| Производитель |
Наименование |
Информация |
Цены |
Склад |
|
VISHAY |
GSOT05C-HE3-08
|
Диод защитный от перенапряжения - TVS (супрессор) 5В включение 16В ограничение SOT23, корпус SOT-23, рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ). Производитель: VISHAY |
|
0 1-7 недель |
|
VISHAY |
GSOT08C-E3-08
|
Диод защитный от перенапряжения - TVS (супрессор) 8В включение 19.2В ограничение SOT23, корпус SOT23-3, рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ). Производитель: VISHAY |
|
0 1-7 недель |
|
VISHAY |
GSOT12C-E3-08
|
Диод защитный от перенапряжения - TVS (супрессор) 12В включение 26В ограничение SOT23, корпус SOT23-3, рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ). Производитель: VISHAY |
|
0 1-7 недель |
|
VISHAY |
GSOT15C-E3-08
|
Диод защитный от перенапряжения - TVS (супрессор) 15В включение 28.8В ограничение SOT23, корпус SOT23-3, рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ). Производитель: VISHAY |
|
0 1-7 недель |
|
VISHAY |
GSOT24-E3-08
|
Диод защитный от перенапряжения - TVS (супрессор) 24В включение 47В ограничение SOT23, корпус SOT23-3, рабочая температура -40°C ~ 125°C (TJ). Производитель: VISHAY |
|
0 1-7 недель |
|
VISHAY |
GSOT24C-E3-08
|
Диод защитный от перенапряжения - TVS (супрессор) 24В включение 47В ограничение SOT23, корпус SOT23-3, рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ). Производитель: VISHAY |
|
0 1-7 недель |
|
VISHAY |
GSOT36C-E3-08
|
Диод защитный от перенапряжения - TVS (супрессор) 36В включение 71В ограничение SOT23, корпус SOT23-3, рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ). Производитель: VISHAY |
|
0 1-7 недель |
|
VISHAY |
GSOT36C-HE3-08
|
Диод защитный от перенапряжения - TVS (супрессор) 36В включение 71В ограничение SOT23, корпус SOT-23, рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ). Производитель: VISHAY |
|
0 1-7 недель |
|
NXP / Philips |
GTL2002DP,118
|
2-х входовой двунаправленный преобразователь уровня, 8-TSSOP, корпус 8-TSSOP, рабочая температура -40В°C ~ 85В°C. Производитель: NXP / Philips |
|
0 1-7 недель |
|
NXP / Philips |
GTL2012DP,118
|
2-х входовой двунаправленный преобразователь уровня, 8-TSSOP, корпус 8-TSSOP, рабочая температура -40В°C ~ 85В°C. Производитель: NXP / Philips |
|
0 1-7 недель |
|
VISHAY |
H11A1
|
Оптоизолятор 5кВ транзисторный выход c выводом базы 6DIP, Транзисторные оптопары, корпус DIP-6, рабочая температура -55°C ~ 110°C. Производитель: VISHAY |
|
0 1-7 недель |
|
ON Semiconductor |
H11A1M
|
Оптоизолятор 5кВ транзисторный выход c выводом базы 6DIP, Транзисторные оптопары, корпус DIP-6, рабочая температура -55°C ~ 110°C. Производитель: ON Semiconductor |
|
0 1-7 недель |
|
ON Semiconductor |
H11A1SM
|
Оптоизолятор 7.5кВ транзисторный выход c выводом базы 6SMD, Транзисторные оптопары, корпус SMDIP-6, рабочая температура -40°C ~ 100°C. Производитель: ON Semiconductor |
|
0 1-7 недель |
|
ON Semiconductor |
H11A1SR2M
|
Оптоизолятор 7.5кВ транзисторный выход c выводом базы 6SMD, Транзисторные оптопары, корпус SMDIP-6, рабочая температура -40°C ~ 100°C. Производитель: ON Semiconductor |
|
0 1-7 недель |
|
ON Semiconductor |
H11AA1SR2M
|
Оптоизолятор 7.5кВ транзисторный выход c выводом базы 6SMD, Транзисторные оптопары, корпус SMDIP-6, рабочая температура -40°C ~ 100°C. Производитель: ON Semiconductor |
|
0 1-7 недель |
|
ON Semiconductor |
H11AA4M
|
