель, 1 МГц |
|
2464 |
|
MAX |
MAX3485CSA+T
|
Приемопередатчик RS485/RS422 10Мб/сек |
|
183 |
|
MAX |
MAX845ESA+T
|
Драйвер трансформатора изолированный 8-SOIC |
|
252 |
|
INF |
IRF7470TRPBF
|
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 10A |
|
6200 |
|
MAX |
MAX9031AUK+T
|
Компаратор низкое энергопотребление однополярный |
|
2224 |
|
MAX |
MAX4162EUK+T
|
Операционный усилитель, 200 КГц |
|
64 |
|
O2Micro |
OZ9977BGN
|
Контроллер люминесцентной лампы с холодным катодом (CCFL) |
|
56 |
|
WINSTAR |
WG24064A-TFH-TZ#
|
ЖКИ графич, 240 x 64, FSTN Positive/Transfl, подсв. LED Белая, VDD = 5V, -20...+70 C |
|
238 |
|
Энергорезерв, Кыштым |
Лепесток штырь2-1.0-3-11-Л63-00 ГОСТ1684
|
Лепесток-штырь холодная высадка |
|
3698 |
|
COSMO |
KSD225AC8
|
Реле твердотельное для коммутации переменного тока 250В 25А, вход 4-32В DC, изоляция 4кВ, схема перехода через ноль, светодиодный индикатор, нормально открытое, -30...+100°C |
|
144 |
|
MURATA |
LQG15HS1N0S02D
|
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 1нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 1A 70мОм по постоянному току 0402 лента на катушке |
|
20000 |
|
MURATA |
LQG15HS18NJ02D
|
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 18нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 300мА 360мОм по постоянному току 0402 лента на катушке |
|
10477 |
|
MURATA |
LQG15HNR10J02D
|
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 100нГн ± 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 200мА 1.6Ом по постоянному току 0402 лента на катушке |
|
29400 |
|
MURATA |
LQG15HS2N0S02D
|
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 2нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 900мА 90мОм по постоянному току 0402 лента на катушке |
|
4046 |
|
MURATA |
LQG15HS5N1S02D
|
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 5.1нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 650мА 180мОм по постоянному току 0402 лента на катушке |
|
9773 |
|
MURATA |
LQG18HN12NJ00D
|
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 12нГн 5% 100МГц 12Q-Factor Ceramic 600мА 350мОм по постоянному току 0603 лента на катушке |
|
1932 |
|
MURATA |
LQG18HN22NJ00D
|
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 22нГн 5% 100МГц 12Q-Factor Ceramic 500мА 500мОм по постоянному току 0603 лента на катушке |
|
8000 |
|
MURATA |
LQG18HN3N9S00D
|
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 3.9нГн 0.3нГн 100МГц 12Q-Factor Ceramic 900мА 150мОм по постоянному току 0603 лента на катушке |
|
1252 |
|
MURATA |
LQH31MN100K03L
|
Чип индуктивность проволочная неэкранированная 10мкГн ±10% 100мА, 2,5Ом по постоянному току, 1206 лента на катушке |
|
3209 |
|
MURATA |
LQH32CN1R0M33L
|
Чип индуктивность проволочная неэкранированная 1мкГн ±10% 1000мА, 0,06Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке |
|
4766 |
|
MURATA |
LQH32CN220K23L
|
Чип индуктивность проволочная неэкранированная 22мкГн ±10% 250мА, 0,71Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке |
|
2779 |
|
MURATA |
LQH32CN330K53L
|
Чип индуктивность проволочная неэкранированная 33мкГн ±10% 200мА, 1,1Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке |
|
1897 |
|
VISHAY |
IHLP4040DZER2R2M01
|
Индуктивность SMD силовая экранированная проволочная 2.2мкГн ±20% 100кГц порошковое железо 12A 0.009Ом по постоянному току 4040 лента на катушке |
|
777 |
|
MURATA |
LQH32CN6R8M53L
|
Чип индуктивность проволочная неэкранированная 6,8мкГн ±20% 540мА, 0,25Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке |
|
1476 |
|
MURATA |
LQH32MN100K23L
|
