|
Вернуться в список поставщиков
|
РД
г. Москва
+7 (926) 114-41-07
rd2800@gmail.com
Ограничения: Только ЮЛ и ИП.
| Производитель |
Наименование |
Информация |
Цены |
Склад |
|
ISSI |
IS61LV256AL-10JLI, SOJ28
|
микросхемы памяти |
|
0.00 |
|
ISSI |
IS61LV6416-10TL, TSOP44-II, 64K х 16, 3,3V
|
микросхемы памяти |
|
0.00 |
|
ISSI |
IS61WV102416BLL-10TLI, TSOP48, 1M х 16, 2.5/3.3V
|
микросхемы памяти |
|
0.00 |
|
ISSI |
IS61WV25616BLL-10TLI-TR, TSOP44-II
|
микросхемы памяти |
|
0.00 |
|
ISSI |
IS61WV25616EDBLL-10TLI, TSOP44-II, 256K x 16, 2.5/3.3V
|
микросхемы памяти |
|
0.00 |
|
ISSI |
IS61WV51216BLL-10TLI, TSOP44-II, 512K x 16, 2.5/3.3V
|
микросхемы памяти |
|
0.00 |
|
ISSI |
IS61WV51216BLL-10TLI, IS61WV51216BLL-10TLI, Асинхронная статическая память Integrated Silicon Soluti
|
микросхемы памяти |
|
0.00 |
|
ISSI |
IS61WV5128BLL-10TLI, TSOP44-II, 512K x 8, 2.5/3.3V
|
микросхемы памяти |
|
0.00 |
|
ISSI |
IS62C1024AL-35QLI, Микросхема памяти, SRAM Chip Async Single 5V 1M-bit 128K x 8 35ns [SOP-32] (=UC62
|
микросхемы памяти |
|
0.00 |
|
ISSI |
IS62C1024AL-35QLI-TR, 32-SOP, 128K x 8, 35ns, 5V
|
микросхемы памяти |
|
0.00 |
|
ISSI |
IS62C256AL-45ULI, Микросхема памяти, SRAM Chip Async Single 5V 256K-bit 32K x 8 45ns [SOP-28] (=UC62
|
микросхемы памяти |
|
0.00 |
|
ISSI |
IS62C256AL-45ULI-TR, 28-SOP
|
микросхемы памяти |
|
0.00 |
|
ISSI |
IS62WV1288BLL-55QLI, микросхема памяти SRAM 1МБ 128Kx8 SOP32
|
микросхемы памяти |
|
0.00 |
|
ISSI |
IS62WV25616BLL-55TLI, TSOP44-II, 256K x 16, 55ns, 3.3V
|
микросхемы памяти |
|
0.00 |
|
ISSI |
IS62WV51216BLL-55TLI, TSOP44-II, 512K x 16, 55ns, 3.3V
|
микросхемы памяти |
|
0.00 |
|
ISSI |
IS62WV5128BLL-55T2LI, TSOP32-II, 512K x 8, 55ns, 3.3V
|
микросхемы памяти |
|
0.00 |
|
SAMSUNG |
(MBX-179) видеопамять GDDR5 K4G10325FE-HC05, Видеопамять GDDR5
|
микросхемы памяти |
|
0.00 |
|
SAMSUNG |
K6R4016V1D-TI10, микросхема памяти TSSOP44
|
микросхемы памяти |
|
0.00 |
|
SAMSUNG |
K6R4016V1D-UI10, микросхема памяти SRAM TSSOP44 256Kx16 3.3V 10ns Ind AS7C34098A-10T
|
микросхемы памяти |
|
0.00 |
|
SAMSUNG |
KLM4G1FETE-B041, Память, корпус FBGA153
|
микросхемы памяти |
|
0.00 |
|
SAMSUNG |
KLMBG2JETD-B041, Память, корпус FBGA153
|
микросхемы памяти |
|
0.00 |
|
TI |
LM3414HVMR/NOPB, LED драйвер понижающий 1A SOIC8
|
микросхемы памяти |
|
0.00 |
|
TI |
