| Производитель |
Наименование |
Информация |
Цены |
Склад |
|
|
Чип индуктивность B82498F3829K (8,2 нГн+-10 % размер 0805)
|
|
|
128 |
|
|
Чип индуктивность LQG15HN2N2S02D (2,2 нГн+-0,3 нГн размер 0402)
|
|
|
100 |
|
|
Чип индуктивность LQG15HN47NJ02D (47 нГн - 5 % рзмер 0402)
|
|
|
85 |
|
|
Чип индуктивность LQG15HN68NJ02D (68 нГн+-5 % размер 0402)
|
|
|
84 |
|
|
Чип индуктивность LQG15HS12NJ02D (12 нГн+-5 % размер 0402)
|
|
|
89 |
|
|
Чип индуктивность LQH32MN100K23L (10 мкГн+-10 % размер 1210)
|
|
|
76 |
|
|
Чип индуктивность LQH32MN330K23L (33 мкГн+-10 % размер 1210)
|
|
|
80 |
|
|
Чип индуктивность LQM21FN100N00L (10 мкГн+-30 % размер 0805)
|
|
|
78 |
|
|
Чип индуктивность LQM21FN1R0N00L (1 мкГн+-30 % размер 0805)
|
|
|
200 |
|
|
Чип индуктивность LQP15MN1N4W02D (1,4 нГн+-0,05 нГн размер 0402)
|
|
|
172 |
|
|
Чип индуктивность LQP15MN1N6W02D (1,6 нГн+-0,05 нГн размер 0402)
|
|
|
117 |
|
|
Чип индуктивность LQP15MN1N7W02D (1,7 нГн+-0,05 нГн размер 0402)
|
|
|
97 |
|
|
Чип индуктивность LQW15AN15NG00D (15 нГн+-2 % размер 0402)
|
|
|
42 |
|
|
Чип индуктивность LQW15AN1N5B00D (1,5 нГн+-0,1 нГн размер 0402)
|
|
|
122 |
|
|
Чип индуктивность LQW15AN2N9B00D (2,9 нГн+-0,1 нГн размер 0402)
|
|
|
124 |
|
|
Чип индуктивность LQW15AN33NJ00D (33 нГн+-5 % размер 0402)
|
|
|
85 |
|
|
Чип индуктивность LQW15AN5N6C10D (5,6 нГн+-0,2 нГн размер 0402)
|
|
|
318 |
|
|
Чип индуктивность LQW15AN62NG00D (62 нГн+-2 % размер 0402)
|
|
|
10 |
|
|
Чип индуктивность LQW15AN8N2G00D (8,2 нГн+-2 % размер 0402)
|
|
|
46 |
|
|
Чип индуктивность LQW18AN24NG00 0603-24нГн
|
|
|
36 |
|
|
Чип индуктивность LQW18AN33NG 0603-33нГн
|
|
|
430 |
|
|
Чип индуктивность LQW18AN36NJ00 (36 нГн+-5 % размер 0603)
|
|
|
256 |
|
|
Чип индуктивность LQW18AN82J00D (82нГн+-5 % размер 0603)
|
|
|
81 |
|
|
Чип индуктивность LQW18ANR10G00D (100 нГн+-2 % размер 0603)
|
|
|
30 |
|
|
Чип индуктивность LQW18ANR11G00D (110 нГн+-2 % размер 0603)
|
|
|
94 |
|
|
Чип индуктивность LQW18ANR22G00B (220 нГн+-2 % размер 0603)
|
|
|
98 |
|
|
Чип индуктивность LQW18ANR27G00D (270 нГн +-2% размер 0603)
|
|
|
93 |
|
|
Чип индуктивность LQW18ANR47G00D (470 нГн+-2 % размер 0603)
|
|
|
74 |
|
|
Чип индуктивность LQW2BAS33NJ00L (33 нГн+-5 % размер 0805)
|
|
|
239 |
|
|
Чип индуктивность LQW2BAS47NJ00L (47 нГн+-5 % размер 0805)
|
|
|
10 |
|
|
Чип индуктивность LQW2BAS68NJ00L (68 нГн+-5 % размер 0805)
|
|
|
293 |
|
|
Чип индуктивность LQW2BASR11J00L (110 нГн+-5 % размер 0805)
|
|
|
64 |
|
|
Чип индуктивность LQW2BASR15J00L (150 нГн+-5 % размер 0805)
|
|
|
114 |
|
|
Чип индуктивность LQW2BASR18J00L (180 нГн+-5 % размер 0805)
|
|
|
250 |
|
|
Чип индуктивность LQW2BHN33NJ03L (33 нГн+-5 % размер 0805)
|
|
|
106 |
|
|
Чип индуктивность LQW2BHN82NJ03L (82 нГн+-5 % размер 0805)
|
|
|
32 |
|
|
Чип индуктивность LQW2BHNR27J03L (270 нГн+-5 % размер 0805)
|
|
|
75 |
|
|
Чип индуктивность LQW2BHNR47J01L (470 нГн+-5 % размер 0805)
|
|
|
15 |
|
|
Чип индуктивность MLF2012E5R6J (5.6 мкГн+-20 % размер 0805)
|
|
|
10 |
|
|
Чип индуктивность SMD 0805 120 нГн ± 5 % B82498B3121J
|
|
|
61 |
|
|
Чип индуктивность КИК2012-110 нГн+-5 % 0 РКМУ .671340.002ТУ
|
|
|
80 |
|
|
Чип индуктивность КИК2012-15 нГн+-5 % 0 РКМУ.671340.002 ТУ
|
|
|
28 |
|
|
Чип индуктивность КИК2012-91 нГн+-5 % 0 РКМУ.671340.002 ТУ
|
|
|
40 |
|
|
Чип индуктивность КИФ1608-270нГн-5% О
|
|
|
3 |
|
|
Чип индуктивность КИФ1608-820нГн 5% О РКМУ.671340.001 ТУ
|
|
|
70 |
|
|
Чип конденсатор 0,01 мкФ+-10 % X7R размер 0805
|
|
|
60 |
|
|
Чип конденсатор 0,2 пФ+-0,05 пФ NP0 размер 0402
|
|
|
61 |
|
|
ЧИП КОНДЕНСАТОР 1,0 мкФ Y5V, РАЗМЕР 1206
|
|
|
190 |
|
|
Чип конденсатор 150 пФ+-5 % NP0 размер 0805
|
|
|
651 |
|
|
Чип конденсатор 16 пФ+-2 % NP0 размер 0402
|
|
|
98 |