| Производитель |
Наименование |
Информация |
Цены |
Склад |
|
|
FR157
|
|
|
701 1-3 дня |
|
|
FR307
|
Диод 1000В/ 3А/500нс Fast Recovery Корп: DO-201AD |
|
83 1-3 дня |
|
|
FR607
|
Диод 1000В/ 6А/500нс Fast Recovery Корп: DO-15 |
|
37 1-3 дня |
|
|
HER307
|
Диод 800В/ 3А/ 75нс High Efficiency Корп: DO-201 |
|
96 1-3 дня |
|
|
HER308
|
Диод 1000В/ 3А/ 75нс High Efficiency Корп: DO-201 |
|
139 1-3 дня |
|
|
HER605
|
Диод 400В/ 6А/ 50нс High Efficiency Корп: DO-201 |
|
42 1-3 дня |
|
|
BR810
|
Мост 8А 1000В Корп: KBPC |
|
3 1-3 дня |
|
|
RS407
|
Мост 4А 1000В Корп: KBU |
|
2 1-3 дня |
|
|
SB360
|
Диод Шоттки Uобр.=60В / Iпр.= 3А / Uпад. = 0.74В Корп: DO-201 |
|
86 1-3 дня |
|
|
SB560
|
Диод Шоттки Uобр.= 60В / Iпр.= 5А / Uпад. = 0.7В Корп: DO-201 |
|
97 1-3 дня |
|
|
SF16
|
Диод 400В/ 1А/ 35нс Super Fast Корп: DO-41 |
|
104 1-3 дня |
|
|
2А108АР
|
|
|
1 1-3 дня |
|
|
2А108АР
|
|
|
46 1-3 дня |
|
|
1А401В
|
GE СВЧ 0,4Вт Диапазон 6-60см Прим: Ni Корп: КДЮ-113-2 Год: 98 |
|
58 1-3 дня |
|
|
1А403Б
|
GE СВЧ 0,4Вт Дециметровый, сантиметровый диапазон Прим: Ni Корп: КДЮ-111-2 Год: \x{00a1}/\x{00a3} |
|
5 1-3 дня |
|
|
1А408А
|
GE СВЧ 2Вт Дециметровый, сантиметровый диапазон Прим: Au Год: 86 |
|
5 1-3 дня |
|
|
1А408Б
|
GE СВЧ 2Вт Дециметровый, сантиметровый диапазон Прим: Au Год: 88 |
|
5 1-3 дня |
|
|
1А501Б
|
GE СВЧ 1Вт Диапазон 3см Прим: Ni Корп: КДЮ-118-3 Год: 93 |
|
5 1-3 дня |
|
|
1А501В
|
GE СВЧ 1Вт Диапазон 3см Прим: Ni Корп: КДЮ-118-3 Год: 93 |
|
5 1-3 дня |
|
|
1А501Ж
|
GE СВЧ 1Вт Диапазон 3см Прим: Ni Корп: КДЮ-118-3 Год: \x{00a1}/\x{00a3} |
|
10 1-3 дня |
|
|
2А506В
|
Кремниевые, сплавные, переключательные. Рабочим элементом диода является полупроводниковая структура типа n-i-p-i-n. Прим: Ni Год: 86 |
|
5 1-3 дня |
|
|
2А510В
|
СВЧ диод кремниевый, планарно-эпитаксиальный, ограничительный Прим: Au Корп: КД-110 Год: 76 |
|
9 1-3 дня |
|
|
КА510Д
|
|
|
10 1-3 дня |
|
|
2А511А
|
Диод СВЧ кремниевый, диффузионный, переключательный. Предназначен для применения в переключающих устройствах, модуляторах, фазовращателях, аттенюаторах сантиметрового и дециметрового диапазона |
|
2 1-3 дня |
|
|
2А518А
|
Год: 88 |
|
1 1-3 дня |
|
|
2А524А4
|
P-I-N диод Fкритич не менее 160 ГГц Прим: Au Год: 89 |
|
1 1-3 дня |
|
|
КА606А
|
Для работы в умножителях частоты сантиметрового и дециметрового диапазона fmax<100GHz U<30V C=0,5...1,2pF Прим: Ni Год: 78 |
|
59 1-3 дня |
|
|
КА606Б
|
Для работы в умножителях частоты сантиметрового и дециметрового диапазона fmax<130GHz U<30V C=0,3...0,7pF Год: 77 |
