| Производитель |
Наименование |
Информация |
Цены |
Склад |
|
Vishay |
SUD50P08-25L-E3, P-Ch MOSFET DPak (TO-252) 80В 29мОм @ 4.5В
|
|
|
10-18 дней |
|
Vishay |
SUD50P10-43L-E3, P-Ch MOSFET DPak (TO-252) 100V 48mohm @ 4.5V
|
|
|
10-11 дней |
|
Vishay |
SUM110P04-05-E3, P-Channel 40-V (D-S) mosfet
|
Дата изготовления: 2005 г. |
|
17-20 дней |
|
Vishay |
SUM110P08-11L-E3, N-Ch MOSFET D2Pak 80V 11.5mohm @ 10V
|
Дата изготовления: 2011 г. |
|
18-19 дней |
|
Vishay |
SUM47N10-24L-E3, N-Ch MOSFET D2pak 100B
|
|
|
13-15 дней |
|
Vishay |
SUM90P10-19L-E3, N-Ch MOSFET D2Pak 100V 19.3mohm @ 10V
|
Дата изготовления: 2019 г. |
|
13-14 дней |
|
Vishay |
SUP40N25-60-E3, N-Ch MOSFET TO-220 250В
|
|
|
10-11 дней |
|
Vishay |
SUP85N15-21, N-Ch MOSFET TO-220 150В
|
Дата изготовления: 2021 г. |
|
17-20 дней |
|
Infineon Tech. |
TLE5212G,2x0.5A 4x50mA low-sideSO28
|
|
|
15-18 дней |
|
Infineon Tech. |
TLE5224G2,2x4A Low Sw.PDSO-24-3
|
Дата изготовления: 2024 г. |
|
13-16 дней |
|
Vishay/IR |
VS-FB180SA10P,Nкан 100В 180А SOT227
|
|
|
14-18 дней |
|
Toshiba |
2SC3607,Si NPN транз 20В 80мА 9,5dB 1ГГц SMD 09г
|
|
|
8-9 дней |
|
Philips Semic. |
BLF2045.112, UHF power LDMOS transistor 30 W (PEP) 12.5 dB
|
|
|
12-20 дней |
|
Mitsubishi |
MGF0904A-01, GaAs FET 1.65GHz GF-7
|
Дата изготовления: 2001 г. |
|
13-19 дней |
|
Mitsubishi |
MGF0906B-01, GaAs FET 2.3GHz GF-21
|
Дата изготовления: 2001 г. |
|
16-20 дней |
|
Mitsubishi |
MGF0909A-01, GaAs FET 2.3GHz 38dBm GF-7
|
Дата изготовления: 2001 г. |
|
8-10 дней |
|
Mitsubishi |
MGF0911A-01, GaAs FET 2.3GHz 40dBm GF-21
|
Дата изготовления: 2001 г. |
|
10-19 дней |
|
Mitsubishi |
MGF0913A-03, GaAs FET 1,9GHz 31dBm
|
Дата изготовления: 2003 г. |
|
8-17 дней |
|
Mitsubishi |
MGF0915A-03, GaAs FET 1,9GHz 36,5dBm
|
Дата изготовления: 2003 г. |
|
15-16 дней |
|
Mitsubishi |
MGF0918A-03, GaAs FET 1.9GHz 3W 27dBm GF-50
|
Дата изготовления: 2003 г. |
|
11-16 дней |
|
Mitsubishi |
MGF0920A-03, GaAs FET 1.9GHz 8.3W 30dBm GF-50
|
Дата изготовления: 2003 г. |
|
9-11 дней |
|
Mitsubishi |
MGF0921A-03, GaAs FET 1.9GHz 10W 31dBm GF-50
|
Дата изготовления: 2003 г. |
|
14-16 дней |
|
Mitsubishi |
MGF0952P-03, GaAs FET 2.15GHz 36.5dBm
|
Дата изготовления: 2003 г. |
|
16-20 дней |
|
Mitsubishi |
MGF1601B-01, GaAs FET 8GHz GD-10
|
Дата изготовления: 2001 г. |
|
9-10 дней |
|
Mitsubishi |
MGF2407A-01, GaAs FET 14.5GHz GF-17
|
