| Производитель |
Наименование |
Информация |
Цены |
Склад |
|
TEXAS INSTRUMENTS |
LM3150MHE/NOPB
|
ЦСОП-13 |
- 1+645.78 р.
- 63+617.85 р.
- 125+597.67 р.
|
193 3 недели |
|
MAXIM |
MAX7403ESA+
|
Фильтр: цифровой, конденсаторный переключаемый, низкочастотный |
- 1+1,942.67 р.
- 3+1,634.71 р.
|
2 5 недель |
|
TEXAS INSTRUMENTS |
LM358DR
|
Микросхема: операционный усилитель; 0,7МГц; 3-30В; Ch: 2; SOIC8 |
- 1+10.00 р.
- 10+9.35 р.
- 100+9.25 р.
- 500+8.83 р.
- 1000+8.31 р.
|
89 |
|
ONSEMI |
MC34063AP1G
|
IC: PMIC; DC/DC converter; Uin: 3?40VDC; Uout: 1.25?35VDC; 1.5A |
- 4+94.32 р.
- 24+87.15 р.
- 50+81.18 р.
- 100+76.25 р.
- 200+71.66 р.
|
333 1 неделя |
|
NTE |
NTE395
|
Транзистор: PNP, биполярный, 25В, 50мА, 0,36Вт, TO72 |
|
1 5 недель |
|
NTE |
NTE4000T
|
IC: digital; NOR,NOT; Ch: 2; IN: 3; CMOS; SMD; SO14 |
- 1+145.46 р.
- 3+128.80 р.
- 10+109.69 р.
|
37 5 недель |
|
NTE |
NTE4001B
|
IC: digital; NOR; Ch: 4; IN: 2; CMOS; THT; DIP14 |
- 1+209.97 р.
- 5+191.20 р.
- 25+168.74 р.
- 100+144.21 р.
|
28 5 недель |
|
NTE |
NTE40100B
|
IC: digital; 32bit,shift register; THT; DIP16 |
- 1+252.06 р.
- 25+231.58 р.
- 100+206.99 р.
|
19 5 недель |
|
NTE |
NTE4011BT
|
IC: digital; NAND; Ch: 4; IN: 2; CMOS; SMD; SO14; 3?18VDC; -55?125°C |
- 1+89.90 р.
- 5+79.83 р.
- 25+72.58 р.
- 100+66.39 р.
|
17 5 недель |
|
NTE |
NTE4012BT
|
IC: digital; NAND; Ch: 2; IN: 4; CMOS; SMD; SO14; 3?18VDC; -55?125°C |
- 1+89.90 р.
- 5+79.83 р.
- 25+72.58 р.
- 100+66.39 р.
|
58 5 недель |
|
NTE |
NTE4014B
|
IC: digital; 8bit,static shift register,synchronous; CMOS; THT |
|
15 5 недель |
|
NTE |
NTE40174B
|
IC: digital; D flip-flop; Ch: 6; CMOS; THT; DIP16; 120uA |
- 1+243.62 р.
- 25+225.08 р.
- 100+200.85 р.
|
6 5 недель |
|
NTE |
NTE40175B
|
IC: digital; D flip-flop; Ch: 4; IN: 1; CMOS; THT; DIP16; 120uA; OUT: 2 |
- 1+243.42 р.
- 25+224.88 р.
- 100+200.66 р.
|
8 5 недель |
|
NTE |
NTE4021B
|
IC: digital; 8bit,static shift register,synchronous; CMOS; THT |
|
11 5 недель |
|
NTE |
NTE4025B
|
IC: digital; NOR; Ch: 3; IN: 3; CMOS; THT; DIP14; 3?18VDC; -55?125°C |
|
24 5 недель |
|
NTE |
NTE4031B
|
IC: digital; static shift register; CMOS; THT; DIP16; 3?18VDC |
- 1+478.51 р.
- 25+443.36 р.
- 100+395.26 р.
|
7 5 недель |
|
NTE |
NTE4038B
|
IC: digital; binary adder; CMOS; 3?18VDC; THT; DIP16; Ch: 3; 3mA |
- 1+200.91 р.
- 25+188.47 р.
