|
Вернуться в список поставщиков
|
Айтекс
г. Москва
+7 (499) 302-15-54
info4@dip8.ru
| Производитель |
Наименование |
Информация |
Цены |
Склад |
|
INFINEON |
BAS12504WH6327XTSA
|
Диод импульсный Шоттки, 25В, 100мА, SOT323 |
- 1+136.92 р.
- 5+113.95 р.
- 10+99.91 р.
- 50+69.42 р.
- 100+59.34 р.
- 250+48.80 р.
- 500+42.75 р.
|
2745 5 недель |
|
DIOTEC |
MYS250
|
Диодный мост: однофазный, 600В, If: 0,5А, Ifsm: 20А, MicroDIL, SMT |
- 1+66.05 р.
- 10+43.64 р.
- 100+33.07 р.
- 500+26.47 р.
- 1000+23.71 р.
- 2000+21.10 р.
- 4000+18.64 р.
|
3999 5 недель |
|
ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
AO4813
|
Транзистор МОП р-канал.x2, полевой, -30В, -5,6А, 1,3Вт, SO8 |
- 1+60.06 р.
- 10+47.76 р.
- 30+42.34 р.
- 100+35.70 р.
- 500+31.70 р.
- 1000+28.84 р.
|
478 3 недели |
|
NTE |
NTE491
|
Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 0,2А, Idm: 0,5А, 350мВт, TO92 |
- 1+117.48 р.
- 3+106.46 р.
- 10+93.05 р.
- 25+88.11 р.
|
28 5 недель |
|
NTE |
NTE5000A
|
Диод: стабилитрон, 0,5Вт, 2,4В, DO35, одиночный диод, 100мкА |
|
57 5 недель |
|
NTE |
NTE56067
|
Симистор, 800В, 16А, TO220, Igt: 50мА, high commutation |
|
19 5 недель |
|
NTE |
NTE5632
|
Симистор, 100В, 10А, TO220, Igt: 50мА |
|
15 5 недель |
|
NTE |
NTE5650
|
Симистор, 100В, 2,5А, TO5, Igt: 3мА |
- 1+1,351.08 р.
- 3+1,107.38 р.
|
7 5 недель |
|
NTE |
NTE308
|
Тиристор, 800В, Ifмакс: 8А, 3,4А, Igt: 50мА, TO66, THT, россыпью |
- 1+3,311.38 р.
- 3+2,875.20 р.
|
36 5 недель |
|
NTE |
NTE5021T1
|
Диод: стабилитрон, 0,5Вт, 12В, DO35, одиночный диод, 100нА |
|
8 5 недель |
|
NTE |
NTE5031A
|
Диод: стабилитрон, 0,5Вт, 24В, DO35, одиночный диод, 100нА |
|
172 5 недель |
|
NTE |
NTE5038A
|
Диод: стабилитрон, 0,5Вт, 39В, DO35, одиночный диод, 100нА |
|
90 5 недель |
|
NTE |
NTE5040A
|
Диод: стабилитрон, 0,5Вт, 47В, DO35, одиночный диод, 100нА |
|
77 5 недель |
|
NTE |
NTE5048A
|
Диод: стабилитрон, 0,5Вт, 87В, DO35, одиночный диод, 100нА |
|
77 5 недель |
|
NTE |
NTE5068A
|
Диод: стабилитрон, 1Вт, 4,3В, DO41/DO15, одиночный диод, 10мкА |
|
1 5 недель |
|
NTE |
NTE5071A
|
Диод: стабилитрон, 1Вт, 6,8В, DO41/DO15, одиночный диод, 10мкА |
- 1+158.58 р.
- 3+154.01 р.
- 10+147.24 р.
- 25+137.10 р.
|
37 5 недель |
|
NTE |
NTE310
|
Тиристор, 800В, Ifмакс: 8А, 3,4А, Igt: 50мА, TO66, THT, россыпью |
- 1+2,323.07 р.
- 3+1,910.12 р.
|
5 5 недель |
|
NTE |
NTE341
|
Транзистор: NPN, биполярный, 36В, 0,64А, 4Вт, TO39EC |
- 1+4,435.80 р.
- 3+3,971.08 р.
- 10+3,433.89 р.
- 25+3,090.26 р.
|
1 5 недель |
|
CDIL |
BTB10-600SW
|
Симистор, 600В, 10А, TO220-3, Igt: 10мА |
- 1+162.93 р.
- 3+75.05 р.
- 10+66.87 р.
- 50+60.00 р.
- 200+53.33 р.
|
0 По запросу |
|
STMicroelectronics |
BTB12-600BRG
|
Симистор; 600В; 12А; 50мА; THT; туба; TO220AB |
- 6+71.13 р.
