Главная Подключить склад Ещё
✖
Вход на сайт
Ошибка авторизации: неверный логин или пароль
запомнить меня
Регистрация | Вход
HSMelect Technology Co., Limited

Вернуться в список поставщиков

HSMelect Technology Co., Limited

г. Шеньжень
+86 (755) 82-73-63-99, +(852) 53-11-37-50
info@hsmkey.com
http://www.hsmkey.com
Страница: 1 2 3 ... 105 106 107 108 109 110 111 ... 801 802 803 ... 1601 1602 1603 ... 2401 2402 2403 ... 3201 3202 3203 ... 3999 4000
Производитель Наименование Информация Цены Склад
Microchip Technology AT49LV040-12JI
Корпус:32-LCC
 IC FLASH 4MBIT PARALLEL 32PLCC
Дата изготовления: 2021+
  • 1+61.36 CNY
 937
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF6436A-8.5TQI-TR
Корпус:100-LQFP
 IC SRAM 2MBIT PARALLEL 100TQFP
Дата изготовления: 2011+
  • 1+61.44 CNY
 2,009
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LP6432A-133TQ-TR
Корпус:100-LQFP
 IC SRAM 2MBIT PARALLEL 100TQFP
Дата изготовления: 2021+
  • 1+61.44 CNY
 775
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LP6436A-133TQ-TR
Корпус:100-LQFP
 IC SRAM 2MBIT PARALLEL 100TQFP
Дата изготовления: 2020+
  • 1+61.44 CNY
 1,712
Micron Technology Inc. MT46V32M16BN-5B:F TR
Корпус:60-TFBGA
 IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
Дата изготовления: 2013+
  • 1+66.81 CNY
 2,379
Micron Technology Inc. MT46V32M16BN-6:F TR
Корпус:60-TFBGA
 IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
Дата изготовления: 2020+
  • 1+61.47 CNY
 1,057
Micron Technology Inc. MT40A512M16LY-062E IT:E
Корпус:96-TFBGA
 IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA
Дата изготовления: 2021+
  • 1+61.47 CNY
 843
Renesas Electronics Corporation 71V416S10BE
Корпус:48-TFBGA
 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
Дата изготовления: 2014+
  • 1+61.47 CNY
 717
Renesas Electronics Corporation 71V416S12BE
Корпус:48-TFBGA
 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
Дата изготовления: 2015+
  • 1+61.47 CNY
 591
Renesas Electronics Corporation 71V416S15BE
Корпус:48-TFBGA
 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
Дата изготовления: 2014+
  • 1+61.47 CNY
 412
Renesas Electronics Corporation 71V416L12BEG
Корпус:48-TFBGA
 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
Дата изготовления: 2012+
  • 1+61.49 CNY
 407
Infineon Technologies CY7C024-25JXC
Корпус:84-LCC
 IC SRAM 64KBIT PARALLEL 84PLCC
Дата изготовления: 2021+
 384
Infineon Technologies S29GL256P10TFI023
Корпус:56-TFSOP0.72418.40mm
 IC FLASH 256MBIT PARALLEL 56TSOP
Дата изготовления: 2016+
  • 1+61.53 CNY
 334
Infineon Technologies S29GL256P11TFI013
Корпус:56-TFSOP0.72418.40mm
 IC FLASH 256MBIT PARALLEL 56TSOP
Дата изготовления: 2021+
  • 1+61.53 CNY
 2,849
Infineon Technologies S29GL256P90TFCR13
Корпус:56-TFSOP0.72418.40mm
 IC FLASH 256MBIT PARALLEL 56TSOP
Дата изготовления: 2012+
  • 1+61.53 CNY
 1,593
Infineon Technologies S29GL256P11TFI023
Корпус:56-TFSOP0.72418.40mm
 IC FLASH 256MBIT PARALLEL 56TSOP
Дата изготовления: 2019+
  • 1+61.53 CNY
 373
Infineon Technologies S29GL256P11TFIV23
Корпус:56-TFSOP0.72418.40mm
 IC FLASH 256MBIT PARALLEL 56TSOP
Дата изготовления: 2018+
  • 1+61.53 CNY
 1,640
Micron Technology Inc. MT25QL01GBBB8E12E01-2SIT TR
Корпус:24-TBGA
 IC FLASH 1GBIT SPI 24TPBGA
Дата изготовления: 2015+
  • 1+61.68 CNY
 957
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32400D-6B-TR
Корпус:90-TFBGA
 IC DRAM 128MBIT PAR 90TFBGA
Дата изготовления: 2016+
  • 1+61.68 CNY
 918
Micron Technology Inc. MT40A2G4SA-062E:E TR
Корпус:78-TFBGA
 IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
Дата изготовления: 2020+
  • 1+61.78 CNY
 1,353
Infineon Technologies S29GL256P90TFCR20
Корпус:56-TFSOP0.72418.40mm
 IC FLASH 256MBIT PARALLEL 56TSOP
Дата изготовления: 2017+
  • 1+67.21 CNY
 587
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32400B-7BL
Корпус:90-TFBGA
 IC DRAM 128MBIT PAR 90TFBGA
Дата изготовления: 2016+
  • 1+61.84 CNY
 1,066
Infineon Technologies S29GL256P90FFCR20
Корпус:64-LBGA
 IC FLASH 256MBIT PARALLEL 64FBGA
Дата изготовления: 2013+
  • 1+61.87 CNY
 560
onsemi NMC27C16BQE150
Корпус:24-DIP0.60015.24mm
 IC EPROM 16KBIT PARALLEL 24DIP
Дата изготовления: 2021+
  • 1+61.96 CNY
 1,245
onsemi NM27C040Q120
Корпус:32-CDIP0.68517.40mm
