| Производитель |
Наименование |
Информация |
Цены |
Склад |
|
|
47 мкф х 50В SMD электролит
|
47 мкф х 50В SMD электролит |
|
5 |
|
|
47 нГн 0402CS-47NXGL
|
47 нГн 0402CS-47NXGL |
|
248 |
|
|
47 нГн 0603 LQG18HN47NJ00 5% 300мa
|
47 нГн 0603 LQG18HN47NJ00 5% 300мa |
|
129 |
|
|
47 нГн 0603-В82496С Индуктивность
|
47 нГн 0603-В82496С Индуктивность |
|
13 |
|
|
47 нГн 0805 MLF2012D47NMT000 - Индуктивность
|
47 нГн 0805 MLF2012D47NMT000 - Индуктивность |
|
20 |
|
|
47 нГн 0805-LQW2BH ЧИП индуктивность
|
47 нГн 0805-LQW2BH ЧИП индуктивность |
|
18 |
|
|
47 нГн 1008HQ-47 NXGLиндуктивность
|
47 нГн 1008HQ-47 NXGLиндуктивность |
|
82 |
|
|
47 нГн 1008HQ-47NXJB
|
47 нГн 1008HQ-47NXJB |
|
175 |
|
|
47 нГн CC0603-047G
|
47 нГн CC0603-047G |
|
100 |
|
|
47 нГн LQW18AN47NJ00D индуктивность 0603
|
47 нГн LQW18AN47NJ00D индуктивность 0603 |
|
12 |
|
|
47 нГн АТС0805WL470J индуктивность
|
47 нГн АТС0805WL470J индуктивность |
|
225 |
|
|
47 Ом 10Вт Резистор SQP
|
47 Ом 10Вт Резистор SQP |
|
9 |
|
|
47 Ом 0402, 1% ЧИП РЕЗ
|
47 Ом 0402, 1% ЧИП РЕЗ |
|
880 |
|
|
47 Ом ТВО-0,5 5% - Резистор
|
47 Ом ТВО-0,5 5% - Резистор |
|
49 |
|
|
470 мкГн SS0603-471KLB Чип индуктивнос
|
470 мкГн SS0603-471KLB Чип индуктивнос |
|
93 |
|
|
470 мкф х 10 В (MAL215097412E3) конденсатор
|
470 мкф х 10 В (MAL215097412E3) конденсатор |
|
25 |
|
|
470 мкф х 10 в Электролит. конденсатор
|
470 мкф х 10 в Электролит. конденсатор |
|
88 |
|
|
470 мкф х 16 в К50-35
|
470 мкф х 16 в К50-35 |
|
4 |
|
|
470 мкф х 35B К 50-35
|
470 мкф х 35B К 50-35 |
|
23 |
|
|
470 мкф х 50В К50-35
|
470 мкф х 50В К50-35 |
|
11 |
|
|
470 мкф х 6,3в 2812 Чип конд. тантал.
|
470 мкф х 6,3в 2812 Чип конд. тантал. |
|
11 |
|
|
470 мкф х 63в К 50-35
|
470 мкф х 63в К 50-35 |
|
71 |
|
|
470 нГн 0603-LQM18N
|
470 нГн 0603-LQM18N |
|
91 |
|
|
470 нГн 0603-LQW18A
|
470 нГн 0603-LQW18A |
|
262 |
|
|
470 нГн 0805 В82498 -F
|
470 нГн 0805 В82498 -F |
|
3 |
|
|
470 нГн LQW2BHNR47J03L 5% 0805 чип индуктивн.
|
470 нГн LQW2BHNR47J03L 5% 0805 чип индуктивн. |
|
15 |
|
|
470 нГн АТС0805WL471J индуктивность
|
470 нГн АТС0805WL471J индуктивность |
|
100 |
|
|
470 Ом 0402, 1% ЧИП РЕЗ
|
470 Ом 0402, 1% ЧИП РЕЗ |
|
1543 |
|
|
470 Ом 1206, 0,1% ЧИП РЕЗ
|
470 Ом 1206, 0,1% ЧИП РЕЗ |
|
93 |
|
|
470 Ом C2-23 0,25В 1% - Резисторы
|
470 Ом C2-23 0,25В 1% - Резисторы |
|
25 |
|
|
470 Ом FCN16-4R-470 резисторная сборка
|
470 Ом FCN16-4R-470 резисторная сборка |
|
2899 |
|
|
470 пф 1000В 1210 NPO Керамич.чип конденс
|
470 пф 1000В 1210 NPO Керамич.чип конденс |
|
5 |
|
|
470 пф NPO 0805 К10-17Б
|
470 пф NPO 0805 К10-17Б |
|
30 |
|
|
470531000 разъем
|
470531000 разъем |
|
3 |
|
|
47080-4005 Разъём.
|
47080-4005 Разъём. |
|
5 |
|
|
49-CBSU-36 материал
|
49-CBSU-36 материал |
|
2 |
|
|
49,9 кОм С2-29В 0.125 Вт 0.5% резистор
|
49,9 кОм С2-29В 0.125 Вт 0.5% резистор |
|
25 |
|
|
490107670612 - Разъёмы штыревые
|
490107670612 - Разъёмы штыревые |
|
13 |
|
|
4х150 чер. - Стяжки
|
4х150 чер. - Стяжки |
|
300 |
|
|
5 кОм 3224W-1-502E 11об.подстр.рез.
|
5 кОм 3224W-1-502E 11об.подстр.рез. |
|
13 |
|
|
5 кОм 3314J-1-502E Подстроечный рез (потенциометр)
|
5 кОм 3314J-1-502E Подстроечный рез (потенциометр) |
|
32 |
|
|
5 кОм PVZ3A подстроечный резистор
|
5 кОм PVZ3A подстроечный резистор |
|
29 |
|
|
5,1 кОм 0402, 1% ЧИП РЕЗ
|
5,1 кОм 0402, 1% ЧИП РЕЗ |
|
14 |
|
|
5,1 Ом МО-200 -2 ЧИП РЕЗ
|
5,1 Ом МО-200 -2 ЧИП РЕЗ |
|
30 |
|
|
5,1 Ом 0402, 1% ЧИП РЕЗ
|
5,1 Ом 0402, 1% ЧИП РЕЗ |
|
72 |
|
|
5,1 пф ATC600S5R1АT250X конденсатор
|
5,1 пф ATC600S5R1АT250X конденсатор |
|
200 |
|
|
5,6 кОм 0402, 1% ЧИП РЕЗ
|
5,6 кОм 0402, 1% ЧИП РЕЗ |
|
78 |
|
|
5,6 нГн 0603 TF160808 5N6K Чип индуктивность
|
5,6 нГн 0603 TF160808 5N6K Чип индуктивность |
|
50 |
|
|
5,6 нГн 0603 LQW18A
|
5,6 нГн 0603 LQW18A |
|
72 |
|
|
5,6 нГн 0603-В82496-С чип индуктивность
|
5,6 нГн 0603-В82496-С чип индуктивность |
|
185 |
