|
Вернуться в список поставщиков
|
Новые технологии
г. Новосибирск
+7 (383) 315-31-38
nosireva@ntcom.ru
| Производитель |
Наименование |
Информация |
Цены |
Склад |
|
Shanghai Eagtop Electroni |
NFI-0020-TB-9999A
|
Номинальное напряжение: 520 В переменного тока (520VAC)Номинальный ток: 20 А/20A.Рабочая частота: 50/60 Гц Минимальный заказ: 1 |
|
1 |
|
ON Semiconductor |
NTD20P06LG
|
DPAK, Power MOSFET 20 Amps, 60 Volts, Logic Level P-Channel, –55 to +175 °C Минимальный заказ: 3 |
|
3 |
|
BI Tech |
P231-FC20BR10K
|
24mm Rotary Potentiometer Conductive Plastic Element, Linear, R10K, -20°C to +70°C Минимальный заказ: 17 |
|
17 |
|
Bussman |
PB-5R0V104-R
|
Electrolitic capacitor / CAPACITOR RAD AEROGEL 5V, 0,1F, Low ESR=10, Top = - 25 C to + 70 C Минимальный заказ: 38 |
|
38 |
|
ISABELLEN HUTTE |
PBV-R010-F1-1.0
|
4 terminal shunt, 10 mOm, +- 1% |
|
1 |
|
POWERTIP |
PC1202AR-AEH-A
|
жк экран.кол-во симолов 2X12,экран 50*25*5mm, размер модуля 55*32*10,no B/L RUS Минимальный заказ: 1 |
|
17 |
|
Shanghai Eagtop Electroni |
PD212B1120421KT
|
Capacitor for power electronics, 420 mkF 1100 VDC, Tj -40....+85 C |
|
1 |
|
Shanghai Eagtop Electroni |
PD216A1120421KT
|
Capacitor for power electronics, 420 mkF 1100 VDC, ,Tj -40....+85 |
|
7 |
|
Shanghai Eagtop Electroni |
PD433B1520082JT
|
Capacitor for power electronics, 1500 mkF, 800 VDC, Tj -40....+85 C |
|
2 |
|
Shanghai Eagtop Electroni |
PD433S1120112JT
|
Capacitor for power electronics, 1100 mkF, 1100 VDC, Tj -40....+85 C Минимальный заказ: 45 |
|
45 |
|
Shanghai Eagtop Electroni |
PD436A1120421JT
|
Capacitor for power electronics, 420 mkF,1100 VDC, Tj -40....+85 C Минимальный заказ: 50 |
|
1445 |
|
Shanghai Eagtop Electroni |
PDR03A4510851KJ
|
Capacitor for power electronics, 450 mkF, 850 VDC, Tj -40....+85 C Минимальный заказ: 1 |
|
1 |
|
NXP |
PMBTA42
|
SOT23, NPN bipolar transistor, 300V, 100mA, 50 MHz, -55°C to +150°C, Pb Free Минимальный заказ: 17 |
|
17 |
|
NXP |
PMBTA92
|
PbF,SOT23,PNP bipolar transistor, 300V, 100mA, 50 MHz, -55°C to +150°C Минимальный заказ: 98 |
|
98 |
|
Pan Overseas |
PVR10D511KB
|
Тип VDR Классификационное напряжение 510 при токе,мА 1 Напряжение cрабатывания среднеквадратичное, В 320 Напряжение срабатывания на постоянном токе, В 415 Поглощаемая энергия, Дж 67 Рабочая температура, С -40…85 Исполнение диск Диаметркорпуса D(W), мм 10 Вес, г 1.06 Минимальный заказ: 200 |
|
35000 |
|
International Rectifier |
PVT422PBF
|
