| Производитель |
Наименование |
Информация |
Цены |
Склад |
|
VISHAY |
BZX85C43-TR
|
Стабилитрон 1.3Вт 43В, Одиночные стабилитроны, 43V 1.3W, корпус DO-41, рабочая температура -55°C ~ 175°C. Производитель: VISHAY |
|
170 1-7 недель |
|
VISHAY |
BZX85C47-TAP
|
Стабилитрон 1.3Вт 47В, Одиночные стабилитроны, 47V 1.3W, корпус DO-41, рабочая температура -55°C ~ 175°C. Производитель: VISHAY |
|
5805 1-7 недель |
|
VISHAY |
BZX85C4V7-TAP
|
Стабилитрон 1.3Вт 4.7В, Одиночные стабилитроны, корпус DO-41, рабочая температура -55°C ~ 175°C. Производитель: VISHAY |
|
0 1-7 недель |
|
VISHAY |
BZX85C56-TAP
|
Стабилитрон 1.3Вт 56В, Одиночные стабилитроны, корпус DO-41, рабочая температура -55°C ~ 175°C. Производитель: VISHAY |
|
0 1-7 недель |
|
VISHAY |
BZX85C5V1-TAP
|
Стабилитрон 1.3Вт 5.1В, Одиночные стабилитроны, 5.1V 1.3W, корпус DO-41, рабочая температура -55°C ~ 175°C. Производитель: VISHAY |
|
0 1-7 недель |
|
VISHAY |
BZX85C62-TAP
|
Стабилитрон 1.3Вт 62В, Одиночные стабилитроны, корпус DO-41, рабочая температура -55°C ~ 175°C. Производитель: VISHAY |
|
0 1-7 недель |
|
VISHAY |
BZX85C68-TAP
|
Стабилитрон 1.3Вт 68В, Одиночные стабилитроны, корпус DO-41, рабочая температура -55°C ~ 175°C. Производитель: VISHAY |
|
0 1-7 недель |
|
VISHAY |
BZX85C6V2-TAP
|
Стабилитрон 1.3Вт 6.2В, Одиночные стабилитроны, корпус DO-41, рабочая температура -55°C ~ 175°C. Производитель: VISHAY |
|
0 1-7 недель |
|
VISHAY |
BZX85C6V8-TAP
|
Стабилитрон 1.3Вт 6.8В, Одиночные стабилитроны, корпус DO-41, рабочая температура -55°C ~ 175°C. Производитель: VISHAY |
|
0 1-7 недель |
|
Texas Instruments |
CAHCT1G125QDCKRQ1
|
Шинный буфер с третьим состоянием одиночный SC-70-5, Микросхемы ТТЛ (серия 74), корпус SC-70-5, рабочая температура -40°C ~ 125°C. Производитель: Texas Instruments |
|
0 1-7 недель |
|
Texas Instruments |
CALVC164245MDGGREP
|
IC TXRX LEVEL SHIFT 3ST 48-TSSOP, корпус TSSOP48, рабочая температура -55°C ~ 125°C. Производитель: Texas Instruments |
|
0 1-7 недель |
|
ON Semiconductor |
CAT24AA01TDI-GT3
|
Энергонезависимое ППЗУ 1К-бит 400КГц TSOT23-5, EEPROM память, корпус TSOT-23-5, рабочая температура -40В°C ~ 85В°C. Производитель: ON Semiconductor |
|
0 1-7 недель |
|
ON Semiconductor |
CAT24C01WI-GT3
|
Энергонезависимое ППЗУ 1К-бит 400КГц 8SOIC, EEPROM память, корпус SOIC8, рабочая температура -40В°C ~ 85В°C. Производитель: ON Semiconductor |
|
0 1-7 недель |
|
ON Semiconductor |
CAT24C02TDI-GT3A
|
Энергонезависимое ППЗУ 2К-бит 400КГц TSOT23-5, EEPROM память, корпус TSOT-23-5, рабочая температура -40В°C ~ 85В°C. Производитель: ON Semiconductor |
|
0 1-7 недель |
|
ON Semiconductor |
CAT24C04WI-GT3
|
Энергонезависимое ППЗУ 4К-бит 400КГц 8SOIC, EEPROM память, корпус SO-8, рабочая температура -40В°C ~ 85В°C. Производитель: ON Semiconductor |
|
882 1-7 недель |
|
ON Semiconductor |
CAT24C04YI-GT3
|
Энергонезависимое ППЗУ 4К-бит 400КГц 8TSSOP, EEPROM память, корпус 8-TSSOP, рабочая температура -40В°C ~ 85В°C. Производитель: ON Semiconductor |
|
0 1-7 недель |
|
ON Semiconductor |
CAT24C08WI-GT3
|
Энергонезависимое ППЗУ 8К-бит 400КГц 8SOIC, EEPROM память, корпус SO-8, рабочая температура -40В°C ~ 85В°C. Производитель: ON Semiconductor |
|
0 1-7 недель |
|
ON Semiconductor |
CAT24C08YI-GT3
|
