|
Вернуться в список поставщиков
|
СЭА
г. Москва
+7 (495) 228-32-82
info@searu.com
Ограничения: Только ЮЛ, мин. заказ от 3000 руб., кроме поставки образцов.
| Производитель |
Наименование |
Информация |
Цены |
Склад |
|
VISHAY |
IFSC1008ABER220M01
|
IFSC1008ABER220M01, IPSC Series 22 uH 20 % Tolerance 0,56 A 1,05 Ohm SMT Shielded Inductor, smd индуктивности |
|
521 |
|
VISHAY |
IFSC1008ABER4R7M01
|
IFSC1008ABER4R7M01, Ind High Current Shielded Wirewound 4,7uH 20% 100KHz 1,2A, smd индуктивности |
|
171 |
|
VISHAY |
IFSC1515AHER1R0M01
|
IFSC1515AHER1R0M01, Катушка постоянной индуктивности, Тип выводов: SMD/SMT, Напряжение: 50 VDC,Макси, smd индуктивности |
|
361 |
|
VISHAY |
IFSC1515AHER4R7M01
|
IFSC1515AHER4R7M01, Inductor Power Shielded Wirewound 4,7uH 20% 100KHz 2,07A 0,089Ohm DCR 1515 T/R, smd индуктивности |
|
92 |
|
VISHAY |
IHLP1212BZER1R0M11
|
IHLP1212BZER1R0M11, SMD индуктивность 1,0 мкГн 5А 20%, smd индуктивности |
|
3 |
|
VISHAY |
IHLP2020BZER6R8M01
|
IHLP2020BZER6R8M01, SMD индуктивность 6,8 мкГн 2,4A 20%, smd индуктивности |
|
2 |
|
VISHAY |
IHLP2020BZERR10M11
|
IHLP2020BZERR10M11, SMD индуктивность 0,1 мкГн 20% 17А /Power Choke Shielded Wirewound 0,1 мкГн 20%, smd индуктивности |
|
1202 |
|
VISHAY |
IHLP2020CZER100MA1
|
IHLP2020CZER100MA1, SMD индуктивность 10мкГн 20% 2,5А 100KHz Powdered Iron 2,5A 0,164Ohm DCR 2020, smd индуктивности |
|
1102 |
|
VISHAY |
IHLP2020CZER1R0M01
|
IHLP2020CZER1R0M01, индуктивность, smd индуктивности |
|
31 |
|
VISHAY |
IHLP2020CZER2R2M11
|
IHLP2020CZER2R2M11, SMD индуктивность 2,2 мкГн 20% 5,8А, smd индуктивности |
|
19019 |
|
VISHAY |
IHLP2020CZERR33M01
|
IHLP2020CZERR33M01, SMD индуктивонсть 0,33 мкГн 20% 13,7А, smd индуктивности |
|
71 |
|
VISHAY |
IHLP2525CZER1R0M01
|
IHLP2525CZER1R0M01, SMD индуктивность 1мкГн 20% 11A, smd индуктивности |
|
35 |
|
VISHAY |
IHLP2525CZER1R5M01
|
IHLP2525CZER1R5M01, ЧИП индуктивность 5,6мкГн 4,25А 63мОм 20%, smd индуктивности |
|
3 |
|
VISHAY |
IHLP2525CZER2R2M01
|
IHLP2525CZER2R2M01, SMD индуктивность 2,2 мкГн 20% 100кГц, smd индуктивности |
|
241 |
|
VISHAY |
IHLP2525CZER3R3M01
|
IHLP2525CZER3R3M01, SMD индуктивность 2525 3,3 мкГн 20% 6A 0,03Ом, smd индуктивности |
|
511 |
|
VISHAY |
IHLP2525CZER4R7M01
|
IHLP2525CZER4R7M01, SMD индуктивность 4,7 мкГн 5,5A 20%, smd индуктивности |
|
2303 |
|
VISHAY |
IHLP2525CZER8R2M01
|
IHLP2525CZER8R2M01, SMD индуктивность 8,2 мкГн 4A 20%, smd индуктивности |
|
2 |
|
VISHAY |
IHLP4040DZER1R8M11
|
IHLP4040DZER1R8M11, SMD индуктивность 1,8 мкГн 17А 20%, smd индуктивности |
|
2 |
|
VISHAY |
IHLP5050CEER2R2M01
|
IHLP5050CEER2R2M01, SMD индуктивность 2,2 мкГн 20% 16А /Inductor Power Shielded Wirewound 2,2 мкГн, smd индуктивности |
|
521 |
|
VISHAY |
IHLP5050CEERR15M01
|
IHLP5050CEERR15M01, SMD индуктивность 0,15мкГн 20% 41А / Inductor Power Shielded Wirewound 150 нГн 2, smd индуктивности |
|
941 |
|
VISHAY |
IHLP5050CEERR68M01
|
IHLP5050CEERR68M01, SMD индуктивность 0,68 мкГн 20% 28А /Inductor Power Shielded Wirewound 0,68 мкГ, smd индуктивности |
|
541 |
|
VISHAY |
IHLP6767DZER3R3M11
|
IHLP6767DZER3R3M11, Inductor Power Shielded Wirewound 3,3 мкГн 20% 100кГц Powdered Iron 20,5A, smd индуктивности |
|
431 |
|
VISHAY |
IHLP6767DZER470M11
|