 IC EPROM 4MBIT PARALLEL 32CDIP
Дата изготовления: 2014+
  • 1+56.69 CNY
 1,000
onsemi NM27C040Q150
Корпус:32-CDIP0.68517.40mm
 IC EPROM 4MBIT PARALLEL 32CDIP
Дата изготовления: 2013+
  • 1+56.69 CNY
 918
Micron Technology Inc. MT46V32M8P-6T:G TR
Корпус:66-TSSOPszeroko?? 04001016mm
 IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP
Дата изготовления: 2015+
 741
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32400B-6BL-TR
Корпус:90-TFBGA
 IC DRAM 128MBIT PAR 90TFBGA
Дата изготовления: 2016+
  • 1+56.75 CNY
 376
Renesas Electronics Corporation 71V416L12BE
Корпус:48-TFBGA
 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
Дата изготовления: 2014+
  • 1+56.81 CNY
 555
Renesas Electronics Corporation 71V416L15BE
Корпус:48-TFBGA
 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
Дата изготовления: 2020+
  • 1+56.81 CNY
 523
Renesas Electronics Corporation R1LV0108ESF-7SI#B0
Корпус:32-TFSOP0.72418.40mm
 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I
Дата изготовления: 2016+
  • 1+56.90 CNY
 370
Renesas Electronics Corporation R1LV0108ESF-7SR#B0
Корпус:32-TFSOP0.72418.40mm
 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I
Дата изготовления: 2014+
  • 1+56.90 CNY
 2,388
Renesas Electronics Corporation R1LP5256ESP-7SR#B0
Корпус:28-SOIC0.3308.40mm
 IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOP
Дата изготовления: 2016+
  • 1+56.90 CNY
 808
Micron Technology Inc. MT48LC2M32B2P-6A AIT:J TR
Корпус:86-TFSOP0.40010.16mm
 IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
Дата изготовления: 2012+
 319
Renesas Electronics Corporation R1LV0108ESN-7SR#B0
Корпус:32-SOIC0.45011.40mm
 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOP
Дата изготовления: 2017+
  • 1+56.90 CNY
 887
Micron Technology Inc. MT48LC16M16A2BG-75:D TR
Корпус:54-VFBGA
 IC DRAM 256MBIT PAR 54VFBGA
Дата изготовления: 2015+
  • 1+61.93 CNY
 480
Micron Technology Inc. MT48LC16M16A2BG-7E:D TR
Корпус:54-VFBGA
 IC DRAM 256MBIT PAR 54VFBGA
Дата изготовления: 2016+
  • 1+56.98 CNY
 419
Micron Technology Inc. MT41J128M8JP-15E:G TR
Корпус:78-TFBGA
 IC DRAM 1GBIT PAR 78FBGA
Дата изготовления: 2012+
 916
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160B-7T-TR
Корпус:54-TSOP0.40010.16mm
 IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
Дата изготовления: 2015+
  • 1+57.00 CNY
 1,428
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S83200B-7TL-TR
Корпус:54-TSOP0.40010.16mm
 IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
Дата изготовления: 2012+
  • 1+57.00 CNY
 2,645
Sharp Microelectronics F640SPHT-PTLZ8
Корпус:56-TFSOP0.72418.40mm
 IC FLASH 64MBIT PARALLEL 56TSOP
Дата изготовления: 2013+
  • 1+57.02 CNY
 1,408
Infineon Technologies CY14E512Q1A-SXI
Корпус:8-SOIC0.1543.90mm
 IC NVSRAM 512KBIT SPI 8SOIC
Дата изготовления: 2019+
 3,768
Renesas Electronics Corporation 71V424L12PHG8
Корпус:44-TSOP0.40010.16mm
 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
Дата изготовления: 2017+
  • 1+57.15 CNY
 389
Microchip Technology AT49F040-15JI
Корпус:32-LCC
 IC FLASH 4MBIT PARALLEL 32PLCC
Дата изготовления: 2017+
  • 1+57.16 CNY
 2,000
Microchip Technology AT49F040-90JC
Корпус:32-LCC
 IC FLASH 4MBIT PARALLEL 32PLCC
Дата изготовления: 2019+
  • 1+57.16 CNY
 808
Micron Technology Inc. MT46V64M8P-6T IT:F TR
Корпус:66-TSSOPszeroko?? 04001016mm
 IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP
Дата изготовления: 2015+
  • 1+62.20 CNY
 537
Everspin Technologies Inc. MR256DL08BMA45
Корпус:48-LFBGA
 IC RAM 256KBIT PARALLEL 48FBGA
Дата изготовления: 2011+
  • 1+57.24 CNY
 458
Renesas Electronics Corporation 71V2556SA133BGG
Корпус:119-BGA
 IC SRAM 4.5MBIT PAR 119PBGA
Дата изготовления: 2019+
  • 1+57.29 CNY
 601
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160B-6TLI-TR
Корпус:54-TSOP0.40010.16mm
 IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
Дата изготовления: 2012+
  • 1+57.33 CNY
 1,879
Renesas Electronics Corporation 71V416L15BEGI8
Корпус:48-TFBGA
 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
Дата изготовления: 2016+
  • 1+57.35 CNY
 1,840
2002— «ЭтЛайт»
Администрация:
2002— «ЭтЛайт»
Наши контакты: +7 (812) 309-50-30, client@efind.ru
Расширение для браузера · Телеграм-бот · Аналитика · English version