- 11+69.45 р.
- 21+67.05 р.
- 50+63.07 р.
- 100+57.55 р.
|
38 1 неделя |
|
STMicroelectronics |
BTB26-600BRG
|
Симистор, 600В, 25А, TOP3, Igt: 50мА |
- 1+770.74 р.
- 3+692.61 р.
- 10+559.46 р.
- 30+482.20 р.
|
11 5 недель |
|
WeEn Semiconductors |
BT137X-600G,127
|
Симистор, 600В, 8А, TO220FP, Igt: 50/100мА, Ifsm: 65А, 4Q |
- 1+108.36 р.
- 5+64.45 р.
- 25+56.35 р.
- 100+50.37 р.
|
736 5 недель |
|
WeEn Semiconductors |
BT138-600E,127
|
Симистор, 600В, 12А, TO220AB, Igt: 10/25мА, Ifsm: 95А, 4Q |
- 13+29.91 р.
- 100+26.99 р.
- 150+24.64 р.
- 300+22.70 р.
- 600+20.98 р.
|
1611 1 неделя |
|
WeEn Semiconductors |
BT138X-600,127
|
Симистор, 600В, 12А, 35мА, Упаковка туба, THT, TO220FP |
- 7+55.19 р.
- 50+50.47 р.
- 100+46.57 р.
- 200+43.33 р.
- 350+40.58 р.
|
727 1 неделя |
|
WeEn Semiconductors |
BT138X-800,127
|
Симистор, 800В, 12А, TO220FP, Igt: 35/70мА, Ifsm: 95А, 4Q |
- 11+35.42 р.
- 20+34.31 р.
- 50+32.64 р.
- 100+30.23 р.
- 200+27.30 р.
|
361 1 неделя |
|
WeEn Semiconductors |
BT139-800,127
|
Симистор, 800В, 16А, 35мА, Упаковка туба, THT, TO220AB |
- 11+34.25 р.
- 50+33.17 р.
- 100+31.70 р.
- 200+29.65 р.
- 350+27.43 р.
|
874 1 неделя |
|
WeEn Semiconductors |
BT139-800E,127
|
Симистор, 800В, 16А, 10мА, Упаковка туба, THT, TO220AB |
- 5+88.53 р.
- 25+81.72 р.
- 50+76.05 р.
- 100+71.38 р.
- 200+67.03 р.
|
523 1 неделя |
|
WeEn Semiconductors |
BT139X-800,127
|
Симистор, 800В, 16А, TO220FP, Igt: 35/70мА, 4Q, sensitive gate |
|
1230 5 недель |
|
WeEn Semiconductors |
BT149D,112
|
Тиристор, 400В, 0,8А, 0,2мА, TO92, Упаковка россыпью |
- 1+66.69 р.
- 10+41.91 р.
- 100+26.23 р.
- 500+19.83 р.
- 1000+17.81 р.
- 2000+16.12 р.
- 5000+14.19 р.
|
303 5 недель |
|
WeEn Semiconductors |
BT151-1000RT,127
|
Тиристор, 1кВ, 7,5А, 12А, 2мА, TO220-3, Упаковка туба |
- 1+150.13 р.
- 10+120.12 р.
- 50+104.94 р.
- 100+89.79 р.
- 500+78.50 р.
- 1000+70.99 р.
|
40 3 недели |
|
WeEn Semiconductors |
BT151-500RT,127
|
Тиристор: 500В: Ifмакс: 12,5А: 8А: Igt: 2мА: TO220AB: THT: туба: 2мкс |
- 1+110.30 р.
- 5+74.74 р.
- 25+60.76 р.
- 100+52.34 р.
|
2627 5 недель |
|
CDIL |
BT151-650
|
Тринистор: THT; 650В; 12А; TO220; россыпью |
- 1+102.00 р.
- 10+67.04 р.
- 100+58.52 р.
- 500+51.17 р.
- 1000+46.51 р.
|
34 |
|
WeEn Semiconductors |
BTA204S-600E,118
|
Симистор: 600В: 4А: DPAK: Igt: 10мА: Ifsm: 25А: 3Q, Hi-Com |
- 1+74.40 р.
- 100+58.20 р.
- 500+46.58 р.
- 1000+43.25 р.
- 2500+39.65 р.
|
1641 5 недель |
|
STMicroelectronics |
BTA25-600B
|
Симистор 25A 600V 50mA RD91 |
|
505 5 недель |
|
STMicroelectronics |
BTA26-600BWRG
|
Симистор, 600В, 26А, TOP3, Igt: 50мА, Snubberless™ |
- 1+622.26 р.
- 5+505.17 р.
- 10+442.74 р.