Оптоизолятор 5кВ транзисторный выход c выводом базы 6DIP, Транзисторные оптопары, 80В, корпус DIP-6, рабочая температура -55°C ~ 100°C. Производитель: ON Semiconductor |
|
342 1-7 недель |
|
ON Semiconductor |
H11AA4SR2M
|
Оптоизолятор 7.5кВ транзисторный выход c выводом базы 6SMD, Транзисторные оптопары, корпус SMDIP-6, рабочая температура -40°C ~ 100°C. Производитель: ON Semiconductor |
|
0 1-7 недель |
|
ON Semiconductor |
H11AG1M
|
Оптоизолятор 7.5кВ транзисторный выход c выводом базы 6DIP, Транзисторные оптопары, корпус DIP-6, рабочая температура -40°C ~ 100°C. Производитель: ON Semiconductor |
|
0 1-7 недель |
|
ON Semiconductor |
H11AV1AM
|
Оптоизолятор 7.5кВ транзисторный выход c выводом базы 6DIP, Транзисторные оптопары, корпус DIP-6, рабочая температура -40°C ~ 100°C. Производитель: ON Semiconductor |
|
0 1-7 недель |
|
ON Semiconductor |
H11AV1M
|
Оптоизолятор 7.5кВ транзисторный выход c выводом базы 6DIP, Транзисторные оптопары, корпус DIP-6, рабочая температура -40°C ~ 100°C. Производитель: ON Semiconductor |
|
651 1-7 недель |
|
ON Semiconductor |
H11AV1SM
|
Оптоизолятор 7.5кВ транзисторный выход c выводом базы 6SMD, Транзисторные оптопары, корпус SMDIP-6, рабочая температура -40°C ~ 100°C. Производитель: ON Semiconductor |
|
0 1-7 недель |
|
ON Semiconductor |
H11AV1SR2M
|
Оптоизолятор 7.5кВ транзисторный выход c выводом базы 6SMD, Транзисторные оптопары, корпус SMDIP-6, рабочая температура -40°C ~ 100°C. Производитель: ON Semiconductor |
|
0 1-7 недель |
|
ON Semiconductor |
H11B1M
|
Оптоизолятор 5кВ транзистор Дарлингтона c выводом базы 6DIP, Транзисторные оптопары, корпус DIP-6, рабочая температура -55°C ~ 100°C. Производитель: ON Semiconductor |
|
0 1-7 недель |
|
VISHAY |
H11D1-X007T
|
Оптоизолятор 5.3кВ транзисторный выход c выводом базы 6SMD, Транзисторные оптопары, корпус SMDIP-6, рабочая температура -55°C ~ 100°C. Производитель: VISHAY |
|
0 1-7 недель |
|
ON Semiconductor |
H11D1SR2M
|
Оптоизолятор 7.5кВ транзисторный выход c выводом базы 6SMD, Транзисторные оптопары, корпус SMDIP-6, рабочая температура -40°C ~ 100°C. Производитель: ON Semiconductor |
|
0 1-7 недель |
|
VISHAY |
H11D3
|
Оптоизолятор 5.3кВ транзисторный выход c выводом базы 6SMD, Транзисторные оптопары, корпус SMDIP-6, рабочая температура -55°C ~ 100°C. Производитель: VISHAY |
|
0 1-7 недель |
|
ON Semiconductor |
H11D3SR2M
|
OPTOISO 7.5KV TRANS W/BASE 6SMD, корпус SMDIP-6, рабочая температура -40°C ~ 100°C. Производитель: ON Semiconductor |
|
0 1-7 недель |
|
ON Semiconductor |
H11F1SM
|
Оптоизолятор 7.5кВ полевой фототранзистор 6-SMD, Транзисторные оптопары, корпус SMDIP-6, рабочая температура -40°C ~ 100°C. Производитель: ON Semiconductor |
|
0 1-7 недель |
|
ON Semiconductor |
H11F1SR2M
|
Оптоизолятор 7.5кВ полевой фототранзистор 6-SMD, Транзисторные оптопары, корпус SMDIP-6, рабочая температура -40°C ~ 100°C. Производитель: ON Semiconductor |
|
0 1-7 недель |
|
ON Semiconductor |
H11F3M
|
Оптоизолятор 7.5кВ полевой фототранзистор 6-DIP, Транзисторные оптопары, корпус DIP-6, рабочая температура -40°C ~ 100°C. Производитель: ON Semiconductor |
|
0 1-7 недель |
|
ON Semiconductor |
H11F3SM
|
Оптоизолятор 7.5кВ полевой фототранзистор 6-SMD, Транзисторные оптопары, корпус SMDIP-6, рабочая температура -40°C ~ 100°C. Производитель: ON Semiconductor |
|
0 1-7 недель |
|
ON Semiconductor |
H11G1SM
|
Оптоизолятор 7.5кВ транзистор Дарлингтона c выводом базы 6SMD, корпус SMDIP-6, рабочая температура -40°C ~ 100°C. Производитель: ON Semiconductor |
