| Производитель |
Наименование |
Информация |
Цены |
Склад |
|
|
GRM21BR60J226ME39K
|
Керамический ЧИП-конденсатор 0805 X5R 22мкФ ±20% 6.3В |
|
3-4 недели |
|
|
GRM31CR61C226ME15L
|
Керамический ЧИП-конденсатор 1206 X5R 22мкФ ±20% 16В |
|
3-4 недели |
|
|
GRM32ER61E226KE15K
|
Керамический ЧИП-конденсатор 1210 X5R 22мкФ ±10% 25В |
|
3-4 недели |
|
|
GRM31CR60J476ME19L
|
Керамический ЧИП-конденсатор 1206 X5R 47мкФ ±20% 6.3В |
|
3-4 недели |
|
|
GRM43ER61A476KE15L
|
Керамический ЧИП-конденсатор 1812 X5R 47мкФ ±10% 10В |
|
3-4 недели |
|
|
GRM32ER61A476KE20L
|
Керамический ЧИП-конденсатор 1210 X5R 47мкФ ±10% 10В |
|
3-4 недели |
|
|
GQM2195C2A2R0CB01D
|
Керамический ЧИП-конденсатор 0805 NP0 2пФ ±0.25пФ 100В |
|
3-4 недели |
|
|
GQM2195C2A2R7CB01D
|
Керамический ЧИП-конденсатор 0805 NP0 2.7пФ ±0.25пФ 100В |
|
3-4 недели |
|
|
GRM188R71E104KA01D
|
Керамический ЧИП-конденсатор 0603 X7R 0.1мкФ ±10% 25В |
|
3-4 недели |
|
|
CC1812JKNPOCBN151
|
Керамический ЧИП-конденсатор 1812 NP0 150пФ ±5% 1000В -55°C…+125°C |
|
3-4 недели |
|
|
B37951J5105M062
|
Керамический ЧИП-конденсатор 1210 Z5U 1мкФ ±20% 50В |
|
3-4 недели |
|
|
B32522C1225K
|
Конденсатор металлоплёночный полиэтилентерефталатный 2.2мкФ 100В ±10% (18х7х12.5мм) шаг выводов 15мм 125°С автомобильного применения россыпь |
|
3-4 недели |
|
|
B32529C0105J289
|
конденсатор металлопленочный полиэтилентерефталатный 1uF ±5% 63V (7.3 X 4.5 X 9.5mm) радиальный 5mm в ленте |
|
3-4 недели |
|
|
B32652A0683J
|
Конденсатор металлоплёночный полипропиленовый 0.068мкФ 1000В ±5% (18х8.5х14.5мм) радиальный в пластиковом прямоугольном корпусе 15мм 110°С автомобильного применения |
|
3-4 недели |
|
|
KLS1-4.20-1X03-RB
|
Разъем низковольтного питания вилка |
|
3-4 недели |
|
|
ATMEGA1284P-AUR
|
Микроконтроллер AVR архитектура RISC 128Кбайт Флэш-память 2.5V/3.3V/5V |
|
3-4 недели |
|
|
MCP3201T-BI/SN
|
12-ти разрядный последовательный АЦП одноканальный шина SPI |
|
3-4 недели |
|
|
OP284ESZ-REEL7
|
Операционный усилитель 4.25 МГц |
|
3-4 недели |
|
|
MDD3754
|
Транзистор полевой P-канальный 40В 24А 41Вт |
|
3-4 недели |
|
|
MDD7N25RH
|
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 6.2А 56Вт |
|
3-4 недели |
|
|
MMF60R360PTH
|
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11А 31Вт |
|
3-4 недели |
|
|
MMF60R580P
|
Транзистор полевой N-канальный 600В 8А 26Вт |
|
3-4 недели |
|
|
P1504BDG
|
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 40А 42Вт |
|
3-4 недели |
|
|
P1604ED
|
Транзистор полевой P-канальный 40В 43А 50Вт |
|
3-4 недели |
|
|
P2610ADG
|
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 50А 51Вт |
|
3-4 недели |
|
|
P2803NVG
|
Сборка из полевых транзисторов N/P-канальный 30В -6 А/7 А 1.3 Вт |
|
3-4 недели |
|
|
P2804HVG
|
Сборка из полевых транзисторов 2N-канальный 40 В 7 А 1.3 Вт |
|
3-4 недели |
|
|
P2806HV
|
Сборка из полевых транзисторов 2N-канальный 60 В 6 А 1.3 Вт |
|
3-4 недели |
|
|
P3004BD
|
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 29А 30Вт |
|
3-4 недели |
|
|
P4004ED
|
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 21А 30Вт |
|
3-4 недели |
|
|
P8008HV
|
Сборка из полевых транзисторов 2N-канальный 80 В 4 А 1.9 Вт |
|
3-4 недели |
|
|
R5016ANX
|
Полевой транзистор N-канальный 500В 16А 50Вт |
|
3-4 недели |
|
|
RD70HHF1-101
|
Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 50В 20А 150Вт 30МГц Tch=175°C |
|
3-4 недели |
|
|
RD01MUS1
|
Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 30В 600мА 3 6Вт 520МГц Tch=150°C |
|
3-4 недели |
|
|
RD07MVS1-T512
|
Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 30В 3А 50Вт 520МГц Tch=150°C |
|
3-4 недели |
|
|
RD12MVS1-501
|
Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 50В 4А 50Вт 175МГц Tch=150°C |
|
3-4 недели |
|
|
RJH3047DPK
|
Биполярный транзистор IGBT 330 В 50 А |
|
3-4 недели |
|
|
RJH3077DPK
|
Биполярный транзистор IGBT 330 В 50 А |
|
3-4 недели |
|
|
RJH60F7DPQ-A0-T0
|
Биполярный транзистор IGBT 600 В 90 А 320 Вт |
|
3-4 недели |
|
|
RJK5020DPK
|
Полевой транзистор N-канал 500 В 40 А 200 Вт |
|
3-4 недели |
|
|
RJK6015DPK
|
Полевой транзистор N-канал 600 В 21 А 150 Вт |
|
3-4 недели |
|
|
RJP30E2DPP
|
Биполярный транзистор IGBT 360 В 35 А 25 Вт |
|
3-4 недели |
|
|
RJP30E3DPP
|
Биполярный транзистор IGBT 360 В 40 А 30 Вт |
|
3-4 недели |
|
|
RJP30H1DPD
|
Биполярный транзистор IGBT 360 В 30 А 40 Вт |
|
3-4 недели |
|
|
RJP43F4ADPP
|
Биполярный транзистор IGBT 30 Вт 430 В 40 А |
|
3-4 недели |
|
|
RJP63G4DPE
|
Биполярный транзистор IGBT 630 В 40 А |
|
3-4 недели |
|
|
RJP63F4DPP
|
Биполярный транзистор IGBT 630 В 40 А |
|
3-4 недели |
|
|
IRG4PH40UD2-EP
|
Биполярный транзистор IGBT 1200 В 40 А 160 Вт |
|
3-4 недели |
|
|
ADS1212U/1K
|
АЦП 22-бит дельта-сигма |
|
3-4 недели |
|
|
LNK306DN-TL
|
Энергоэффективный ключ для простых зарядных устройств и адаптеров 225мА/360мА |
|
3-4 недели |