- 30+353.77 р.
- 90+288.03 р.
- 120+282.38 р.
- 300+259.73 р.
|
86 5 недель |
|
INFINEON |
BSZ050N03LSGATMA1
|
Транзистор: N-MOSFET, полевой, 30В, 40А, 50Вт, PG-TSDSON-8 |
|
4975 3 недели |
|
INFINEON |
BSZ0904NSIATMA1
|
Транзистор N-МОП, полевой, 30В, 40А, 37Вт, PG-TSDSON-8 |
|
4980 3 недели |
|
WeEn Semiconductors |
BT151S-500R,118
|
Тиристор: 500В: Ifмакс: 12А: 7,5А: Igt: 15мА: DPAK: SMD: бобина, лента |
- 1+63.50 р.
- 100+53.11 р.
- 350+45.42 р.
|
419 5 недель |
|
WeEn Semiconductors |
BT152-400R,127
|
Тринистор: THT; 400В; 20А; TO-220AB (SOT78); туба |
- 1+140.00 р.
- 10+131.61 р.
- 100+130.28 р.
- 500+124.38 р.
- 1000+117.00 р.
|
15 |
|
WeEn Semiconductors |
BT152-600R,127
|
Тиристор: 600В: Ifмакс: 20А: 13А: Igt: 32мА: TO220: THT: россыпью |
- 9+45.47 р.
- 100+41.77 р.
- 200+38.77 р.
- 350+36.03 р.
- 650+33.77 р.
|
3000 1 неделя |
|
WeEn Semiconductors |
BT152X-600R,127
|
Тиристор, 600В, 13А, 20А, 3мА, TO220F, Упаковка туба |
- 1+146.67 р.
- 5+119.27 р.
- 25+108.03 р.
- 100+101.47 р.
- 500+85.43 р.
|
916 5 недель |
|
WeEn Semiconductors |
BT158W-1200TQ
|
Тиристор: 1,2кВ: Ifмакс: 126А: 80А: Igt: 70мА: TO247-3: THT: туба |
- 1+986.61 р.
- 10+833.70 р.
- 30+742.03 р.
- 90+647.72 р.
- 480+586.71 р.
- 960+545.58 р.
|
13 3 недели |
|
CDIL |
BT168GW
|
Тиристор: 800В: 1А: Igt: 40мкА: SOT223: SMD: бобина, лента: Ifsm: 12А |
- 5+45.94 р.
- 25+31.54 р.
- 100+27.87 р.
- 500+25.18 р.
- 5000+21.68 р.
|
3025 5 недель |
|
WeEn Semiconductors |
BT169B,126
|
Тиристор 200В 0,8А 200мкА (Логический уровень) |
- 74+4.99 р.
- 107+4.49 р.
- 213+4.09 р.
- 425+3.71 р.
|
2996 1 неделя |
|
WeEn Semiconductors |
BT258-600R,127
|
Тиристор, 600В, 5А, 8А, 50мкА, TO220-3 |
- 5+75.49 р.
- 30+69.49 р.
- 50+64.61 р.
- 150+60.12 р.
- 250+56.59 р.
|
1000 1 неделя |
|
STMicroelectronics |
BTA06-800BWRG
|
Симистор, 800В, 6А, TO220ABIns, Igt: 35мА, Snubberless™ |
- 5+73.77 р.
- 10+72.05 р.
- 20+69.59 р.
- 50+65.46 р.
- 100+59.77 р.
|
482 1 неделя |
|
STMicroelectronics |
BTA06T-600CWRG
|
Симистор, 600В, 6А, TO220ABIns, Igt: 35мА, Snubberless™ |
- 1+156.94 р.
- 10+131.77 р.
- 30+117.64 р.
- 100+101.65 р.
- 500+91.79 р.
- 1000+85.29 р.
|
357 3 недели |
|
LITTELFUSE |
BTA08-600BW3G
|
Симистор: 600В: 8А: TO220AB: Igt: 50мА: high commutation |
- 1+391.72 р.
- 10+331.24 р.
- 50+279.44 р.
- 100+258.84 р.
|
327 5 недель |
|
STMicroelectronics |
BTA08-600CRG
|
Симистор: 600В: 8А: TO220ABIns: Igt: 25мА |
- 6+68.14 р.
- 22+66.61 р.
- 50+64.46 р.
- 100+61.35 р.
- 200+57.17 р.
|
799 1 неделя |
|
ONSEMI |
BSS138W
|
Транзистор: N-MOSFET, полевой, 50В, 0,21А, 0,34Вт, SOT323 |
- 3000+8.79 р.
- 6000+8.47 р.
- 15000+7.93 р.
|
15000 5 недель |
|