| Производитель |
Наименование |
Информация |
Цены |
Склад |
|
|
Резистор RN731ETTP50R0F50
|
Дата изготовления: 2024 |
|
80 |
|
|
C0603C152K4RACTU
|
Дата изготовления: 2024 |
|
130 |
|
|
Резисторы Р1-12-0,1 АЛЯР.434110.005 ТУ (ВП) 82 Ом+-10%-Т "A"
|
Дата изготовления: 2024 |
|
102 |
|
|
К-10-79 Н90-50В-0,022мкФ+80-20% (АЖЯР.673511.004ТУ)
|
Дата изготовления: 2024 |
|
63 |
|
|
CL21A226KPCLRNC
|
Дата изготовления: 2024 |
|
213 |
|
|
T530X687M006ATE018
|
Дата изготовления: 2024 |
|
10 |
|
|
Резисторы Р1-12-0,1 АЛЯР.434110.005 ТУ (ВП) 75 Ом+-10%-Т "А"
|
Дата изготовления: 2024 |
|
205 |
|
|
EEV-FK1J221Q
|
Дата изготовления: 2024 |
|
28 |
|
|
Катушка индуктивности LQW15AN40NH00D
|
Дата изготовления: 2024 |
|
412 |
|
|
К10-69в-Н30-50 В-3225М-0,1мкФ+20% АЖЯР.673511.002 ТУ
|
Дата изготовления: 2024 |
|
80 |
|
|
Резисторы Р1-12-0,062 АЛЯР.434110.005ТУ (ВП) 750 кОм+-1%-Л
|
Дата изготовления: 2024 |
|
9 |
|
|
Резисторы Р1-12-0,062 АЛЯР.434110.005ТУ (ВП) 365 кОм+-1%-Л
|
Дата изготовления: 2024 |
|
9 |
|
|
Резисторы Р1-12-0,062 АЛЯР.434110.005ТУ (ВП) 402 кОм+-1%-Л
|
Дата изготовления: 2024 |
|
9 |
|
|
GCM1555C1H201JA16D
|
Дата изготовления: 2024 |
|
298 |
|
|
GCM1555C1H820GA16D
|
Дата изготовления: 2024 |
|
365 |
|
|
GCQ1555C1H1R0WB01D
|
Дата изготовления: 2024 |
|
236 |
|
|
Эл. компонент BLM18KG260JH1# (MURATA, SMD,2019)
|
Дата изготовления: 2024 |
|
296 |
|
|
Эл. компонент BLM31SN500SH1# (MURATA, SMD,2019)
|
Дата изготовления: 2024 |
|
158 |
|
|
C0603C105K8PACTU
|
Дата изготовления: 2024 |
|
572 |
|
|
Резистор подстроечный PVG3A103C01R00
|
Дата изготовления: 2024 |
|
15 |
|
|
C0402C200K8GACTU
|
Дата изготовления: 2024 |
|
728 |
|
|
T491X226K050AT
|
Дата изготовления: 2024 |
|
11 |
|
|
C0603C224K4R7411
|
Дата изготовления: 2024 |
|
67 |
|
|
GRM155R61C224KA12D
|
Дата изготовления: 2024 |
|
455 |
|
|
Резисторы Р1-12-0,1 АЛЯР.434110.005 ТУ (ВП) 82 Ом+-10%-Т
|
Дата изготовления: 2024 |
|
94 |
|
|
К10-69в-Н30-100 В-3216М-10нФ+20% АЖЯР.673511.002 ТУ
|
Дата изготовления: 2024 |
|
80 |
|
|
Резисторы Р1-12-0,062 АЛЯР.434110.005 ТУ (ВП) 24,9 кОм+-1%-Л
|
Дата изготовления: 2024 |
|
8 |
|
|
Резистор RC0402FR-0710KL
|
Дата изготовления: 2024 |
|
11062 |
|
|
GCM2195C1K103FA16D
|
Дата изготовления: 2024 |
|
260 |
|
|
Индуктивность BLM18SG260TN1#
|
Дата изготовления: 2024 |
|
197 |
|
|
Нагрузка DL-1S (50 Ом, до 1 ВТ, разъем SMA)
|
Дата изготовления: 2024 |
|
2 |
|
|
Резисторы Р1-12-0,1 АЛЯР.434110.005 ТУ (ВП) 75 Ом+-10%-Т
|
Дата изготовления: 2024 |
|
187 |
|
|
GRM155R71C104KA88D 16В, 0.1 мкФ +-10%, Х7R, 0402
|
Дата изготовления: 2024 |
|
7690 |
|
|
Резистор Р1-12-0,062 Вт-10 кОм+-1%-Л
|
Дата изготовления: 2024 |
|
25 |
|
|
Резистор RC0402FR-07301KL
|
Дата изготовления: 2024 |
|
100 |
|
|
Резистор RC0402FR-0752K3L
|
Дата изготовления: 2024 |
|
100 |
|
|
Резистор RC0402FR-07931RL
|
Дата изготовления: 2024 |
|
100 |
|
|
Резистор CRCW040233K2FKEDC
|
Дата изготовления: 2024 |
|
2779 |
|
|
Резистор CRCW040234K0FKED
|
Дата изготовления: 2024 |
|
1176 |
|
|
CC0603JRNPO0BN101
|
Дата изготовления: 2024 |
|
1671 |
|
|
К-10-79 Н30-500В- 100 по запросупФ+-20% (АЖЯР.673511.004ТУ)
|
Дата изготовления: 2024 |
|
63 |
|
|
Резистор CRCW04021K00FKED
|
Дата изготовления: 2024 |
|
2532 |
|
|
CC0402JRX7R7BB103
|
Дата изготовления: 2024 |
|
1631 |
|
|
GCM155R71H103KA55D
|
Дата изготовления: 2024 |
|
1214 |
|
|
Резистор RC0201FR-072K7L
|
Дата изготовления: 2024 |
|
667 |
|
|
Катушка индуктивности LQW15AW51NJ80D
|
Дата изготовления: 2024 |
|
293 |
|
|
Резистор CRCW04023K32FKEDC
|
Дата изготовления: 2024 |
|
1506 |
|
|
Резистор CRCW0402150KFKEDC
|
Дата изготовления: 2024 |
|
1491 |
|
|
GCM1555C1H391JA16J
|
Дата изготовления: 2024 |
|
290 |
|
|
GCM155R71C273JA37D
|
Дата изготовления: 2024 |
|
285 |
