| Производитель |
Наименование |
Информация |
Цены |
Склад |
|
|
1,6 нГн АТС 0603WL1R6J Индуктивность
|
1,6 нГн АТС 0603WL1R6J Индуктивность |
|
179 |
|
|
1,6 Ом С5-35 50Вт 5%
|
1,6 Ом С5-35 50Вт 5% |
|
10 |
|
|
1,6/0,8 черная - ТУТ клеевая 2:1
|
1,6/0,8 черная - ТУТ клеевая 2:1 |
|
0.8 |
|
|
1,8 мкГн 0805-LQM21N
|
1,8 мкГн 0805-LQM21N |
|
22 |
|
|
1,8 мкГн 0805-В82498-В
|
1,8 мкГн 0805-В82498-В |
|
80 |
|
|
1,8 мкГн 10% EC 24-1R8K, индукт, имп. TWN
|
1,8 мкГн 10% EC 24-1R8K, индукт, имп. TWN |
|
43 |
|
|
1,8 нГн 0402-LQG15H
|
1,8 нГн 0402-LQG15H |
|
150 |
|
|
1,8 нГн 0603 CLH1608T-1N8S
|
1,8 нГн 0603 CLH1608T-1N8S |
|
70 |
|
|
1,8 нГн LQP18MN1N8C00D +/-0.2нг 250ма
|
1,8 нГн LQP18MN1N8C00D +/-0.2нг 250ма |
|
11 |
|
|
1,8 нГн АТС 0603WL1R8J Индуктивность
|
1,8 нГн АТС 0603WL1R8J Индуктивность |
|
30 |
|
|
1,8 пф 50В 0603 HQM чип конденс
|
1,8 пф 50В 0603 HQM чип конденс |
|
39 |
|
|
1,8 пф ATC100B1R8СW500Х конденс
|
1,8 пф ATC100B1R8СW500Х конденс |
|
80 |
|
|
1.3inch OLED Модуль
|
1.3inch OLED Модуль |
|
5 |
|
|
10 кОм C1-4 0.5В 5% ЧИП РЕЗИСТОР
|
10 кОм C1-4 0.5В 5% ЧИП РЕЗИСТОР |
|
24 |
|
|
10 кОм 0603х4 5% резисторная сборка
|
10 кОм 0603х4 5% резисторная сборка |
|
789 |
|
|
10 кОм 2Вт ±1% MF-2 - Резисторы
|
10 кОм 2Вт ±1% MF-2 - Резисторы |
|
100 |
|
|
10 кОм C2-29B 1В 0,5% РЕЗИСТОР
|
10 кОм C2-29B 1В 0,5% РЕЗИСТОР |
|
5 |
|
|
10 кОм C2-33Н-2 (PR02000) - Резисторы постоянные
|
10 кОм C2-33Н-2 (PR02000) - Резисторы постоянные |
|
14 |
|
|
10 кОм FCN16-4R-10 резисторная сборка
|
10 кОм FCN16-4R-10 резисторная сборка |
|
164 |
|
|
10 кОм MF-25-0.25 резистор прециз,
|
10 кОм MF-25-0.25 резистор прециз, |
|
3 |
|
|
10 кОм PTD901-2015K-B103 Переменный резистор
|
10 кОм PTD901-2015K-B103 Переменный резистор |
|
171 |
|
|
10 мкГ MAL3-100K 10% 370 ма
|
10 мкГ MAL3-100K 10% 370 ма |
|
35 |
|
|
10 мкГн 1010-В82464-G Чип индуктивность
|
10 мкГн 1010-В82464-G Чип индуктивность |
|
6 |
|
|
10 мкГн 1210-LQH32C Чип индукт.
|
10 мкГн 1210-LQH32C Чип индукт. |
|
1992 |
|
|
10 мкГн 1212-B82477-G ЧИП индуктивность
|
10 мкГн 1212-B82477-G ЧИП индуктивность |
|
70 |
|
|
10 мкГн CDRH5D28NP-100NC Чип индуктивность
|
10 мкГн CDRH5D28NP-100NC Чип индуктивность |
|
4 |
|
|
10 мкГн CM322522 Индуктивность
|
10 мкГн CM322522 Индуктивность |
|
7 |
|
|
10 мкГн DO5022P - 103 ML_ Чип индукт
|
10 мкГн DO5022P - 103 ML_ Чип индукт |
|
3 |
|
|
10 мкГн DS1608-103MLB Чип индукт.
|
10 мкГн DS1608-103MLB Чип индукт. |
|
38 |
|
|
10 мкГн LBMF1608T100K Чип индуктивность
|
10 мкГн LBMF1608T100K Чип индуктивность |
|
1 |
|
|
10 мкГн LPS3015-103ML
|
10 мкГн LPS3015-103ML |
|
7 |
|
|
10 мкГн SDR0403-100ML Чип индуктивность
|
10 мкГн SDR0403-100ML Чип индуктивность |
|
50 |
|
|
10 мкГн SDR0603 Чип индуктивность
|
10 мкГн SDR0603 Чип индуктивность |
|
4 |
|
|
10 мкГн SER2915H-103 индуктивность
|
10 мкГн SER2915H-103 индуктивность |
|
70 |
|
|
10 мкГн SH4028-100YLB Индуктивность SMD
|
10 мкГн SH4028-100YLB Индуктивность SMD |
|
20 |
|
|
10 мкГн SRU1048-100Y Индуктивность
|
10 мкГн SRU1048-100Y Индуктивность |
|
3 |
|
|
10 мкГн SU1050
|
10 мкГн SU1050 |
|
50 |
|
|
10 мкГн SU8030
|
10 мкГн SU8030 |
|
130 |
|
|
10 мкф 100В 1210 X7S Керамич.чип конденс
|
10 мкф 100В 1210 X7S Керамич.чип конденс |
|
17 |
|
|
10 мкф 10В 0405 X5R Керамич.чип конденс
|
10 мкф 10В 0405 X5R Керамич.чип конденс |
|
1068 |
|
|
10 мкф 63 В, К 50-68
|
10 мкф 63 В, К 50-68 |
|
10 |
|
|
10 мкф х 100 в электролитич.К 50-35
|
10 мкф х 100 в электролитич.К 50-35 |
|
9 |
|
|
10 мкф х 50 В SMD конденсатор танталовый
|
10 мкф х 50 В SMD конденсатор танталовый |
|
8 |
|
|
10 мкф х 50 В К 53-67
|
10 мкф х 50 В К 53-67 |
|
39 |
|
|
10 нГн 0402-LQG15HN ЧИП индуктивность
|
10 нГн 0402-LQG15HN ЧИП индуктивность |
|
90 |
|
|
10 нГн 0402-LQW15A ЧИП индуктивность
|
10 нГн 0402-LQW15A ЧИП индуктивность |
|
22 |
|
|
10 нГн 0603-В82496-С чип индуктивность
|
10 нГн 0603-В82496-С чип индуктивность |
|
188 |
|
|
10 Ом РA6 50Вт
|
10 Ом РA6 50Вт |
|
15 |
|
|
10 Ом 0402 1% ЧИП РЕЗ
|
10 Ом 0402 1% ЧИП РЕЗ |
|
409 |
|
|
10 Ом MF-200-2 резистор
|
10 Ом MF-200-2 резистор |
|
38 |