Главная Подключить склад Ещё
✖
Вход на сайт
Ошибка авторизации: неверный логин или пароль
запомнить меня
Регистрация | Вход
HSMelect Technology Co., Limited

Вернуться в список поставщиков

HSMelect Technology Co., Limited

г. Шеньжень
+86 (755) 82-73-63-99, +(852) 53-11-37-50
info@hsmkey.com
http://www.hsmkey.com
Страница: 1 2 3 ... 104 105 106 107 108 109 110 ... 801 802 803 ... 1601 1602 1603 ... 2401 2402 2403 ... 3201 3202 3203 ... 3999 4000
Производитель Наименование Информация Цены Склад
Infineon Technologies CY7C1345G-100AXI
Корпус:100-LQFP
 IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP
Дата изготовления: 2018+
  • 1+60.93 CNY
 1,969
Infineon Technologies CY7C1350G-200AXC
Корпус:100-LQFP
 IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP
Дата изготовления: 2020+
  • 1+56.05 CNY
 338
Infineon Technologies S29GL128P10TFI013
Корпус:56-TFSOP0.72418.40mm
 IC FLASH 128MBIT PARALLEL 56TSOP
Дата изготовления: 2013+
 2,363
STMicroelectronics NAND128W3A0AN6F
Корпус:48-TFSOP0.72418.40mm
 IC FLASH 128MBIT PARALLEL 48TSOP
Дата изготовления: 2016+
  • 1+56.08 CNY
 2,500
Renesas Electronics Corporation 71V3556SA100BQGI8
Корпус:165-TBGA
 IC SRAM 4.5MBIT PAR 165CABGA
Дата изготовления: 2018+
  • 1+56.14 CNY
 829
Renesas Electronics Corporation 71V3556SA100BQI8
Корпус:165-TBGA
 IC SRAM 4.5MBIT PAR 165CABGA
Дата изготовления: 2011+
  • 1+56.14 CNY
 2,941
Renesas Electronics Corporation 71V3577S75BQ8
Корпус:165-TBGA
 IC SRAM 4.5MBIT PAR 165CABGA
Дата изготовления: 2018+
  • 1+56.14 CNY
 2,444
Renesas Electronics Corporation 71V3577S80BQ8
Корпус:165-TBGA
 IC SRAM 4.5MBIT PAR 165CABGA
Дата изготовления: 2012+
  • 1+56.14 CNY
 1,350
Renesas Electronics Corporation 71V3577S85BQ8
Корпус:165-TBGA
 IC SRAM 4.5MBIT PAR 165CABGA
Дата изготовления: 2018+
  • 1+56.14 CNY
 910
Renesas Electronics Corporation 71V3577S85BQG8
Корпус:165-TBGA
 IC SRAM 4.5MBIT PAR 165CABGA
Дата изготовления: 2012+
  • 1+56.14 CNY
 500
Renesas Electronics Corporation 71V547S100PFG
Корпус:100-LQFP
 IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP
Дата изготовления: 2012+
  • 1+56.19 CNY
 349
Alliance Memory, Inc. PC28F512P30EFB
Корпус:64-LBGA
 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64LBGA
Дата изготовления: 2015+
  • 1+56.27 CNY
 340
Micron Technology Inc. MT48LC16M16A2P-75 IT:D TR
Корпус:54-TSOP0.40010.16mm
 IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
Дата изготовления: 2018+
  • 1+56.40 CNY
 3,901
Micron Technology Inc. MT48LC16M16A2P-7E IT:D TR
Корпус:54-TSOP0.40010.16mm
 IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
Дата изготовления: 2016+
  • 1+56.40 CNY
 600
Micron Technology Inc. MT48LC16M8A2P-75:G TR
Корпус:54-TSOP0.40010.16mm
 IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
Дата изготовления: 2012+
  • 1+56.40 CNY
 812
Micron Technology Inc. MT46V16M16CY-5B:K TR
Корпус:60-TFBGA
 IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA
Дата изготовления: 2013+
  • 1+56.40 CNY
 758
Micron Technology Inc. MT46V16M16CY-6 IT:K TR
Корпус:60-TFBGA
 IC DRAM 256MBIT PAR 60FBGA
Дата изготовления: 2016+
  • 1+56.40 CNY
 1,930
Micron Technology Inc. MT46V16M16CY-6:K TR
Корпус:60-TFBGA
 IC DRAM 256MBIT PAR 60FBGA
Дата изготовления: 2020+
  • 1+56.40 CNY
 545
Micron Technology Inc. MT47H32M16HR-25E IT:G TR
Корпус:84-TFBGA
 IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA
Дата изготовления: 2012+
 4,320
RAMXEED MB85AS8MTPF-G-KBERE1
Корпус:8-SOIC0.2095.30mm
 IC RAM 8MBIT SPI 10MHZ 8SOP
Дата изготовления: 2017+
 784
Micron Technology Inc. MT45W8MW16BGX-701 IT TR
Корпус:54-VFBGA
 IC PSRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
Дата изготовления: 2018+
  • 1+61.32 CNY
 2,058
Renesas Electronics Corporation 71V3576S133PFGI8
Корпус:100-LQFP
 IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP
Дата изготовления: 2013+
  • 1+56.44 CNY
 501
Renesas Electronics Corporation 71V3577S80PFGI8
Корпус:100-LQFP
 IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP
Дата изготовления: 2016+
  • 1+56.44 CNY
 1,146
Renesas Electronics Corporation 71V3577S85PFGI8
Корпус:100-LQFP
 IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP
Дата изготовления: 2017+
