Главная Подключить склад Ещё
✖
Вход на сайт
Ошибка авторизации: неверный логин или пароль
запомнить меня
Регистрация | Вход
СЭА

Вернуться в список поставщиков

СЭА

г. Москва
+7 (495) 228-32-82
info@searu.com
http://searu.com
Ограничения: Только ЮЛ, мин. заказ от 3000 руб., кроме поставки образцов.
Страница: 1 2 3 ... 100 101 102 ... 197 198 199 200 201 202 203 ... 298 299 300 ... 397 398 399 ... 495 496
Производитель Наименование Информация Цены Склад
INFINEON SPW55N80C3FKAS1 SPW55N80C3FKAS1, транзистор N канал 800В 55A 85мОм, TO247-3, транзисторы полевые
  • 1+1,875.61 р.
 85
VISHAY SQD15N06-42L_GE3 SQD15N06-42L_GE3, TO-252, транзисторы полевые
  • 1+63.10 р.
 51
VISHAY SQJA64EP-T1_GE3 SQJA64EP-T1_GE3, транзистор N-канал 60В 15А PowerPAK-SO-8L, транзисторы полевые
  • 1+75.40 р.
 51
STM STD17NF25 STD17NF25, транзистор N канал 30В 0,0032Ом 20A DPAK, транзисторы полевые
  • 1+136.79 р.
 6
STM STD30NF06LT4 STD30NF06LT4, DPAK TO-252, транзисторы полевые
  • 1+73.00 р.
 671
STM STD4NK60ZT4 STD4NK60ZT4, транзистор N канал 600В 4А 70Вт, DPAK, транзисторы полевые
  • 1+23.62 р.
 2803
STM STD7NM80 STD7NM80, транзистор N канал 800В 6,5А 90Вт, DPAK, транзисторы полевые
  • 1+57.38 р.
 821
STM STFW4N150 STFW4N150, TO-3PF, транзисторы полевые
  • 1+133.16 р.
 271
STM STL12P6F6 STL12P6F6, Транзистор (PowerFLAT-5x6-8),, транзисторы полевые
  • 1+161.69 р.
 98
STM STN3P6F6 STN3P6F6, транзистор P канал 60В 3А 0,16 Ом, SOT-223, транзисторы полевые
  • 1+57.18 р.
 67
STM STP11NK50ZFP STP11NK50ZFP, транзистор TO-220FP-3, транзисторы полевые
  • 1+55.30 р.
 18
VBSEMI STS10P4LLF6-VB STS10P4LLF6-VB, транзистор P канал 40V 16,1A 10m-@10V,16,1A (SO-8) аналог для STS10P4LLF6, транзисторы полевые
  • 1+37.98 р.
 361
STM STW26NM60N STW26NM60N, транзистор полевой 600В 20А TO-247, транзисторы полевые
  • 1+136.90 р.
 921
VISHAY SUD25N15-52-E3 SUD25N15-52-E3, DPAK/TO-252AA, транзисторы полевые
  • 1+292.56 р.
 74
INFINEON TLE5212G TLE5212G, транзистор 2x0,5A 4x50mA low-side SO28, транзисторы полевые
  • 1+340.20 р.
 2
INFINEON TLE5224G2 TLE5224G2, транзистор 2x4A Low Sw,PDSO-24-3, транзисторы полевые
  • 1+179.33 р.
 7
UMW ULN2803A ULN2803A, [SOP-18]; Darlington Transistor Arrays ROHS=ULN2803ADR (TI);=ULN2003A(ON);=ULN2803A(TOSHIB, транзисторы полевые
  • 1+9.98 р.
 13013
VBSEMI VB1102M VB1102M, МОП-транзистор, 100 V Pd - рассеивание мощности: 2,5 Вт SOT23-3, транзисторы полевые
  • 1+17.91 р.
 21
VBSEMI VB2658 VB2658, P-канал транзистор 60В (D-S) (=SI2309CDS-T1-GE3), транзисторы полевые
  • 1+16.46 р.
 2803
VBSEMI VBA2216 VBA2216, 1 P-Channel 20-V (D-S) MOSFET аналог NTMS10P02R2G, транзисторы полевые
  • 1+25.83 р.
 21
VBSEMI VBA2311 VBA2311, P-Channel 30-V (D-S) MOSFET аналог NTMS10P02R2G, транзисторы полевые
  • 1+23.70 р.
 21
VBSEMI VBA3638 VBA3638, 1 Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET аналог SI4946BEY-T1,AO4826,NCE6005AS, транзисторы полевые
  • 1+42.50 р.
 1702
VBSEMI VBA4338 VBA4338, транзистор P канал -30V -6,3A (SO-8) аналог для IRF7306TRPBF, транзисторы полевые
  • 1+29.61 р.
 841
VBSEMI VBA5638 VBA5638, транзистор N/Pкан 55В 4,7/-3,4А SO8 , аналог для IRF7343TRPBF, транзисторы полевые
  • 1+33.07 р.
 3304
VBSEMI VBL165R04 VBL165R04, N-Channel 650 V (D-S) MOSFET аналог IRF720SPBF, транзисторы полевые
  • 1+49.75 р.
 16
VBSEMI VBL165R18 VBL165R18, N-Channel 650 V (D-S) MOSFET аналог IRF740ASPBF, транзисторы полевые