Чип индуктивность проволочная неэкранированная 10мкГн ±10% 190мА, 1,8Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке |
|
2255 |
|
MURATA |
LQH32MN1R0M23L
|
Чип индуктивность проволочная неэкранированная 1мкГн ±20% 445мА, 0,5Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке |
|
924 |
|
SUMIDA |
CDRH105RNP-180NC
|
Силовая SMD индуктивность 18мкГн ±30% 3.85A 0.035Ом c магнитным экраном |
|
437 |
|
MURATA |
LQH31MN3R3K03L
|
Чип индуктивность проволочная неэкранированная 3,3мкГн ±10% 130мА, 0,61Ом по постоянному току, 1206 лента на катушке |
|
815 |
|
MURATA |
LQH31MN101K03L
|
Чип индуктивность проволочная неэкранированная 100мкГн ±10% 45мА, 12Ом по постоянному току, 1206 лента на катушке |
|
5 |
|
MURATA |
LQH2MCN100K02L
|
Чип индуктивность проволочная неэкранированная 10мкГн ±10% 225мА, 1,56Ом по постоянному току, 0806 лента на катушке |
|
2591 |
|
MURATA |
LQH32CN220K53L
|
Чип индуктивность проволочная неэкранированная 22мкГн ±10% 250мА, 0,71Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке |
|
120 |
|
MURATA |
LQH32MN220J23L
|
Чип индуктивность проволочная неэкранированная 22мкГн ±5% 150мА, 2,8Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке |
|
758 |
|
MURATA |
LQH32MN221K23L
|
Чип индуктивность проволочная неэкранированная 220мкГн ±10% 65мА, 11,8Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке |
|
2340 |
|
MURATA |
LQH32MN2R2K23L
|
Чип индуктивность проволочная неэкранированная 2,2мкГн ±10% 370мА, 0,8Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке |
|
901 |
|
MURATA |
LQH32MN331K23L
|
Чип индуктивность проволочная неэкранированная 330мкГн ±10% 65мА, 13Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке |
|
9145 |
|
MURATA |
LQH32MN390K23L
|
Чип индуктивность проволочная неэкранированная 39мкГн ±10% 110мА, 3,9Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке |
|
2000 |
|
MURATA |
LQH32MN470J23L
|
Чип индуктивность проволочная неэкранированная 47мкГн ±5% 100мА, 4,3Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке |
|
2363 |
|
MURATA |
LQH32MN470K23L
|
Чип индуктивность проволочная неэкранированная 47мкГн ±10% 100мА, 4,3Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке |
|
8825 |
|
MURATA |
LQH32MN471K23L
|
Чип индуктивность проволочная неэкранированная 470мкГн ±10% 45мА, 25Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке |
|
3715 |
|
MURATA |
LQH32PN1R0NN0L
|
Чип индуктивность проволочная экранированная 1мкГн ±30% 2050мА, 0,045Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке |
|
92 |
|
MURATA |
LQH32PN2R2NN0L
|
Чип индуктивность проволочная экранированная 2,2мкГн ±30% 1600мА, 0,076Ом по постоянному току, 1210 лента на катушке |
|
2259 |
|
MURATA |
LQH3NPN2R2NM0L
|
Чип индуктивность проволочная экранированная 2,2мкГн ±30% 1600мА, 0,073Ом по постоянному току, 1212 лента на катушке |
|
216 |
|
MURATA |
LQH43CN1R0M03L
|
Чип индуктивность проволочная неэкранированная 1,0мкГн ±20% 1080мА, 0,08Ом по постоянному току, 1812 лента на катушке |
|
19 |
|
MURATA |
LQH43CN221K03L
|
Чип индуктивность проволочная неэкранированная 220мкГн ±10% 110мА, 4Ом по постоянному току, 1812 лента на катушке |
|
2171 |
|
MURATA |
LQH43CN2R2M03L
|
Чип индуктивность проволочная неэкранированная 2,2мкГн ±20% 900мА, 0,11Ом по постоянному току, 1812 лента на катушке |
|
353 |
|
MURATA |
LQH43CN680K03L
|
Чип индуктивность проволочная неэкранированная 68мкГн ±10% 220мА, 1,7Ом по постоянному току, 1812 лента на катушке |
|
2236 |
|
MURATA |
LQH43MN1R0M03L
|
Чип индуктивность проволочная неэкранированная 1мкГн ±20% 500мА, 0,2Ом по постоянному току, 1812 лента на катушке |
|
194 |