| Производитель |
Наименование |
Информация |
Цены |
Склад |
|
Murata |
LQM18PN1R0MFRL
|
1 µH Shielded Multilayer Inductor 950 mA 250mOhm Max 0603 (1608 Metric) Дата изготовления: 2022 |
|
10 |
|
Murata |
LQM2HPZR56ME0L
|
Катушки постоянной индуктивности 560 NH 20% Дата изготовления: 2104 |
|
2314 |
|
Murata |
LQW15AN6N2B80D
|
6.2 nH Unshielded Drum Core, Wirewound Inductor 1.6 A 56mOhm Max 0402 (1005 Metric) Дата изготовления: 2225 |
|
2 |
|
Murata |
LQW15AN16NJ00D
|
FIXED IND 16NH 370MA 0.24OHM SMD Дата изготовления: 2242 |
|
22 |
|
Murata |
LQW18AN8N7C00D
|
8.7 nH Unshielded Wirewound Inductor 650 mA 110mOhm Max 0603 (1608 Metric) Дата изготовления: 2144 |
|
42 |
|
Murata |
LQW18AN22NG00
|
22 nH Unshielded Drum Core, Wirewound Inductor 500 mA 170mOhm Max 0603 (1608 Metric) Дата изготовления: 2329 |
|
37 |
|
Murata |
LQW18AS22NG0CD
|
22 nH Unshielded Wirewound Inductor 700 mA 190mOhm Max 0603 (1608 Metric) Дата изготовления: 2517 |
|
13 |
|
Murata |
LQW18AN36NG80D
|
36 nH Unshielded Drum Core, Wirewound Inductor 910 mA 200mOhm Max 0603 (1608 Metric) Дата изготовления: 2405 |
|
1 |
|
Murata |
LQW18ANR12J00D
|
120 nH Unshielded Drum Core, Wirewound Inductor 180 mA 1.3Ohm Max 0603 (1608 Metric) Дата изготовления: 2229 |
|
13 |
|
Murata |
LQW18ANR15G8ZD
|
150 nH Unshielded Drum Core, Wirewound Inductor 420 mA 870mOhm Max 0603 (1608 Metric) Дата изготовления: 2205 |
|
1 |
|
Murata |
LQW18AS3N3G0ZD
|
3.3 nH Unshielded Wirewound Inductor 700 mA 45mOhm Max 0603 (1608 Metric) Дата изготовления: 2421 |
|
5 |
|
Mini-Circuits |
M3SWA-2-50DRA+
|
Absorptive SPDT, SMT Solid State Switch, 500 - 4500 MHz, 50Ω Дата изготовления: 2210 |
|
0 |
|
STMicroelectronics |
M74HC00M1R
|
NAND Gate IC 4 Channel 14-SO Дата изготовления: 1408 |
|
12 |
|
Harwin |
M80-8880805
|
Проводные клеммы и зажимы 4+4 POS DIL FEMALE 24-28 AWG Дата изготовления: 2216 |
|
18 |
|
Murata |
MA58MF14-7N
|
Дата изготовления: 2003 |
|
6 |
|
MACOM |
MABA-007569-ETK42T
|
Трансформаторы звуковой частоты / сигнальные трансформаторы 2-1000MHz IL 4dB Impedance Ratio 1:4 Дата изготовления: 2405 |
|
8 |
|
Taiyo Yuden |
MAMK2520T1R0M
|
1 µH Shielded Drum Core, Wirewound Inductor 2.7 A 59mOhm Max 1008 (2520 Metric) Дата изготовления: 2523 |
|
6 |
|
Maxim Integrated |
MAX13431EEUB+
|
RS-485 Interface IC RS-485 Transceivers with Low-Voltage Logic Interface Дата изготовления: 2016 |
|
0 |
|
Maxim Integrated |
MAX1623EAP+
|
Импульсные регуляторы напряжения 3A, Low-Voltage, Step-Down Regulator with Synchronous Rectification and Internal Switches Дата изготовления: 2139 |
|
16 |
|
Maxim Integrated |
MAX1623EAP+
|
Импульсные регуляторы напряжения 3A, Low-Voltage, Step-Down Regulator with Synchronous Rectification and Internal Switches Дата изготовления: 2139 |
|
50 |
|
Maxim Integrated |
MAX1658ESA+
|
LDO регуляторы напряжения 350mA, 16.5V Input, Low-Dropout Linear Regulators Дата изготовления: 2227 |
|
0 |
|
Maxim Integrated |
MAX326CSE+
|
ИС аналогового переключателя Quad SPST CMOS Ultra-Low-Leakage Дата изготовления: 1027 |
|
20 |
|
Maxim Integrated |
MAX3051EKA+T
|
ИС для интерфейса CAN +3.3V, 1Mbps, Low-Supply-Current CAN Transceiver Дата изготовления: 2105 |
|
4 |
|
Maxim Integrated |
MAX4231AXT+T
|
Операционные усилители High-Output-Drive, 10MHz, 10V/ s, Rail-to-Rail I/O Op Amps with Shutdown in SC70 Дата изготовления: 2110 |
