|
Вернуться в список поставщиков
|
СЭА
г. Москва
+7 (495) 228-32-82
info@searu.com
Ограничения: Только ЮЛ, мин. заказ от 3000 руб., кроме поставки образцов.
| Производитель |
Наименование |
Информация |
Цены |
Склад |
|
MURATA |
LQW2BHNR27J03L
|
LQW2BHNR27J03L, 0805, 270nH 190mA, smd индуктивности |
|
29 |
|
MURATA |
LQW2BHNR47J03L
|
LQW2BHNR47J03L, SMD индуктивность 0,47 мкГн 5% 0805, smd индуктивности |
|
6 |
|
MURATA |
MBH6045C-221MB
|
MBH6045C-221MB, SMD индуктивность, smd индуктивности |
|
841 |
|
TDK EPCOS |
MHQ1005P0N8CT000
|
MHQ1005P0N8CT000, SMD индуктивность 0402 0,8 нГн +-0,2 нГн 1,2А, smd индуктивности |
|
7408 |
|
TDK EPCOS |
MHQ1005P10NJT000
|
MHQ1005P10NJT000, SMD индуктивность 10 нГн 5% 0,5А 0402, smd индуктивности |
|
541 |
|
TDK EPCOS |
MHQ1005P1N0CT000
|
MHQ1005P1N0CT000, SMD индуктивность 1 нГн +-0,2 нГн 1,2А 0402, smd индуктивности |
|
3704 |
|
TDK EPCOS |
MHQ1005P1N5CT000
|
MHQ1005P1N5CT000, SMD индуктивность 0402 1,5 нГн +-0,2 нГн 1А, smd индуктивности |
|
2503 |
|
TDK EPCOS |
MHQ1005P1N8CT000
|
MHQ1005P1N8CT000, SMD индуктивность 0402 1,8 нГн +-0,2 нГн 1А, smd индуктивности |
|
6807 |
|
TDK EPCOS |
MHQ1005P2N2CT000
|
MHQ1005P2N2CT000, SMD индуктивность 2,2 нГн +-0,2 нГн 1А 0402, smd индуктивности |
|
5706 |
|
TDK EPCOS |
MHQ1005P3N3CT000
|
MHQ1005P3N3CT000, SMD индуктивность 3,3 нГн +-0,2 нГн 0,9А 0402, smd индуктивности |
|
11 |
|
TDK EPCOS |
MHQ1005P3N9CT000
|
MHQ1005P3N9CT000, SMD индуктивность 3,9 нГн +-0,2 нГн 0,9А 0402, smd индуктивности |
|
7708 |
|
TDK EPCOS |
MHQ1005P5N6BT000
|
MHQ1005P5N6BT000, SMD индуктивность 0402 5,6 нГн +-0,2 нГн 0,8А, smd индуктивности |
|
9009 |
|
TDK EPCOS |
MHQ1005P6N8JT000
|
MHQ1005P6N8JT000, SMD индуктивность 6,8 нГн 5% 0,7А 0402, smd индуктивности |
|
7408 |
|
TDK EPCOS |
MHQ1005P8N2JT000
|
MHQ1005P8N2JT000, SMD индуктивность 8,2 нГн 5% 0,55А 0402, smd индуктивности |
|
8809 |
|
TDK EPCOS |
MLF2012A1R2JT000
|
MLF2012A1R2JT000, SMD индуктивность 1,2 мкГн 5% 80мА 0805, smd индуктивности |
|
2002 |
|
TDK EPCOS |
MLF2012A1R5JT000
|
MLF2012A1R5JT000, SMD индуктивность 1,5 мкГн 5% 80мА 0805, smd индуктивности |
|
2103 |
|
TDK EPCOS |
MLF2012A3R3JT000
|
MLF2012A3R3JT000, SMD индуктивность 3,3 мкГн 5% 50мА 0805, smd индуктивности |
|
271 |
|
TDK EPCOS |
MLF2012A3R9JT000
|
MLF2012A3R9JT000, SMD индуктивность 3,9 мкГн 5% 30мА 0805, smd индуктивности |
|
191 |
|
TDK EPCOS |
MLF2012A4R7JT000
|
MLF2012A4R7JT000, SMD индуктивность 4,7 мкГн 5% 30мА 0805, smd индуктивности |
|
1602 |
|
TDK EPCOS |
MLF2012C150KT000
|
MLF2012C150KT000, SMD индуктивность 15 мкГн 10% 5мА 0805, smd индуктивности |
|
1302 |
|
TDK EPCOS |
MLF2012C220KT000
|
MLF2012C220KT000, SMD индуктивность 22 мкГн 10% 5мА 0805, smd индуктивности |
|
1001 |
|
TDK EPCOS |
MLF2012C820KT000
|
MLF2012C820KT000, SMD индуктивность 82 мкГн 10% 2мА 0805, smd индуктивности |
|
13 |
|
TDK EPCOS |
MLF2012D47NMT000
|
MLF2012D47NMT000, SMD индуктивность 47 нГн 20% 300мА 0805, smd индуктивности |
|
1602 |
|
TDK EPCOS |
MLF2012D68NMT000
|
MLF2012D68NMT000, SMD индуктивность 68 нГн 20% 300мА 0805, smd индуктивности |
|
1102 |
|
TDK EPCOS |
MLF2012D82NMT000
|