- 100+174.72 р.
|
23 5 недель |
|
NTE |
NTE4042BT
|
IC: digital; latch transparent; Ch: 4; IN: 1; CMOS; 3?18VDC; SMD; SO16 |
|
21 5 недель |
|
NTE |
NTE4044B
|
IC: digital; RS latch; Ch: 4; IN: 2; CMOS; 3?18VDC; THT; DIP16; 120uA |
|
21 5 недель |
|
NTE |
NTE4044BT
|
IC: digital; RS latch; Ch: 4; IN: 2; CMOS; 3?18VDC; SMD; SO16; 120uA |
- 1+127.52 р.
- 3+123.71 р.
- 10+115.03 р.
|
7 5 недель |
|
NTE |
NTE4047B
|
IC: digital; astable,monostable,multivibrator; CMOS; 3?18VDC; THT |
- 1+279.78 р.
- 25+260.61 р.
- 100+232.73 р.
|
42 5 недель |
|
NTE |
NTE4053BT
|
IC: analog switch; multiplexer; SO16; 3?18VDC; 600uA; CMOS |
- 1+164.59 р.
- 25+155.21 р.
- 100+145.33 р.
- 250+133.02 р.
- 1000+122.38 р.
|
56 5 недель |
|
NTE |
NTE4063B
|
IC: digital; 4bit,comparator; CMOS; THT; DIP14; 3?18VDC; -55?125°C |
- 1+305.29 р.
- 25+288.39 р.
- 100+270.56 р.
- 250+249.75 р.
- 1000+227.65 р.
|
12 5 недель |
|
NTE |
NTE2510
|
Транзистор: NPN, биполярный, 20В, 0,5А, 5Вт, TO126 |
- 1+628.28 р.
- 3+564.77 р.
- 10+489.09 р.
- 25+419.28 р.
|
37 5 недель |
|
NTE |
NTE2519
|
Транзистор: NPN, биполярный, 160В, 1,5А, 10Вт, TO126 |
- 1+186.04 р.
- 3+174.12 р.
- 10+159.21 р.
|
13 5 недель |
|
CDIL |
BT136
|
Симистор, 600В, 4А, TO220-3, Igt: 35/70мА |
- 3+79.72 р.
- 10+54.00 р.
- 50+48.40 р.
- 200+43.92 р.
- 1000+39.00 р.
|
284 5 недель |
|
WeEn Semiconductors |
BT136X-800E,127
|
Симистор, 800В, 4А, TO220FP, Igt: 10/25мА, 4Q, sensitive gate |
- 13+30.13 р.
- 21+28.71 р.
- 50+26.90 р.
- 100+24.84 р.
|
551 1 неделя |
|
WeEn Semiconductors |
BT137-800,127
|
Симистор, 800В, 8А, 35мА, Упаковка туба, THT, TO220AB |
- 8+48.30 р.
- 50+44.11 р.
- 100+40.61 р.
- 200+37.77 р.
- 400+35.19 р.
|
1220 1 неделя |
|
WeEn Semiconductors |
BT137X-600D,127
|
Симистор, 600В, 8А, 10мА, TO220F |
- 1+119.42 р.
- 10+94.26 р.
- 25+87.32 р.
- 30+86.04 р.
- 50+82.38 р.
- 100+77.40 р.
- 250+71.25 р.
|
2380 5 недель |
|
ONSEMI |
BSP16T1G
|
Транзистор: PNP, биполярный, 300В, 100мА, 1,5Вт, SOT223 |
- 1000+22.17 р.
- 2000+21.25 р.
- 4000+20.32 р.
|
1000 3 недели |
|
NEXPERIA |
BSP225,115
|
Транзистор P-MOSFET, полевой, -250В, -225мА, 1,5Вт, SOT223 |
- 8+45.86 р.
- 31+44.64 р.
- 61+42.98 р.
- 122+40.57 р.
- 244+37.59 р.
|
94 1 неделя |
|
NEXPERIA |
BSP250,115
|
Транзистор: P-MOSFET, полевой, -30В, -3А, 5Вт, SOT223 |
- 5+83.78 р.
- 27+77.27 р.
- 53+71.87 р.
- 106+67.39 р.
- 211+63.26 р.
|
487 1 неделя |
|
INFINEON |
BSP295H6327XTSA1
|
Транзистор N-МОП, полевой, 60В, 1,8А, SOT223, SIPMOS™ |
|
12725 5 недель |
|
INFINEON |
BSP318SH6327XTSA1
|
Транзистор полевой n-канальный 60В 2,6A 1,8Вт 0,09 |
- 5+75.50 р.