|
0 |
|
Maxim Integrated |
MAX5488EUD+
|
ИС, цифровые потенциометры Dual, 256-Tap, Nonvolatile, SPI-Interface, Linear-Taper Digital Potentiometers Дата изготовления: 1639 |
|
0 |
|
Maxim Integrated |
MAX5488EUD+
|
ИС, цифровые потенциометры Dual, 256-Tap, Nonvolatile, SPI-Interface, Linear-Taper Digital Potentiometers Дата изготовления: 1245 |
|
0 |
|
Maxim Integrated |
MAX6160EUS+T
|
Источники опорного напряжения Low-Dropout 3-Term Voltage Ref Дата изготовления: год не марк. |
|
10 |
|
Maxim Integrated |
MAX8510EXK18+T
|
LDO регуляторы напряжения Ultra-Low-Noise, High PSRR, Low-Dropout, 120mA Linear Regulators Дата изготовления: 1124 |
|
1 |
|
Maxim Integrated |
MAX9112EKA+T
|
2/0 Driver LVDS SOT-23-8 Дата изготовления: 2201 |
|
4 |
|
ON Semiconductor |
MBR0540T1G
|
Диоды и выпрямители Шоттки 0.5A 40V Дата изготовления: 2147 |
|
2976 |
|
ON Semiconductor |
MBRS130LT3G
|
Диоды и выпрямители Шоттки 1A 30V Low Vf |
|
700 |
|
ON Semiconductor |
MBRS320
|
Диоды и выпрямители Шоттки 3.0a Power Rectifier Schottky Дата изготовления: год не марк. |
|
0 |
|
ON Semiconductor |
MC14013BCP
|
Триггеры 3-18V CMOS Dual Дата изготовления: 0132 |
|
4 |
|
ON Semiconductor |
MC14040BCPG
|
Регистры сдвига счетчика 3-18V 12-Bit Binary Дата изготовления: 1125 |
|
20 |
|
ON Semiconductor |
MC33078DG
|
Операционные усилители 5-18V Dual Lo Noise 7V/us Ind. Temp Дата изготовления: 1229 |
|
372 |
|
ON Semiconductor |
MC33269DTRK-3.3G
|
LDO регуляторы напряжения 3.3V ADJ 800mA Дата изготовления: 2039 |
|
4 |
|
ON Semiconductor |
MC7818BTG
|
Линейные регуляторы напряжения 18V 1A Positive Дата изготовления: росс |
|
19 |
|
ON Semiconductor |
MC7912ACD2TG
|
Линейные регуляторы напряжения 12V 1A Negative Дата изготовления: 1845 |
|
1 |
|
ON Semiconductor |
MC79L05ABPRAG
|
Линейные регуляторы напряжения 5V 100mA Negative Дата изготовления: год не марк. |
|
0 |
|
|
MCV-100 (CC-MCV-100) (уп.100шт.)
|
Стяжка 100 х 2,5 мм неоткр. с маркером, нейл. (белый) Дата изготовления: год не марк. |
|
2 уп. |
|
Bourns |
MF-R160-0-99
|
Восстанавливаемые предохранители - PPTC 1.6A 30V |
|
2 |
|
Bourns |
MF-USMF075-2
|
Восстанавливаемые предохранители - PPTC 6V .75A-HD 40A MAX Дата изготовления: 2316 |
|
1 |
|
Yageo |
MF0207FRE52-100R
|
Металлические пленочные резисторы – сквозное отверстие 0.6W 100 Ohm 1% Дата изготовления: 1924 |
|
2980 |
|
NXP Semiconductors |
MJD122T4G
|
транзистор Дарлингтона 8A 100V Bipolar Power NPN Дата изготовления: 1004 |
|
5000 |
|
Diodes Incorporated |
MMBT3904T-7-F
|
Биполярные транзистор - BJT 40V 150mW Дата изготовления: 2128 |
|
0 |
|
Onsemi |
MMBTA42LT1G
|
Биполярные транзисторы - BJT 500mA 300V NPN Дата изготовления: 1920 |
|
0 |
|
Diodes Incorporated |
MMBZ5230BW-7-F
|
Стабилитроны 4.7V 200mW Дата изготовления: 1210 |
|
22 |
|
Diodes Incorporated |
MMBZ5230BW-7-F
|
Стабилитроны 4.7V 200mW Дата изготовления: 1950 |
|
25 |
|
Rohm Semiconductor |
MNR18E0APJ103
|
10k Ohm ±5% 62.5mW Power Per Element Isolated 8 Resistor Network/Array ±200ppm/°C 1506, Convex, Long Side Terminals Дата изготовления: 2338 |
|
194 |
|
Rohm Semiconductor |
MNR18E0APJ330
|
33 Ohm ±5% 62.5mW Power Per Element Isolated 8 Resistor Network/Array ±200ppm/°C 1506, Convex, Long Side Terminals Дата изготовления: 2512 |
|
500 |