Энергонезависимое ППЗУ 8К-бит 400КГц 8TSSOP, EEPROM память, корпус 8-TSSOP, рабочая температура -40В°C ~ 85В°C. Производитель: ON Semiconductor |
|
0 1-7 недель |
|
ON Semiconductor |
CAT24C128YI-GT3
|
Энергонезависимое ППЗУ 128К-бит 400КГц 8TSSOP, EEPROM память, корпус 8-TSSOP, рабочая температура -40В°C ~ 85В°C. Производитель: ON Semiconductor |
|
0 1-7 недель |
|
ON Semiconductor |
CAT24C16WI-GT3
|
Энергонезависимое ППЗУ 16К-бит 400КГц 8SOIC, EEPROM память, корпус SO-8, рабочая температура -40В°C ~ 85В°C. Производитель: ON Semiconductor |
|
2411 1-7 недель |
|
ON Semiconductor |
CAT24C16YI-GT3
|
Энергонезависимое ППЗУ 16К-бит 400КГц 8TSSOP, EEPROM память, корпус 8-TSSOP, рабочая температура -40В°C ~ 85В°C. Производитель: ON Semiconductor |
|
0 1-7 недель |
|
ON Semiconductor |
CAT24C256WI-GT3
|
Энергонезависимое ППЗУ 256К-бит 400КГц 8SOIC, EEPROM память, корпус SO-8, рабочая температура -40В°C ~ 85В°C. Производитель: ON Semiconductor |
|
9179 1-7 недель |
|
ON Semiconductor |
CAT24C256YI-GT3
|
Энергонезависимое ППЗУ 256К-бит 400КГц 8TSSOP, EEPROM память, корпус 8-TSSOP, рабочая температура -40В°C ~ 85В°C. Производитель: ON Semiconductor |
|
0 1-7 недель |
|
ON Semiconductor |
CAT24C32WI-GT3
|
Энергонезависимое ППЗУ 32К-бит 400КГц 8SOIC, EEPROM память, корпус SOIC8, рабочая температура -40В°C ~ 85В°C. Производитель: ON Semiconductor |
|
0 1-7 недель |
|
ON Semiconductor |
CAT24C32YI-GT3
|
Энергонезависимое ППЗУ 32К-бит 400КГц 8TSSOP, EEPROM память, корпус 8-TSSOP, рабочая температура -40В°C ~ 85В°C. Производитель: ON Semiconductor |
|
0 1-7 недель |
|
ON Semiconductor |
CAT24C512WI-GT3
|
Энергонезависимое ППЗУ 512К-бит 1МГц 8SOIC, EEPROM память, корпус SO-8, рабочая температура -40В°C ~ 85В°C. Производитель: ON Semiconductor |
|
1988 1-7 недель |
|
ON Semiconductor |
CAT24C512XI-T2
|
Энергонезависимое ППЗУ 512К-бит 1МГц 8SOIC, EEPROM память, корпус SOIC8, рабочая температура -40В°C ~ 85В°C. Производитель: ON Semiconductor |
|
0 1-7 недель |
|
ON Semiconductor |
CAT24C512YI-GT3
|
Энергонезависимое ППЗУ 512К-бит 1МГц 8TSSOP, EEPROM память, корпус 8-TSSOP, рабочая температура -40В°C ~ 85В°C. Производитель: ON Semiconductor |
|
0 1-7 недель |
|
ON Semiconductor |
CAT24C64WI-G
|
Энергонезависимое ППЗУ 64К-бит 400КГц 8SOIC, EEPROM память, корпус SOIC8, рабочая температура -40В°C ~ 85В°C. Производитель: ON Semiconductor |
|
0 1-7 недель |
|
ON Semiconductor |
CAT24C64WI-GT3
|
Энергонезависимое ППЗУ 64К-бит 400КГц 8SOIC, EEPROM память, корпус SO-8, рабочая температура -40В°C ~ 85В°C. Производитель: ON Semiconductor |
|
366 1-7 недель |
|
ON Semiconductor |
CAT24C64YI-GT3
|
Энергонезависимое ППЗУ 64К-бит 400КГц 8TSSOP, EEPROM память, корпус 8-TSSOP, рабочая температура -40В°C ~ 85В°C. Производитель: ON Semiconductor |
|
0 1-7 недель |
|
ON Semiconductor |
CAT24M01WI-GT3
|
Энергонезависимое ППЗУ 1М-бит 1МГц 8SOIC, EEPROM память, корпус SO-8, рабочая температура -40В°C ~ 85В°C. Производитель: ON Semiconductor |
|
187 1-7 недель |
|
ON Semiconductor |
CAT24M01XI-T2
|
Энергонезависимое ППЗУ 1М-бит 1МГц 8SOIC, EEPROM память, корпус SOIC8, рабочая температура -40В°C ~ 85В°C. Производитель: ON Semiconductor |
|
0 1-7 недель |
|
ON Semiconductor |
CAT24M01YI-GT3
|
Энергонезависимое ППЗУ 1М-бит 1МГц 8TSSOP, EEPROM память, корпус 8-TSSOP, рабочая температура -40В°C ~ 85В°C. Производитель: ON Semiconductor |
