| Производитель |
Наименование |
Информация |
Цены |
Склад |
|
|
DSPIC33FJ16GS504-I/PT
|
Микроконтроллер 16-бит 16кБ Флэш-память 44TQFP |
|
3-4 недели |
|
|
DSPIC33FJ16MC304-I/PT
|
Микроконтроллер 16-бит 16кБ Флэш-память 44TQFP |
|
3-4 недели |
|
|
DSPIC33FJ256GP506A-I/MR
|
Микроконтроллер 16-бит 256кБ Флэш-память 64QFN |
|
3-4 недели |
|
|
DSPIC33FJ256GP710-I/PF
|
Микроконтроллер 16-бит 256кБ Флэш-память 100TQFP |
|
3-4 недели |
|
|
DSPIC33FJ256GP710-I/PT
|
Микроконтроллер 16-бит 256кБ Флэш-память 100TQFP |
|
3-4 недели |
|
|
DSPIC33FJ256GP710A-I/PF
|
Микроконтроллер 16-бит 256кБ Флэш-память 100TQFP |
|
3-4 недели |
|
|
DSPIC33FJ256MC710-I/PF
|
Микроконтроллер 16-бит 256кБ Флэш-память 100TQFP |
|
3-4 недели |
|
|
DSPIC33FJ256MC710-I/PT
|
Микроконтроллер 16-бит 256кБ Флэш-память 100TQFP |
|
3-4 недели |
|
|
DSPIC33FJ32GP202-I/SO
|
Микроконтроллер 16-бит 32кБ Флэш-память 28SOIC |
|
3-4 недели |
|
|
DSPIC33FJ32MC204-I/PT
|
Микроконтроллер 16-бит 32кБ Флэш-память 44TQFP |
|
3-4 недели |
|
|
DSPIC33FJ64GP306-I/PT
|
Микроконтроллер 16-бит 64кБ Флэш-память 64TQFP |
|
3-4 недели |
|
|
DSPIC33FJ64GS606-I/PT
|
Микроконтроллер 16-бит 64кБ Флэш-память 64TQFP |
|
3-4 недели |
|
|
DSPIC33FJ64MC804-H/ML
|
Микроконтроллер 16-бит 64кБ Флэш-память 44QFN |
|
3-4 недели |
|
|
DSS20201L-7
|
Биполярный транзистор NPN 20 В 2 А |
|
3-4 недели |
|
|
DSS6NC52A102Q55B
|
EMI фильтр индуктивно-емкостной 6A 100VDC 1000pF выводной |
|
3-4 недели |
|
|
DSS6NZ82A103Q55B
|
EMI фильтр индуктивно-емкостной 6A 100VDC 10000pF выводной |
|
3-4 недели |
|
|
DTA114EET1G
|
Цифровой биполярный транзистор PNP 50 В 0.1 А 0.2 Вт 10 кОм+10 кОм |
|
3-4 недели |
|
|
DTA114EM3T5G
|
Цифровой биполярный транзистор PNP 50 В 0.1 А 0.26 Вт 10 кОм+10 кОм |
|
3-4 недели |
|
|
DTA114YM3T5G
|
Цифровой биполярный транзистор PNP 50 В 0.1 А 0.26 Вт 10 кОм+47 кОм |
|
3-4 недели |
|
|
DTA115EET1G
|
Цифровой биполярный транзистор PNP 50 В 0.1 А 0.2 Вт 100 кОм+100 кОм |
|
3-4 недели |
|
|
DTA124EET1G
|
Цифровой биполярный транзистор PNP 50 В 0.1 А 0.2 Вт 22 кОм+22 кОм |
|
3-4 недели |
|
|
DTA143EET1G
|
Цифровой биполярный транзистор PNP 50 В 0.1 А 0.2 Вт 4.7 кОм+4.7 кОм |
|
3-4 недели |
|
|
DTA143ZET1G
|
Цифровой биполярный транзистор PNP 50 В 0.1 А 0.2 Вт 4.7 кОм+47 кОм |
|
3-4 недели |
|
|
DTA144EET1G
|
Цифровой биполярный транзистор PNP 50 В 0.1 А 0.2 Вт 47 кОм+47 кОм |
|
3-4 недели |
|
|
DTC114EET1G
|
Цифровой биполярный транзистор NPN 50 В 0.1 А 0.2 Вт 10 кОм+10 кОм |
|
3-4 недели |
|
|
DTC114EKAT146
|