LM5017MR, DC-DC преобразователь вх. 9-100В, вых. 1.25-90В 0.6А SO-8
|
микросхемы памяти |
|
0.00 |
|
TI |
LMR16006XDDCR, TSOT6
|
микросхемы памяти |
|
0.00 |
|
ONS |
LP2950ACDT-5.0G
|
микросхемы памяти |
|
0.00 |
|
AD |
LTM8032IY#PBF
|
микросхемы памяти |
|
0.00 |
|
STM |
M24128-BRMN6TP, SO-8
|
микросхемы памяти |
|
0.00 |
|
STM |
M24128-BWMN6TP, SO-8
|
микросхемы памяти |
|
0.00 |
|
STM |
M24256-BRMN6TP, SO-8
|
микросхемы памяти |
|
0.00 |
|
STM |
M24256-BRMN6TP, Микросхема памяти EEPROM 256КБИТ I2C 1МГц [SOIC-8]
|
микросхемы памяти |
|
0.00 |
|
STM |
M24256-BRMN6TP, Микросхема памяти EEPROM 256КБИТ I2C 1МГц SO8
|
микросхемы памяти |
|
980.00 |
|
STM |
M24256-BRMN6TP, M24256-BRMN6TP, Энергонезависимое ППЗУ ST Microelectronics, 256К-бит, 1МГц, корпусSO
|
микросхемы памяти |
|
0.00 |
|
STM |
M24256-BWMN6TP, SO-8
|
микросхемы памяти |
|
0.00 |
|
STM |
M24256-BWMN6P, Микросхема памяти, EEPROM Serial-I2C, 256K-bit (32K x 8), 3.3V/5V [SO-8]
|
микросхемы памяти |
|
0.00 |
|
STM |
M24512-RMN6P, Энергонезависимая память [SO-8]
|
микросхемы памяти |
|
0.00 |
|
STM |
M24512-RMN6TP, SOIC8
|
микросхемы памяти |
|
0.00 |
|
STM |
M24512-RMN6TP, память SOIC-8_150mil EEPROM ROHS
|
микросхемы памяти |
|
2200.00 |
|
STM |
M24512-RMN6TP, M24512-RMN6TP, Энергонезависимое ППЗУ ST Microelectronics, 512К-бит, 1МГц, корпус SOI
|
микросхемы памяти |
|
0.00 |
|
STM |
M24512-WMN6P, Память, корпус SOIC8
|
микросхемы памяти |
|
0.00 |
|
STM |
M24512-WMN6TP, SO-8
|
микросхемы памяти |
|
0.00 |
|
STM |
M24512-WMN6TP, EEPROM память 512Kb / 256Kb Ser SO8
|
микросхемы памяти |
|
420.00 |
|
STM |
M24C01-RMN6TP, SO-8
|
микросхемы памяти |
|
0.00 |
|
STM |
M24C01-WBN6P, DIP-8
|
микросхемы памяти |
|
0.00 |
|
STM |
M24C01-WDW6TP, TSSOP8
|
микросхемы памяти |
|
0.00 |
|
STM |
M24C01-WMN6TP, SO-8
|
микросхемы памяти |
|
0.00 |
|
STM |
M24C01-WMN6P, Микросхема памяти, EEPROM, I2C, 1K-bit (128 x 8), 400кГц [SOIC-8.] (=M24C01-WMN6P)
|
микросхемы памяти |
|
0.00 |
|
STM |
M24C02-RMN6TP, микросхема памяти EEPROM 1.8-5.5В 2K SO8
|
микросхемы памяти |
|
26.00 |
|
STM |
M24C02-RMN6TP, микросхема памяти EEPROM 1.8-5.5В 2к SO8
|
микросхемы памяти |
|
170.00 |
|
STM |
M24C02-RMN6TP, Микросхема памяти EEPROM 2КБИТ I2C 400rГц [SOIC-8]
|
микросхемы памяти |
|
0.00 |
|
STM |
M24C02-WBN6, микросхема памяти EEPROM 5.5В 2K (256x8) PDIP-8
|
микросхемы памяти |
|
230.00 |
|