| Производитель |
Наименование |
Информация |
Цены |
Склад |
|
* |
RC2010JK-072K2L-РЕЗИСТОР /2.2 КОМ+-5% 2010/
|
YAGEO, (Э) Дата изготовления: * |
|
130 |
|
* |
RT1206DRD072KL-РЕЗИСТОР /2 КОМ+-0.5% 1206/
|
YAGEO/PHYCOMP, (Э) Дата изготовления: * |
|
4741 |
|
* |
RT1206DRD074K02L-РЕЗИСТОР /4.02 КОМ+-0.5% 1206/
|
YAGEO/PHYCOMP, (Э) Дата изготовления: * |
|
4594 |
|
* |
RT1206DRD078K06L-РЕЗИСТОР /8.06 КОМ+-0.5% 1206/
|
YAGEO/PHYCOMP, (Э) Дата изготовления: * |
|
4636 |
|
* |
RT1206DRD0712KL-РЕЗИСТОР /12 КОМ+-0.5% 1206/
|
YAGEO/PHYCOMP, (Э) Дата изготовления: * |
|
4895 |
|
* |
RT1206DRD0716KL-РЕЗИСТОР /16 КОМ+-0.5% 1206/
|
YAGEO/PHYCOMP, (Э) Дата изготовления: * |
|
4741 |
|
* |
RT1206DRD0732K4L-РЕЗИСТОР /32.4 КОМ+-0.5% 1206/
|
YAGEO/PHYCOMP, (Э) Дата изготовления: * |
|
19980 |
|
* |
RT1206DRD0764K9L-РЕЗИСТОР /64.9 КОМ+-0.5% 1206/
|
YAGEO/PHYCOMP, (Э) Дата изготовления: * |
|
4844 |
|
* |
RT1206DRE07470RL-РЕЗИСТОР /470 ОМ+-0.5% 1206/
|
YAGEO, (Э) Дата изготовления: * |
|
100 |
|
* |
PT2512FK-7W0R2L-РЕЗИСТОР /2512 0.2 ОМ+-1%/
|
YAGEO, (Э) Дата изготовления: * |
|
2 |
|
* |
RL2010JK-070R75L-РЕЗИСТОР /0.75 ОМ+-5% 2010/
|
YAGEO, (Э) Дата изготовления: * |
|
79 |
|
* |
RL2010JK-070R75L-РЕЗИСТОР /0.75 ОМ+-5% 2010/
|
YAGEO, (Э) Дата изготовления: * |
|
243 |
|
* |
Р1-12-0.1-162 КОМ+-2%-М-РЕЗИСТОР
|
ШКАБ.434110.002ТУ ИЗ.№36, (Э) Дата изготовления: * |
|
799 |
|
* |
Р1-12-0.1-162 КОМ+-2%-М-РЕЗИСТОР
|
ШКАБ.434110.002ТУ ИЗ.№36, (Э) Дата изготовления: * |
|
536 |
|
* |
Р1-12-0.1-162 КОМ+-2%-М-РЕЗИСТОР
|
ШКАБ.434110.002ТУ ИЗ.№36, (Э) Дата изготовления: * |
|
1246 |
|
* |
Р1-12-0.1-162 КОМ+-2%-М-"А"-РЕЗИСТОР
|
ШКАБ.434110.002ТУ ИЗ.№36, (Э) Дата изготовления: * |
|
3939 |
|
* |
Р1-12-0.1-162 КОМ+-2%-М-"А"-РЕЗИСТОР
|
ШКАБ.434110.002ТУ ИЗ.№36, (Э) Дата изготовления: * |
|
641 |
|
* |
Р1-12-0.1-196 КОМ+-2%-М-РЕЗИСТОР
|
ШКАБ.434110.002ТУ ИЗ.№36, (Э) Дата изготовления: * |
|
30 |
|
* |
Р1-12-0.1-196 КОМ+-2%-М-РЕЗИСТОР
|
ШКАБ.434110.002ТУ ИЗ.№36, (Э) Дата изготовления: * |
|
43 |
|
* |
Р1-12-0.1-196 КОМ+-2%-М-РЕЗИСТОР
|
ШКАБ.434110.002ТУ ИЗ.№36, (Э) Дата изготовления: * |
|
194 |
|
* |
Р1-12-0.1-196 КОМ+-2%-М-РЕЗИСТОР
|
ШКАБ.434110.002ТУ ИЗ.№36, (Э) Дата изготовления: * |
|
794 |
|
* |
Р1-12-0.25-20.5 КОМ+-2%-М-РЕЗИСТОР
|
ШКАБ.434110.002ТУ ИЗ.№36, (Э) Дата изготовления: * |
|
110 |
|
* |
Р1-12-0.25-22.6 КОМ+-2%-М-РЕЗИСТОР
|
ШКАБ.434110.002ТУ ИЗ.№36, (Э) Дата изготовления: * |
|
4 |
|
* |
Р1-12-0.25-23.7 КОМ+-2%-М-РЕЗИСТОР
|
ШКАБ.434110.002ТУ ИЗ.№36, (Э) Дата изготовления: * |
|
3 |
|
* |
Р1-12-0.25-23.7 КОМ+-2%-М-РЕЗИСТОР
|
ШКАБ.434110.002ТУ ИЗ.№36, (Э) Дата изготовления: * |