Цифровой биполярный транзистор NPN 50 В 0.1 А 0.2 Вт 250 МГц 10 кОм+10 кОм |
|
3-4 недели |
|
|
DTC114EM3T5G
|
Цифровой биполярный транзистор NPN 50 В 0.1 А 0.26 Вт 10 кОм+10 кОм |
|
3-4 недели |
|
|
DTC114TET1G
|
Цифровой биполярный транзистор NPN 50 В 0.1 А 0.2 Вт 10 кОм+ |
|
3-4 недели |
|
|
DTC114TM3T5G
|
Цифровой биполярный транзистор NPN 50 В 0.1 А 0.26 Вт 10 кОм+ |
|
3-4 недели |
|
|
DTC114YET1G
|
Цифровой биполярный транзистор NPN 50 В 0.1 А 0.2 Вт 10 кОм+47 кОм |
|
3-4 недели |
|
|
DTC114YM3T5G
|
Цифровой биполярный транзистор NPN 50 В 0.1 А 0.26 Вт 10 кОм+47 кОм |
|
3-4 недели |
|
|
DTC115EM3T5G
|
Цифровой биполярный транзистор NPN 50 В 0.1 А 0.26 Вт 100 кОм+100 кОм |
|
3-4 недели |
|
|
DTC123JET1G
|
Цифровой биполярный транзистор NPN 50 В 0.1 А 0.2 Вт 2.2 кОм+47 кОм |
|
3-4 недели |
|
|
DTC123JM3T5G
|
Цифровой биполярный транзистор NPN 50 В 0.1 А 0.26 Вт 2.2 кОм+47 кОм |
|
3-4 недели |
|
|
DTC124EET1G
|
Цифровой биполярный транзистор NPN 50 В 0.1 А 0.2 Вт 22 кОм+22 кОм |
|
3-4 недели |
|
|
DTC124XET1G
|
Цифровой биполярный транзистор NPN 50 В 0.1 А 0.2 Вт 22 кОм+47 кОм |
|
3-4 недели |
|
|
DTC143EET1G
|
Цифровой биполярный транзистор NPN 50 В 0.1 А 0.2 Вт 4.7 кОм+4.7 кОм |
|
3-4 недели |
|
|
DTC143EM3T5G
|
Цифровой биполярный транзистор NPN 50 В 0.1 А 0.26 Вт 4.7 кОм+4.7 кОм |
|
3-4 недели |
|
|
DTC143TM3T5G
|
Цифровой биполярный транзистор NPN 50 В 0.1 А 0.26 Вт 4.7 кОм+ |
|
3-4 недели |
|
|
DTC124EET1G
|
Цифровой биполярный транзистор NPN 50 В 0.1 А 0.2 Вт 22 кОм+22 кОм |
|
3-4 недели |
|
|
DTC124XET1G
|
Цифровой биполярный транзистор NPN 50 В 0.1 А 0.2 Вт 22 кОм+47 кОм |
|
3-4 недели |
|
|
DTC143EET1G
|
Цифровой биполярный транзистор NPN 50 В 0.1 А 0.2 Вт 4.7 кОм+4.7 кОм |
|
3-4 недели |
|
|
DTC143EM3T5G
|
Цифровой биполярный транзистор NPN 50 В 0.1 А 0.26 Вт 4.7 кОм+4.7 кОм |
|
3-4 недели |
|
|
DTC143TM3T5G
|
Цифровой биполярный транзистор NPN 50 В 0.1 А 0.26 Вт 4.7 кОм+ |
|
3-4 недели |
|
|
DTC143ZET1G
|
Цифровой биполярный транзистор NPN 50 В 0.1 А 0.2 Вт 4.7 кОм+47 кОм |
|
3-4 недели |
|
|
DTC144EET1G
|
Цифровой биполярный транзистор NPN 50 В 0.1 А 0.2 Вт 47 кОм+47 кОм |
|
3-4 недели |
|
|
DTC144EM3T5G
|
Цифровой биполярный транзистор NPN 50 В 0.1 А 0.26 Вт 47 кОм+47 кОм |
|
3-4 недели |
|
|
DVIULC6-2M6
|
Диод защитный от перенапряжения - TVS (супрессор) 5В включение 17В ограничение 6VFQFPN |
|
3-4 недели |
|
|
DVIULC6-2P6
|
TVS DIODE 5VWM 17VC SOT666 |
|
3-4 недели |
|
|
DVIULC6-4SC6
|
Диод защитный от перенапряжения - TVS (супрессор) 5В включение 17В ограничение SOT23-6 |
|
3-4 недели |
