Поставщик «Семикон»

г. Ростов-на-Дону

+7 (863) 333-20-95

client03@semicon.ru

https://www.semicon.ru

Ограничения: Заказ от 3000 руб.

Страница: 1 2 3 ... 72 73 74 ... 143 144 145 ... 214 215 216 ... 249 250 251 252 253 254 255 ... 285 286 287 ... 355 356

Наименование	Информация	Склад
*10 Ом Р1-12-0,1 2% АЛЯР.434110.005ТУ (ВП) резистор*	10 Ом Р1-12-0,1 2% АЛЯР.434110.005ТУ (ВП) резистор	105
*10 Ом С1-4 1Вт Резистор*	10 Ом С1-4 1Вт Резистор	31
*10 Ом С2-23 0.5B Резистор*	10 Ом С2-23 0.5B Резистор	95
*10 Ом С2-29В 0,125В Резисторы*	10 Ом С2-29В 0,125В Резисторы	45
*100 кОм FCN16-4R-100 резисторная сборка*	100 кОм FCN16-4R-100 резисторная сборка	21
*100 кОм HP1-4-8M 9A104J*	100 кОм HP1-4-8M 9A104J	124
*100 кОм С2-29В 0,25В Резистор*	100 кОм С2-29В 0,25В Резистор	25
*100 мкГн 1210 Чип индуктив +-20% SQ3225*	100 мкГн 1210 Чип индуктив +-20% SQ3225	3
*100 мкГн 1210-В82422Т*	100 мкГн 1210-В82422Т	30
*100 мкГн 1812 LQN4N (LQH43МN) 10% Чип индуктив*	100 мкГн 1812 LQN4N (LQH43МN) 10% Чип индуктив	50
*100 мкГн 1812-LQH43CN101K,SMD чип индуктивность*	100 мкГн 1812-LQH43CN101K,SMD чип индуктивность	50
*100 мкГн 2525-LQH66S Чип индукт*	100 мкГн 2525-LQH66S Чип индукт	52
*100 мкГн CM322522 Индуктивность*	100 мкГн CM322522 Индуктивность	122
*100 мкГн SRU8043-101Y*	100 мкГн SRU8043-101Y	94
*100 мкГн SU8030*	100 мкГн SU8030	130
*100 мкф 16 В, К 50-68*	100 мкф 16 В, К 50-68	4
*100 мкф х 10 в ..К 50-35 электролитич. чип конд*	100 мкф х 10 в ..К 50-35 электролитич. чип конд	37
*100 мкф х 100 в К 50-35 электролитич. чип конд*	100 мкф х 100 в К 50-35 электролитич. чип конд	20
*100 мкф х 16 в . .К 50-35 электролитич.*	100 мкф х 16 в . .К 50-35 электролитич.	63
*100 мкФ х 25В К50-35 электролитич.конд.*	100 мкФ х 25В К50-35 электролитич.конд.	8
*100 мкф х 35 в ..К 50-35 электролитич. чип конд*	100 мкф х 35 в ..К 50-35 электролитич. чип конд	18
*100 мкф х 35 в SMD электролитич. конд*	100 мкф х 35 в SMD электролитич. конд	134
*100 мкф х 400В К 50-35 электролитич. чип конд*	100 мкф х 400В К 50-35 электролитич. чип конд	1
*100 мкф х 50в SMD электролитич. конд*	100 мкф х 50в SMD электролитич. конд	47
*100 мкф х 6,3в электролитич. чип конд.*	100 мкф х 6,3в электролитич. чип конд.	3
*100 нГн 0603 TF160808 R10K Чип индуктивность*	100 нГн 0603 TF160808 R10K Чип индуктивность	57
*100 нГн 0603-LQW18ANR10J00D*	100 нГн 0603-LQW18ANR10J00D	3246
*100 нГн 0805 В82498 -F*	100 нГн 0805 В82498 -F	47
*100 нГн 0805HT-R10TJL_*	100 нГн 0805HT-R10TJL_	69
*100 нГн 1206CS-101XGLC*	100 нГн 1206CS-101XGLC	59
*100 нГн 1206CS-101XJLC*	100 нГн 1206CS-101XJLC	2000
*100 нГн LQG18HNR10J00 5% 300мa*	100 нГн LQG18HNR10J00 5% 300мa	18
*100 нГн LQW2BHNR10J03L 5% 350ма индуктивность SMD*	100 нГн LQW2BHNR10J03L 5% 350ма индуктивность SMD	270
*100 нГн АТС0805-WL-101G*	100 нГн АТС0805-WL-101G	150
*100 Ом MF-200-2 C2-33H-2 резистор*	100 Ом MF-200-2 C2-33H-2 резистор	56
*100 Ом РA6 50Вт*	100 Ом РA6 50Вт	10
*100 Ом FCN16-4R 5% Сборка резистор*	100 Ом FCN16-4R 5% Сборка резистор	962
*100 Ом Р-1-9-40 1%*	100 Ом Р-1-9-40 1%	40
*100 Ом Р-1-9-40 5%*	100 Ом Р-1-9-40 5%	15
*100 Ом Р-2-67-0,25Вт*	100 Ом Р-2-67-0,25Вт	3
*100 Ом С2-29В 0,5М Вт Резистор*	100 Ом С2-29В 0,5М Вт Резистор	85
*1000 мкф х 10 В (EEEFK1A102P) конденсатор*	1000 мкф х 10 В (EEEFK1A102P) конденсатор	20
*1000 мкф х 50В К 50-35*	1000 мкф х 50В К 50-35	18
*1000 мкф х 63 В К 50-35*	1000 мкф х 63 В К 50-35	3
*1000 пф 200В 1210 NPO Керамич.чип конденс*	1000 пф 200В 1210 NPO Керамич.чип конденс	35
*1000 пф 50В 0402 NPO Керамич.чип конденс*	1000 пф 50В 0402 NPO Керамич.чип конденс	505
*10000 мкФ 100В К50-35- конденсатор*	10000 мкФ 100В К50-35- конденсатор	3
*10006,9 корпус*	10006,9 корпус	9
*1008CS-100XJLB - Индуктивности*	1008CS-100XJLB - Индуктивности	44
*1008CS-101XJLB - Индуктивности*	1008CS-101XJLB - Индуктивности	22