Главная Подключить склад Ещё
✖
Вход на сайт
Ошибка авторизации: неверный логин или пароль
запомнить меня
Регистрация | Вход
ВМ-Сфера

Вернуться в список поставщиков

ВМ-Сфера

г. Москва
+7 (499) 390-87-95
info@vmsfera.tech
https://vmsfera.tech
Ограничения: Заказ от 1000 руб.
Страница: 1 2 3 ... 493 494 495 ... 514 515 516 517 518 519 520 ... 985 986 987 ... 1477 1478 1479 ... 1969 1970 1971 ... 2461 2462
Производитель Наименование Информация Цены Склад
ON Semiconductor FIN3385MTDX LVDS драйверы, буферы, корпус TSSOP56, рабочая температура -40°C ~ 85°C (TA). Производитель: ON Semiconductor
  • 1+571.33 р.
 0
1-7 недель
ON Semiconductor FJA13009TU Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 12 А, Одиночные биполярные транзисторы, 12А, корпус TO-3P. Производитель: ON Semiconductor
  • 1+267.97 р.
 103
1-7 недель
ON Semiconductor FJD5555TM Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 5 А, Одиночные биполярные транзисторы, 5А, корпус DPAK/TO-252AA. Производитель: ON Semiconductor
  • 1+99.05 р.
 0
1-7 недель
ON Semiconductor FJL4315OTU Биполярный транзистор, NPN, 250 В, 17 А, Одиночные биполярные транзисторы, 17А, корпус TO264. Производитель: ON Semiconductor 0
1-7 недель
ON Semiconductor FJT44TF Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 0.3 А, Одиночные биполярные транзисторы, 0.3А, корпус SOT-223-3. Производитель: ON Semiconductor
  • 1+32.66 р.
 0
1-7 недель
ON Semiconductor FJV1845FMTF Биполярный транзистор, NPN, 120 В, 0.05 А, Одиночные биполярные транзисторы, 0.05А, корпус SOT23-3. Производитель: ON Semiconductor 0
1-7 недель
ON Semiconductor FJV992FMTF Биполярный транзистор, PNP, 120 В, 0.05 А, Одиночные биполярные транзисторы, 0.05А, корпус SOT-23. Производитель: ON Semiconductor 0
1-7 недель
ON Semiconductor FL7701MX Драйвер светодиодной подсветки ККМ понижающий 8-SOIC, Драйверы, контроллеры LED, LCD, VFD, корпус SO-8, рабочая температура -40°C ~ 125°C (TA). Производитель: ON Semiconductor
  • 1+96.05 р.
 0
1-7 недель
ON Semiconductor FLLD261 Диод выпрямительный сборка 100В 250мА, Диодные сборки, корпус SOT23-3. Производитель: ON Semiconductor
  • 1+4.26 р.
 0
1-7 недель
ON Semiconductor FLS0116MX LED драйвер корректор коэффициента мощности 7SOIC, Драйверы, контроллеры LED, LCD, VFD, корпус SO7, рабочая температура -40°C ~ 125°C (TA). Производитель: ON Semiconductor 0
1-7 недель
ON Semiconductor FLS2100XS Контроллер полумостовой LED 9-SIP, Драйверы, контроллеры LED, LCD, VFD, корпус 9-SIP, рабочая температура -40°C ~ 130°C (TJ). Производитель: ON Semiconductor
  • 1+451.25 р.
 0
1-7 недель
Infineon Technologies FM16W08-SGTR микросхема памяти FRAM 64KBit 70ns, FRAM память, FM16W08-SG, корпус SO28W, рабочая температура -40В°C ~ 85В°C. Производитель: Infineon Technologies 0
1-7 недель
Infineon Technologies FM1808B-SG микросхема памяти FRAM 256KBit 70ns, FRAM память, корпус SO28, рабочая температура -40В°C ~ 85В°C. Производитель: Infineon Technologies
  • 1+1,249.54 р.
 141
1-7 недель
Infineon Technologies FM18W08-SG Сегнетоэлектрическое ОЗУ 256Kбит 70нсек 28SOIC, FRAM память, корпус SO28, рабочая температура -40В°C ~ 85В°C. Производитель: Infineon Technologies
  • 1+1,756.19 р.
 0
1-7 недель
Infineon Technologies FM18W08-SGTR ОЗУ сегнетоэлектрическое 256Кбит 70нС 28SOIC, FRAM память, корпус SO28, рабочая температура -40В°C ~ 85В°C. Производитель: Infineon Technologies 0
1-7 недель
Infineon Technologies FM24C16B-G Сегнетоэлектрическое ОЗУ 16Kбит 1МГц 8SOIC, FRAM память, корпус SO-8, рабочая температура -40В°C ~ 85В°C. Производитель: Infineon Technologies 0
1-7 недель
Infineon Technologies FM24C16B-GTR Микросхема сегнетоэлектрического ОЗУ 16Кбит 1МГЦ 8SOIC, FRAM память, корпус SO-8, рабочая температура -40В°C ~ 85В°C. Производитель: Infineon Technologies
  • 1+86.23 р.