DIP8 , Photovoltaic Relay, +-400V, 120mA , 4kV Dielectric Strength, Top= -40 - +85C, PBF Минимальный заказ: 1 |
|
1 |
|
International Rectifier |
PVT422S реле
|
SOIC-8, фотоэлектрическое реле, +-400 В, 120 мА, диэлектрическая прочность 4 кВ, верхний предел = -40 — +85 °C Минимальный заказ: 2 |
|
2 |
|
Geyer |
QRZ16.0KX-3HT
|
16,0 MHZ HC49/U3H Минимальный заказ: 100 |
|
1206 |
|
Geyer |
QRZ8.0KX-3H
|
8,0 MHZ HC49/U3H Минимальный заказ: 1 |
|
551 |
|
Quartz Crystal |
Quartz 8.000Mhz HC49/U 30/50/40/30
|
HC49/U, Leaded Crystals 8,0 Mhz, 30pF, +-30ppm/+-50ppm, -40°C to +85°C Минимальный заказ: 1 |
|
4 |
|
Quartz Crystal |
Quartz 8.000Mhz HC49/U 30/50/40/30 +105C
|
HC49/U, Leaded Crystals 8,0 Mhz, 30pF, +-30ppm/+-50ppm, -40°C to +105°C Минимальный заказ: 1 |
|
3 |
|
Semikron |
SEMiX252GB176HDs
|
SEMiX2s, Trench IGBT Half-Bridge Module, 1700V, 260A, Visol 4000V (AC 1min), Vcesat 2V, -40/+150 C Минимальный заказ: 1 |
|
76 |
|
Semikron |
SEMiX302GB12E4s
|
SEMiX2s, trench IGBT Modules, 1200V,Ic 463A (Tc=25C), Visol 4000V (AC 1min), Vcesat 1.8V, -40/+ 150 (125) C Минимальный заказ: 1 |
|
1 |
|
Semikron |
SEMiX302GB12Vs
|
SEMiX2s, V- IGBT Modules, 1200V,Ic 460A (Tc=25C), Visol 4000V (AC 1min), Vcesat 1.8V, -40/+ 150 (125) C Минимальный заказ: 1 |
|
1 |
|
Semikron |
SEMiX402GAR066HDs
|
SEMiX2s, TRENCH IGBT Modules, 1200V, Ic=509A (Tc=25C), Visol 4000V (AC 1min), -40/+ 150C Минимальный заказ: 1 |
|
76 |
|
Semikron |
SEMiX501D17Fs
|
SEMiX501D17Fs Минимальный заказ: 1 |
|
0 |
|
Semikron |
SEMiX854GB176HDs
|
SEMIX 4 Trench IGBT Modules 1700 V 830A Visol 4000V - 40 ... + 150 (125)+защелка Минимальный заказ: 1 |
|
1 |
|
Semikron |
SK25UT12
|
SEMITOP3, 3-phase antiparallel thyristor module, 29A (at 85 C), 1200V, Visol 300V, -40/+125 Минимальный заказ: 1 |
|
159 |
|
Semikron |
SKN240/16
|
Power Rectifier Diode, 1600V, 240A (at 125 C), 1150A (10 ms), -40/+150 C Минимальный заказ: 1 |
|
3 |
|
Semikron |
SKN70/08
|
E-12, Power Rectifier Diode, 800V, 70A (at 125 C), 1150A (10 ms), -40/+150 C Минимальный заказ: 1 |
|
4 |
|
Semikron |
SK70GAR063
|
SEMITOP2, модули IGBT, 600 В, 81 А при 25 °C, верхний предел = -40...+125 °C, Минимальный заказ: 1 |
|
10 |
|
Semikron |
SKD31/02
|
SEMIPONT1, Diode Rower Bridge Rectifiers 3~Phase, 200V, 44A@85C Минимальный заказ: 1 |
|
17 |
|
Semikron |
SKD82/18
|
SEMIPONT 3, 3-Phase 1800V Power Bridge Rectifier, 82A @ Tc = +110°C, Visol = 3000VAC, Tj= -40°C to +125°C Минимальный заказ: 1 |
|
1 |
|
Semikron |
SKDT60/12
|
SEMIPONT 2 , 3-Phase 1200V Controllable Bridge Rectifiers, 60A @ Tc = +86°C , Visol = 3000VAC , Tj= -40°C to +125°C Минимальный заказ: 1 |
