| Производитель |
Наименование |
Информация |
Цены |
Склад |
|
* |
ADM3053BRWZ-МИКРОСХЕМА
|
ANALOG DEVICES, (Э) Дата изготовления: * |
|
23 |
|
* |
ADM3053BRWZ-МИКРОСХЕМА
|
ANALOG DEVICES, (Э) Дата изготовления: * |
|
12 |
|
* |
ADM3202ARNZ-МИКРОСХЕМА
|
ANALOG DEVICES, (Э) Дата изготовления: * |
|
7 |
|
* |
ADSP2186BSTZ-160-МИКРОСХЕМА
|
ANALOG DEVICES, (Э) Дата изготовления: * |
|
1348 |
|
* |
ADSP2186BSTZ-160-МИКРОСХЕМА
|
ANALOG DEVICES, (Э) Дата изготовления: * |
|
421 |
|
* |
ADSP2186BSTZ-160-МИКРОСХЕМА
|
ANALOG DEVICES, (Э) Дата изготовления: * |
|
800 |
|
* |
ADSP2186BSTZ-160-МИКРОСХЕМА
|
ANALOG DEVICES, (Э) Дата изготовления: * |
|
89 |
|
* |
ADSP2186BSTZ-160-МИКРОСХЕМА
|
ANALOG DEVICES, (Э) Дата изготовления: * |
|
171 |
|
* |
ADSP2186BSTZ-160-МИКРОСХЕМА
|
ANALOG DEVICES, (Э) Дата изготовления: * |
|
815 |
|
* |
ADSP2186BSTZ-160-МИКРОСХЕМА
|
ANALOG DEVICES, (Э) Дата изготовления: * |
|
492 |
|
* |
ADSP2186BSTZ-160-МИКРОСХЕМА
|
ANALOG DEVICES, (Э) Дата изготовления: * |
|
290 |
|
* |
ADSP2186BSTZ-160-МИКРОСХЕМА
|
ANALOG DEVICES, (Э) Дата изготовления: * |
|
354 |
|
* |
ADSP-BF504BCPZ-3F-МИКРОСХЕМА
|
ANALOG DEVICES, (Э) Дата изготовления: * |
|
2 |
|
* |
ADSP-BF706BCPZ-4-МИКРОСХЕМА
|
ANALOG DEVICES, (Э) Дата изготовления: * |
|
172 |
|
* |
DAC1220E-КОНВЕРТЕР
|
IMPORT, (Э) Дата изготовления: * |
|
3 |
|
* |
DAC1220E-КОНВЕРТЕР
|
IMPORT, (Э) Дата изготовления: * |
|
2 |
|
* |
DAC80502DRXT-МИКРОСХЕМА
|
TEXAS INSTRUMENTS, (Э) Дата изготовления: * |
|
2562 |
|
* |
DAC7613E-МИКРОСХЕМА
|
TEXAS INSTRUMENTS, (Э) Дата изготовления: * |
|
20 |
|
* |
DAC7734EC-МИКРОСХЕМА
|
TEXAS INSTRUMENTS, (Э) Дата изготовления: * |
|
1 |
|
* |
DAC8412FPCZ-МИКРОСХЕМА
|
ANALOG DEVICES, (Э) Дата изготовления: * |
|
26 |
|
* |
DS90CR285MTD-МИКРОСХЕМА
|
NATIONAL SEMICONDUCTORS, (Э) Дата изготовления: * |
|
3 |
|
* |
DS90CR286MTD-МИКРОСХЕМА
|
NATIONAL SEMICONDUCTORS, (Э) Дата изготовления: * |
|
7 |
|
* |
DS90CF363BMT-МИКРОСХЕМА
|
IMPORT, (Э) Дата изготовления: * |
|
31 |
|
* |
DS90LV049TMT/NOPB NATIONAL-МИКРОСХЕМА
|
NATIONAL, (Э) Дата изготовления: * |
|
1 |
|
* |
DVMA28-МИКРОСХЕМА
|
VPT, (Э) Дата изготовления: * |
|
8 |
|
* |
DVMA28-МИКРОСХЕМА
|
