| Производитель |
Наименование |
Информация |
Цены |
Склад |
|
Чип и Дип |
FS8205A
|
транзистор, (Ш) Дата изготовления: * |
|
3 |
|
Fairchild Semiconductor, США |
FSAM50SM60A
|
Силовой модуль, (Ш) Дата изготовления: * |
|
2 |
|
FTDI Ltd., Великобритания |
FT245RL-REEL
|
Микросхема, (Ш) Дата изготовления: * |
|
4 |
|
|
FYL-3014GD
|
Диод, (Ш) Дата изготовления: * |
|
2 |
|
|
FYL-3014HD
|
Диод, (Ш) Дата изготовления: * |
|
2 |
|
|
FYL-3014YD
|
Диод, (Ш) Дата изготовления: * |
|
1 |
|
Semiconductor Components Industrie LLS, |
GBU606
|
Диод, (Ш) Дата изготовления: * |
|
2 |
|
|
GD25Q256EWIG
|
Микросхема, (Ш) Дата изготовления: * |
|
15 |
|
|
GP2S1+
|
Микросхема, (Ш) Дата изготовления: * |
|
30 |
|
|
GSX-752A/554 16,0MHz
|
Резонатор, (Ш) Дата изготовления: * |
|
27 |
|
|
HC-49US-16.000MHz
|
Резонатор, (Ш) Дата изготовления: * |
|
10 |
|
|
HC49S-10-30-50-70-30-ATF
|
Резонатор, (Ш) Дата изготовления: * |
|
2 |
|
|
HC49S-10.000MHz
|
Резонатор, (Ш) Дата изготовления: * |
|
196 |
|
|
HC49SDLF-8.00MHz
|
Кристалл, (Ш) Дата изготовления: * |
|
3 |
|
M/A-COM Technology Solutions Inc., США |
HCPL0600R2
|
Оптоизолятор, (Ш) Дата изготовления: * |
|
20 |
|
|
HDR300MF11-04A\4P
|
Фильтр, (Ш) Дата изготовления: * |
|
20 |
|
|
HMC1097LP4E
|
Микросхема, (Ш) Дата изготовления: * |
|
15 |
|
|
HMC1122LP4ME
|
Микросхема, (Ш) Дата изготовления: * |
|
10 |
|
Holt. США |
HMC452ST89ETR
|
Микросхема, (Ш) Дата изготовления: * |
|
1 |
|
|
HMC542BLP4E
|
Микросхема, (Ш) Дата изготовления: * |
|
15 |
|
|
HMC544A
|
Микросхема, (Ш) Дата изготовления: * |
|
10 |
|
|
HRF-AT4510
|
Микросхема, (Ш) Дата изготовления: * |
|
4 |
|
Agilent Technologies, USA |
HSMP-3816-BLKG
|
Диодная сборка, (Ш) Дата изготовления: * |
|
22 |
|
Agilent Technologies, USA |
HSMP-3820
|
Диодная матрица, (Ш) Дата изготовления: * |
|
10 |
|
Avago Technologies, США |
HSMP-3822-TR1G
|
диод, (Ш) Дата изготовления: * |
|
100 |
|
Agilent Technologies, USA |
HSMP-3824BLKG
|
Диод, (Ш) Дата изготовления: * |
|
99 |
|
Agilent Technologies, USA |
HSMS-2812-BLKG
|
Диод, (Ш) Дата изготовления: * |
|
5 |
|
Agilent Technologies, USA |
HSMS-2812-TR1G
|
Диод, (Ш) Дата изготовления: * |
|
30 |
|
Agilent Technologies, USA |
HSMS-2822 TR1G
|
Диод, (Ш) Дата изготовления: * |
|
50 |
|
Integra Technologies, Inc., США |
IB1011L470
|
Транзистор, (Ш) Дата изготовления: * |
|
3 |
|
Integra Technologies, Inc., США |
IB1206
|
Транзистор, (Ш) Дата изготовления: * |
|
12 |
|
Integra Technologies, Inc., США |
IB1207
|
Транзистор, (Ш) Дата изготовления: * |
|
8 |
|
Integra Technologies, Inc., США |
IB1208
|
Транзистор, (Ш) Дата изготовления: * |
|
7 |
|
|
IGN1011L1200
|
Транзистор, (Ш) Дата изготовления: * |
|
14 |
|
|
IGN1030M800
|
Транзистор, (Ш) Дата изготовления: * |
|
6 |
|
|
IGN1180
|
Транзистор, (Ш) Дата изготовления: * |
|
4 |
|
|
IGW30N60H3
|
Транзистор, (Ш) Дата изготовления: * |
|
10 |
|
Интеграл Беларусь |
IN74AC34N
|
микросхема, (Ш) Дата изготовления: * |
|
20 |
|
|
INA333AIDGKT
|
Микросхема, (Ш) Дата изготовления: * |
|
20 |
|
|
IRF5210PBF
|
Транзистор, (Ш) Дата изготовления: * |
|
3 |
|
|
IRF540NPBF
|
Транзистор, (Ш) Дата изготовления: * |
|
2 |
|
|
IRF610PBF
|
Транзистор, (Ш) Дата изготовления: * |
|
15 |
|
|
IRF6216PbF
|
Транзистор, (Ш) Дата изготовления: * |
|
50 |
|
|
IRFR5410TRPBF
|
Транзистор, (Ш) Дата изготовления: * |
|
20 |
|
|
IRG4BC30WPBF (600В 23А)
|
Транзистор, (Ш) Дата изготовления: * |
|
12 |
|
|
IS66WVH16M8ALL-166B1L1
|
Микросхема, (Ш) Дата изготовления: * |
|
1 |
|
|
IXDD604SIATR
|
Транзистор, (Ш) Дата изготовления: * |
|
4 |
|
|
JFM25Q1256
|
(Ш) Дата изготовления: * |
|
15 |
|
KINGBRIGHT |
KA-3528SGS
|
Индикатор единичный, (Ш) Дата изготовления: * |
|
5 |
|
|
KA-3528SRCT
|
Светодиод, (Ш) Дата изготовления: * |
|
10 |