- 10+73.70 р.
- 20+71.12 р.
- 39+67.05 р.
- 77+61.25 р.
|
349 1 неделя |
|
INFINEON |
BSP324H6327XTSA1
|
Транзистор МОП n-канальный, полевой, 400В, 170мА, 1,8Вт, SOT223 |
- 1000+43.51 р.
- 2000+41.17 р.
- 3000+38.90 р.
|
4000 5 недель |
|
INFINEON |
BSP373NH6327XTSA1
|
Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 1,8А, 1,8Вт, SOT223 |
- 1000+40.07 р.
- 2000+38.79 р.
- 4000+37.10 р.
|
1000 3 недели |
|
ONSEMI |
BSS63LT1G
|
Транзистор: PNP, биполярный, 100В, 0,1А, 0,3Вт, SOT23 |
- 3000+3.85 р.
- 6000+3.70 р.
- 12000+3.50 р.
|
3000 3 недели |
|
ONSEMI |
BSS64LT1G
|
Транзистор: NPN, биполярный, 80В, 0,1А, 225мВт, SOT23 |
|
17500 5 недель |
|
INFINEON |
BSS806NEH6327XTSA1
|
Транзистор: N-MOSFET, полевой, 20В, 2,3А, 0,5Вт, SOT23 |
- 3000+10.01 р.
- 15000+9.37 р.
|
3000 3 недели |
|
INFINEON |
BSS806NH6327XTSA1
|
Транзистор: N-MOSFET, полевой, 20В, 2,3А, 0,5Вт, SOT23 |
- 3000+12.03 р.
- 15000+10.44 р.
|
3000 3 недели |
|
NEXPERIA |
BST52,115
|
Транзистор NPN, биполярный, Дарлингтон, 80В, 1А, 1,3Вт, SOT89-3 |
- 11+34.01 р.
- 62+30.83 р.
- 123+28.19 р.
- 245+26.06 р.
- 489+24.14 р.
|
958 1 неделя |
|
ROHM |
BSM300D12P2E001
|
ПНП-коп. 50В 0,1А 0,15Вт SOT722 |
|
4 5 недель |
|
INFINEON |
BSM75GB120DN2
|
Модуль: IGBT, транзистор/транзистор, полумост IGBT, Urmax: 600В |
- 1+9,862.58 р.
- 2+9,381.53 р.
- 3+8,978.12 р.
- 4+8,659.23 р.
- 5+8,402.13 р.
|
8 1 неделя |
|
NEXPERIA |
BSP50,115
|
Транзистор NPN, биполярный, Дарлингтон, 45В, 1А, 1,25Вт, SOT223 |
- 1+55.16 р.
- 10+43.90 р.
- 30+39.09 р.
- 100+33.09 р.
- 500+29.37 р.
- 1000+26.79 р.
|
70 3 недели |
|
INFINEON |
BSP60H6327XTSA1
|
Транзистор NPN, биполярный, Дарлингтон, 45В, 1А, SOT223 |
|
5400 5 недель |
|
DIODES INCORPORATED |
BSP75GTA
|
IC: power switch; low-side; 1.6A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223 |
- 4+103.64 р.
- 15+101.52 р.
- 29+98.77 р.
- 57+94.67 р.
- 114+88.76 р.
|
307 1 неделя |
|
INFINEON |
BSP88H6327XTSA1
|
Транзистор: N-MOSFET, полевой, 240В, 0,35А, 1,8Вт, SOT223 |
|
1850 5 недель |
|
NEXPERIA |
BSR14,215
|
Транзистор: NPN, биполярный, 40В, 0,8А, 250мВт, SOT23 |
- 66+5.63 р.
- 96+5.07 р.
- 192+4.61 р.
- 383+4.19 р.
|
1230 1 неделя |
|
ONSEMI |
BSR14
|
Транзистор биполярный стандартный SOT23 |
- 98+3.77 р.
- 310+3.34 р.
- 620+2.95 р.
- 1240+2.63 р.
- 3000+2.37 р.
|
1930 1 неделя |
|
ONSEMI |
BSR16
|
Транзистор: PNP, биполярный, 60В, 800мА, 350Вт, SOT23 |
- 20+36.74 р.
- 760+35.17 р.
- 1500+34.09 р.
|
20 3 недели |