|
2 |
|
Semikron |
SKiiP1213GB123-2DW
|
IGBT Module CAL HD Diode 1200V/200A 2-pack-integrated intelligent Power System (Renew) Минимальный заказ: 1 |
|
1 |
|
Semikron |
SKiiP1813GB123-3DL
|
SKiiP 3, Intellectual, Trench IGBTs, 2-pack-integrated intelligent, 1200 V, 1800A, T= - 40 ..+ 150 °C Минимальный заказ: 1 |
|
105 |
|
Semikron |
SKiiP342GD120-3DUL
|
SKiiP2, интеллектуальные интегрированные 6-канальные IGBT-модули SK с низкими потерями, 300 А, 1200 В Минимальный заказ: 1 |
|
59 |
|
Semikron |
SKiiP613GD123-3DUL
|
SKiiP3,SK integrated intelligent,6-pack,Trench IGBTs ,600A, 1200V Минимальный заказ: 1 |
|
1 |
|
Semikron |
SKiiP81ANB15T1
|
MiniSKiiP 8 SEMIKRON integrated intelligent Power 3-phase bridge rectifier +GBT braking chopper 75A 1200v Минимальный заказ: 1 |
|
105 |
|
Semikron |
SKHI26W
|
Double driver for IGBT modules Input signal volt. VS+0.3V Output peak curren 8A Collector emitter voltage sense across the IGBT 1600V Минимальный заказ: 1 |
|
2 |
|
Semikron |
SKKE330F17
|
SEMITRANS 4, Single Fast Diode Module, 1700V, 330A @ Tc = +70°C, Trr=990 ns, Tj= -40°C to +150 Минимальный заказ: 1 |
|
1 |
|
Semikron |
SKKH162/18E
|
SEMIPACK 2 , диодно-тиристорный модуль ,1800V 156А, -40°C to +125°C Минимальный заказ: 1 |
|
1 |
|
Semikron |
SKKH27/12E
|
SEMIPACK 1 , диодно-тиристорный модуль ,1200V 25A , Tj= -40°C to +125°C Минимальный заказ: 1 |
|
2 |
|
Semikron |
SKKH72/22EH4
|
SEMIPACK 1, диодно-тиристорный модуль, 2200V, 70A(at 85°C), 1000V/us, – 40...+125°C Минимальный заказ: 1 |
|
3 |
|
Semikron |
SKKT42/18E
|
SEMIPACK 1, тиристорные/диодные модули на 1800 В, 40 А (sin 180) при Tc = 80 °C, Visol = 3000 В переменного тока, Tj = от -40 до +125 Минимальный заказ: 1 |
|
2 |
|
Semikron |
SKKT72/16E
|
Semipack 1, Thyristor / Diode Modules, 70A (at 85 C), 1600V, Visol 3000VAC, Tj= -40°C to +125°C Semikron Минимальный заказ: 1 |
|
2 |
|
Semikron |
SKM150GB12VG
|
( аналог 2MBI150U4B-120 ) SEMITRANS 3, IGBT4, 1200V, 180A@80°C, Visol=4000V, Tj= -40°C to +175°C Минимальный заказ: 1 |
|
112 |
|
Semikron |
SKM195GAL063DN
|
SEMITRANS 2N, Superfast NPT-IGBT Modules, Brake-Chopper on top, 600V 195A, Top=-40..+125C Минимальный заказ: 1 |
|
1 |
|
Semikron |
SKM200GAL12T4
|
Fast IGBT4 Modules VCES 1200 V, IC 200 A, Visol=4000V, Top -40 ... 175 °C Минимальный заказ: 1 |
|
2 |
|
Semikron |
SKM300GAL12T4
|
SEMITRANS® 3, Fast IGBT4 Modules, VCES=1200 V, IC=300 A Минимальный заказ: 1 |
|
5 |
|