| Производитель |
Наименование |
Информация |
Цены |
Склад |
|
Тайвань(Китай) |
Тант.ЧИПконд.220 мкф х 10в типD 10%
|
Дата изготовления: 2010 г. |
|
9-15 дней |
|
Тайвань(Китай) |
Тант.ЧИПконд.220 мкф х 10в типE 20%
|
Дата изготовления: 2020 г. |
|
16-20 дней |
|
Vishay |
Тант.ЧИПконд.220мкФх20в 597D типR 10% ,597D227X9020R2T
|
Дата изготовления: 2010 г. |
|
15-16 дней |
|
Vishay |
Тант.ЧИПконд.3.3мкФ х 35В 293D типВ 10% ,293D335X9035B2TE3
|
Дата изготовления: 2010 г. |
|
17-19 дней |
|
Тайвань(Китай) |
Тант.ЧИПконд.3.3 мкф х 16в типВ 20%
|
Дата изготовления: 2020 г. |
|
13-15 дней |
|
Тайвань(Китай) |
Тант.ЧИПконд.3.3 мкф x 25в типC,10%
|
Дата изготовления: 2010 г. |
|
18-20 дней |
|
Vishay |
Тант.ЧИПконд.3.3мкФ.х35в 293D типC 10% ,293D335X9035C2TE3
|
Дата изготовления: 2010 г. |
|
18-19 дней |
|
Vishay |
Тант.ЧИПконд.3.3мкФ х50В 293D типC 10% ,293D335X9050C2TE3
|
Дата изготовления: 2010 г. |
|
8-11 дней |
|
Тайвань(Китай) |
Тант.ЧИПконд.33 мкф х 10в типB 20%
|
|
|
18-20 дней |
|
Тайвань(Китай) |
Тант.ЧИПконд.33 мкф х 10в типB 10%
|
|
|
14-19 дней |
|
Vishay |
Тант.ЧИПконд.33мкфх10в 293D типB 10% ,293D336X9010B2TE3
|
Дата изготовления: 2010 г. |
|
16-17 дней |
|
Vishay |
Тант.ЧИПконд.33мкфх10в 293D типC 10% ,293D336X9010C2TE3
|
Дата изготовления: 2010 г. |
|
11-14 дней |
|
Vishay |
Тант.ЧИПконд.33мкфх10в 293D типD 10% ,293D336X9010D2WE3
|
Дата изготовления: 2010 г. |
|
18-20 дней |
|
Тайвань(Китай) |
Тант.ЧИПконд.33 мкф х 16в типD 10%
|
|
|
11-18 дней |
|
Тайвань(Китай) |
Тант.ЧИПконд.33 мкф х 16в типD 20%
|
|
|
14-18 дней |
|
Vishay |
Тант.ЧИПконд.33мкфх16в 293D типD 10% ,293D336X9016D2TE3
|
Дата изготовления: 2010 г. |
|
10-20 дней |
|
Vishay |
Тант.ЧИПконд.33мкфх16в 293D типC 10% ,293D336X9016C2WE3
|
Дата изготовления: 2010 г. |
|
8-18 дней |
|
Vishay |
Тант.ЧИПконд.33мкфх16в 293D типB 10% ,293D336X9016B2TE3
|
Дата изготовления: 2010 г. |
|
9-13 дней |
|
Vishay |
Тант.ЧИПконд.33мкф х 20в типC 10% ,293D336X9020C2TE3
|
Дата изготовления: 2010 г. |
|
15-18 дней |
|
Vishay |
Тант.ЧИПконд.33мкфх20в типD 10% ,293D336X9020D2WE3
|
Дата изготовления: 2010 г. |
|
9-12 дней |
|
Vishay |
Тант.ЧИПконд.33мкфх25в типD 10% ,293D336X9025D2TE3
|
Дата изготовления: 2010 г. |
|
16-18 дней |
|
Vishay |
Тант.ЧИПконд.33мкфх25В типE 10% ,293D336X9025E2WE3
|
Дата изготовления: 2010 г. |
|
17-20 дней |
|
Тайвань(Китай) |
Тант.ЧИПконд.33 мкф х 20в типD 20%
|
|
|
9-20 дней |
|
Vishay |
Тант.ЧИПконд.4.7мкф х 10В типB 10% ,293D475X9010B2TE3
|
Дата изготовления: 2010 г. |
|
15-18 дней |
|
Vishay |
Тант.ЧИПконд.4.7мкф х 16В типА 10% ,293D475X9016A2TE3