VPT, (Э) Дата изготовления: * |
|
18 |
|
* |
EPF10K50RI240-4N-МИКРОСХЕМА
|
ALTERA, (Э) Дата изготовления: * |
|
10 |
|
* |
EPF10K30RI208-4N-МИКРОСХЕМА
|
ALTERA, (Э) Дата изготовления: * |
|
5 |
|
* |
EPF10K30RI208-4N-МИКРОСХЕМА
|
ALTERA, (Э) Дата изготовления: * |
|
6 |
|
* |
EPF10K100EBC356-1X-МИКРОСХЕМА
|
ALTERA, (Э) Дата изготовления: * |
|
1 |
|
* |
EPF10K20RC208-4N-МИКРОСХЕМА
|
ALTERA, (Э) Дата изготовления: * |
|
2 |
|
* |
EPM240T100C5N-МИКРОСХЕМА
|
ALTERA, (Э) Дата изготовления: * |
|
94 |
|
* |
FT4232HL-R-МИКРОСХЕМА
|
FTDI, (Э) Дата изготовления: * |
|
101 |
|
* |
FT4232HL-REEL-МИКРОСХЕМА
|
FTDI, (Э) Дата изготовления: * |
|
8 |
|
* |
FT4232HL-REEL-МИКРОСХЕМА
|
FTDI, (Э) Дата изготовления: * |
|
50 |
|
* |
FT4232HL-REEL-МИКРОСХЕМА
|
FTDI, (Э) Дата изготовления: * |
|
25 |
|
* |
FT4232HL-REEL-МИКРОСХЕМА
|
FTDI, (Э) Дата изготовления: * |
|
35 |
|
* |
FX614D4-МИКРОСХЕМА
|
CML SEMICONDUCTOR, (Э) Дата изготовления: * |
|
908 |
|
* |
FX614D4-МИКРОСХЕМА
|
CML SEMICONDUCTOR, (Э) Дата изготовления: * |
|
255 |
|
* |
FXOS8700CQR1-МИКРОСХЕМА
|
NXP, (Э) Дата изготовления: * |
|
20 |
|
* |
Р1-8МП-0.125-24 КОМ+-0.1%-0.5-Д-РЕЗИСТОР
|
ОЖО.467.164ТУ ИЗ.№35, (Э) Дата изготовления: * |
|
6 |
|
* |
Р1-8МП-0.125-26.1 КОМ+-0.1%-0.5-Д-РЕЗИСТОР
|
ОЖО.467.164ТУ ИЗ.№35, (Э) Дата изготовления: * |
|
14 |
|
* |
Р1-8МП-0.125-30.1 КОМ+-0.1%-0.5-Д-РЕЗИСТОР
|
ОЖО.467.164ТУ ИЗ.№35, (Э) Дата изготовления: * |
|
5 |
|
* |
Р1-8МП-0.125-75 КОМ+-0.1%-0.5-Д-РЕЗИСТОР
|
ОЖО.467.164ТУ ИЗ.№35, (Э) Дата изготовления: * |
|
55 |
|
* |
Р1-8МП-0.125-75 КОМ+-0.1%-0.5-Д-РЕЗИСТОР
|
ОЖО.467.164ТУ ИЗ.№35, (Э) Дата изготовления: * |
|
15 |
|
* |
Р1-8МП-0.125-75.9 КОМ+-0.1%-0.5-Д-РЕЗИСТОР
|
ОЖО.467.164ТУ ИЗ.№35, (Э) Дата изготовления: * |
|
47 |
|
* |
Р1-8МП-0.125-79.6 КОМ+-0.1%-0.5-Д-РЕЗИСТОР
|
ОЖО.467.164ТУ ИЗ.№35, (Э) Дата изготовления: * |
|
55 |
|
* |
Р1-8МП-0.125-14.7 КОМ+-0.5%-0.5-Ж-А-РЕЗИСТОР
|
ОЖО.467.164ТУ ИЗ.№35, (Э) Дата изготовления: * |
|
60 |
|
* |
Р1-8МП-0.125-14.7 КОМ+-0.5%-0.5-Ж-А-РЕЗИСТОР
|
ОЖО.467.164ТУ ИЗ.№35, (Э) Дата изготовления: * |
|
17 |
|
* |
Р1-8МП-0.125-14.7 КОМ+-0.5%-0.5-Ж-А-РЕЗИСТОР
|
ОЖО.467.164ТУ ИЗ.№35, (Э) Дата изготовления: * |
|
40 |