Поставщик «РССЗ»

GRM1885C1H471JA01J

Керамический ЧИП-конденсатор 0603 NP0 470пФ ±5% 50В

3-4 недели

GRM1885C1HR75CA01J

Керамический ЧИП-конденсатор 0603 NP0 0.75пФ ±0.25пФ 50В

3-4 недели

GRM188R60J226MEA0J

Керамический ЧИП-конденсатор 0603 X5R 22мкФ ±20% 6.3В

3-4 недели

GRM188R71H221KA01J

Керамический ЧИП-конденсатор 0603 X7R 220пФ ±10% 50В

3-4 недели

GRM188R72A102KA01J

Керамический ЧИП-конденсатор 0603 X7R 1000пФ ±10% 100В

3-4 недели

GRM2165C1H101JA01J

Керамический ЧИП-конденсатор 0805 NP0 100пФ ±5% 50В

3-4 недели

GRM21BR60J107ME15K

Керамический ЧИП-конденсатор 0805 X7S 100мкФ ±20% 6.3В

3-4 недели

GRM21BR61A106KE19K

Керамический ЧИП-конденсатор 0805 X5R 10мкФ ±10% 10В

3-4 недели

GRM21BR61E106KA73K

Керамический ЧИП-конденсатор 0805 X5R 10мкФ ±10% 25В

3-4 недели

GRM21BR71H474KA88K

Керамический ЧИП-конденсатор 0805 X7R 0.47мкФ ±10% 50В

3-4 недели

GRM31MR71A225KA01K

Керамический ЧИП-конденсатор 1206 X7R 2.2мкФ ±10% 10В

3-4 недели

GRT155R60J225KE01D

Керамический ЧИП-конденсатор 0402 X5R 2.2мкФ ±10% 6.3В

3-4 недели

GRT155R60J475ME13D

Керамический ЧИП-конденсатор 0402 X5R 4.7мкФ ±20% 6.3В

3-4 недели

LLL185R71H222MA01K

Керамический ЧИП-конденсатор 0306 X7R 2200пФ ±20% 50В

3-4 недели

LQG15HN1N5S02D

Чип индуктивность многослойная неэкранированная 1.5нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 1000мА 80мОм по постоянному току 0402 лента на катушке

3-4 недели

LQG15HN1N8C02D

Чип индуктивность многослойная неэкранированная 1.8нГн ±0.2нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 900мА 80мОм по постоянному току 0402 лента на катушке

3-4 недели

LQG15HN2N4S02D

Чип индуктивность многослойная неэкранированная 2.4нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 800мА 0.1Ом по постоянному току 0402 лента на катушке

3-4 недели

LQG15HN3N6S02D

Чип индуктивность многослойная неэкранированная 3.6нГн±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 700мА 0.13Ом по постоянному току 0402

3-4 недели

LQG15HS1N3S02D

Чип индуктивность многослойная неэкранированная 1.3нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 1A 70мОм по постоянному току 0402 лента на катушке

3-4 недели

LQG15HS1N8S02D

Чип индуктивность многослойная неэкранированная 1.8нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 0.95A 80мОм по постоянному току 0402 лента на катушке

3-4 недели

LQG15HS2N2S02D

Чип индуктивность многослойная неэкранированная 2 2нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 900мА 90мОм по постоянному току 0402 лента на катушке

3-4 недели

LQG15HS2N4S02D

Чип индуктивность многослойная неэкранированная 2 4нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 850мА 0.11Ом по постоянному току 0402 лента на катушке

3-4 недели

LQG15HS3N6S02D

Чип индуктивность многослойная неэкранированная 3 6нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 750мА 140мОм по постоянному току 0402 лента на катушке

3-4 недели

LQG15HS3N9C02D

Чип индуктивность многослойная неэкранированная 3.9нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 750мА 140мОм по постоянному току 0402 лента на катушке

3-4 недели

LQG15HS4N3S02D

Чип индуктивность многослойная неэкранированная 4.3нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 750мА 140мОм по постоянному току 0402 лента на катушке