IHLP6767DZER470M11, SMD индуктивность 47мкГн +20% 5А, 100кГц, 17,15*17,15*4, smd индуктивности |
|
191 |
|
VISHAY |
IHLP6767DZER4R7M01
|
IHLP6767DZER4R7M01, SMD индуктивность 4,7 мкГн 20% 16A 100кГц Powdered Iron 16A Inductor Power Shiel, smd индуктивности |
|
521 |
|
VISHAY |
ILBB0805ER151V
|
ILBB0805ER151V, Ind Bead Shielded Multi-Layer 150Ohm 25% 100MHz Ferrite 300mA 0805 T/R, smd индуктивности |
|
4705 |
|
VISHAY |
IMC2220ER121K
|
IMC2220ER121K, Inductor High Frequency Chip Molded Wirewound 120 мкГн 10%, smd индуктивности |
|
2903 |
|
VISHAY |
IMC2220ER271K
|
IMC2220ER271K, Ind High Frequency Molded Wirewound 270 мкГн 10%, smd индуктивности |
|
3003 |
|
VISHAY |
IMC2220ER391K
|
IMC2220ER391K, Inductor High Frequency Chip Molded Wirewound 390 мкГн 10% 796кГц 20Q-Facto, smd индуктивности |
|
4004 |
|
VISHAY |
IMC2220ER560K
|
IMC2220ER560K, Ind High Frequency Molded Wirewound 56 мкГн 10% 2,52MHz, smd индуктивности |
|
3404 |
|
VISHAY |
IMC2220ER6R8K
|
IMC2220ER6R8K, Ind High Frequency Molded Wirewound 6,8 мкГн 10% 7,96MHz, smd индуктивности |
|
4305 |
|
VISHAY |
IMC2220ER821K
|
IMC2220ER821K, Inductor High Frequency Chip Molded Wirewound 820 мкГн 10% 796кГц 20Q-Factor, smd индуктивности |
|
2002 |
|
MURATA |
LQG15HN10NJ02D
|
LQG15HN10NJ02D, 0402 (1,0x0,5mm) 10N (10 нГн) +/-5%, smd индуктивности |
|
5306 |
|
MURATA |
LQG15HN2N0S02D
|
LQG15HN2N0S02D, ЧИП индуктивность 0402 2нГн 120мОм 100МГц, smd индуктивности |
|
731 |
|
MURATA |
LQG15HN5N1S02D
|
LQG15HN5N1S02D, SMD индуктивность 5,1 нГн +-0,3 нГн 0402, smd индуктивности |
|
3904 |
|
MURATA |
LQG15HN5N6S02D
|
LQG15HN5N6S02D, SMD индуктивность 5,6 нГн +-0,3 нГн 0402, smd индуктивности |
|
1202 |
|
MURATA |
LQG15HS4N7S02D
|
LQG15HS4N7S02D, Чип индуктивность 4,7нГн 0402, smd индуктивности |
|
3904 |
|
MURATA |
LQG18HNR10J00D
|
LQG18HNR10J00D, SMD индуктивность 0603 100 нГн 5%, smd индуктивности |
|
1902 |
|
MURATA |
LQH31MN3R3K03L
|
LQH31MN3R3K03L, SMD индуктивность 3,3 мкГн 10% 1206, smd индуктивности |
|
8 |
|
MURATA |
LQH32CN1R0M23L
|
LQH32CN1R0M23L, SMD индуктивность 1,0 мкГн 20%1210, smd индуктивности |
|
6 |
|
MURATA |
LQH32CN1R0M23L
|
LQH32CN1R0M23L, smd индуктивности |
|
11 |
|
MURATA |
LQH32CN221K23L
|
LQH32CN221K23L, SMD индуктивность 220 мкГн 10%1210, smd индуктивности |
|
21 |
|
MURATA |
LQH32CN470K23L
|
LQH32CN470K23L, SMD индуктивность 47 мкГн 10% 1210, smd индуктивности |
|
711 |
|
MURATA |
LQH32MN100K23L
|
LQH32MN100K23L, ЧИП индуктивность 1210 10 мкГн 10%, smd индуктивности |
|
3 |
|
MURATA |
LQH32MN101K23L
|
LQH32MN101K23L, Дроссель, smd индуктивности |
|
2 |
|
MURATA |
LQH32MN1R0M23L
|
LQH32MN1R0M23L, SMD индуктивность 1 мкГн 20% 1210, smd индуктивности |
|
5 |
|
MURATA |
LQH32MN271K23L
|
LQH32MN271K23L, SMD индуктивность 270 мкГн 10%1210, smd индуктивности |
|
2 |
|
MURATA |
LQH32MN2R2K23L
|
LQH32MN2R2K23L, SMD индуктивность 2,2 мкГн 10%1210, smd индуктивности |
|
5 |
|
MURATA |
LQH32MN390K23L
|
LQH32MN390K23L, SMD индуктивность 39 мкГн 10%1210, smd индуктивности |
|
11 |
|
MURATA |
LQH32MN470K23L
|
LQH32MN470K23L, SMD индуктивность 47 мкГн 10% 1210, smd индуктивности |
|
2 |
|
MURATA |
LQH32MN5R6K23L
|
LQH32MN5R6K23L, SMD индуктивность 5,6 мкГн 10%1210, smd индуктивности |
|
4 |
|