|
3 |
|
* |
Р1-12-0.25-23.7 КОМ+-2%-М-РЕЗИСТОР
|
ШКАБ.434110.002ТУ ИЗ.№36, (Э) Дата изготовления: * |
|
2 |
|
* |
Р1-12-0.25-23.7 КОМ+-2%-М-РЕЗИСТОР
|
ШКАБ.434110.002ТУ ИЗ.№36, (Э) Дата изготовления: * |
|
2 |
|
* |
Р1-12-0.25-24.9 КОМ+-2%-М-РЕЗИСТОР
|
ШКАБ.434110.002ТУ ИЗ.№36, (Э) Дата изготовления: * |
|
1 |
|
* |
Р1-12-0.25-26.1 КОМ+-2%-М-РЕЗИСТОР
|
ШКАБ.434110.002ТУ ИЗ.№36, (Э) Дата изготовления: * |
|
131 |
|
* |
Р1-12-0.125-620 ОМ+-5%-М-РЕЗИСТОР
|
ШКАБ.434110.002ТУ ИЗ.№36, (Э) Дата изготовления: * |
|
11 |
|
* |
Р1-12-0.125-750 ОМ+-5%-М-РЕЗИСТОР
|
ШКАБ.434110.002ТУ ИЗ.№36, (Э) Дата изготовления: * |
|
1188 |
|
* |
Р1-12-0.125-750 ОМ+-5%-М-РЕЗИСТОР
|
ШКАБ.434110.002ТУ ИЗ.№36, (Э) Дата изготовления: * |
|
567 |
|
* |
Р1-12-0.125-750 ОМ+-5%-М-"А"-РЕЗИСТОР
|
ШКАБ.434110.002ТУ ИЗ.№36, (Э) Дата изготовления: * |
|
79 |
|
* |
Р1-12-0.125-820 ОМ+-5%-М-РЕЗИСТОР
|
ШКАБ.434110.002ТУ ИЗ.№36, (Э) Дата изготовления: * |
|
8 |
|
* |
Р1-12-0.125-820 ОМ+-5%-М-А-РЕЗИСТОР
|
ШКАБ.434110.002ТУ ИЗ.№36, (Э) Дата изготовления: * |
|
528 |
|
* |
Р1-12-0.25-56 ОМ+-5%-М-РЕЗИСТОР
|
ШКАБ.434110.002ТУ ИЗ.№36, (Э) Дата изготовления: * |
|
39 |
|
* |
Р1-12-0.25-56 ОМ+-5%-М-РЕЗИСТОР
|
ШКАБ.434110.002ТУ ИЗ.№36, (Э) Дата изготовления: * |
|
145 |
|
* |
Р1-12-0.25-56 ОМ+-5%-М-РЕЗИСТОР
|
ШКАБ.434110.002ТУ ИЗ.№36, (Э) Дата изготовления: * |
|
105 |
|
* |
Р1-12-0.25-68 ОМ+-5%-М-РЕЗИСТОР
|
ШКАБ.434110.002ТУ ИЗ.№36, (Э) Дата изготовления: * |
|
14 |
|
* |
Р1-12-0.25-68 ОМ+-5%-М-РЕЗИСТОР
|
ШКАБ.434110.002ТУ ИЗ.№36, (Э) Дата изготовления: * |
|
549 |
|
* |
Р1-12-0.25-75 ОМ+-5%-М-РЕЗИСТОР
|
ШКАБ.434110.002ТУ ИЗ.№36, (Э) Дата изготовления: * |
|
30 |
|
* |
Р1-12-0.25-75 ОМ+-5%-М-А-РЕЗИСТОР
|
ШКАБ.434110.002ТУ ИЗ.№36, (Э) Дата изготовления: * |
|
7 |
|
* |
Р1-12-0.25-22 КОМ+-5%-М-РЕЗИСТОР
|
ШКАБ.434110.002ТУ ИЗ.№36, (Э) Дата изготовления: * |
|
400 |
|
* |
Р1-12-0.25-30 КОМ+-5%-М-РЕЗИСТОР
|
ШКАБ.434110.002ТУ ИЗ.№36, (Э) Дата изготовления: * |
|
798 |
|
* |
Р1-12-0.25-39 КОМ+-5%-М-РЕЗИСТОР
|
ШКАБ.434110.002ТУ ИЗ.№36, (Э) Дата изготовления: * |
|
171 |
|
* |
Р1-12-0.25-39 КОМ+-5%-М-РЕЗИСТОР
|
ШКАБ.434110.002ТУ ИЗ.№36, (Э) Дата изготовления: * |
|
41 |
|
* |
Р1-12-0.125-2.2 ОМ+-10%-М-РЕЗИСТОР
|
ШКАБ.434110.002ТУ ИЗ.№36, (Э) Дата изготовления: * |
|
30 |
|
* |
Р1-12-0.125-10 ОМ+-10%-М-РЕЗИСТОР
|
ШКАБ.434110.002ТУ ИЗ.№36, (Э) Дата изготовления: * |
|
25 |
|
* |
Р1-12-0.125-30 ОМ+-10%-М-РЕЗИСТОР
|
ШКАБ.434110.002ТУ ИЗ.№36, (Э) Дата изготовления: * |
|
11 |
|
* |
Р1-12-0.125-39 ОМ+-10%-М-РЕЗИСТОР
|
ШКАБ.434110.002ТУ ИЗ.№36, (Э) Дата изготовления: * |
|
195 |