 342
1-7 недель
Infineon Technologies FM24C64B-GTR Сегнетоэлектрическое ОЗУ 64Kбит 1МГц 8SOIC, FRAM память, корпус SO-8, рабочая температура -40В°C ~ 85В°C. Производитель: Infineon Technologies
  • 1+89.58 р.
 7319
1-7 недель
Infineon Technologies FM24CL04B-GTR Сегнетоэлектрическое ОЗУ 4кбит 1МГц 8SOIC, FRAM память, корпус SO-8, рабочая температура -40В°C ~ 85В°C. Производитель: Infineon Technologies
  • 1+85.80 р.
 257
1-7 недель
Infineon Technologies FM24CL16B-G Сегнетоэлектрическое ОЗУ 16Kбит 1МГц 8SOIC, FRAM память, корпус SO-8, рабочая температура -40В°C ~ 85В°C. Производитель: Infineon Technologies 0
1-7 недель
Infineon Technologies FM24CL16B-GTR Сегнетоэлектрическое ОЗУ 16Kбит 1МГц SRL 8SOIC, FRAM память, корпус SO-8, рабочая температура -40В°C ~ 85В°C. Производитель: Infineon Technologies
  • 1+83.12 р.
 0
1-7 недель
Infineon Technologies FM24CL64B-DG Сегнетоэлектрическое ОЗУ 64Kбит 1МГц 8TDFN, FRAM память, корпус 8-TDFN (4x4.5), рабочая температура -40В°C ~ 85В°C. Производитель: Infineon Technologies 0
1-7 недель
Infineon Technologies FM24CL64B-G Сегнетоэлектрическое ОЗУ 64Kбит 1МГц I2C 8SOIC, FRAM память, корпус SO-8, рабочая температура -40В°C ~ 85В°C. Производитель: Infineon Technologies 0
1-7 недель
Infineon Technologies FM24V05-GTR Сегнетоэлектрическое ОЗУ 512кбит 3.4МГц шина I2C 8SOIC, FRAM память, FM24V05, корпус SOIC8, рабочая температура -40В°C ~ 85В°C. Производитель: Infineon Technologies
  • 1+502.13 р.
 1048
1-7 недель
Infineon Technologies FM24V10-GTR Сегнетоэлектрическое ОЗУ 1Mбит 3.4МГц шина I2C 8SOIC, FRAM память, корпус SO-8, рабочая температура -40В°C ~ 85В°C. Производитель: Infineon Technologies
  • 1+430.54 р.
 613
1-7 недель
Infineon Technologies FM25040B-GTR Сегнетоэлектрическое ОЗУ 4кбит 20МГц шина SPI 8SOIC, FRAM память, FM25040B, корпус SO-8, рабочая температура -40В°C ~ 85В°C. Производитель: Infineon Technologies
  • 1+82.34 р.
 512
1-7 недель
Infineon Technologies FM25C160B-GTR Сегнетоэлектрическое ОЗУ 16кбит 20МГц шина SPI 8SOIC, FRAM память, FM25C160B, корпус SO-8, рабочая температура -40В°C ~ 85В°C. Производитель: Infineon Technologies
  • 1+122.54 р.
 254
1-7 недель
Infineon Technologies FM25CL64B-GTR Сегнетоэлектрическое ОЗУ 64кбит 20МГц шина SPI 8SOIC, FRAM память, корпус SO-8, рабочая температура -40В°C ~ 85В°C. Производитель: Infineon Technologies
  • 1+74.35 р.
 22432
1-7 недель
Infineon Technologies FM25L04B-GTR Сегнетоэлектрическое ОЗУ 4кбит 20МГц шина SPI 8SOIC, FRAM память, корпус SO-8, рабочая температура -40В°C ~ 85В°C. Производитель: Infineon Technologies
  • 1+84.05 р.
 3731
1-7 недель
Infineon Technologies FM25L16B-G Сегнетоэлектрическое ОЗУ 16Kбит 20МГц 8SOIC, FRAM память, корпус SO-8, рабочая температура -40В°C ~ 85В°C. Производитель: Infineon Technologies
  • 1+87.84 р.
 0
1-7 недель
Infineon Technologies FM25V05-G Сегнетоэлектрическое ОЗУ 512Kбит 40МГц 8SOIC, FRAM память, корпус SO-8, рабочая температура -40В°C ~ 85В°C. Производитель: Infineon Technologies 0
1-7 недель
Infineon Technologies FM25V05-GTR Сегнетоэлектрическое ОЗУ 512Kбит 40МГц шина SPI 8SOIC, FRAM память, корпус SO-8, рабочая температура -40В°C ~ 85В°C. Производитель: Infineon Technologies
  • 1+353.95 р.