|
Дата изготовления: 2010 г. |
|
18-20 дней |
|
Vishay |
Тант.ЧИПконд.4.7мкф х 16В типB 10% ,293D475X9016B2TE3
|
Дата изготовления: 2010 г. |
|
15-17 дней |
|
Vishay |
Тант.ЧИПконд.4.7мкф х 20В типА 10% ,293D475X9020A2TE3
|
Дата изготовления: 2010 г. |
|
13-14 дней |
|
Тайвань(Китай) |
Тант.ЧИПконд.4.7 мкф х 10в типA 20%
|
Дата изготовления: 2020 г. |
|
18-19 дней |
|
Тайвань(Китай) |
Тант.ЧИПконд.4.7 мкф х 16в типА 10%
|
Дата изготовления: 2010 г. |
|
10-11 дней |
|
Тайвань(Китай) |
Тант.ЧИПконд.4.7 мкф х 16в типА 20%
|
Дата изготовления: 2020 г. |
|
12-20 дней |
|
Тайвань(Китай) |
Тант.ЧИПконд.4.7 мкф х 16в типВ 10%
|
Дата изготовления: 2010 г. |
|
18-19 дней |
|
Тайвань(Китай) |
Тант.ЧИПконд.4.7 мкф х 16в типC 20%
|
Дата изготовления: 2020 г. |
|
8-10 дней |
|
Тайвань(Китай) |
Тант.ЧИПконд.4.7 мкф х 25в типB 10%
|
Дата изготовления: 2010 г. |
|
17-18 дней |
|
Тайвань(Китай) |
Тант.ЧИПконд.4.7 мкф х 25в типС 10%
|
Дата изготовления: 2010 г. |
|
12-13 дней |
|
Тайвань(Китай) |
Тант.ЧИПконд.4.7 мкф х 35в типD 10%
|
Дата изготовления: 2010 г. |
|
15-18 дней |
|
Vishay |
Тант.ЧИПконд.4.7мкфх20в 293D типC 10% ,293D475X9020C2WE3
|
Дата изготовления: 2010 г. |
|
16-18 дней |
|
Vishay |
Тант.ЧИПконд.47мкФ х 6.3В типB 10% ,293D476X96R3B2TE3
|
Дата изготовления: 2010 г. |
|
12-14 дней |
|
Vishay |
Тант.ЧИПконд.47мкф х 6.3В 293D типC 10% ,293D476X96R3C2TE3
|
Дата изготовления: 2010 г. |
|
16-18 дней |
|
Тайвань(Китай) |
Тант.ЧИПконд.47 мкф х 10в типB 20%
|
|
|
18-19 дней |
|
Тайвань(Китай) |
Тант.ЧИПконд.47 мкф х 10в типB 10%
|
|
|
13-17 дней |
|
Vishay |
Тант.ЧИПконд.47мкфх10в 293D типC 10% ,293D476X9010C2TE3
|
Дата изготовления: 2010 г. |
|
15-17 дней |
|
Vishay |
Тант.ЧИПконд.47мкфх10в 293D типB 10% ,293D476X9010B2TE3
|
Дата изготовления: 2010 г. |
|
8-16 дней |
|
Vishay |
Тант.ЧИПконд.47мкфх16в 293D типC 10% ,293D476X9016C2TE3
|
Дата изготовления: 2010 г. |
|
18-19 дней |
|
Тайвань(Китай) |
Тант.ЧИПконд.47 мкф х 10в типD 20%
|
|
|
18-19 дней |
|
Тайвань(Китай) |
Тант.ЧИПконд.47 мкф х 16в типС 20%
|
|
|
9-14 дней |
|
Тайвань(Китай) |
Тант.ЧИПконд.47 мкф х 16в типС 10%
|
|
|
15-17 дней |
|
Тайвань(Китай) |
Тант.ЧИПконд.47 мкф x 16в типD 10%
|
|
|
12-15 дней |
|
Vishay |
Тант.ЧИПконд.47мкфх16в 293D типD 20% ,293D476X0016D2T
|
Дата изготовления: 2020 г. |
|
15-17 дней |
|
Vishay |
Тант.ЧИПконд.47мкфх16в 293D типD 10% ,293D476X9016D2Te3
|
Дата изготовления: 2010 г. |
|
10-11 дней |
|
Vishay |
Тант.ЧИПконд.47мкфх 20В 293D типD 10% ,293D476X9020D2Te3
|
Дата изготовления: 2010 г. |
|
16-19 дней |
