Поставщик «Антелком»

г. Москва

+7 (495) 948-03-11, +7 (925) 518-39-03

kai@antelcom.ru

http://www.antelcom.ru

Страница: 1 2 3 ... 22 23 24 25 26 27 28 ... 143 144 145 ... 285 286 287 ... 427 428 429 ... 569 570 571 ... 711 712 713

Производитель	Наименование	Информация	Цены	Склад
NXP	*BZX84-C18,215* Корпус:SOT-23-3	Дата изготовления: б/г		1 951
NXP	*BZX84-C30*	Дата изготовления: 18		3 000
NXP	*BZX84-C30V*	Дата изготовления: б/г		3 444
NXP	*BZX84-C3V3* Корпус:SOT-23	Дата изготовления: 17		3 000
	*BZX84-C3V3* Корпус:SOT-23	Дата изготовления: б/г		28
NXP	*BZX84-C3V9* Корпус:R-6	Дата изготовления: б/г		5 372
NXP	*BZX84C10* Корпус:SOT-23	Дата изготовления: 12		3 000
Hottech	*BZX84C10* Корпус:SOT-23	Дата изготовления: б/г		12 000
YJ	*BZX84C11* Корпус:SOT-23	Дата изготовления: 11		9 000
ON	*BZX84C11LT1G* Корпус:SOT-23	Дата изготовления: 10		6 000
YJ	*BZX84C13* Корпус:SOT-23	Дата изготовления: 11		14 491
ON	*BZX84C18LT1G*	Дата изготовления: 16		381
Diodes	*BZX84C5V6-7-F* Корпус:SOT-23	Дата изготовления: б/г		2 240
Vishay	*BZX85C5V6-TAP* Корпус:DO-41	Дата изготовления: б/г		190
Gree	*C3D02060E Diode Shottky 600V 2A* Корпус:ТО-252-2	Дата изготовления: б/г		108
CREE	*C3D10060A Diode Schottky 600V 16.5A* Корпус:ТО-220-2	Дата изготовления: б/г	1+120.00 р.	20
CREE	*C3D1P7060Q Diode Schottky, SiC, SMD, 600V, 1.7A (7A)* Корпус:PQFN3.3x3.3	Дата изготовления: 12	1+38.00 р.	8 364
Gree	*C4D15120A Diod Shottky 1200V,15A* Корпус:ТО-220-2	Дата изготовления: 16		3
CHILISIN	*CL201209T-R22K-N*	Дата изготовления: 14		16 000
CHILISIN	*CLH1608T-R22J-S*	Дата изготовления: 14		16 000
Chilisin	*CLH2012T-68NJ-S*	Дата изготовления: 13		20 000
INFINEON	*D1800N48T Rectifier Diode 4800V 1800A*	Дата изготовления: 07	1+7,500.00 р.	15
JAPAN	*DAN217 DIODE ARRAY GP 80V 100MA* Корпус:SMD3	Дата изготовления: б/г	1+1.50 р.	2 010
MCC	*DB101* Корпус:DIP-4	Дата изготовления: б/г	1+3.00 р.	484
	*DB102 (EDB102) диодный мост 1A 100V* Корпус:DIP-4	Дата изготовления: б/г	1+4.00 р.	54
DC	*DB1025* Корпус:DB-15	Дата изготовления: б/г	1+4.00 р.	66
DC	*DB102S* Корпус:SMD-4	Дата изготовления: б/г	1+4.00 р.	50
DC	*DB104* Корпус:DIP-4	Дата изготовления: 12	1+4.00 р.	272
Comchip Techology	*DB105G* Корпус:DIP-4	Дата изготовления: б/г	1+3.00 р.	2 320
DC	*DB105S* Корпус:DBS	Дата изготовления: 15	1+3.00 р.	70
	*DB106G диодный мост 1A 800V* Корпус:DIP-4	Дата изготовления: б/г	1+5.00 р.	1 026
DC	*DB107 диодный мост 1A 1000V* Корпус:DIP-4	Дата изготовления: 07	1+5.00 р.	1 702
DC	*DB107 диодный мост 1A 1000V* Корпус:DIP-4	Дата изготовления: б/г	1+5.00 р.	2 500
YJ Electronic	*DB107S диодный мост 1A 1000V* Корпус:SDIP-4	Дата изготовления: б/г	1+2.00 р.	133 689
DC	*DB107S диодный мост 1A 1000V* Корпус:SDIP-4	Дата изготовления: 07	1+4.00 р.	81 578
Китай	*DB157 диодный мост 1.5A 1000V* Корпус:DB	Дата изготовления: б/г	1+5.00 р.	1 922
MIG	*DB157 диодный мост 1.5A 1000V* Корпус:DB	Дата изготовления: б/г	1+5.00 р.	2 935
SEP	*DB157S диодный мост 1.5A 1000V* Корпус:DB-S	Дата изготовления: б/г	1+3.00 р.	129
MIC	*DB157S диодный мост 1.5A 1000V* Корпус:DB-1S	Дата изготовления: 16	1+3.00 р.	1 500
Hottech	*DB157S диодный мост 1.5A 1000V* Корпус:DB-1S	Дата изготовления: б/г	1+3.00 р.	389
MIC	*DB3 динистор* Корпус:DO-35	Дата изготовления: 21	1+1.50 р.	4 965
Infineon	*DD100N16S* Корпус:TO-220AC	Дата изготовления: б/г	1+2,000.00 р.	12
Diodes	*DDA123JU* Корпус:SOT-363	Дата изготовления: б/г		1 032
GI	*DF02S диодный мост 1,5A 200V* Корпус:SDIP-4	Дата изготовления: б/г	1+4.00 р.	1 521
IR	*DF04M диодный мост 1A 400V* Корпус:DIP-4	Дата изготовления: 21	1+6.00 р.	2 396
Vishay	*DF06S-E3/77*	Дата изготовления: б/г		168
MIC	*DF08S диодный мост 1A 800V* Корпус:DF-S (SMD-4)	Дата изготовления: б/г	1+6.00 р.	1 062
ONS	*DF08S диодный мост 1A 800V* Корпус:DF-S (SMD-4)	Дата изготовления: б/г	1+6.00 р.	173
IR	*DF10M диодный мост 1A 1000V* Корпус:DIP-4	Дата изготовления: 02	1+6.00 р.	100
IR	*DF10M диодный мост 1A 1000V* Корпус:DIP-4	Дата изготовления: 04	1+6.00 р.	64