  • 1+167.89 р.
 121
VBSEMI VBZE50P06 VBZE50P06, транзистор P канал 60В 50А 100Вт 1,5В/250мкА TO252-2 = 50P06, транзисторы полевые
  • 1+55.81 р.
 1902
VBSEMI VBZMB20N65S VBZMB20N65S, N-Channel 650-V (D-S) Super Junction MOSFET аналог RS65R190F , IPA60R180P7S, CRJF190N6, транзисторы полевые
  • 1+228.32 р.
 871
WAYON WM02N28M WM02N28M, SOT23-3, code: 2302B, транзисторы полевые
  • 1+3.20 р.
 3
WAYON WM03N57M WM03N57M, SOT23-3, code: R4, транзисторы полевые
  • 1+5.16 р.
 50
WAYON WM03N57M WM03N57M, SOT23-3, code: R4, транзисторы полевые
  • 1+5.18 р.
 331
WAYON WMB080N10HG4 WMB080N10HG4, Транзистор полевой силовой MOSFET N канал 100В 85А PDFN5060-8L, транзисторы полевые
  • 1+37.18 р.
 2903
WAYON WMJ28N60C4 WMJ28N60C4, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS C4 600V, транзисторы полевые
  • 1+111.56 р.
 1001
WAYON WMJ53N65C4 WMJ53N65C4, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS C4 650V, транзисторы полевые
  • 1+203.25 р.
 601
WAYON WMJ90R500S WMJ90R500S, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS S 900V = IXFR18N90P, транзисторы полевые
  • 1+121.94 р.
 4405
WAYON WMK040N08HGS WMK040N08HGS, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V, транзисторы полевые
  • 1+49.76 р.
 1001
WAYON WMK05N80M3 WMK05N80M3, Транзистор полевой N-канал SJ-MOS M3 800В TO220-3 = STP5N80K5 = IPP80R1K4P7XKSA1, транзисторы полевые
  • 1+27.99 р.
 481
WAYON WMK15N80M3 WMK15N80M3, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS M3 800V = SIHP17N80E-GE3, транзисторы полевые
  • 1+81.80 р.
 851
WAYON WMK36N65C4 WMK36N65C4, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS C4 650V = NTPF190N65S3HF = IXTP20N65X2M, транзисторы полевые
  • 1+118.43 р.
 1202
WAYON WML15N60C4 WML15N60C4, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS C4 600V, транзисторы полевые
  • 1+63.61 р.
 1001
WAYON WMM340N20HG2 WMM340N20HG2, Транзистор полевой N канал 30В-250В D2PAK/TO263 = IXFA50N20X3, транзисторы полевые
  • 1+60.76 р.
 4805
WAYON WMO18N50C4 WMO18N50C4, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS C4 500V, транзисторы полевые
  • 1+28.93 р.
 1001
WAYON WMQ30N03T2 WMQ30N03T2, полевой транзистор 30В PDFN8L3X3, транзисторы полевые
  • 1+13.10 р.
 7108
YJ YJ431ALN3Y YJ431ALN3Y, SC431LN3Y ИОН прецизионный, регулируемый, SOT-23, 1%, транзисторы полевые
  • 1+2.29 р.
 2903
YJ YJD20N06A YJD20N06A, одиночный N-канальный MOSFET транзистор, 60В, 20А, 28Вт [TO-252] = IRLR024N, транзисторы полевые
  • 1+10.13 р.
 2303
YJ YJD212080NCTG1 YJD212080NCTG1, N-канальный усиленный силовой MOSFET транзистор из карбида кремния, 1200B, 38A, 220В, транзисторы полевые
  • 1+258.88 р.
 321
YJ YJD25GP06A YJD25GP06A, P-канальный MOSFET транзистор, -60В, -25А, 72Вт [TO-252] = IRLR9343PBF, транзисторы полевые
  • 1+21.46 р.
 6006
YJ YJG110G10B YJG110G10B, транзистор 100B 110A 113Вт PDFN5060-8L, транзисторы полевые
  • 1+38.28 р.
 4605
YJ YJG175G06AR YJG175G06AR, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 60В, 175А, 140Вт [PDFN5060-8L] = BSC, транзисторы полевые
  • 1+48.88 р.
 20
YJ YJG55G10A YJG55G10A, одиночный N-канальный полевой транзистор в режиме усиления, 100В, 55А, 89Вт (PDFN5060-8L), транзисторы полевые
  • 1+25.06 р.
 4105
2002— «ЭтЛайт»
Администрация:
2002— «ЭтЛайт»
Наши контакты: +7 (812) 309-50-30, client@efind.ru
Расширение для браузера · Телеграм-бот · Аналитика · English version