3-4 недели

LQG15HS4N7C02D

Чип индуктивность многослойная неэкранированная 4.7нГн ±0.2нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 700мА 160мОм по постоянному току 0402 лента на катушке

3-4 недели

LQG15HS56NJ02D

Чип индуктивность многослойная неэкранированная 56нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 250мА 820мОм по постоянному току 0402 лента на катушке

3-4 недели

LQG15HSR18J02D

Чип индуктивность многослойная неэкранированная 180нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 150мА 3.38Ом по постоянному току 0402 лента на катушке

3-4 недели

LQG15HSR22J02D

Чип индуктивность многослойная неэкранированная 220нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 120мА 3.77Ом по постоянному току 0402 лента на катушке

3-4 недели

LQP15MN10NG02D

Тонкоплёночная SMD индуктивность 10нГн ±2% 100мА 1 3Ом по постоянному току

3-4 недели

LQP15MN12NG02D

Тонкоплёночная SMD индуктивность 12нГн ±2% 90мА 1 6Ом по постоянному току

3-4 недели

LQP15MN18NG02D

Тонкоплёночная SMD индуктивность 18нГн ±2% 80мА 2Ом по постоянному току

3-4 недели

LQP15MN1N0B02D

Тонкоплёночная SMD индуктивность 1нГн ±0 1нГн 400мА 100мОм по постоянному току

3-4 недели

LQP15MN1N1W02D

Тонкоплёночная SMD индуктивность 1 1нГн ±0 05нГн 390мА 100мОм по постоянному току

3-4 недели

LQP15MN1N2B02D

Тонкоплёночная SMD индуктивность 1 2нГн ±0 1нГн 390мА 100мОм по постоянному току

3-4 недели

LQP15MN1N3B02D

Тонкоплёночная SMD индуктивность 1 3нГн ±0 1нГн 280мА 200мОм по постоянному току

3-4 недели

LQP15MN1N5B02D

Тонкоплёночная SMD индуктивность 1 5нГн ±0 1нГн 280мА 200мОм по постоянному току

3-4 недели

LQP15MN3N0B02D

Тонкоплёночная SMD индуктивность 3нГн ±0 1нГн 190мА 400мОм по постоянному току

3-4 недели

LQP15MN4N3B02D

Тонкоплёночная SMD индуктивность 4 3нГн ±0 1нГн 160мА 600мОм по постоянному току

3-4 недели

LQP15MN5N1B02D

Тонкоплёночная SMD индуктивность 5 1нГн ±0 1нГн 140мА 700мОм по постоянному току

3-4 недели

LQP15MN6N2B02D

Тонкоплёночная SMD индуктивность 6 2нГн ±0 1нГн 130мА 900мОм по постоянному току

3-4 недели

LQP15MN6N8B02D

Тонкоплёночная SMD индуктивность 6 8нГн ±0 1нГн 130мА 900мОм по постоянному току

3-4 недели

LQP15MN7N5B02D

Тонкоплёночная SMD индуктивность 7 5нГн ±0 1нГн 110мА 1 1Ом по постоянному току

3-4 недели

LQW15AN10NG80D

Проволочная SMD индуктивность 10нГн ±2% 1.4A 81мОм по постоянному току

3-4 недели

LQW15AN10NH00D

Проволочная SMD индуктивность 10нГн ±3% 500мА 0.17Ом по постоянному току

3-4 недели

LQW15AN10NJ80D

Проволочная SMD индуктивность 10нГн ±5% 1 4A 81мОм по постоянному току

3-4 недели

LQW15AN11NJ00D

Проволочная SMD индуктивность 11нГн ±5% 500мА 140мОм по постоянному току

3-4 недели

LQW15AN12NG00D

Проволочная SMD индуктивность 12нГн ±2% 500мА 140мОм по постоянному току

3-4 недели

LQW15AN14NG80D

Проволочная SMD индуктивность 14нГн ±2% 1 15A 111мОм по постоянному току

3-4 недели

LQW15AN15NH00D

Проволочная SMD индуктивность 15нГн ±3% 460мА 160мОм по постоянному току

3-4 недели