|
30 1-3 дня |
|
|
2А611А
|
Варикап для применения в устройствах перестройки частоты или фазы в СВЧ-диапазоне. U<50V Cд=3,1пФ Lд<1,0нГн Pрас<1W Корп: КД-104 Год: 91 |
|
57 1-3 дня |
|
|
КА611А-1
|
Варикап для применения в устройствах перестройки частоты или фазы в СВЧ-диапазоне. U<50V Cд=3,1пФ Lд<1,0нГн Pрас<1W Прим: Ni Корп: КД-104 Год: \x{00a1}/\x{00a3} |
|
5 1-3 дня |
|
|
КА611Б1
|
Варикап для применения в устройствах перестройки частоты или фазы в СВЧ-диапазоне. U<50V Сд=1,4...2,2пФ Lд<1,0нГн Прим: Ni Корп: КД-104 Год: \x{00a1}/\x{00a3} |
|
59 1-3 дня |
|
|
АА619А-6
|
Диоды настроечные, арсенидогаллиевые, мезаэпитаксиальные, с барьером Шоттки. Предназначены для применения в устройствах перестройки частоты или фазы в СВЧ-диапазоне в гибридных интегральных мик |
|
28 1-3 дня |
|
|
2А636А
|
Диоды кремниевые, мезадиффузионно-эпитаксиальные, умножительные. Предназначены для применения в умножителях частоты сантиметрового диапазона длин волн. Прим: Au Год: 89 |
|
23 1-3 дня |
|
|
ЗА715М
|
Диоды арсенидогаллиевые, мезаэпитаксиальные, на эффекте Ганна, генераторные. Предназначены для применения в генераторах сантиметрового диапазона длин волн. Прим: Au Год: 88 |
|
11 1-3 дня |
|
|
АА718А
|
Pвых.=25мВт U=5.5V I=10mA Прим: Au Год: 92 |
|
18 1-3 дня |
|
|
3А721А
|
Pвых.=10мВт U=9-12V I=10mA 3,86..5,95 ГГц Прим: Au Диод Ганна Год: 84 |
|
10 1-3 дня |
|
|
3А722А
|
U=8..11 В ...... 10..15 мВт 5,6..8,24 ГГц Прим: Au Диод Ганна Год: 84 |
|
4 1-3 дня |
|
|
3А722АМ
|
U=3...4V 75...140 мВт 37,5:42,0 ГГц Прим: Au Диод Ганна Год: 87 |
|
3 1-3 дня |
|
|
АА724А
|
Pвых.=10мВт U=5-7V I=10mA Прим: Au Год: 92 |
|
17 1-3 дня |
|
|
АА725А
|
Pвых.=200мВт U=11V I=10mA Прим: Au Год: 93 |
|
38 1-3 дня |
|
|
АА726А
|
Pвых.=100мВт U=8V I=10mA Прим: Au Год: 92 |
|
29 1-3 дня |
|
|
АА728А
|
Pвых.=50мВт U=3-4.5V I=10mA Прим: Au Год: 90 |
|
27 1-3 дня |
|
|
3А735А-6
|
Pвых.=15мВт U=13V I=10mA 4,0:5,5 ГГц Прим: Au Диод Ганна Год: 89 |
|
2 1-3 дня |
|
|
КВ109Г
|
Варикап 4,5...12,5 пф (3-25 В) Q=160 (50 МГц) Прим: Ni Корп: КД-17 Год: 92 |
|
186 1-3 дня |
|
|
2В112Б1
|
Варикап 1,8...15 пф (4-25 В) Q=200 (50 МГц) Прим: Ni Год: 90 |
|
3 1-3 дня |
|
|
КВ121А
|
Варикап 0,85...5,15 пф (1,5-25 В) Q=200 (50 МГц) Прим: Ni Корп: КД-17 Год: 92 |
|
5 1-3 дня |
|
|
КВС111А
|
Два варикапа с ОК 3,3...33 пф (4-30 В) Q=200 (50 МГц) Прим: Ni Год: 87-88 |
|
270 1-3 дня |
|
|
ФД1
|
|
|
67 1-3 дня |
|
|
ФД-7К
|
Год: 85 |
|
1 1-3 дня |
|
|
КД102Б
|
Uобр.= 300В / Iпр. = 0.1А/ Uпр.= 1В Прим: 300V 0,1A Корп: КД-29 Год: 2025 |
|
145 1-3 дня |