|
0 1-7 недель |
|
ON Semiconductor |
H11G1SR2M
|
Оптоизолятор 7.5кВ транзистор Дарлингтона c выводом базы 6SMD, корпус SMDIP-6, рабочая температура -40°C ~ 100°C. Производитель: ON Semiconductor |
|
0 1-7 недель |
|
ON Semiconductor |
H11G2M
|
Оптоизолятор 7.5кВ транзистор Дарлингтона c выводом базы 6DIP, корпус DIP-6, рабочая температура -40°C ~ 100°C. Производитель: ON Semiconductor |
|
0 1-7 недель |
|
ON Semiconductor |
H11L1SR2VM
|
OPTOCOUPLER LOGIC OUT VDE 6-SMD, Оптопары с логическим выходом, корпус SMDIP-6, рабочая температура -40В°C ~ 85В°C. Производитель: ON Semiconductor |
|
52 1-7 недель |
|
ON Semiconductor |
H11L1TVM
|
OPTOCOUPLER SCHMITT-TR VDE 6-DIP, корпус DIP-6, рабочая температура -40В°C ~ 85В°C. Производитель: ON Semiconductor |
|
0 1-7 недель |
|
ON Semiconductor |
H11L1VM
|
OPTOCOUPLER SCHMITT-TR VDE 6-DIP, Оптопары с логическим выходом, корпус DIP-6, рабочая температура -40В°C ~ 85В°C. Производитель: ON Semiconductor |
|
355 1-7 недель |
|
ON Semiconductor |
H11L3M
|
OPTOCOUPLER SCHMITT TRIG 6-DIP, Оптопары с логическим выходом, корпус DIP-6, рабочая температура -55°C ~ 100°C. Производитель: ON Semiconductor |
|
0 1-7 недель |
|
ON Semiconductor |
H11L3SR2M
|
OPTOISOLATOR SCHMITT OUT 6-MDIP, Оптопары с логическим выходом, корпус SMDIP-6, рабочая температура -40В°C ~ 85В°C. Производитель: ON Semiconductor |
|
0 1-7 недель |
|
ON Semiconductor |
H11N1M
|
OPTOCOUPLER SCHMITT-TRIG 6-DIP, Оптопары с логическим выходом, корпус DIP-6, рабочая температура -40В°C ~ 85В°C. Производитель: ON Semiconductor |
|
0 1-7 недель |
|
ON Semiconductor |
H11N1SR2M
|
OPTOISOLATOR SCHMITT OUT 6-SMD, Оптопары с логическим выходом, корпус SMDIP-6, рабочая температура -40В°C ~ 85В°C. Производитель: ON Semiconductor |
|
0 1-7 недель |
|
ON Semiconductor |
H11N1SR2VM
|
OPTOISOLATOR SCHMITT OUT 6-SMD, корпус SMDIP-6, рабочая температура -40В°C ~ 85В°C. Производитель: ON Semiconductor |
|
0 1-7 недель |
|
ST Microelectronics |
HCF40106YM013TR
|
Шестнадцатеричный Триггер Шмитта, 14-SO, 40106YM013TR, корпус 14-SO, рабочая температура -55°C ~ 125°C. Производитель: ST Microelectronics |
|
0 1-7 недель |
|
ST Microelectronics |
HCF4021YM013TR
|
Логический элемент КМОП сдвиговый регистр 8 бит, 16-SO, 4021YM013TR, корпус 16-SO, рабочая температура -40°C ~ 125°C. Производитель: ST Microelectronics |
|
0 1-7 недель |
|
ST Microelectronics |
HCF4060YM013TR
|
Счетчик-делитель 14-бит + два инвертора, 16-SO, 4060YM013TR, корпус 16-SO, рабочая температура -40°C ~ 125°C. Производитель: ST Microelectronics |
|
0 1-7 недель |
|
ST Microelectronics |
HCF4093YM013TR
|
IC GATE NAND 4CH 2-INP 14-SO, 4093YM013TR, корпус 14-SO, рабочая температура -40°C ~ 125°C. Производитель: ST Microelectronics |
|
0 1-7 недель |
|
ST Microelectronics |
HCF4094YM013TR
|
8-ми разрядный последовательный регистр и выходами с 3 состоянием, 16-SO, 4094YM013TR, корпус 16-SO, рабочая температура -40°C ~ 125°C. Производитель: ST Microelectronics |
|
0 1-7 недель |
|
Broadcom |
HCMS-2902
|
Индикатор алфавитно-цифровой светодиодный матричный, Матричные индикаторные панели. Производитель: Broadcom |
|
13 1-7 недель |
|
Broadcom |
HCMS-2903
|
Индикатор алфавитно-цифровой светодиодный матричный электропитание 5В. Производитель: Broadcom |
|
14 1-7 недель |
|
Broadcom |
HCMS-2905
|
Матричные индикаторные панели. Производитель: Broadcom |
|
0 1-7 недель |
