Вход на сайт
Ошибка авторизации: неверный логин или пароль
запомнить меня
Регистрация | Вход
РССЗ

Вернуться в список поставщиков

РССЗ

г. Санкт-Петербург
+7 (812) 335-51-80
mail@rssz-tech.ru
Ограничения: Заказ от 5000 руб.
Страница: 1 2 3 ... 836 837 838 ... 1385 1386 1387 1388 1389 1390 1391 ... 1671 1672 1673 ... 2506 2507 2508 ... 3341 3342 3343 ... 4175 4176
Производитель Наименование Информация Цены Склад
SI7922DN-T1-E3 Сборка из полевых транзисторов 2N-канальный 100 В 1.8 А
3-4 недели
SI7923DN-T1-E3 Сборка из полевых транзисторов 2P-канальный 30 В 4.3 А
3-4 недели
SI7938DP-T1-GE3 Сборка из полевых транзисторов 2N-канальный 40 В 60 А
3-4 недели
SI7942DP-T1-E3 Сборка из полевых транзисторов 2N-канальный 100 В 3.8 А
3-4 недели
SI7949DP-T1-E3 Сборка из полевых транзисторов 2P-канальный 60 В 3.2 А
3-4 недели
SI7949DP-T1-GE3 Сборка из полевых транзисторов 2P-канальный 60 В 3.2 А
3-4 недели
SI7994DP-T1-GE3 Сборка из полевых транзисторов 2N-канальный 30 В 60 А
3-4 недели
SI7997DP-T1-GE3 Сборка из полевых транзисторов 2P-канальный 30 В 60 А
3-4 недели
SI8406DB-T2-E1 Транзистор полевой N-канальный 20В 16A
3-4 недели
SI8416DB-T2-E1 Полевой транзистор N-канальный 8 В 16 А
3-4 недели
SI8420BB-D-IS Цифровой изолятор 2.5кВ общего применения 8SOIC
3-4 недели
SI8421AB-D-IS Изолятор цифровой
3-4 недели
SI8421AB-D-ISR Изолятор цифровой
3-4 недели
SI8424CDB-T1-E1 Полевой транзистор N-канальный 8 В
3-4 недели
SI8431AB-D-IS Цифровой изолятор 2.5кВ общего применения 16SOIC
3-4 недели
SI8441BB-D-IS Цифровой изолятор 2.5кВ общего применения 16SOIC
3-4 недели
SI8483DB-T2-E1 Транзистор полевой P-канальный 12В 16A
3-4 недели
SI8489EDB-T2-E1 Полевой транзистор P-канальный 20 В
3-4 недели
SI8499DB-T2-E1 Транзистор полевой P-канальный 20В 16A
3-4 недели
SI8802DB-T2-E1 Транзистор полевой N-канальный 8В
3-4 недели
SI8812DB-T2-E1 Полевой транзистор N-канальный 20 В
3-4 недели
SI8817DB-T2-E1 Полевой транзистор P-канальный 20 В
3-4 недели
SI9407BDY-T1-E3 Транзистор полевой P-канальный 60В 4.7A
3-4 недели
SI9407BDY-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 60В 4.7A
3-4 недели
SI9433BDY-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 20В 4.5A
3-4 недели
SI9435BDY-T1-E3 Транзистор полевой P-канальный 30В 4.1A
3-4 недели
SI9435BDY-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 30В 4.1A
3-4 недели
SI9926CDY-T1-GE3 Сборка из полевых транзисторов 2N-канальный 20 В 8 А
3-4 недели
SI9933CDY-T1-GE3 Сборка из полевых транзисторов 2P-канальный 20 В 4 А
3-4 недели
SI9945BDY-T1-GE3 Сборка из полевых транзисторов 2N-канальный 60 В 5.3 А
3-4 недели
SIA413DJ-T1-GE3 Полевой транзистор P-канальный 12 В 12 А
3-4 недели
SIA416DJ-T1-GE3 Полевой транзистор N-канальный 100 В 11.3 А
3-4 недели
SIA421DJ-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 30В 12A
3-4 недели
SIA427ADJ-T1-GE3 Полевой транзистор P-канальный 8 В 12 А
3-4 недели
SIA429DJT-T1-GE3 Полевой транзистор P-канальный 20 В 12 А
3-4 недели
SIA433EDJ-T1-GE3 Полевой транзистор P-канальный 20 В 12 А
3-4 недели
SIA436DJ-T1-GE3 Полевой транзистор N-канальный 8 В 12 А
3-4 недели
SIA437DJ-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 29.7A
3-4 недели
SIA440DJ-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 40В 12A
3-4 недели
SIA441DJ-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 40В 12A
3-4 недели
SIA445EDJ-T1-GE3 Полевой транзистор P-канальный 20 В 12 А
3-4 недели
SIA447DJ-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 12В 12A
3-4 недели
SIA449DJ-T1-GE3 Полевой транзистор P-канальный 30 В 12 А
3-4 недели
SIA456DJ-T1-GE3 Полевой транзистор N-канальный 200 В 2.6 А
3-4 недели
SIA461DJ-T1-GE3 Полевой транзистор P-канальный 20 В 12 А
3-4 недели
SIA483DJ-T1-GE3 Полевой транзистор P-канальный 30 В 12 А
3-4 недели
SIA517DJ-T1-GE3 Сборка из полевых транзисторов N/P-канальный 12 В 4.5 А
3-4 недели
SIA910EDJ-T1-GE3 Сборка из полевых транзисторов 2N-канальный 12 В 4.5 А
3-4 недели
SIA921EDJ-T1-GE3 Сборка из полевых транзисторов 2P-канальный 20 В 4.5 А
3-4 недели
SIB456DK-T1-GE3 Полевой транзистор N-канальный 100 В 6.3 А
3-4 недели
2002— «ЭтЛайт»
Наши контакты: +7 (812) 309-50-30, client@efind.ru
Расширение для браузера · Телеграм-бот · Аналитика · English version
    ExpoElectronica