 575
1-7 недель
Infineon Technologies FM25VN10-G Сегнетоэлектрическое ОЗУ 1Mбит 40МГц 8SOIC, FRAM память, 3В, корпус SO-8, рабочая температура -40В°C ~ 85В°C. Производитель: Infineon Technologies
  • 1+2,740.85 р.
 0
1-7 недель
Infineon Technologies FM25W256-G Сегнетоэлектрическое ОЗУ 256Kбит 20МГц 8SOIC, FRAM память, корпус SO-8, рабочая температура -40В°C ~ 85В°C. Производитель: Infineon Technologies 0
1-7 недель
Infineon Technologies FM25W256-GTR Сегнетоэлектрическое ОЗУ 256кбит 20МГц шина SPI 8SOIC, FRAM память, корпус SO-8, рабочая температура -40В°C ~ 85В°C. Производитель: Infineon Technologies
  • 1+179.89 р.
 8340
1-7 недель
Infineon Technologies FM28V020-SG Сегнетоэлектрическое ОЗУ 256Kбит 70нсек 28SOIC, FRAM память, корпус SO28, рабочая температура -40В°C ~ 85В°C. Производитель: Infineon Technologies 0
1-7 недель
Infineon Technologies FM28V020-SGTR Сегнетоэлектрическое ОЗУ 256кбит 70нс 28SOIC, FRAM память, корпус SO28, рабочая температура -40В°C ~ 85В°C. Производитель: Infineon Technologies
  • 1+463.15 р.
 210
1-7 недель
Infineon Technologies FM28V100-TG Сегнетоэлектрическое ОЗУ 1Mбит 60нсек 32TSOP, FRAM память, корпус TSOP32-I, рабочая температура -40В°C ~ 85В°C. Производитель: Infineon Technologies 0
1-7 недель
Infineon Technologies FM28V100-TGTR Сегнетоэлектрическое ОЗУ 1Mбит 60нсек 32TSOP, FRAM память, корпус TSOP32-I, рабочая температура -40В°C ~ 85В°C. Производитель: Infineon Technologies
  • 1+720.44 р.
 236
1-7 недель
Infineon Technologies FM31256-G Сегнетоэлектрическое ОЗУ 14SOIC, FRAM память, корпус SO14. Производитель: Infineon Technologies 0
1-7 недель
Infineon Technologies FM31256-GTR Сегнетоэлектрическое ОЗУ, FRAM память, 3.3В, корпус SO14. Производитель: Infineon Technologies
  • 1+615.42 р.
 13
1-7 недель
Infineon Technologies FM3164-G Сегнетоэлектрическое ОЗУ 14SOIC, FRAM память, корпус SOIC14. Производитель: Infineon Technologies 0
1-7 недель
Infineon Technologies FM31L276-G Сегнетоэлектрическое ОЗУ 14SOIC, FRAM память, корпус SOIC14. Производитель: Infineon Technologies 0
1-7 недель
Infineon Technologies FM33256B-GTR Сегнетоэлектрическое ОЗУ 256кБит (32Кх8) 14SOIC, FRAM память, корпус SO14. Производитель: Infineon Technologies
  • 1+814.22 р.
 189
1-7 недель
ON Semiconductor FMB2222A Биполярный транзистор NPN/NPN, 40 В, 0.5 А, Сборки биполярных транзисторов, 0.5А, корпус SSOT6. Производитель: ON Semiconductor 0
1-7 недель
ON Semiconductor FMB2907A Биполярный транзистор PNP/PNP, 60 В, 0.6 А, Сборки биполярных транзисторов, 0.6А, корпус SSOT6. Производитель: ON Semiconductor
  • 1+17.12 р.
 0
1-7 недель
ON Semiconductor FMB3904 Биполярный транзистор NPN/NPN, 40 В, 0.2 А, Сборки биполярных транзисторов, 0.2А, корпус SSOT6. Производитель: ON Semiconductor 0
1-7 недель
ON Semiconductor FMB3906 Биполярный транзистор PNP/PNP, 40 В, 0.2 А, Сборки биполярных транзисторов, 0.2А, корпус SSOT6. Производитель: ON Semiconductor
  • 1+38.05 р.
 0
1-7 недель
ON Semiconductor FMS6141S5X Микросхемы обработки видео, корпус SC-70-5. Производитель: ON Semiconductor 0
1-7 недель
ON Semiconductor FMS6151L6X Микросхемы обработки видео, корпус MicroPak6. Производитель: ON Semiconductor 0
1-7 недель
2002— «ЭтЛайт»
Администрация:
2002— «ЭтЛайт»
Наши контакты: +7 (812) 309-50-30, client@efind.ru
Расширение для браузера · Телеграм-бот · Аналитика · English version
    ExpoElectronica