|
0 1-7 недель |
|
ON Semiconductor |
CAT25010YI-GT3
|
Энергонезависимое ППЗУ 1К-бит 20МГц 8TSSOP, EEPROM память, корпус 8-TSSOP, рабочая температура -40В°C ~ 85В°C. Производитель: ON Semiconductor |
|
0 1-7 недель |
|
ON Semiconductor |
CAT25020VI-GT3
|
Энергонезависимое ППЗУ 2К-бит 20МГц 8SOIC, EEPROM память, корпус SOIC8, рабочая температура -40В°C ~ 85В°C. Производитель: ON Semiconductor |
|
0 1-7 недель |
|
ON Semiconductor |
CAT25040VI-GT3
|
Энергонезависимое ППЗУ 4К-бит 20МГц 8SOIC, EEPROM память, корпус SOIC8, рабочая температура -40В°C ~ 85В°C. Производитель: ON Semiconductor |
|
0 1-7 недель |
|
ON Semiconductor |
CAT25040YI-GT3
|
Энергонезависимое ППЗУ 4К-бит 20МГц 8TSSOP, корпус 8-TSSOP, рабочая температура -40В°C ~ 85В°C. Производитель: ON Semiconductor |
|
0 1-7 недель |
|
ON Semiconductor |
CAT25080VI-GT3
|
Энергонезависимое ППЗУ 8К-бит 20МГц 8SOIC, EEPROM память, корпус SOIC8, рабочая температура -40В°C ~ 85В°C. Производитель: ON Semiconductor |
|
0 1-7 недель |
|
ON Semiconductor |
CAT25080YI-GT3
|
Энергонезависимое ППЗУ 8К-бит 20МГц 8TSSOP, EEPROM память, корпус 8-TSSOP, рабочая температура -40В°C ~ 85В°C. Производитель: ON Semiconductor |
|
0 1-7 недель |
|
ON Semiconductor |
CAT25128VI-GT3
|
Энергонезависимое ППЗУ 128К-бит 10МГц 8SOIC, EEPROM память, корпус SOIC8, рабочая температура -40В°C ~ 85В°C. Производитель: ON Semiconductor |
|
0 1-7 недель |
|
ON Semiconductor |
CAT25128YI-GT3
|
Энергонезависимое ППЗУ 128К-бит 10МГц 8TSSOP, EEPROM память, корпус 8-TSSOP, рабочая температура -40В°C ~ 85В°C. Производитель: ON Semiconductor |
|
0 1-7 недель |
|
ON Semiconductor |
CAT25160VI-GT3
|
Энергонезависимое ППЗУ 16К-бит 20МГц 8SOIC, EEPROM память, корпус SOIC8, рабочая температура -40В°C ~ 85В°C. Производитель: ON Semiconductor |
|
0 1-7 недель |
|
ON Semiconductor |
CAT25256VI-GT3
|
Энергонезависимое ППЗУ 256К-бит 10МГц 8SOIC, EEPROM память, корпус SOIC8, рабочая температура -40В°C ~ 85В°C. Производитель: ON Semiconductor |
|
0 1-7 недель |
|
ON Semiconductor |
CAT25256YI-GT3
|
Энергонезависимое ППЗУ 256К-бит 10МГц 8TSSOP, EEPROM память, корпус 8-TSSOP, рабочая температура -40В°C ~ 85В°C. Производитель: ON Semiconductor |
|
0 1-7 недель |
|
ON Semiconductor |
CAT25320YI-GT3
|
Энергонезависимое ППЗУ 32К-бит 10МГц 8TSSOP, EEPROM память, корпус 8-TSSOP, рабочая температура -40В°C ~ 85В°C. Производитель: ON Semiconductor |
|
0 1-7 недель |
|
ON Semiconductor |
CAT25512VI-GT3
|
Энергонезависимое ППЗУ 512К-бит 20МГц 8SOIC, EEPROM память, корпус SOIC8, рабочая температура -40В°C ~ 85В°C. Производитель: ON Semiconductor |
|
0 1-7 недель |
|
ON Semiconductor |
CAT25640VI-GT3
|
Энергонезависимое ППЗУ 64К-бит 20МГц 8SOIC, EEPROM память, корпус SOIC8, рабочая температура -40В°C ~ 85В°C. Производитель: ON Semiconductor |
|
0 1-7 недель |
|
ON Semiconductor |
CAT25640YI-GT3
|
Энергонезависимое ППЗУ 64К-бит 20МГц 8TSSOP, EEPROM память, корпус 8-TSSOP, рабочая температура -40В°C ~ 85В°C. Производитель: ON Semiconductor |
|
0 1-7 недель |
|
ON Semiconductor |
CAT25M01VI-GT3
|
Энергонезависимое ППЗУ 1М-бит 10МГц, EEPROM память, корпус SOIC8, рабочая температура -40В°C ~ 85В°C. Производитель: ON Semiconductor |
|
0 1-7 недель |