MLF2012D82NMT000, SMD индуктивность 82 нГн 20% 300мА 0805, smd индуктивности |
|
3204 |
|
TDK EPCOS |
MLF2012DR10JT000
|
MLF2012DR10JT000, SMD индуктивность 100 нГн 5% 300мА 0805, smd индуктивности |
|
1702 |
|
TDK EPCOS |
MLF2012DR12JT000
|
MLF2012DR12JT000, SMD индуктивность 120 нГн 5% 300мА 0805, smd индуктивности |
|
1302 |
|
TDK EPCOS |
MLF2012DR15JT000
|
MLF2012DR15JT000, SMD индуктивность 150 нГн 5% 300мА 0805, smd индуктивности |
|
2903 |
|
TDK EPCOS |
MLF2012DR22JT000
|
MLF2012DR22JT000, SMD индуктивность 220 нГн 5% 250мА 0805, smd индуктивности |
|
2303 |
|
TDK EPCOS |
MLF2012DR27JT000
|
MLF2012DR27JT000, SMD индуктивность 270 нГн 5% 250мА 0805, smd индуктивности |
|
2803 |
|
TDK EPCOS |
MLF2012DR33JT000
|
MLF2012DR33JT000, SMD индуктивность 330 нГн 5% 250мА 0805, smd индуктивности |
|
2603 |
|
TDK EPCOS |
MLF2012DR68JT000
|
MLF2012DR68JT000, SMD индуктивность 680 нГн 5% 150мА 0805, smd индуктивности |
|
691 |
|
TDK EPCOS |
MLF2012DR82JT000
|
MLF2012DR82JT000, SMD индуктивность 820 нГн 5% 150мА 0805, smd индуктивности |
|
23 |
|
TDK EPCOS |
MLF2012E5R6JT000
|
MLF2012E5R6JT000, SMD индуктивность 5,6 мкГн 5% 15мА 0805, smd индуктивности |
|
13 |
|
TDK EPCOS |
MLJ1608WR16JT000
|
MLJ1608WR16JT000, SMD индуктивность 160 нГн 5% 750мА 0603, smd индуктивности |
|
11 |
|
TDK EPCOS |
MLJ1608WR22JT000
|
MLJ1608WR22JT000, SMD индуктивность 220 нГн 5% 700мА 0603, smd индуктивности |
|
1402 |
|
TDK EPCOS |
MLJ1608WR27JT000
|
MLJ1608WR27JT000, SMD индуктивность 270 нГн 5% 700мА 0603, smd индуктивности |
|
1802 |
|
TDK EPCOS |
MLJ1608WR33JT000
|
MLJ1608WR33JT000, SMD индуктивность 330 нГн 5% 650мА 0603, smd индуктивности |
|
1602 |
|
TDK EPCOS |
MLJ1608WR39JT000
|
MLJ1608WR39JT000, SMD индуктивность 390 нГн 5% 600мА 0603, smd индуктивности |
|
3304 |
|
TDK EPCOS |
MLK1005S10NJT000
|
MLK1005S10NJT000, SMD индуктивность 10нГн 350мА 230мОм 1*0,5*0,5мм, smd индуктивности |
|
1202 |
|
TDK EPCOS |
MLP2012H2R2MT0S1
|
MLP2012H2R2MT0S1, чип индуктивность 0805 2,2uH 20% 2MHz 1A, smd индуктивности |
|
6407 |
|
TDK EPCOS |
MLZ2012A1R0WT000
|
MLZ2012A1R0WT000, SMD индуктивность 1 мкГн 20% 0,9А 0805, smd индуктивности |
|
3904 |
|
TDK EPCOS |
MLZ2012A3R3WT000
|
MLZ2012A3R3WT000, SMD индуктивность 3,3 мкГн 20% 0,45А 0805, smd индуктивности |
|
16 |
|
TDK EPCOS |
MLZ2012DR10DT000
|
MLZ2012DR10DT000, SMD индуктивность 0,1 мкГн 20% 1,15А 0805, smd индуктивности |
|
3304 |
|
TDK EPCOS |
MLZ2012DR22DT000
|
MLZ2012DR22DT000, SMD индуктивность 0,22 мкГн 20% 0,9А 0805, smd индуктивности |
|
501 |
|
TDK EPCOS |
MLZ2012M220WT000
|
MLZ2012M220WT000, SMD индуктивность 22 мкГн 20% 0,22А 0805, smd индуктивности |
|
2 |
|
TDK EPCOS |
MLZ2012M4R7WT000
|
MLZ2012M4R7WT000, SMD индуктивность 4,7 мкГн 20% 0,5А 0805, smd индуктивности |
|
951 |
|
TDK EPCOS |
MLZ2012N1R0LT000
|
MLZ2012N1R0LT000, SMD индуктивность 1 мкГн 20% 1,15А 0805, smd индуктивности |
|
11 |
|
TDK EPCOS |
MLZ2012N220LT000
|
MLZ2012N220LT000, SMD индуктивность 22 мкГн 20% 0,3А 0805, smd индуктивности |
|
6 |
|
TDK EPCOS |
MLZ2012N4R7LT000
|
MLZ2012N4R7LT000, SMD индуктивность 4,7 мкГн 20% 0,6А 0805, smd индуктивности |
|
35 |
|