|
Вернуться в список поставщиков
|
ВМ-Сфера
г. Москва
+7 (499) 390-87-95
info@vmsfera.tech
Ограничения: Заказ от 1000 руб.
| Производитель |
Наименование |
Информация |
Цены |
Склад |
|
ST Microelectronics |
BD135
|
Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 1.5 А, 12 Вт, Одиночные биполярные транзисторы, 1.5А, корпус TO-126. Производитель: ST Microelectronics |
|
380 1-7 недель |
|
ON Semiconductor |
BD13516STU
|
Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 1.5 А, Одиночные биполярные транзисторы, 1.5А, корпус TO-126. Производитель: ON Semiconductor |
|
0 1-7 недель |
|
ON Semiconductor |
BD135G
|
Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 1.5 А, Одиночные биполярные транзисторы, 1.5А, корпус TO-225AA. Производитель: ON Semiconductor |
|
0 1-7 недель |
|
ST Microelectronics |
BD136
|
Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 1.5 А, 12 Вт, Одиночные биполярные транзисторы, BD136-16, 1.5А, корпус TO-126. Производитель: ST Microelectronics |
|
1259 1-7 недель |
|
ON Semiconductor |
BD137G
|
Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 1.5 А, 1.25 Вт, Одиночные биполярные транзисторы, 1.5А, корпус TO-225AA. Производитель: ON Semiconductor |
|
665 1-7 недель |
|
ST Microelectronics |
BD138
|
Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 1.5 А, 10 Вт, Одиночные биполярные транзисторы, 1.5А, корпус TO-126. Производитель: ST Microelectronics |
|
127 1-7 недель |
|
ON Semiconductor |
BD13810STU
|
Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 1.5 А, Одиночные биполярные транзисторы, 1.5А, корпус TO-126. Производитель: ON Semiconductor |
|
0 1-7 недель |
|
ON Semiconductor |
BD138G
|
Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 1.5 А, Одиночные биполярные транзисторы, 1.5А, корпус TO-225AA. Производитель: ON Semiconductor |
|
0 1-7 недель |
|
ON Semiconductor |
BD13916STU
|
Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 1.5 А, Одиночные биполярные транзисторы, 1.5А, корпус TO-126. Производитель: ON Semiconductor |
|
0 1-7 недель |
|
ON Semiconductor |
BD139G
|
Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 1.5 А, Одиночные биполярные транзисторы, 1.5А, корпус TO-225AA. Производитель: ON Semiconductor |
|
200 1-7 недель |
|
ON Semiconductor |
BD14010STU
|
Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 1.5 А, Одиночные биполярные транзисторы, 1.5А, корпус TO-126. Производитель: ON Semiconductor |
|
0 1-7 недель |
|
ON Semiconductor |
BD140G
|
Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 1.5 А, Одиночные биполярные транзисторы, 1.5А, корпус TO-225AA. Производитель: ON Semiconductor |
|
0 1-7 недель |
|
ON Semiconductor |
BD180G
|
Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 1 А, Одиночные биполярные транзисторы, 1А, корпус TO-225AA. Производитель: ON Semiconductor |
|
0 1-7 недель |
|
ON Semiconductor |
BD236STU
|
Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 2 А, 25W, Одиночные биполярные транзисторы, 2А, корпус TO-126. Производитель: ON Semiconductor |
|
1000 1-7 недель |
|
ON Semiconductor |
BD237G
|
Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 2 А, Одиночные биполярные транзисторы, 2А, корпус TO-225AA. Производитель: ON Semiconductor |
|
0 1-7 недель |
|
ST Microelectronics |
BD239C
|
Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 2 А, Одиночные биполярные транзисторы, 2А, корпус TO-220. Производитель: ST Microelectronics |
|
2044 1-7 недель |
|
ON Semiconductor |
BD241CG
|
Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 3 А, Одиночные биполярные транзисторы, 3А, корпус TO-220AB. Производитель: ON Semiconductor |
|
0 1-7 недель |
|
ST Microelectronics |
BD242B
|
Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 3 А, Одиночные биполярные транзисторы, 3А, корпус TO-220AB. Производитель: ST Microelectronics |
|
109 1-7 недель |
|
ON Semiconductor |
BD243CG
|
Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 6 А, 65W, Одиночные биполярные транзисторы, 6А, корпус TO-220. Производитель: ON Semiconductor |
|
1272 1-7 недель |
|
ON Semiconductor |
BD244CG
|
Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 6 А, 65Вт, Одиночные биполярные транзисторы, 6А, корпус TO-220AB. Производитель: ON Semiconductor |
|
496 1-7 недель |
|
ON Semiconductor |
BD437G
|
Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 4 А, Одиночные биполярные транзисторы, 4А, корпус TO-225AA. Производитель: ON Semiconductor |
|
0 1-7 недель |
|
ON Semiconductor |
BD438S
|
Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 4 А, Одиночные биполярные транзисторы, 4А, корпус TO-126. Производитель: ON Semiconductor |
|
0 1-7 недель |
|
ON Semiconductor |
BD439G
|
Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 4 А, Одиночные биполярные транзисторы, 4А, корпус TO-225AA. Производитель: ON Semiconductor |
|
0 1-7 недель |
|
ON Semiconductor |
BD440S
|
Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 4 А, Одиночные биполярные транзисторы, 4А, корпус TO-126. Производитель: ON Semiconductor |
|
0 1-7 недель |
|
ON Semiconductor |
BD441G
|
Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 4 А, 36Вт, Одиночные биполярные транзисторы, 4А, корпус TO-126. Производитель: ON Semiconductor |
|
950 1-7 недель |
|
ON Semiconductor |
BD442G
|
Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 4 А, 36Вт, Одиночные биполярные транзисторы, 4А, корпус TO-126. Производитель: ON Semiconductor |
|
2191 1-7 недель |
|
ST Microelectronics |
BD677
|
Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 60 В, 4 А, 4А, корпус TO-126. Производитель: ST Microelectronics |
|
450 1-7 недель |
|
ST Microelectronics |
BD678
|
Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 60 В, 4 А, 4А, корпус SOT-32 (TO-126). Производитель: ST Microelectronics |
|
0 1-7 недель |
|
ST Microelectronics |
BD680
|
Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 80 В, 4 А, 40 Вт, 4А, корпус TO-126. Производитель: ST Microelectronics |
|
4170 1-7 недель |
|
ON Semiconductor |
BD680ASTU
|
Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 80 В, 4 А, 4А, корпус TO-126. Производитель: ON Semiconductor |
|
0 1-7 недель |
|
ON Semiconductor |
BD680G
|
Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 80 В, 4 А, 4А, корпус TO-225AA. Производитель: ON Semiconductor |
|
0 1-7 недель |
|
ON Semiconductor |
BD681G
|
Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 4 А, 4А, корпус TO-225AA. Производитель: ON Semiconductor |
|
0 1-7 недель |
|
Infineon Technologies |
BDP948H6327
|
Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 3 А, 5 Вт, Одиночные биполярные транзисторы, BDP948H6327XTSA1, 3А, корпус SOT-223. Производитель: Infineon Technologies |
|
258 1-7 недель |
|
Infineon Technologies |
BDP949H6327XTSA1
|
Биполярный транзистор NPN 60В 3A автомобильного применения 4-Pin(3+Tab) SOT-223 лента на катушке, корпус SOT-223. Производитель: Infineon Technologies |
|
2715 1-7 недель |
|
Infineon Technologies |
BDP954E6327
|
Биполярный транзистор, PNP, 120 В, 3 А, 5 Вт, Одиночные биполярные транзисторы, BDP954H6327XTSA1, 3А, корпус SOT-223. Производитель: Infineon Technologies |
|
258 1-7 недель |
|
ON Semiconductor |
BDX33BG
|
Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 80 В, 10 А, 10А, корпус TO-220AB. Производитель: ON Semiconductor |
|
0 1-7 недель |
|
ON Semiconductor |
BDX33CG
|
Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 10 А, 10А, корпус TO-220AB. Производитель: ON Semiconductor |
|
0 1-7 недель |
|
ST Microelectronics |
BDX53B
|
Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 80 В, 8 А, 8А, корпус TO-220AB. Производитель: ST Microelectronics |
|
0 1-7 недель |
|
ON Semiconductor |
BDX53BG
|
Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 80 В, 8 А, 8А, корпус TO-220AB. Производитель: ON Semiconductor |
|
0 1-7 недель |
|
ST Microelectronics |
BDX53C
|
Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 8 А, 60 Вт, 8А, корпус TO-220. Производитель: ST Microelectronics |
|
1003 1-7 недель |
|
ON Semiconductor |
BDX53CG
|
Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 8 А, 8А, корпус TO-220AB. Производитель: ON Semiconductor |
|
0 1-7 недель |
|
Infineon Technologies |
BF2040E6814HTSA1
|
Полевой транзистор N-канальный радиочастотный двухзатворный 8В 40мА 200мВт 1ГГц Tch=150°C, 0.04А, корпус SOT-143. Производитель: Infineon Technologies |
|
0 1-7 недель |
|
ON Semiconductor |
BF256B
|
Полевой транзистор, радиочастотный, N-канальный, 30 В, 0.35Вт, корпус TO92-3. Производитель: ON Semiconductor |
|
0 1-7 недель |
|
NXP / Philips |
BF511,215
|
Полевой транзистор, радиочастотный, N-канальный, 20 В, 0,25Вт, корпус SOT-23. Производитель: NXP / Philips |
|
1939 1-7 недель |
|
NXP / Philips |
BF513,215
|
Полевой транзистор, радиочастотный, N-канальный, 20V, 10мA, 0,25Вт, корпус SOT-23. Производитель: NXP / Philips |
|
64 1-7 недель |
|
Infineon Technologies |
BF998E6327HTSA1
|
Полевой транзистор N-канальный радиочастотный двухзатворный 12В 30мА 200мВт 1ГГц Tch=150°C, BF998E6327, 0.03А, корпус SOT143. Производитель: Infineon Technologies |
|
9223 1-7 недель |
|
Infineon Technologies |
BF999E6327HTSA1
|
Полевой транзистор MOSFET N-канальный радиочастотный 20В 30мА 200мВт 300МГц Tch=150°C, BF999E6327, 0.03А, корпус SOT-23. Производитель: Infineon Technologies |
|
1440 1-7 недель |
|
VISHAY |
BFC233610104
|
Пленочный конденсатор X1 0,1мкФ 630VDC/275VAC ±20% 17,5х10х16,5мм 105°C, фильтр X1 0.10uF 275Vac, 0.1мкФ. Производитель: VISHAY |
|
0 1-7 недель |
|
VISHAY |
BFC233610473
|
Пленочный конденсатор X1 0,047мкФ 630VDC/275VAC ±20% 17,5х7х13,5мм 105°C, фильтр X1 0.047uF 275Vac, 0.047мкФ. Производитель: VISHAY |
|
0 1-7 недель |
|
VISHAY |
BFC233620104
|
Пленочный конденсатор X2 0,1мкФ 630VDC/310VAC ±20% 17,5х5х11мм 110°C, фильтр X2 0.10uF 310Vac, 0.1мкФ. Производитель: VISHAY |
|
5944 1-7 недель |
|