  • 1+56.44 CNY
 308
Renesas Electronics Corporation 71V3576S150PFGI8
Корпус:100-LQFP
 IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP
Дата изготовления: 2012+
  • 1+56.44 CNY
 439
Renesas Electronics Corporation 71V3577S75PFGI8
Корпус:100-LQFP
 IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP
Дата изготовления: 2016+
  • 1+56.44 CNY
 900
Microchip Technology AT49LV040-90TI
Корпус:32-TFSOP0.72418.40mm
 IC FLASH 4MBIT PARALLEL 32TSOP
Дата изготовления: 2021+
  • 1+56.46 CNY
 718
Micron Technology Inc. JS28F256P30B95B TR
Корпус:56-TFSOP0.72418.40mm
 IC FLASH 256MBIT PAR 56TSOP
Дата изготовления: 2017+
  • 1+56.53 CNY
 415
onsemi CAT28C256G15
Корпус:32-LCC
 IC EEPROM 256KBIT PAR 32PLCC
Дата изготовления: 2020+
  • 1+56.55 CNY
 2,865
onsemi CAT28C256GI12
Корпус:32-LCC
 IC EEPROM 256KBIT PAR 32PLCC
Дата изготовления: 2020+
  • 1+56.55 CNY
 577
onsemi CAT28C256GI15
Корпус:32-LCC
 IC EEPROM 256KBIT PAR 32PLCC
Дата изготовления: 2020+
  • 1+56.55 CNY
 1,277
onsemi CAT28C256G12
Корпус:32-LCC
 IC EEPROM 256KBIT PAR 32PLCC
Дата изготовления: 2015+
  • 1+56.55 CNY
 924
Micron Technology Inc. MT48LC32M8A2P-75 IT:D TR
Корпус:54-TSOP0.40010.16mm
 IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
Дата изготовления: 2021+
  • 1+56.64 CNY
 741
Micron Technology Inc. TE28F128J3D75B TR
Корпус:56-TFSOP0.72418.40mm
 IC FLASH 128MBIT PARALLEL 56TSOP
Дата изготовления: 2016+
  • 1+56.64 CNY
 344
Micron Technology Inc. JS28F128J3D75B TR
Корпус:56-TFSOP0.72418.40mm
 IC FLASH 128MBIT PARALLEL 56TSOP
Дата изготовления: 2013+
 783
STMicroelectronics M48Z32V-35MT1F
Корпус:44-BSOP0.3378.56mm
 IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 44SO
Дата изготовления: 2013+
  • 1+56.65 CNY
 392
Micron Technology Inc. MT40A256M16LY-075:F TR
Корпус:96-TFBGA
 IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
Дата изготовления: 2015+
  • 1+63.16 CNY
 2,006
Micron Technology Inc. MT40A256M16LY-062E:F TR
Корпус:96-TFBGA
 IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
Дата изготовления: 2011+
  • 1+63.16 CNY
 300
Micron Technology Inc. MT40A512M8SA-075:F TR
Корпус:78-TFBGA
 IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
Дата изготовления: 2017+
  • 1+63.16 CNY
 506
Micron Technology Inc. MT40A512M8SA-062E:F TR
Корпус:78-TFBGA
 IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
Дата изготовления: 2011+
  • 1+63.16 CNY
 334
Renesas Electronics Corporation 71V25761S166PFGI8
Корпус:100-LQFP
 IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP
Дата изготовления: 2018+
  • 1+61.12 CNY
 1,966
STMicroelectronics NAND256W3A0AN6
Корпус:48-TFSOP0.72418.40mm
 IC FLASH 256MBIT PARALLEL 48TSOP
Дата изготовления: 2021+
  • 1+61.16 CNY
 1,911
Micron Technology Inc. MT46V16M16P-5B:F TR
Корпус:66-TSSOPszeroko?? 04001016mm
 IC DRAM 256MBIT PARALLEL 66TSOP
Дата изготовления: 2017+
 434
Micron Technology Inc. MT46V16M16P-6T:F TR
Корпус:66-TSSOPszeroko?? 04001016mm
 IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP
Дата изготовления: 2013+
 1,457
Micron Technology Inc. MT48LC32M8A2P-75:D TR
Корпус:54-TSOP0.40010.16mm
 IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
Дата изготовления: 2017+
  • 1+61.28 CNY
 518
Micron Technology Inc. MT48LC32M8A2P-7E:D TR
Корпус:54-TSOP0.40010.16mm
 IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
Дата изготовления: 2011+
  • 1+66.61 CNY
 700
Micron Technology Inc. MT48LC2M32B2B5-7 IT:G TR
Корпус:90-VFBGA
 IC DRAM 64MBIT PAR 90VFBGA
Дата изготовления: 2019+
  • 1+61.28 CNY
 2,539
Micron Technology Inc. MT41K256M8DA-125 AAT:K
Корпус:78-TFBGA
 IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
Дата изготовления: 2017+
  • 1+61.28 CNY
 2,563
Micron Technology Inc. MT46V16M16CY-5B:M TR
Корпус:60-TFBGA
 IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA
Дата изготовления: 2015+
  • 1+61.28 CNY
 1,422
Infineon Technologies CY62146G-45ZSXIT
Корпус:44-TSOP0.40010.16mm
 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
Дата изготовления: 2015+
  • 1+61.28 CNY
 758
2002— «ЭтЛайт»
Администрация:
2002— «ЭтЛайт»
Наши контакты: +7 (812) 309-50-30, client@efind.ru
Расширение для браузера · Телеграм-бот · Аналитика · English version