Дата изготовления: 2001 г. |
|
9-10 дней |
|
Mitsubishi |
MGF2407A-01, СВЧ 14.5ГГц-24.5дБм
|
Дата изготовления: 2001 г. |
|
16-18 дней |
|
Mitsubishi |
MGF2415A-01, GaAs FET 14,5GHz GF-17
|
Дата изготовления: 2001 г. |
|
8-10 дней |
|
Mitsubishi |
MGF2430A-01, GaAs FET 14.5GHz GF-17
|
Дата изготовления: 2001 г. |
|
13-15 дней |
|
Mitsubishi |
MGF2445A-01, GaAs FET 12GHz GF-17
|
Дата изготовления: 2001 г. |
|
13-20 дней |
|
Mitsubishi |
MGF4953A-65, LowNoise InGaAs 12GHz
|
|
|
18-19 дней |
|
Mitsubishi |
MGFC36V3436-51, GaAs FET 3.4-3.5GHz 5W GF-8
|
|
|
15-20 дней |
|
Mitsubishi |
MGFC36V4450A-51, GaAs FET 4.4-5.0GHz 4W GF-8
|
|
|
8-9 дней |
|
Mitsubishi |
MGFC42V5258-01, GaAs FET 5.2-5.8GHz 18W GF-18
|
Дата изготовления: 2001 г. |
|
13-17 дней |
|
Mitsubishi |
MGFC42V5964A-51, GaAs FET 5.9-6.4GHz 18W GF-18
|
|
|
8-17 дней |
|
Mitsubishi |
MGFC4419G-A03, InGaAs Low Noise HEMT 12GHz
|
|
|
16-20 дней |
|
Mitsubishi |
MGFC47A4450-01, GaAs FET 4.4-5.0GHz 50W GF-53
|
Дата изготовления: 2001 г. |
|
11-20 дней |
|
Mitsubishi |
MGFK38A3745-01, GaAs FET 13.75-14.5GHz 37W GF-27
|
Дата изготовления: 2001 г. |
|
18-20 дней |
|
Mitsubishi |
RD00HHS1-101, Si 30MHz 0.3W 12.5V SOT89
|
Дата изготовления: 2012 г. |
|
9-19 дней |
|
Mitsubishi |
RD00HVS1-101, Si 175MHz 0.5W 12.5V SLP
|
Дата изготовления: 2012 г. |
|
14-16 дней |
|
Mitsubishi |
RD01MUS1-101, Si 520MHz 0.8W 7.2V SLP
|
|
|
16-19 дней |
|
Mitsubishi |
RD02MUS1-101, Si 175/520 МHz 2/2W 12.5V SLP
|
Дата изготовления: 2012 г. |
|
9-19 дней |
|
Mitsubishi |
RD06HHF1-101, Si 30MHz 6.0W 12.5V TO220
|
Дата изготовления: 2012 г. |
|
12-17 дней |
|
Mitsubishi |
RD06HVF1-101, Si 175MHz 6W 12.5V TO220
|
Дата изготовления: 2012 г. |
|
15-18 дней |
|
Mitsubishi |
RD07MVS1-101, Si 175MHz 7W 7,2V SLP
|
|
|
14-19 дней |
|
Mitsubishi |
RD07MVS1-T112, (=RD07MVS1-101 катушка) Si 175MHz 7W 7,2V SLP T&R
|
|
|
8-20 дней |
|
Mitsubishi |
RD100HHF1-101, Si 30MHz 100W 12.5V ceramic
|
Дата изготовления: 2012 г. |
|
13-17 дней |
|
Mitsubishi |
RD12MVS1-101, Si 175MHz 11.5W 7,2V SLP
|
Дата изготовления: 2011 г. |
|
17-18 дней |
|
Mitsubishi |
RD15HVF1-101, Si 175/520MHz 15/15W 12.5V TO220
|
Дата изготовления: 2015 г. |
|
11-14 дней |
|
Mitsubishi |
RD16HHF1-101, Si 30MHz 12.5V 16W TO220
|
Дата изготовления: 2012 г. |
|
18-19 дней |
|
Mitsubishi |
RD20HMF1-101, Si 900MHz 20W 12.5V ceramic
|
Дата изготовления: 2012 г. |
|
16-18 дней |